JPH0454967B2 - - Google Patents
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- JPH0454967B2 JPH0454967B2 JP58077428A JP7742883A JPH0454967B2 JP H0454967 B2 JPH0454967 B2 JP H0454967B2 JP 58077428 A JP58077428 A JP 58077428A JP 7742883 A JP7742883 A JP 7742883A JP H0454967 B2 JPH0454967 B2 JP H0454967B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はエツチング装置に係り、とくに均一処
理可能な領域を拡大するのに好適な有磁場マイク
ロ波プラズマ放電管の構造に関するものである。
理可能な領域を拡大するのに好適な有磁場マイク
ロ波プラズマ放電管の構造に関するものである。
従来のマイクロ波プラズマ処理装置の構成例を
第１図および第２図に示す（例えば、特開昭57−
164986号公報および特開昭55−134175号公報参
照）。図において、１は放電管であり、石英ある
いはアルミナ等の絶縁物から成つており、上端は
閉じられ、下端は試料７に向つて開口されてい
る。２はマイクロ波導入用の導波管、３は磁場発
生用のソレノイドコイル、９は永久磁石である。
放電管１内に適当な放電用ガスを導入し、ソレノ
イドコイル３によつて軸方向磁場を印加した状態
で、導波管２を介して該放電管１内にマイクロ波
電力を供給することによつて、放電管１内の主放
電部４にマイクロ波放電プラズマが発生する。こ
のプラズマ中のイオンによつて試料７の表面を処
理（エツチング、デポジシヨン等）することが可
能である。なお、図中の５は処理室、６は排気
口、８は試料台を示している。第１図および第２
図においては、上部のソレノイドコイル３と下部
の永久磁石９により試料７の上下で強くなったミ
ラー磁場を形成している。これはプラズマが発散
しないように閉じ込めるためと、特に放電管１の
上部が加熱されないようにするためのものであ
る。上部のソレノイドコイル３の内部にとくに強
い磁場が存在しており、マイクロ波は導波管２に
より上部から導入されるため、この部分４に一番
密度の高いプラズマが形成される。したがつて、
この部分４を以下主放電部と呼ぶことにする。こ
の主放電部４中に直接試料を置くと試料の温度上
昇が激しいので、通常第１図や第２図のように主
放電部４より下方に試料８を置く。なお第１図や
第２図の装置においては装置全体を横向きにして
も上下逆向きにしても基本的な特性には変化はな
い。また図では放電のためのガス導入手段につい
ては図示していないが、放電管１の上部から、横
からあるいは下側から放電用のガスを適宜導入し
うるものである。
第１図および第２図に示す（例えば、特開昭57−
164986号公報および特開昭55−134175号公報参
照）。図において、１は放電管であり、石英ある
いはアルミナ等の絶縁物から成つており、上端は
閉じられ、下端は試料７に向つて開口されてい
る。２はマイクロ波導入用の導波管、３は磁場発
生用のソレノイドコイル、９は永久磁石である。
放電管１内に適当な放電用ガスを導入し、ソレノ
イドコイル３によつて軸方向磁場を印加した状態
で、導波管２を介して該放電管１内にマイクロ波
電力を供給することによつて、放電管１内の主放
電部４にマイクロ波放電プラズマが発生する。こ
のプラズマ中のイオンによつて試料７の表面を処
理（エツチング、デポジシヨン等）することが可
能である。なお、図中の５は処理室、６は排気
口、８は試料台を示している。第１図および第２
図においては、上部のソレノイドコイル３と下部
の永久磁石９により試料７の上下で強くなったミ
ラー磁場を形成している。これはプラズマが発散
しないように閉じ込めるためと、特に放電管１の
上部が加熱されないようにするためのものであ
る。上部のソレノイドコイル３の内部にとくに強
い磁場が存在しており、マイクロ波は導波管２に
より上部から導入されるため、この部分４に一番
密度の高いプラズマが形成される。したがつて、
この部分４を以下主放電部と呼ぶことにする。こ
の主放電部４中に直接試料を置くと試料の温度上
