JPH0459683B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録媒体に情報を記録または再
生する磁気ヘツドに関するものである。

従来例の構成とその問題点 近年、磁気密度の向上に伴つて、磁気記録層の
反磁界が少く高密度記録が可能である垂直磁化記
録方式が提案されている（特開昭52−134706号公
報、特開昭53−3209号公報参照）。この方式はデ
ジタルデータを高密度に磁気記録できる特長があ
るが、垂直異方性を有する記録媒体を必要とする
とともに、垂直方向の磁界の強い磁気ヘツドを必
要とする。以下図面を参照しながら、従来の垂直
方向の磁界の強い磁気ヘツド（以下磁気ヘツドと
略す）について説明する。

第１図は従来の磁気ヘツドの構成を示す側面図
である。図において磁気記録媒体１は表面に媒体
高透磁率層２および垂直方向に磁化しやすい垂直
異方性をもつ垂直磁化層３から形成されている。
磁気記録媒体１に近接して高透磁率薄膜層４が構
成され、高透磁率薄膜層４を第１と第２非磁性ブ
ロツク５で挾んで保持する。さらに非磁性ブロツ
ク５には録再用コイル６を巻き、高透磁率薄膜層
４を信号電流により磁化して、近接する磁気記録
媒体１に磁気記録するとともに、磁気記録媒体１
の磁化により磁化した高透磁率薄膜層４の磁束を
コイル６で検出して再生する。高透磁率薄膜層４
は垂直方向の磁界の強い磁気ヘツドを構成するた
め使用する。以上述べた、垂直方向の磁界の強い
磁気ヘツド７（以下垂直ヘツドと略記する）は、
多数のトラツクに記録再生する装置、例えば、磁
気デイスク、フレキシブルデイスク等では消去ヘ
ツド８を必要とする。消去ヘツド８は非磁性体よ
りなる磁気ギヤツプ９を有しリング型の磁極１０
と消去用コイル１１を有する、リング型磁気ヘツ
ドにより構成される。第２図は消去ヘツド８の動
作を示すもので、第１図の上面より見た平面図で
ある。すでに磁気記録されている磁気トラツク１
２にさらに垂直ヘツド７により新しい磁気記録を
トラツク１３に記録しているが、トラツクの位置
誤差Ｓのため、以前に記録されている磁気トラツ
ク１２の記録残り１４が生ずる。このため例え
ば、２個の消去ヘツド８，８′を、ラツク１３の
両側にトラツクを一致させずに配置して、記録残
り１４を消去する。

しかしながら、上記のような従来の垂直ヘツド
７および消去ヘツド８の組合せは、構成的に２組
のヘツドが必要である欠点を有する。さらに録再
用コイル６と消去用コイル１１が必要で記録信号
電流と消去電流を磁気記録時に同時に流す必要が
あつた。特に高密度化のために数十μｍの狭いト
ラツク幅にすると垂直ヘツド７および消去ヘツド
８，８′の相対配置を精度よく構成することが困
難となり、新しく磁気記録をしたトラツク１３を
消去ヘツド８又は８′で消す等の問題を発生する。

発明の目的 本発明は以上のような欠点を解消するもので、
まず第１の目的は、２組の垂直ヘツドおよび消去
ヘツドを一体化して構成を単純化し、相対的配置
精度の向上をはかることであり、第２の目的は録
再コイルと消去コイルを一体化して、記録信号電
流だけで良い構成とするものである。

発明の構成 本発明は上記目的を達成するためになされたも
ので、デジタルデータを記録する磁気記録媒体に
近接し、少なくとも一部が非磁性体で挾まれた高
透磁率薄膜層と、その一側面が前記高透磁率薄膜
層の一側面と磁気が通過するように対向して接続
された第１の高透磁率体と、磁気記録媒体と対向
する表面で前記第１の高透磁率体との間で磁気ギ
ヤツプを構成する第２の高透磁率体と、前記第１
と第２の高透磁率体との間の磁気回路中に設けら
れたコイルとを備え、前記高透磁率薄膜層の厚み
を基本変調周波数で記録した媒体上の磁化の波長
の２分の１よりも小さくし、さらに磁気ギヤツプ
の間隔を前記波長よりも大きくし、前記高透磁率
薄膜層を前記コイルにより磁化して前記磁気記録
媒体に磁気記録し、逆の過程で再生を行ない、前
記磁気ギヤツプで不要な磁気記録部分を消去する
ようにした磁気ヘツドを提供するものである。

