JPH0460947B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0460947B2 JPH0460947B2 JP58245981A JP24598183A JPH0460947B2 JP H0460947 B2 JPH0460947 B2 JP H0460947B2 JP 58245981 A JP58245981 A JP 58245981A JP 24598183 A JP24598183 A JP 24598183A JP H0460947 B2 JPH0460947 B2 JP H0460947B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- metal
- bonded body
- thermal expansion
- body according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- NMHMDUCCVHOJQI-UHFFFAOYSA-N lithium molybdate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O NMHMDUCCVHOJQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000288902 Lemur catta Species 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
[発明の技術分野]
本発明は、接合強度の大きい新規なセラミツク
ス−金属接合体に関する。 [発明の技術的背景とその問題点] 従来より、アルミナ等のセラミツクス部材に金
属部材を接合する方法としては、一般にセラミツ
クス部材表面にモリブデンペーストを焼付けてメ
タライズ処理を施した後、ニツケルめつきを行な
つて金属部材をろう付けして接合する方法がとら
れている。 この方法において一般的に金属部材として、
Al2O3と熱膨張係数のほぼ等しいコバール等が用
いられる。 しかるに金属部材として例えば構造材に用いる
鋼材のような熱膨張係数の大きな金属部材を用い
た場合には、両者の熱膨張差により生じる応力の
ためセラミツクス側に亀裂を生じたり、接合強度
よりも低い負荷状態においてセラミツクスが金属
側に剥取られるという現象が起こる。 最近、高温構造材料、耐摩耐食材料として注目
されているSi3N4、SiC等の非酸化物系セラミツ
クスの場合、熱膨張係数は、Al2O3よりもかなり
小さく(Al2O3;6〜9×10-6℃-1、Si3N4;2.5
〜4×10-6℃-1、SiC;4〜5×10-6℃-1)、これ
らセラミツクスと鋼材等を接合した場合は上記の
ような現象が更に甚しくなり実用できる接合は極
めて難しかつた。 [発明の目的] 本発明はかかる従来の難点を解消すべくなされ
たもので、セラミツクス部材と金属部材との接合
界面に延性の大きい金属材と熱膨張係数がセラミ
ツクス部材と近似している金属材とを介在させる
ことにより、接合時等に生ずる急激なヒートシヨ
ツクによつても亀裂や破壊を起こすことのないセ
ラミツクス−金属接合体を提供しようとするもの
である。 [発明の概要] すなわち本発明のセラミツクス−金属接合体
は、セラミツクス部材と金属部材との間へ、前記
セラミツクス部材に接する側にセラミツクス部材
と熱膨張係数が近似している金属材を配置し、か
つ前記金属部材に接する側に延性金属材を配置し
て、この状態でセラミツクス部材と金属部材とを
接合してなることを特徴としている。 本発明の対象となるセラミツクス部材として
は、アルミナ、マグネシア等の酸化物系のセラミ
ツクス部材のほか、窒化ケイ素、炭化ケイ素、サ
イアロン等の非酸化物系セラミツクス部材があげ
られ、特に常圧焼結、ホツトプレス等にり焼成さ
れた緻密質のものに適用される。 本発明においてセラミツクス部材に接する側に
配置される金属材は、セラミツクス部材との熱膨
張係数の差が4.0×10-6℃-1以下であるものが適
しており、例えばモリブデン(3.7〜5.3×10-6℃-
1)、タングステン(約4.5×10-6℃-1)等があげら
れる。 なお本発明において熱膨張係数の値は、常温か
ら硬ろう付け温度までの平均値である。 また、これら金属材は板状、その他の形状で使
用される。 また、本発明に使用し得る延性の大きい金属材
としては、他の2つの金属より延性が大きけれ
ば、どのような金属を使用してもよいが、特性お
よび価格の面から特に銅およびその合金が適して
いる。 また延性は、伸びおよび絞りによつて示され、
伸びが優れたものの他に、特に絞りが優れたもの
が好適である。 この延性の大きい金属材は、板状その他の形状
で使用されるが、厚さは0.1〜0.5mm、特に0.2〜
0.4mmの範囲が適している。この範囲は、延性金
属が塑性変形することによる応力緩和効果及び熱
膨張係数差によりセラミツクス側に発生する引張
り応力効果等の総合的条件により定まるものと考
えられるが、本発明者等の実験においては、前記
の厚さの範囲で優れた効果が得られることが確認
されている。 本発明のセラミツクス−金属接合体は、接合す
べきセラミツクス部材の面を常法によりメタライ
ズ処理してニツケル電界めつきを施す一方、接合
すべき金属部材の面および両者の間に挿入される
熱膨張係数がセラミツクのそれと近似している金
属材や延性金属材の両面にもニツケル電界めつき
を施し、これらを弱還元性雰囲気の中で約700℃