昇が激しいので、通常第１図や第２図のように主
放電部４より下方に試料８を置く。なお第１図や
第２図の装置においては装置全体を横向きにして
も上下逆向きにしても基本的な特性には変化はな
い。また図では放電のためのガス導入手段につい
ては図示していないが、放電管１の上部から、横
からあるいは下側から放電用のガスを適宜導入し
うるものである。
第１図に比べて、第２図では試料台８の近くま
で放電管１が下方に長くのばされているが、これ
は放電管１の下端開口部（試料のすぐ上部）を扇
形形状にして試料台（この場合は回転テーブル）
８上におかれた試料７の表面が均一にエツチング
処理されるようにするためと、磁場に拘束されな
い電気的に中性なラジカルが四方八方に飛散し
て、エツチ速度やベポジシヨン速度が遅くなる等
プラズマ処理能力の低下をおさえるための役割を
果している。
で放電管１が下方に長くのばされているが、これ
は放電管１の下端開口部（試料のすぐ上部）を扇
形形状にして試料台（この場合は回転テーブル）
８上におかれた試料７の表面が均一にエツチング
処理されるようにするためと、磁場に拘束されな
い電気的に中性なラジカルが四方八方に飛散し
て、エツチ速度やベポジシヨン速度が遅くなる等
プラズマ処理能力の低下をおさえるための役割を
果している。
ところで、プラズマエツチングやプラズマデポ
ジシヨン等のプラズマ処理を行なわせる装置にお
いては、試料表面の均一処理という観点からは、
プラズマ中のイオンおよびラジカルが試料の表面
に均一に照射されることが必用である。また、処
理能力の面からすれば、できるだけ大面積の試料
をまたはできるだけ多数の試料を同時に処理でき
ることが望まれており、その意味でできるだけ広
い範囲にわたつて均一に分布したプラズマが得ら
れることが望ましい。しかしながら、上述したよ
うな有磁場マイクロ波放電プラズマを利用する場
合には、消費電力や装置の大きさの問題からし
て、主放電部自体の面積（断面積）を大きくする
ことには非常な困難が伴なう。とくに、主放電部
の大面積化に伴なうソレノイドコイルの大型化は
致命的な欠点となる。
ジシヨン等のプラズマ処理を行なわせる装置にお
いては、試料表面の均一処理という観点からは、
プラズマ中のイオンおよびラジカルが試料の表面
に均一に照射されることが必用である。また、処
理能力の面からすれば、できるだけ大面積の試料
をまたはできるだけ多数の試料を同時に処理でき
ることが望まれており、その意味でできるだけ広
い範囲にわたつて均一に分布したプラズマが得ら
れることが望ましい。しかしながら、上述したよ
うな有磁場マイクロ波放電プラズマを利用する場
合には、消費電力や装置の大きさの問題からし
て、主放電部自体の面積（断面積）を大きくする
ことには非常な困難が伴なう。とくに、主放電部
の大面積化に伴なうソレノイドコイルの大型化は
致命的な欠点となる。
本発明の目的は、有磁場マイクロ波を用いるエ
ツチング装置において、主放電部自体を大面積化
することなく、被処理物表面に対してより広い均
一処理領域をもつエツチング装置を提供すること
にある。
ツチング装置において、主放電部自体を大面積化
することなく、被処理物表面に対してより広い均
一処理領域をもつエツチング装置を提供すること
にある。
そこで、本発明においては、主放電部自体の断
面積を大きくすることなく、該主放電部から被処
理試料に向つて絶縁物よりなる放電管の断面積を
拡げることにより均一処理可能な領域を拡げてや
ることを特徴としている。
面積を大きくすることなく、該主放電部から被処
理試料に向つて絶縁物よりなる放電管の断面積を
拡げることにより均一処理可能な領域を拡げてや
ることを特徴としている。
本発明の要旨は、前記放電管外周の一部に設け
られ、かつ、前記放電管内に磁力線を形成するた
めの磁場発生手段と、前記放電管いの頂部近傍に
マイクロ波を供給する導波管とを有し、前記放電
管内に有磁場マイクロ波プラズマ放電を発生させ
て被処理物をエツチングするためのエツチング装
置において、 前記放電管内の前記プラズマの密度が前記放電
管内で最も高い第一の部位を含む第一の平面の前
記放電管の断面積をS1、前記被処理物が載置され
ている第二の部位を含む第二の平面の前記放電管
の断面積をS2としたとき、前記放電管はS1＜S2と
なるように構成され、 前記第一の平面における前記放電管の外周には