実施例の説明 以下に本発明の第１の実施例について図面を参
照しながら説明する。第３図は本発明の第１の実
施例における磁気ヘツドの構成を示す断面図であ
り、第４図は本実施例の平面図であり、第４図の
Ａ−A′に第３図の断面位置を示す。第３図にお
いて、１は磁気記録媒体、２，３は磁気記録媒体
１の高透磁率層および垂直磁化層、４は高透磁率
薄膜層で例えばFe−Ni系合金の1μｍ厚みの薄膜
が用いられる。５は非磁性ブロツクで例えばチタ
ン酸バリウム等のセラミツク材料、１０，１０′
は二つの高透磁率ブロツクを磁気的に結合したリ
ング型の磁極で、フエライト等の材料で形成さ
れ、非磁性体からなる磁気ギヤツプ９，９′を有
する。６は録再用コイルでリング型磁極１０，１
０′に巻かれる。第４図は平面図であるが、高透
磁率薄膜層４は４１，４２の部分でリング型磁極
１０，１０′に磁気的に接続している。また高透
磁率薄膜層４の厚みｄは磁気ギヤツプ９，９′の
間隔Ｄの1/2より小さく形成されている。

以下その動作を説明する。記録動作は、すでに
記録されている磁気トラツク１２にさらに高透磁
率薄膜層４により新しい磁気記録をトラツク１３
に記録する。なお、磁気記録媒体１は、矢印５０
（第３図）の方向に移動するものとして説明する。
以前に記録されている磁気トラツク１２の記録残
り１４はトラツク１３の両側にトラツクを一一致
させずに配置したリング型磁極１０の磁気ギヤツ
プ９′により消去される。なお、第３図に示すよ
うに高透磁率薄膜層４の右側にはギヤツプ９，
９′及びリング型磁極１０，１０′は存在せず、ト
ラツク１３（第４図）がギヤツプ９，９′及びリ
ング型磁極１０，１０′によつて消去されること
はない。ここで高透磁率薄膜層４は従来例と異
り、磁気的に接続したリング型磁極１０，１０′
に巻かれた録再コイル６に流れる信号電流により
磁化され磁気記録する。これにより録再用コイル
と消去用コイルを別に用意する必要がない。また
垂直磁化記録方式はデジタルデータを記録するた
め、一般にFM変調、MFM変調周波数変調が使
用され、これらの変調の基本周波数で記録した媒
体上の磁化の波長をλ₀とすると、磁気記録した信
号の磁化は波長λ₀／２からλ₀の波長の磁化で記録さ れている。一般にリング型磁極の磁気ギヤツプ間
隔Ｄより小さい波長の磁化は記録されない。この
ためλ₀＜Ｄに設定すると第４図の磁気ギヤツプ
９，９′では信号は記録されないが、コイル６を
流れる信号電流により強い磁界が加わるため、媒
体の磁化は交流消去的に消される。すなわち消去
ヘツドとして動作する。また高透磁率薄膜層４で
磁化記録するためには最短波長λ₀／２より高透磁率 薄膜層４の厚みｄが小さいことが望ましい。すな
わちｄ＜λ₀／２＜Ｄ／２となり高透磁率薄膜層４の厚
み ｄが基本変調周波数で記録した媒体上の磁化の波
長λ₀の２分の１よりも小さく、かつ、磁気ギヤツ
プ９，９′の間隔Ｄは波長λ₀よりも大きい必要が
ある。

再生動作時は、上記の記録動作時の逆で、磁気
ギヤツプ間隔Ｄより小さな波長の磁化は再生しな
いため、磁気ギヤツプ９，９′では信号は再生さ
れず、高透磁率薄膜層４からのみ信号が再生され
る。以上の説明のように本実施例では、高透磁率
薄膜層４で記録および再生が可能であるが、磁気
ギヤツプ９，９′では記録時に消去作用だけ行な
い再生作用はなく、従来例の垂直ヘツドと消去ヘ
ツドを組合せた動作を一体で行うことができる。

また本実施例では、リング型磁極１０は高透磁
率薄膜層４の媒体走行方向下方配置してあるが、
走行方向前方に配置して消去後に記録をする構成
にしてもよい。

次に本発明の第２の実施例について図面を参照
しながら説明する。第５図は本実施例の構成を示
す断面図であり、第６図は側面図、第７図は平面
図である。第７図中のＢ−B′に第５図の断面位
置を示す。本実施例において第１の実施例と同一
部分は同一番号を付してある。なお、磁気記録媒
体１は、矢印５０（第５図）の方向に移動するも
のとして説明する。

