JPH06196420A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH06196420A JPH06196420A JP4357466A JP35746692A JPH06196420A JP H06196420 A JPH06196420 A JP H06196420A JP 4357466 A JP4357466 A JP 4357466A JP 35746692 A JP35746692 A JP 35746692A JP H06196420 A JPH06196420 A JP H06196420A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料室よりプラズマ生成室のガス圧力を低下
し得るようにすることによって、試料の処理速度を低下
させることなく、活性が高いプラズマを生成するプラズ
マ装置を提供すること。 【構成】 マイクロ波導入窓1a及びプラズマ引出窓1bを
備えるプラズマ生成室１には、マイクロ波導入窓1aに導
波管２の一端が、また導波管２の外側にガス供給管1c
が、更にその側壁に排気装置５に連なる排気管5aが接続
されており、プラズマ生成室１の排気管5aの接続部から
導波管２の一端部にわたって、及び前記排気管5aの接続
部より下方のプラズマ生成室１の周囲には、これらを取
り囲むようにこれらと同心状に励磁コイル14,15 がそれ
ぞれ配設されている。プラズマ生成室１に連接する試料
室３内に配設された載置台９上には試料Ｓが載置されて
おり、試料室３の側壁にはガス供給管3aが接続されてい
る。そして前記排気装置５にて排気管5aを通じてプラズ
マ生成室１内を、更に試料室３内を排気しつつガス供給
管1c及び3aより反応ガスを供給し、ＥＣＲ励起にてプラ
ズマを生成し、試料Ｓを処理する。
し得るようにすることによって、試料の処理速度を低下
させることなく、活性が高いプラズマを生成するプラズ
マ装置を提供すること。 【構成】 マイクロ波導入窓1a及びプラズマ引出窓1bを
備えるプラズマ生成室１には、マイクロ波導入窓1aに導
波管２の一端が、また導波管２の外側にガス供給管1c
が、更にその側壁に排気装置５に連なる排気管5aが接続
されており、プラズマ生成室１の排気管5aの接続部から
導波管２の一端部にわたって、及び前記排気管5aの接続
部より下方のプラズマ生成室１の周囲には、これらを取
り囲むようにこれらと同心状に励磁コイル14,15 がそれ
ぞれ配設されている。プラズマ生成室１に連接する試料
室３内に配設された載置台９上には試料Ｓが載置されて
おり、試料室３の側壁にはガス供給管3aが接続されてい
る。そして前記排気装置５にて排気管5aを通じてプラズ
マ生成室１内を、更に試料室３内を排気しつつガス供給
管1c及び3aより反応ガスを供給し、ＥＣＲ励起にてプラ
ズマを生成し、試料Ｓを処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を利用した
電子サイクロトロン共鳴励起により生成したプラズマを
用いて、半導体素子または電子材料等を製造するプラズ
マ装置に関する。
電子サイクロトロン共鳴励起により生成したプラズマを
用いて、半導体素子または電子材料等を製造するプラズ
マ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子サイクロトロン共鳴（以下ＥＣＲと
いう）を利用したプラズマ装置は、低いガス圧力で電離
度が高いプラズマが生成でき、またイオンエネルギの広
範な選択が可能で、イオンの指向性・均一性に優れる等
の利点を有していることから、高集積半導体素子の製造
における薄膜形成やエッチング等のプロセスには欠かせ
ないものとしてその研究・開発が進められている。
いう）を利用したプラズマ装置は、低いガス圧力で電離
度が高いプラズマが生成でき、またイオンエネルギの広
範な選択が可能で、イオンの指向性・均一性に優れる等
の利点を有していることから、高集積半導体素子の製造
における薄膜形成やエッチング等のプロセスには欠かせ
ないものとしてその研究・開発が進められている。
【０００３】図７は従来のＥＣＲプラズマ装置を示す模
式的断面図であり、図中１は円筒状のプラズマ生成室で
ある。プラズマ生成室１には下方に試料室３が連接され
ている。プラズマ生成室１は、上部壁中央に石英ガラス
板４にて封止したマイクロ波導入窓1aを、また試料室３
との境である下部壁中央には前記マイクロ波導入窓1aと
対向する位置にプラズマ引出窓1bをそれぞれ備えてお
り、上部壁外周側に反応ガスを供給するガス供給管1c
を、その先端をプラズマ生成室１内に突出して接続して
ある。前記マイクロ波導入窓1aには他端をマイクロ波発
振器（図示せず）に接続した導波管２の一端が接続され