前記磁場発生手段が設けられ、前記第二の平面に
おける前記放電管の外周には前記磁場発生手段は
設けられておらず、 前記第二の平面における前記磁力線に沿つて流
れるプラズマ流の断面積は前記第一の平面におけ
る前記磁力線に沿つて流れるプラズマ流の断面積
よりも大きくなり、かつ、前記磁力線が前記被処
理物表面に対して略垂直方向に横断するように前
記放電管頂部側からみて前記被処理物が載置され
ている部位よりも下流側の所定の位置に磁石が設
けられていることを特徴とするエツチング装置に
ある。
られ、かつ、前記放電管内に磁力線を形成するた
めの磁場発生手段と、前記放電管いの頂部近傍に
マイクロ波を供給する導波管とを有し、前記放電
管内に有磁場マイクロ波プラズマ放電を発生させ
て被処理物をエツチングするためのエツチング装
置において、 前記放電管内の前記プラズマの密度が前記放電
管内で最も高い第一の部位を含む第一の平面の前
記放電管の断面積をS1、前記被処理物が載置され
ている第二の部位を含む第二の平面の前記放電管
の断面積をS2としたとき、前記放電管はS1＜S2と
なるように構成され、 前記第一の平面における前記放電管の外周には
前記磁場発生手段が設けられ、前記第二の平面に
おける前記放電管の外周には前記磁場発生手段は
設けられておらず、 前記第二の平面における前記磁力線に沿つて流
れるプラズマ流の断面積は前記第一の平面におけ
る前記磁力線に沿つて流れるプラズマ流の断面積
よりも大きくなり、かつ、前記磁力線が前記被処
理物表面に対して略垂直方向に横断するように前
記放電管頂部側からみて前記被処理物が載置され
ている部位よりも下流側の所定の位置に磁石が設
けられていることを特徴とするエツチング装置に
ある。
以下に本発明の実施例をあげて、本発明につき
詳説する。
詳説する。
まず、有磁場マイクロ波プラズマ発生装置の磁
場の働きについて考察してみよう。
場の働きについて考察してみよう。
第３図に永久磁石９を設けない場合の試料台８
の近傍におけるソレノイドコイル３による磁場の
磁力線１０の分布を模式的に示した。このように
永久磁石９がないと磁力線１０は図示のごとく急
速に発散してしまう。10-3Torr以下圧力のもと
でのマイクロ波放電では、プラズマはこの磁力線
に沿つた形で分布することとなる。第４図のよう
に永久磁石９があると磁力線１０は中ぶくれの形
となり、したがつて肉眼で見ても明らかに中ぶく
れのプラズマ発光がみられるようになる。
の近傍におけるソレノイドコイル３による磁場の
磁力線１０の分布を模式的に示した。このように
永久磁石９がないと磁力線１０は図示のごとく急
速に発散してしまう。10-3Torr以下圧力のもと
でのマイクロ波放電では、プラズマはこの磁力線
に沿つた形で分布することとなる。第４図のよう
に永久磁石９があると磁力線１０は中ぶくれの形
となり、したがつて肉眼で見ても明らかに中ぶく
れのプラズマ発光がみられるようになる。
第５図に示したように、直径が大きくかつやや
弱い永久磁石９を用いるとさらに中ぶくれ傾向の
強くなつた磁力線分布が得られ、試料部にほぼ均
一な広いプラズマが形成されることになる。また
第６図のように下部永久磁石９の代りにソレノイ
ドコイル１１を設置しても第５図の場合と同様に
なる。この場合純鉄などの磁心１２をソレノイド
コイル１１の中に置いても良い。このようにする
とソレノイドコイル１１の電流を調節することに
よつて磁力線の広がりを制御することが容易とな
る。
弱い永久磁石９を用いるとさらに中ぶくれ傾向の
強くなつた磁力線分布が得られ、試料部にほぼ均
一な広いプラズマが形成されることになる。また
第６図のように下部永久磁石９の代りにソレノイ
ドコイル１１を設置しても第５図の場合と同様に
なる。この場合純鉄などの磁心１２をソレノイド
コイル１１の中に置いても良い。このようにする
とソレノイドコイル１１の電流を調節することに
よつて磁力線の広がりを制御することが容易とな
る。
上記の考察に基いて、第７図に示したように、
磁力線の形（第５図参照）に沿つて絶縁物放電管
１を試料７に向けて１′のごとく末広がりに構成
することにより、ほぼ均一でしかも面積の広いプ
ラズマ処理を可能とすることができる。放電管
１，１′の材質はマイクロ波を通す石英やアルミ
ナ等の耐熱性絶縁物である必要があり、とくにプ