本実施例は高透磁率薄膜４に隣接して非磁性体
からなる磁気ギヤツプ９を設けたもので、高透磁
率ブロツクからる磁脚１４と磁脚１５、磁脚１６
でそれぞれリング型磁極を形成しており、高透磁
率薄膜４の４３の部分で記録又は再生を行い、磁
気ギヤツプ９の９１及び９２の部分で消去を行つ
ている。なお、第７図において高透磁率薄膜４が
高透磁率ブロツクから成る磁脚１５及及び１６に
接する部分は、高透磁率薄膜層４が磁脚１５及び
１６と一体化したものと磁気的に等化であり、磁
気ギヤツプ９及び９′のみが存在する場合と磁気
的に等化である第５図および第６図参照）。従つ
て、この部分では上述した理由により実効的な記
録は行われず、高透磁率薄膜相層４の右側（第７
図）に非磁性体５が存在する部分、即ちトラツク
１３の幅でのみ記録が行われる。本実施例におい
ては、非磁性体からなる磁気ギヤツプ９は高透磁
率薄膜層４を挾む非磁性体と同一にできるので構
成を簡単にできる特長を有している。また強い磁
界中に高透磁率薄膜４があるため、記録、再生の
感度が向上する特長を有する。

発明の効果 以上のように本発明はデジタルデータを記録す
る磁気記録媒体に近接し、少なくとも一部が非磁
性体で挾まれた高透磁率薄膜層と、その一側面が
前記高透磁率薄膜層の一側面と磁気が通過するよ
うに対向して接続された第１の高透磁率体と、磁
気記録媒体と対向する表面で前記第１の高透磁率
体との間で磁気ギヤツプを構成する第２の高透磁
率体と、前記第１と第２の高透磁率体との間の磁
気回路中に設けられたコイルとを備え、前記非磁
性体で挟まれた高透磁率薄薄膜層の厚みを基本変
調周波数で記録した媒体上の磁化の波長の２分の
１よりも小さくし、さらに磁気ギヤツプの間隔を
前記波長よりも大きくし、前記高透磁率薄膜層で
記録又は再生を行い、前記磁気ギヤツプで消去を
行うようにした磁気ヘツドを提供するもので記録
あるいは再生する磁気ヘツドと消去ヘツドを一体
化することができ単純化と高精度化できると共
に、記録時に録再用コイルに流がす記録信号電流
で記録と消去が同時にできる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ヘツドの構成を示す側面
図、第２図は第１図の平面図、第３図は本発明の
第１の実施例である磁気ヘツド構成を示す断面
図、第４図は第３図の平面図、第５図は本発明の
第２の実施例である磁気ヘツド構成を示す断面
図、第６図は第５図の側面図、第７図は第５図の
平面図である。 １……磁気記録媒体、２……媒体高透磁率層、
３……垂直磁化層、、４……高透磁率薄膜層、５
……非磁性体、６……録再コイル、９，９′…磁
気ギヤツプ、１０，１０′……リング型磁極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ デジタルデータを記録する磁気記録媒体に近
   接して設けられ、少なくとも一部が非磁性体では
   さまれた高透磁率薄膜層と、その一側面と磁気が
   通過するように対向して接続された第１の高透磁
   率体と、磁気記録媒体と対抗する表面で前記第１
   のの高透磁率体との間で磁気ギヤツプを構成する
   第２の高透磁率体と、前記第１と第２の高透磁率
   体との間の磁気回路中に設けられたコイルとを備
   え、前記高透磁率薄膜層の厚みが基本変調周波数
   で記録した媒体上の磁化の波長の２分の１よりも
   小さく、かつ、前記磁気ギヤツプの間隔が前記波
   長より大きいことを特徴とする磁気ヘツド。 ２ 磁気ギヤツプ及び第２の高透磁率体が高透磁
   性薄膜に対して第１の高透磁率体と同じ側に設け
   られていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の磁気ヘツド。 ３ 第２の高透磁率体が高透磁率磁性薄膜に対し
   て第１の高透磁率体の反対側に磁気ギヤツプを介
   して設けられていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の磁気ヘツド。