JPH0455527B2 - - Google Patents

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JPH0455527B2
JPH0455527B2 JP61230844A JP23084486A JPH0455527B2 JP H0455527 B2 JPH0455527 B2 JP H0455527B2 JP 61230844 A JP61230844 A JP 61230844A JP 23084486 A JP23084486 A JP 23084486A JP H0455527 B2 JPH0455527 B2 JP H0455527B2
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Japan
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bonding
wire
chuck
package
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Yasuhiko Shimizu
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to US07/101,424 priority patent/US4762267A/en
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Publication of JPH0455527B2 publication Critical patent/JPH0455527B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体チツプとパツケージとをワイヤ
ボンデイングするワイヤボンデイング方法に係
り、特に例えば固体撮像素子のような長尺の半導
体チツプをワイヤボンデイングする方法に関す
る。
（従来の技術） 固体撮像素子等に使用される半導体チツプは幅
１mmに対して長さが30〜100mmと長尺となつてい
る。このような長尺の半導体チツプは引き出し電
極となるボンデイングパツドが長手方向に沿つて
形成されている。従つて、通常の半導体チツプに
おけるボンデイング範囲を超えるため、従来から
下記のような特別なボンデイング方法が適用され
ている。
半導体チツプの長手方向における中央部を分
岐点とし、まず分岐点の片側に形成されたボン
デイングパツドをワイヤボンダによつてボンデ
イングする。次に、前記分岐点を中心として半
導体チツプを回転させ、分岐点の反対側のボン
デイングパツドをワイヤボンダによつてボンデ
イングする。この方法はボンデイングの方向性
を必要とする超音波ボンデイングに、特に適用
されている。
半導体チツプをワイヤボンダに反復供給し、
各供給過程で順次、ワイヤボンデイングを行な
う。
半導体チツプの搬送路に沿つてワイヤボンデ
イングを複数基、配設して各ワイヤボンダによ
つてボンデイングを行なう。
しかしながら方法においては、半導体チツプ
の回転半径が大きく、回転の際の精度が必要とな
つている。特に、ボンデイングパツドが半導体チ
ツプの長手方向端部に形成されている場合には、
端点での精度の維持が必要となつている。このた
め、ボンデイング位置の座標計算を行なう必要が
あり、操作が煩雑となつている。又、ワイヤボン
ダが搭載されるＸ−Ｙテーブルの移動ストローク
が大きくなり、装置が大型化する。一方、方法
においては、反復供給ごとに半導体チツプの位置
決めが必要となり、ロスタイムが長く、操作も煩
雑となつている。さらに方法においては、ワイ
ヤボンダの数が多くなり、装置全体が複雑化し、
コスト高ともなつている。
（発明が解決しようとする問題点） 以上のように、いずれの従来技術においても操
作の煩雑さが解消されず、ワイヤボンデイングの
際の調整が面倒となつている。
本発明は上記事情を考慮してなされ、長尺の半
導体チツプのワイヤボンデイングに好適に実施で
きるワイヤボンデイング方法を提供することを目
的とする。
〔発明の構成〕
（問題点を解決するための手段） 上記目的は長尺の半導体チツプに形成されたボ
ンデイングパツドとパツケージに形成された電極
とを、半導体チツプがチヤツク台でチヤツキング
された状態でワイヤボンダによりワイヤボンデイ
ングするワイヤボンデイング方法において、前記
チヤツク台により前記半導体チツプをチヤツキン
グし、前記ワイヤボンダのボンデイング領域内の
ボンデイングパツドと電極とをワイヤボンデイン
グする第１の工程と、前記チヤツク台によるチヤ
ツキングを解除し前記半導体チツプを所定ピツチ
搬送する第２の工程と、前記チヤツク台を所定ピ
ツチ搬送された前記半導体チツプに沿うように旋
回させる第３の工程と、前記チヤツク台により前
記半導体チツプをチヤツキングし、前記ワイヤボ
ンダのボンデイング領域内に達した前記半導体チ
ツプのボンデイングパツドと電極とをワイヤボン
デイングする第４の工程とを有することを特徴と
するワイヤボンデイング方法によつて達成され
る。
（作用） 半導体チツプは搬送路上を直線方向に移動す
る。この直線移動中にチヤツク台が旋回し、半導
体チツプを少なくともその上流側と下流側の２箇
所でチヤツキングする。そして各チヤツキング動
作時に、ワイヤボンダのボンデイング領域内に位
置したボンデイングパツドにワイヤボンデイング
が行なわれる。これにより、半導体チツプの長手
方向に形成されたボンデイングパツドが順次、ボ
ンデイングされる。
（実施例） 以下、本発明をさらに具体的に説明する。