ラズマエツチングでは金属汚染を避けるために、
プラズマはこのような耐熱性の絶縁物で囲まれて
いることが望ましい。最適位置の調整のためにソ
レノイドコイル３を移動させることはプラズマ状
態を変化させてしまうので、最適位置の調整は試
料台８あるいは永久磁石９を上下させることによ
り行なうのが望ましい。
磁力線の形（第５図参照）に沿つて絶縁物放電管
１を試料７に向けて１′のごとく末広がりに構成
することにより、ほぼ均一でしかも面積の広いプ
ラズマ処理を可能とすることができる。放電管
１，１′の材質はマイクロ波を通す石英やアルミ
ナ等の耐熱性絶縁物である必要があり、とくにプ
ラズマエツチングでは金属汚染を避けるために、
プラズマはこのような耐熱性の絶縁物で囲まれて
いることが望ましい。最適位置の調整のためにソ
レノイドコイル３を移動させることはプラズマ状
態を変化させてしまうので、最適位置の調整は試
料台８あるいは永久磁石９を上下させることによ
り行なうのが望ましい。
第７図に示したように放電管１の形状を磁力線
に沿つて１′のごとく末広がりの形状にする代り
に、第８図に示すように不連続に拡げるようにし
てもよい。とくにソレノイドコイル１１を用い、
その電流を変化させて磁場を変えるような場合
は、第８図に示したごとき構成とした方が実用的
である。
に沿つて１′のごとく末広がりの形状にする代り
に、第８図に示すように不連続に拡げるようにし
てもよい。とくにソレノイドコイル１１を用い、
その電流を変化させて磁場を変えるような場合
は、第８図に示したごとき構成とした方が実用的
である。
なお、第１０図では、放電管１の上方にも永久
磁石１４を設け、その代りにソレノイドコイル３
の電流を可調整とした例である。絶縁性の良好な
永久磁石を用いれば、このような構成も可能とな
る。また第１１図、第１２図に示したように放電
管１にフランジ１５についていて、Ｏ−リング等
のパツキング１６により真空シールする場合には
第１１図の末広がりの構造では放電管１の交換等
が困難となる。したがつて、この場合には、第１
２図示のごとく、放電管を１の部分と１′の部分
とで分離できる構造としておくのがよい。
磁石１４を設け、その代りにソレノイドコイル３
の電流を可調整とした例である。絶縁性の良好な
永久磁石を用いれば、このような構成も可能とな
る。また第１１図、第１２図に示したように放電
管１にフランジ１５についていて、Ｏ−リング等
のパツキング１６により真空シールする場合には
第１１図の末広がりの構造では放電管１の交換等
が困難となる。したがつて、この場合には、第１
２図示のごとく、放電管を１の部分と１′の部分
とで分離できる構造としておくのがよい。
さらに、第９図に示したように、試料７の位置
にソレノイドコイル１３を付加設置してそれに流
す電流を変化させて磁場の分布を制御することも
可能である。
にソレノイドコイル１３を付加設置してそれに流
す電流を変化させて磁場の分布を制御することも
可能である。
第７図、第８図で示した放電管の場合、第１１
図に示したごときフランジ１５を設けてゴムパツ
キング１６を用いて真空シールするためには、一
体になつた放電管では、第１１図に示したごとき
構成にすることは困難である。そこで第１２図の
ように放電管を分けて作りその上部１と下部拡張
部１′とを何らかの方法で連結できるようにすれ
ば良い。この場合部分１と１′の間に多少のすき
間があつても真空中であるから問題はない。
図に示したごときフランジ１５を設けてゴムパツ
キング１６を用いて真空シールするためには、一
体になつた放電管では、第１１図に示したごとき
構成にすることは困難である。そこで第１２図の
ように放電管を分けて作りその上部１と下部拡張
部１′とを何らかの方法で連結できるようにすれ
ば良い。この場合部分１と１′の間に多少のすき
間があつても真空中であるから問題はない。
第１３図に本発明によるマイクロ波プラズマ処
理装置による試料のエツチングの実行例を示す。
第１図に示した広がりのない石英製放電管（内径
120mm）と第１２図に示した上下分離連結型の放
電管（上部内径120mm、下部内径200mm）とを用い
て、六フツ化硫黄（SF6）ガスで２×10-3Torrの
ガス圧のもとでマイクロ波放電プラズマを発生さ
せ、試料７としてシリコンウエハをプラズマエツ
チングした場合のエツチング深さの半径方向分布