ており、またプラズマ生成室１の周囲及びこれに接続し
た導波管２の一端部にわたって、これらを取り囲むよう
にこれらと同心状に励磁コイル16が配設されている。
式的断面図であり、図中１は円筒状のプラズマ生成室で
ある。プラズマ生成室１には下方に試料室３が連接され
ている。プラズマ生成室１は、上部壁中央に石英ガラス
板４にて封止したマイクロ波導入窓1aを、また試料室３
との境である下部壁中央には前記マイクロ波導入窓1aと
対向する位置にプラズマ引出窓1bをそれぞれ備えてお
り、上部壁外周側に反応ガスを供給するガス供給管1c
を、その先端をプラズマ生成室１内に突出して接続して
ある。前記マイクロ波導入窓1aには他端をマイクロ波発
振器（図示せず）に接続した導波管２の一端が接続され
ており、またプラズマ生成室１の周囲及びこれに接続し
た導波管２の一端部にわたって、これらを取り囲むよう
にこれらと同心状に励磁コイル16が配設されている。
【０００４】試料室３内にはプラズマ引出窓1aと対向す
る位置に載置台９が配設され、その上にはウェハ等の試
料Ｓがそのまま、または静電吸着等の手段にて着脱可能
に載置されている。また試料室３の側壁には反応ガスを
供給するガス供給管3a及び排気装置35に連なる排気管35
a がそれぞれ接続されている。
る位置に載置台９が配設され、その上にはウェハ等の試
料Ｓがそのまま、または静電吸着等の手段にて着脱可能
に載置されている。また試料室３の側壁には反応ガスを
供給するガス供給管3a及び排気装置35に連なる排気管35
a がそれぞれ接続されている。
【０００５】このようなプラズマ装置にて試料Ｓを処理
する場合、プラズマ生成室１及び試料室３にガス供給管
1c及び3aを通じて反応ガスを供給しつつ排気管35a を通
じて排気装置35にてプラズマ生成室１及び試料室３内を
排気して所要の真空度を保持し、励磁コイル16にて磁界
を形成すると共にプラズマ生成室１にマイクロ波導入窓
1aよりマイクロ波による高周波電界を印加してプラズマ
を生成させ、生成したプラズマを励磁コイル16にて形成
される発散磁界によってプラズマ生成室１から試料室３
内の試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面でプラズマ流中のイ
オン・ラジカル粒子による表面反応を生起させ、試料Ｓ
表面に成膜，エッチング等の処理を施す。
する場合、プラズマ生成室１及び試料室３にガス供給管
1c及び3aを通じて反応ガスを供給しつつ排気管35a を通
じて排気装置35にてプラズマ生成室１及び試料室３内を
排気して所要の真空度を保持し、励磁コイル16にて磁界
を形成すると共にプラズマ生成室１にマイクロ波導入窓
1aよりマイクロ波による高周波電界を印加してプラズマ
を生成させ、生成したプラズマを励磁コイル16にて形成
される発散磁界によってプラズマ生成室１から試料室３
内の試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面でプラズマ流中のイ
オン・ラジカル粒子による表面反応を生起させ、試料Ｓ
表面に成膜，エッチング等の処理を施す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような従
来の装置にあっては、プラズマ生成室及び試料室内の排
気は試料室に接続した排気管を通じて行われているた
め、プラズマ処理を行っている際のプラズマ生成室内及
び試料室内のガス圧力を測定すると、試料室の圧力はプ
ラズマ生成室の圧力より低い。一方試料に良質なプラズ
マ処理を施すためには、ＥＣＲ励起により電子温度が高
く、解離度の高い高活性プラズマを生成する必要があ
り、これはプラズマ生成室内のガス圧力を所要値以下に
低くすることによって生成することができる。
来の装置にあっては、プラズマ生成室及び試料室内の排
気は試料室に接続した排気管を通じて行われているた
め、プラズマ処理を行っている際のプラズマ生成室内及
び試料室内のガス圧力を測定すると、試料室の圧力はプ
ラズマ生成室の圧力より低い。一方試料に良質なプラズ
マ処理を施すためには、ＥＣＲ励起により電子温度が高
く、解離度の高い高活性プラズマを生成する必要があ
り、これはプラズマ生成室内のガス圧力を所要値以下に
低くすることによって生成することができる。
【０００７】しかしJAPANESE JOURNAL OF APPLIDE PHYS
ICS VOL.28,No.5,1989,pp897-902（以下文献という）に
記載されている如く、試料室内のガス圧力が１×10-3To
rrより低くなると、試料室内のプラズマ密度が低下し、
試料の処理速度が低下するということが知られており、
そのためプラズマ生成室より試料室のガス圧力が低くな
る従来装置においては、高活性プラズマを生成しかつ処