本発明は、搬送路上の半導体チツプをチヤツク
台によりチヤツキングしてワイヤボンダのボンデ
イング領域内をボンデイングする第１工程と、こ
のボンデイング終了後に半導体チツプを所定ピツ
チだけ移動させる第２工程と、移動した半導体チ
ツプをチヤツキングするためチヤツク台を旋回さ
せる第３工程と、旋回したチヤツク台により半導
体チツプを再度、チヤツキングしてワイヤボンデ
イングを行なう第４工程とからなつている。第１
図、第２図および第３図は第１工程における半導
体チツプ、チヤツク台、ワイヤボンダの位置関係
を示す平面図、正面図および側面図を示し、第４
図は第２工程における半導体チツプ、チヤツク
台、ワイヤボンダの位置関係を示す正面図を、第
５図は第３工程における半導体チツプ、チヤツク
台、ワイヤボンダの位置関係を示す正面図を示し
ている。図示の実施例はパツケージ１に長尺の半
導体チツプ２がセツトされた状態でワイヤボンデ
イングを行なう場合を示している。又、この実施
例で半導体チツプ２の長手方向の両端部近傍にボ
ンデイングパツド４が形成される。パツケージ１
はセラミツク板が積層されたり、あるいは合成樹
脂がモールドされることで成形されており、半導
体チツプ２が収納される凹部にはボンデイングパ
ツド４とワイヤボンデイングされる電極（図示せ
ず）が印刷手段等によつて形成されている。８は
電極に接続されたアウターリードであり、外部機
器のソケツト（図示せず）等に挿入され、これに
より信号の授受がなされて半導体装置が機能する
ようになつている。半導体チツプ２はパツケージ
１内に予め、位置決め、セツトされた状態で搬送
路により半導体チツプ２の長手方向に搬送され
る。搬送は半導体チツプ２がセツトされたパツケ
ージ１が搭載されるキヤリヤ９と、キヤリヤ９を
移動させるワークフイーダ（図示せず）とからな
つている。キヤリヤ９は、例えば無端ベルト等の
コンベアが使用されており、後述するチヤツク台
３によるチヤツキングを行なうためパツケージ１
の長手方向に沿つた長穴が適宜、開設されてい
る。ワイヤボンデイングを行なうワイヤボンダ１
０はこのような搬送路の定位置に設けられてお
り、半導体チツプ２のボンデイングパツド４とパ
ツケージ１の電極との間に金線、アルミニウム線
等の導線を掛け渡し、超音波振動等によつて接続
を行なう。又、ワイヤボンダ１０の下方にはワイ
ヤボンデイング時にパツケージ１をチヤツキング
するチヤツク台３が設けられている。チヤツク台
３はパツケージ１の下面に沿つたチヤツク板３ａ
とチヤツク板３ａを支持する軸体３ｂとが一体化
された「Ｌ」字形をなしている。このチヤツク台
３はモータ、シリンダ等の回転手段（図示せず）
に接続されており、回転手段の駆動で水平面内を
旋回する構造となつている。又、パツケージ１の
チヤツキングは本実施例では真空吸着によつて行
なわれるようになつており、チヤツク板３ａの上
面に吸着溝６が形成されると共に軸体３ｂに吸着
孔７が形成され、これらが図示しない真空ポンプ
等に接続されている。
第１工程では、まず半導体チツプ２がパツケー
ジ１にセツトされた状態でキヤリヤ９によつて、
第２図矢印Ａ方向に搬送される。パツケージ１が
チヤツク台３上方に達すると、チヤツク台３が矢
印Ｂのように上昇してパツケージ１の下面に当接
し、真空吸着によつてパツケージ１をチヤツキン
グする。これにより、パツケージ１は移動を停止
し、ワイヤボンダ１０の下方で定位置に保持され
る。この場合、パツケージ１のチヤツキングは搬
送方向下流側（図示の例では右側）のボンデイン
グパツド４がワイヤボンダ１０の下方に位置する
ように行なわれる。すなわち、一点鎖線５の位置
で停止するように行なわれる。次に、この状態で
ワイヤボンダ１０によつて同位置のボンデイング
パツド４とパツケージ１の電極とが超音波により
ワイヤボンデイングがなされる。すなわち、ワイ
ヤボンダ１０のボンデイング領域（半導体チツプ
２の右端側）にあるボンデイングパツド４と電極
とがボンデイングされる（第１段のボンデイン
グ） 第１段のボンデイングが終了した後は第２工程
に移行する。第２工程では第４図に示すように、
チヤツク台３が下降してチヤツキングが解除さ
れ、半導体チツプ２はパツケージ１と共にキヤリ
ヤ９によつて矢印Ａ方向に搬送される。この搬送
は、上流側（図示の例では左端側）に形成された
ボンデイングパツド４がワイヤボンダ１０下方に
位置するまでの所定ピツチＰで行なわれる。これ
により、パツケージは一点鎖線５ａの部分がワイ
ヤボンダ１０下方に位置する。
次に、第３工程では第５図のように、チヤツク
台３のチヤツク板３ａがパツケージ１下面に沿う
ように180°旋回する。従つて、チヤツク板３ａは
パツケージ１の真下に位置し、第４工程に移行す
る。第４工程は上記第１工程と同様な手順で行な
われるから、その図示を省略する。第４工程では
まず、旋回したチヤツク台３が上昇してパツケー
ジ１をチヤツキングする。このチヤツキングにあ
つてはチヤツク台３が旋回してパツケージ１下面
に沿う位置となつているから、次に送られくる新
たなパツケージ１と接触したり、干渉することが
なく、確実に行なうことができる。そしてワイヤ
ボンダ１０のボンデイング領域（一点鎖線５ａ近
辺）に位置したボンデイングパツド４とパツケー
ジ１の電極とが超音波によつてワイヤボンデイン
グされる（第２段のボンデイング）。これによつ
て、半導体チツプ２の長手方向の両端部に形成さ
れた全てのボンデイングパツド４のワイヤボンデ
イングが終了するから、チヤツク台３が下降し、
半導体チツプ２はパツケージ１と共にキヤリヤ９
によつて搬出される。この搬出と同時に、次段の