がそれぞれ図中の曲線イとロである。これより、
エツチングの均一領域が面積で約２倍に広がつて
いることが分る。
理装置による試料のエツチングの実行例を示す。
第１図に示した広がりのない石英製放電管（内径
120mm）と第１２図に示した上下分離連結型の放
電管（上部内径120mm、下部内径200mm）とを用い
て、六フツ化硫黄（SF6）ガスで２×10-3Torrの
ガス圧のもとでマイクロ波放電プラズマを発生さ
せ、試料７としてシリコンウエハをプラズマエツ
チングした場合のエツチング深さの半径方向分布
がそれぞれ図中の曲線イとロである。これより、
エツチングの均一領域が面積で約２倍に広がつて
いることが分る。
以上主として有磁場マイクロ波プラズマによる
エツチングの例を示したが、導入ガスを変えるこ
と、さらには試料温度を制御することにより、ほ
ぼ同様の構成の装置でプラズマデポジシヨンや、
プラズマ酸化やプラズマ窒化などの表面処理が可
能となることはいうまでもない。
エツチングの例を示したが、導入ガスを変えるこ
と、さらには試料温度を制御することにより、ほ
ぼ同様の構成の装置でプラズマデポジシヨンや、
プラズマ酸化やプラズマ窒化などの表面処理が可
能となることはいうまでもない。
また、10-2Torr以上のガス圧で処理する場合
においても、ラジカルは末広がりの放電管の中で
自由に動き回るので均一領域拡大に効果がある。
においても、ラジカルは末広がりの放電管の中で
自由に動き回るので均一領域拡大に効果がある。
本発明によれば、第１３図の例からもわかるよ
うにプラズマによる均一処理の能力を容易に２倍
以上に向上できる。したがつて、半導体素子製造
プロセスに利用してスル−プツトの向上に寄与す
るところきわめて大である。
うにプラズマによる均一処理の能力を容易に２倍
以上に向上できる。したがつて、半導体素子製造
プロセスに利用してスル−プツトの向上に寄与す
るところきわめて大である。
第１図、第２図は従来の有磁場マイクロ波プラ
ズマ処理装置を示す概略図である。第３図、第４
図、第５図、第６図は本発明の概念を示すための
図である。第７図、第８図、第９図、第１０図、
第１２図は本発明の実施例を示す図である。第１
１図は実施例のための参考図である。第１３図は
本発明を用いた有磁場マイクロ波プラズマエツチ
ング例を示すデータ図である。 １，１′……放電管、２……マイクロ波導波管、
３……ソレノイドコイル、４……主放電部、５…
…処理室、６……排気口、７……試料、８……試
料台、９……永久磁石、１０……磁力線、１１…
…ソレノイドコイル、１２……磁心、１３……ソ
レノイドコイル、１４……永久磁石、１５……放
電管のフランジ部、１６……ゴムパツキング。
ズマ処理装置を示す概略図である。第３図、第４
図、第５図、第６図は本発明の概念を示すための
図である。第７図、第８図、第９図、第１０図、
第１２図は本発明の実施例を示す図である。第１
１図は実施例のための参考図である。第１３図は
本発明を用いた有磁場マイクロ波プラズマエツチ
ング例を示すデータ図である。 １，１′……放電管、２……マイクロ波導波管、
３……ソレノイドコイル、４……主放電部、５…
…処理室、６……排気口、７……試料、８……試
料台、９……永久磁石、１０……磁力線、１１…
…ソレノイドコイル、１２……磁心、１３……ソ
レノイドコイル、１４……永久磁石、１５……放
電管のフランジ部、１６……ゴムパツキング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 前記放電管外周の一部に設けられ、かつ、前
記放電管内に磁力線を形成するための磁場発生手
段と、前記放電管の頂部近傍にマイクロ波を供給
する導波管とを有し、前記放電管内に有磁場マイ
クロ波プラズマ放電を発生させて被処理物をエツ
チングするためのエツチング装置において、 前記放電管内の前記プラズマの密度が前記放電
管内で最も高い第一の部位を含む第一の平面の前
記放電管の断面積をS1、前記被処理物が載置され
ている第二の部位を含む第二の平面の前記放電管
の断面積をS2としたとき、前記放電管はS1＜S2と
なるように構成され、 前記第一の平面における前記放電管の外周には
前記磁場発生手段が設けられ、前記第二の平面に
おける前記放電管の外周には前記磁場発生手段は
設けられておらず、 前記第二の平面における前記磁力線に沿つて流