理速度を低下させることなく試料を処理することは困難
であった。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので
あって、その目的とするところは試料室よりプラズマ生
成室のガス圧力を低下し得るようにすることによって、
試料の処理速度を低下させることなく、活性が高いプラ
ズマを生成するプラズマ装置を提供することにある。
ICS VOL.28,No.5,1989,pp897-902（以下文献という）に
記載されている如く、試料室内のガス圧力が１×10-3To
rrより低くなると、試料室内のプラズマ密度が低下し、
試料の処理速度が低下するということが知られており、
そのためプラズマ生成室より試料室のガス圧力が低くな
る従来装置においては、高活性プラズマを生成しかつ処
理速度を低下させることなく試料を処理することは困難
であった。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので
あって、その目的とするところは試料室よりプラズマ生
成室のガス圧力を低下し得るようにすることによって、
試料の処理速度を低下させることなく、活性が高いプラ
ズマを生成するプラズマ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ装
置にあっては、プラズマ生成室及びこれに連接した試料
室を減圧しつつ両室にガスを供給し、電子サイクロトロ
ン共鳴を利用して前記プラズマ生成室にて生成したプラ
ズマを前記試料室内の試料周辺に導いて、これを処理す
るプラズマ装置において、前記プラズマ生成室から前記
ガスを排気すべくなしてあることを特徴とする。
置にあっては、プラズマ生成室及びこれに連接した試料
室を減圧しつつ両室にガスを供給し、電子サイクロトロ
ン共鳴を利用して前記プラズマ生成室にて生成したプラ
ズマを前記試料室内の試料周辺に導いて、これを処理す
るプラズマ装置において、前記プラズマ生成室から前記
ガスを排気すべくなしてあることを特徴とする。
【０００９】
【作用】ＥＣＲを利用したプラズマの電子温度は、前記
文献に記載されている如くガス圧力の低下と共に増大す
ることが知られている。これはガス圧力の低下に伴って
電子の平均自由行程が長くなり、マイクロ波による加速
される時間が長くなるからである。電子温度が増大する
と、他の電子との衝突により解離する中性粒子の割合が
高まり、解離度が増加する。また生成したプラズマは発
散磁界によって試料室内の試料に導かれるが、この発散
磁界による加速エネルギは電子温度の増大に伴って増加
するため、試料に作用するイオンの異方性が向上してエ
ッチングにおいては異方性が高いエチングが可能とな
り、また成膜にあっては狭いパターン内に成膜し得る。
文献に記載されている如くガス圧力の低下と共に増大す
ることが知られている。これはガス圧力の低下に伴って
電子の平均自由行程が長くなり、マイクロ波による加速
される時間が長くなるからである。電子温度が増大する
と、他の電子との衝突により解離する中性粒子の割合が
高まり、解離度が増加する。また生成したプラズマは発
散磁界によって試料室内の試料に導かれるが、この発散
磁界による加速エネルギは電子温度の増大に伴って増加
するため、試料に作用するイオンの異方性が向上してエ
ッチングにおいては異方性が高いエチングが可能とな
り、また成膜にあっては狭いパターン内に成膜し得る。
【００１０】一方前述の如く試料室内のガス圧力が１×
10-3Torrより低くなると、試料の処理速度が低下する
が、本発明に係るプラズマ装置においては、プラズマ生
成室からガスを排気すべくなしてあるため、電子温度が
高く高活性なプラズマを生成するためにプラズマ生成室
内のガス圧力を低くしても、プラズマ生成室と試料室と
の間の排気抵抗によって、試料室のガス圧力をプラズマ
生成室のそれより高く保つことができ、試料の処理速度
の低下を抑えることができる。
10-3Torrより低くなると、試料の処理速度が低下する
が、本発明に係るプラズマ装置においては、プラズマ生
成室からガスを排気すべくなしてあるため、電子温度が
高く高活性なプラズマを生成するためにプラズマ生成室
内のガス圧力を低くしても、プラズマ生成室と試料室と
の間の排気抵抗によって、試料室のガス圧力をプラズマ
生成室のそれより高く保つことができ、試料の処理速度
の低下を抑えることができる。
【００１１】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て具体的に説明する。図１は本発明をエッチング装置と
して適用した例を示す模式図であり、図中１は円筒状の
プラズマ生成室である。プラズマ生成室１には下方に試
料室３が連接されている。プラズマ生成室１は、上部壁
中央に石英ガラス板４にて封止したマイクロ波導入窓1a