新たな半導体チツプ２がパツケージ１と共に搬送
され、新たなワイヤボンデイングが行なわれる。
このワイヤボンデイングでは上記第１〜４工程を
繰り返すが、チヤツク台３は逆方向に旋回して第
２図の状態に戻り、一点鎖線５の位置で新たなパ
ツケージ１のチヤツキングを行なう。
このような方法によると、長尺の半導体チツプ
を回転させる必要がないから半導体チツプの位置
決めが簡単で、且つ正確に行なうことができる。
又、半導体チツプを１回搬送するだけで全てのワ
イヤボンデイングが終了するから作業も簡略化さ
れる。さらにはワイヤボンダを多数併設する必要
もなく、装置全体も簡略化、小型化することがで
きる。
なお、本発明はボンデイングパツド４が半導体
チツプ２の両端付近に集中している場合だけでは
なく長手方向全域に形成されている場合にも同様
に適用することができる。この場合には、ワイヤ
ボンダのボンデイング領域に合わせたピツチで半
導体チツプを搬送する。又、チヤツク台３による
チヤツキングを機械的に行なつてもよい。
また上記実施例では半導体チツプがパツケージ
に収納されたタイプの素子について説明したが、
リードヘレームに長尺の半導体チツプが搭載され
たタイプの素子についても本発明を適用できるこ
とはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上のとおり本発明によれば、チヤツク台を旋
回させて半導体チツプのチヤツキングを行ない、
半導体チツプを回転させることなくワイヤボンデ
イングを行なうようにしたから、位置決めが容易
且つ正確となり、ボンデイング操作が簡略化され
ると共に、迅速化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図および第３図は本発明によるワ
イヤボンデイング方法の第１工程における半導体
チツプ、チヤツク台、ワイヤボンダの位置関係を
示す平面図、正面図および側面図、第４図は第２
工程における半導体チツプ、チヤツク台、ワイヤ
ボンダの位置関係を示す正面図、第５図は同ワイ
ヤボンデイング方法の第３工程における半導体チ
ツプ、チヤツク台、ワイヤボンダの位置関係を示
す正面図である。 １……パツケージ、２……半導体チツプ、３…
…チヤツク台、４……ボンデイングパツド、９…
…キヤリヤ（搬送路）、１０……ワイヤボンダ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 長尺の半導体チツプに形成されたボンデイン
    グパツドとアウターリードに接続された電極と
    を、半導体チツプがチヤツク台でチヤツキングさ
    れた状態でワイヤボンダによりワイヤボンデイン
    グするワイヤボンデイング方法において、 前記チヤツク台により前記半導体チツプをチヤ
    ツキングし、前記ワイヤボンダのボンデイング領
    域内のボンデイングパツドと電極とをワイヤボン
    デイングする第１の工程と、 前記チヤツク台によるチヤツキングを解除し前
    記半導体チツプを所定ピツチ搬送する第２の工程
    と、 前記チヤツク台を所定ピツチ搬送された前記半
    導体チツプに沿うように旋回させる第３の工程
    と、 前記チヤツク台により前記半導体チツプをチヤ
    ツキングし、前記ワイヤボンダのボンデイング領
    域内に達した前記半導体チツプのボンデイングパ
    ツドと電極とをワイヤボンデイングする第４の工
    程と を有することを特徴とするワイヤボンデイング方
    法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、 前記半導体チツプがパツケージにセツトされた
    状態で搬送されることを特徴とするワイヤボンデ
    イング方法。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法
    において、 超音波によつてボンデイングを行なうことを特
    徴とするワイヤボンデイング方法。 ４ 特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか
    に記載の方法において、 前記チヤツク台が真空吸着によつて半導体チツ
    プのチヤツキングを行なうことを特徴とするワイ
    ヤボンデイング方法。
JP61230844A 1986-09-29 1986-09-29 ワイヤボンディング方法 Granted JPS6384130A (ja)

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JP61230844A JPS6384130A (ja) 1986-09-29 1986-09-29 ワイヤボンディング方法
US07/101,424 US4762267A (en) 1986-09-29 1987-09-28 Wire bonding method

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JPS6384130A JPS6384130A (ja) 1988-04-14
JPH0455527B2 true JPH0455527B2 (ja) 1992-09-03

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US4762267A (en) 1988-08-09
JPS6384130A (ja) 1988-04-14

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