れるプラズマ流の断面積は前記第一の平面におけ
る前記磁力線に沿つて流れるプラズマ流の断面積
よりも大きくなり、かつ、前記磁力線が前記被処
理物表面に対して略垂直方向に横断するように前
記放電管頂部側からみて前記被処理物が載置され
ている部位よりも下流側の所定の位置に磁石が設
けられていることを特徴とするエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7742883A JPS59202635A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7742883A JPS59202635A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202635A JPS59202635A (ja) | 1984-11-16 |
| JPH0454967B2 true JPH0454967B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=13633714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7742883A Granted JPS59202635A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59202635A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267324A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
| JPS62261125A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
| JPS6369231A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング装置 |
| JP2511433B2 (ja) * | 1986-12-12 | 1996-06-26 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JP2595002B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| US5173641A (en) * | 1990-09-14 | 1992-12-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma generating apparatus |
| JP2546596B2 (ja) * | 1993-02-19 | 1996-10-23 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| US5698036A (en) * | 1995-05-26 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2714547B2 (ja) * | 1995-12-13 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112477A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-04 | Ulvac Corp | Microwave plasma treating apparatus |
-
1983
- 1983-05-04 JP JP7742883A patent/JPS59202635A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112477A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-04 | Ulvac Corp | Microwave plasma treating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59202635A (ja) | 1984-11-16 |
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