前後で熱処理し、銀ろう、銅ろう、ニツケルろう
等の硬ろうを介して重ね合せ、硬ろうの融点以上
の温度で一体にろう接することにより得られる。
なお、活性金属法その他の接合方法も適用でき
る。 このようにして得られたセラミツクス−金属接
合体は、急激なヒートシヨツクが加わつても延性
の大きい金属材により剪断応力等が緩和され、ま
たこの延性金属材は、セラミツクス部材に直接で
なくセラミツクス部材と熱膨張係数の近似した金
属材を介して接合されているので、セラミツクス
に無理な応力がかからず、セラミツクス部材の接
合界面近傍に亀裂が生じたり、破壊したりするお
それがない。 [発明の実施例] 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 常圧焼結した窒化ケイ素からなる複数個のセラ
ミツクス焼結体の表面に、モリブデン酸リチウム
0.3g、二酸化チタン0.35gおよび水1.8c.c.からな
る水溶液を塗布し、自然乾燥させた後、空気中で
750℃、5分間加熱してモリブデン酸リチウムを
溶融し、次いで窒素:水素=1:1のホーミング
ガス中で1350℃で60分間加熱して焼成し導電性被
膜を形成させた。 このようにしてセラミツクス焼結体上に形成さ
れた導電性被膜に、ニツケル電解めつきを施し、
さらに700℃の弱還元性雰囲気中で15分熱処理を
施した。 次に0.3mm厚の銅板と0.2mm厚のモリブデン板の
それぞれの両面にニツケル電解めつき施し、700
℃の弱還元性雰囲気中で15分熱処理した後、図面
に示すように、前記したセラミツクス焼結体1の
ニツケルめつき層2の上に銀ろう3を介してモリ
ブデン板4を載せ、さらに銀ろう3を介して銅板
5を載せ、次いでその上に銀ろう3を介してニツ
ケルめつきおよび熱処理を施した純鉄チツプ6を
載せて820℃で10分間加熱してろう接した後、約
10℃/分の冷却速度で放冷した。 また比較のため緩衝材として銅板を用いない場
合(比較例1)、モリブデン板を用いない場合
(比較例2)および銅板もモリブデン板も用いな
い場合(比較例3)についても同様に処理し接合
した。 このようにして接合されたセラミツクス−金属
接合体の剪断強度は次表の通りであつた。
ス−金属接合体に関する。 [発明の技術的背景とその問題点] 従来より、アルミナ等のセラミツクス部材に金
属部材を接合する方法としては、一般にセラミツ
クス部材表面にモリブデンペーストを焼付けてメ
タライズ処理を施した後、ニツケルめつきを行な
つて金属部材をろう付けして接合する方法がとら
れている。 この方法において一般的に金属部材として、
Al2O3と熱膨張係数のほぼ等しいコバール等が用
いられる。 しかるに金属部材として例えば構造材に用いる
鋼材のような熱膨張係数の大きな金属部材を用い
た場合には、両者の熱膨張差により生じる応力の
ためセラミツクス側に亀裂を生じたり、接合強度
よりも低い負荷状態においてセラミツクスが金属
側に剥取られるという現象が起こる。 最近、高温構造材料、耐摩耐食材料として注目
されているSi3N4、SiC等の非酸化物系セラミツ
クスの場合、熱膨張係数は、Al2O3よりもかなり
小さく(Al2O3;6〜9×10-6℃-1、Si3N4;2.5
〜4×10-6℃-1、SiC;4〜5×10-6℃-1)、これ
らセラミツクスと鋼材等を接合した場合は上記の
ような現象が更に甚しくなり実用できる接合は極
めて難しかつた。 [発明の目的] 本発明はかかる従来の難点を解消すべくなされ
たもので、セラミツクス部材と金属部材との接合
界面に延性の大きい金属材と熱膨張係数がセラミ
ツクス部材と近似している金属材とを介在させる
ことにより、接合時等に生ずる急激なヒートシヨ
ツクによつても亀裂や破壊を起こすことのないセ
ラミツクス−金属接合体を提供しようとするもの
である。 [発明の概要] すなわち本発明のセラミツクス−金属接合体
は、セラミツクス部材と金属部材との間へ、前記
セラミツクス部材に接する側にセラミツクス部材
と熱膨張係数が近似している金属材を配置し、か
つ前記金属部材に接する側に延性金属材を配置し
て、この状態でセラミツクス部材と金属部材とを
接合してなることを特徴としている。 本発明の対象となるセラミツクス部材として
は、アルミナ、マグネシア等の酸化物系のセラミ
ツクス部材のほか、窒化ケイ素、炭化ケイ素、サ
イアロン等の非酸化物系セラミツクス部材があげ
られ、特に常圧焼結、ホツトプレス等にり焼成さ
れた緻密質のものに適用される。 本発明においてセラミツクス部材に接する側に
配置される金属材は、セラミツクス部材との熱膨
張係数の差が4.0×10-6℃-1以下であるものが適
しており、例えばモリブデン(3.7〜5.3×10-6℃-
1)、タングステン(約4.5×10-6℃-1)等があげら
れる。 なお本発明において熱膨張係数の値は、常温か
ら硬ろう付け温度までの平均値である。 また、これら金属材は板状、その他の形状で使
用される。 また、本発明に使用し得る延性の大きい金属材
としては、他の2つの金属より延性が大きけれ
ば、どのような金属を使用してもよいが、特性お
よび価格の面から特に銅およびその合金が適して
いる。 また延性は、伸びおよび絞りによつて示され、
伸びが優れたものの他に、特に絞りが優れたもの
が好適である。 この延性の大きい金属材は、板状その他の形状
で使用されるが、厚さは0.1〜0.5mm、特に0.2〜
0.4mmの範囲が適している。この範囲は、延性金
属が塑性変形することによる応力緩和効果及び熱
膨張係数差によりセラミツクス側に発生する引張
り応力効果等の総合的条件により定まるものと考
えられるが、本発明者等の実験においては、前記
の厚さの範囲で優れた効果が得られることが確認
されている。 本発明のセラミツクス−金属接合体は、接合す
べきセラミツクス部材の面を常法によりメタライ
ズ処理してニツケル電界めつきを施す一方、接合
すべき金属部材の面および両者の間に挿入される
熱膨張係数がセラミツクのそれと近似している金
属材や延性金属材の両面にもニツケル電界めつき
を施し、これらを弱還元性雰囲気の中で約700℃
前後で熱処理し、銀ろう、銅ろう、ニツケルろう
等の硬ろうを介して重ね合せ、硬ろうの融点以上
の温度で一体にろう接することにより得られる。
なお、活性金属法その他の接合方法も適用でき
る。 このようにして得られたセラミツクス−金属接
合体は、急激なヒートシヨツクが加わつても延性
の大きい金属材により剪断応力等が緩和され、ま
たこの延性金属材は、セラミツクス部材に直接で
なくセラミツクス部材と熱膨張係数の近似した金
属材を介して接合されているので、セラミツクス
に無理な応力がかからず、セラミツクス部材の接
合界面近傍に亀裂が生じたり、破壊したりするお
それがない。 [発明の実施例] 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 常圧焼結した窒化ケイ素からなる複数個のセラ
ミツクス焼結体の表面に、モリブデン酸リチウム
0.3g、二酸化チタン0.35gおよび水1.8c.c.からな
る水溶液を塗布し、自然乾燥させた後、空気中で
750℃、5分間加熱してモリブデン酸リチウムを
溶融し、次いで窒素:水素=1:1のホーミング
ガス中で1350℃で60分間加熱して焼成し導電性被
膜を形成させた。 このようにしてセラミツクス焼結体上に形成さ
れた導電性被膜に、ニツケル電解めつきを施し、
さらに700℃の弱還元性雰囲気中で15分熱処理を
施した。 次に0.3mm厚の銅板と0.2mm厚のモリブデン板の
それぞれの両面にニツケル電解めつき施し、700
℃の弱還元性雰囲気中で15分熱処理した後、図面
に示すように、前記したセラミツクス焼結体1の
ニツケルめつき層2の上に銀ろう3を介してモリ
ブデン板4を載せ、さらに銀ろう3を介して銅板
5を載せ、次いでその上に銀ろう3を介してニツ
ケルめつきおよび熱処理を施した純鉄チツプ6を
載せて820℃で10分間加熱してろう接した後、約
10℃/分の冷却速度で放冷した。 また比較のため緩衝材として銅板を用いない場
合(比較例1)、モリブデン板を用いない場合
(比較例2)および銅板もモリブデン板も用いな
い場合(比較例3)についても同様に処理し接合
した。 このようにして接合されたセラミツクス−金属
接合体の剪断強度は次表の通りであつた。
【表】
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、熱膨張係
数の異なるセラミツクス部材と金属部材とを高温
にて接合する際に必然的に生ずる応力を緩和する
ことができ、より安定で信頼性のあるセラミツク
ス−金属接合体を提供することができる。
数の異なるセラミツクス部材と金属部材とを高温
にて接合する際に必然的に生ずる応力を緩和する
ことができ、より安定で信頼性のあるセラミツク
ス−金属接合体を提供することができる。
図面は本発明の一実施例のセラミツクス−金属
接合体の構造を示す断面図である。 1……セラミツクス焼結体、2……ニツケルめ
つき層、3……銀ろう、4……モリブデン板、5
……銅板、6……純鉄チツプ。
接合体の構造を示す断面図である。 1……セラミツクス焼結体、2……ニツケルめ
つき層、3……銀ろう、4……モリブデン板、5
……銅板、6……純鉄チツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 セラミツクス部材と金属部材との間へ、前記
セラミツクス部材に接する側にこのセラミツクス
部材と熱膨張係数が近似している金属材を配置
し、かつ前記金属部材に接する側に延性金属材を
配置して、この状態でセラミツクス部材と金属部
材とを接合してなることを特徴とするセラミツク
ス−金属接合体。 2 セラミツクス部材は、非酸化物系セラミツク
ス部材である特許請求の範囲第1項記載のセラミ
ツクス−金属接合体。 3 金属部材は、鋼材である特許請求の範囲第1
項または第2項記載のセラミツクス−金属接合
体。 4 セラミツクス部材に接する側に配置される金
属部材は、セラミツクス部材との熱膨張係数の差
が4.0×10-6℃-1以下のものである特許請求の範
囲第1項ないし第3項のいずれか1項記載のセラ
ミツクス−金属接合体。 5 セラミツクス部材との熱膨張係数の差が4.0
×10-6℃-1以下の金属材は、モリブデンまたはタ
ングステンを主成分とするものである特許請求の
範囲第1項ないし第4項のいずれか1項記載のセ
ラミツクス−金属接合体。 6 延性金属材は、銅または銅合金からなる特許
請求の範囲第1項ないし第5項のいずれか1項記
載のセラミツクス−金属接合体。 7 接合は硬ろうにより行なわれる特許請求の範
囲第1項ないし第6項のいずれか1項記載のセラ
ミツクス−金属接合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24598183A JPS60145972A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | セラミックス−金属接合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24598183A JPS60145972A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | セラミックス−金属接合体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60145972A JPS60145972A (ja) | 1985-08-01 |
JPH0460947B2 true JPH0460947B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=17141699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24598183A Granted JPS60145972A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | セラミックス−金属接合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60145972A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63206365A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | 京セラ株式会社 | セラミツクスと金属の接合体 |
EP0331500B1 (en) * | 1988-03-04 | 1993-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Brazing paste for bonding metal and ceramic |
JP7010750B2 (ja) * | 2018-04-04 | 2022-01-26 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックス部材および緩衝部材の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58125673A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-26 | 新明和工業株式会社 | 拡散接合方法 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24598183A patent/JPS60145972A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58125673A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-26 | 新明和工業株式会社 | 拡散接合方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60145972A (ja) | 1985-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0777989B2 (ja) | セラミックスと金属の接合体の製造法 | |
JPH0662344B2 (ja) | セラミツクスと金属の接合体 | |
JP2642574B2 (ja) | セラミックス電子回路基板の製造方法 | |
JPH0460947B2 (ja) | ||
JPS59232692A (ja) | セラミツクと金属等との接合用ろう材及びこれを用いたセラミツクと金属等の複合体 | |
JP4557398B2 (ja) | 電子素子 | |
JPH08102570A (ja) | セラミックス回路基板 | |
JPH0317793B2 (ja) | ||
JP2000128655A (ja) | セラミック体と金属体の接合構造、セラミック体と金属体の接合方法、およびこれを用いたセラミックヒ−タ | |
JP2689685B2 (ja) | 半導体装置用軽量基板 | |
JPH0930870A (ja) | セラミックス金属接合体および加速器用ダクト | |
JPH0597533A (ja) | セラミツクス−金属接合用組成物およびセラミツクス−金属接合体 | |
JP2729751B2 (ja) | アルミナセラミックスとアルミニウムの接合方法 | |
JPH06329480A (ja) | セラミックス−金属接合体およびその製造方法 | |
JPH01249669A (ja) | セラミックス回路基板 | |
JPH06263554A (ja) | セラミックス−金属接合基板 | |
JPH05201777A (ja) | セラミックス−金属接合体 | |
JPH0371393B2 (ja) | ||
JP2001048670A (ja) | セラミックス−金属接合体 | |
JP3255379B2 (ja) | アルミナセラミックスと金属の接合方法 | |
JP3352823B2 (ja) | 炭化珪素セラミックスとシリコンとの接合方法 | |
JP2000349098A (ja) | セラミック基板と半導体素子の接合体及びその製造方法 | |
JPS63206365A (ja) | セラミツクスと金属の接合体 | |
JP3292767B2 (ja) | 炭化珪素セラミックスとシリコンとの接合方法 | |
JPS6065774A (ja) | セラミックスと金属の接合体とその製造法 |