を、また試料室３との境である下部壁中央には前記マイ
クロ波導入窓1aと対向する位置にプラズマ引出窓1bをそ
れぞれ備えている。前記マイクロ波導入窓1aには他端を
マイクロ波発振器（図示せず）に接続した導波管２の一
端が接続されており、マイクロ波導入窓1aの外側に反応
ガスを供給するガス供給管1cが、その先端をプラズマ生
成室１内に突出して接続されている。
て具体的に説明する。図１は本発明をエッチング装置と
して適用した例を示す模式図であり、図中１は円筒状の
プラズマ生成室である。プラズマ生成室１には下方に試
料室３が連接されている。プラズマ生成室１は、上部壁
中央に石英ガラス板４にて封止したマイクロ波導入窓1a
を、また試料室３との境である下部壁中央には前記マイ
クロ波導入窓1aと対向する位置にプラズマ引出窓1bをそ
れぞれ備えている。前記マイクロ波導入窓1aには他端を
マイクロ波発振器（図示せず）に接続した導波管２の一
端が接続されており、マイクロ波導入窓1aの外側に反応
ガスを供給するガス供給管1cが、その先端をプラズマ生
成室１内に突出して接続されている。
【００１２】プラズマ生成室１の側壁には排気装置５に
連なる排気管5aが接続されており、排気装置５によって
排気管5aを通じてプラズマ生成室１内及びこれに連接し
た試料室３内を排気するようになされている。プラズマ
生成室１の排気管5aの接続部からプラズマ生成室１に接
続した導波管２の一端部にわたって、及び前記排気管5a
の接続部より下方のプラズマ生成室１の周囲には、これ
らを取り囲むようにこれらと同心状に励磁コイル14,15
がそれぞれ配設されている。
連なる排気管5aが接続されており、排気装置５によって
排気管5aを通じてプラズマ生成室１内及びこれに連接し
た試料室３内を排気するようになされている。プラズマ
生成室１の排気管5aの接続部からプラズマ生成室１に接
続した導波管２の一端部にわたって、及び前記排気管5a
の接続部より下方のプラズマ生成室１の周囲には、これ
らを取り囲むようにこれらと同心状に励磁コイル14,15
がそれぞれ配設されている。
【００１３】試料室３内にはプラズマ引出窓1bと対向す
る位置に載置台９が配設され、その上にはウェハ等の試
料Ｓがそのまま、または静電吸着等の手段にて着脱可能
に載置されている。また試料室３の側壁には反応ガスを
供給するガス供給管3aが、その先端を試料室３内に突出
して接続されている。
る位置に載置台９が配設され、その上にはウェハ等の試
料Ｓがそのまま、または静電吸着等の手段にて着脱可能
に載置されている。また試料室３の側壁には反応ガスを
供給するガス供給管3aが、その先端を試料室３内に突出
して接続されている。
【００１４】このような装置にて試料Ｓをエッチング処
理する場合、プラズマ生成室１及び試料室３にガス供給
管1c及び3aを通じて反応ガスを供給しつつ排気管5aを通
じて排気装置５にてプラズマ生成室１及び試料室３内を
排気して所要の真空度を保持し、励磁コイル14,15 にて
磁界を形成すると共にプラズマ生成室１にマイクロ波導
入窓1aよりマイクロ波による高周波電界を印加してプラ
ズマを生成させ、生成したプラズマを励磁コイル14,15
にて形成される発散磁界によってプラズマ生成室１から
試料室３内の試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面にエッチン
グ処理を施す。
理する場合、プラズマ生成室１及び試料室３にガス供給
管1c及び3aを通じて反応ガスを供給しつつ排気管5aを通
じて排気装置５にてプラズマ生成室１及び試料室３内を
排気して所要の真空度を保持し、励磁コイル14,15 にて
磁界を形成すると共にプラズマ生成室１にマイクロ波導
入窓1aよりマイクロ波による高周波電界を印加してプラ
ズマを生成させ、生成したプラズマを励磁コイル14,15
にて形成される発散磁界によってプラズマ生成室１から
試料室３内の試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面にエッチン
グ処理を施す。
【００１５】次に本発明装置と従来装置とを比較した結
果について説明する。図２はプラズマ生成室内のガス圧
力と試料室内のガス圧力との関係を示すグラフであり、
本発明装置及び従来装置を比較したものである。両装置
には反応ガスとしてCl2 ガスを10 sccm の流速にてプラ
ズマ生成室及び試料室に供給し、排気装置の排気量を変
化させることによってガス圧力を連続的に変化させた。
図２から明らかな如く測定した範囲において、従来装置
は試料室内のガス圧力がプラズマ生成室内のガス圧力よ
りの常に低いのに対し、本発明装置は試料室内のガス圧
力がプラズマ生成室内のガス圧力よりの常に高い。そし
て両者の差は、例えばプラズマ生成室内のガス圧力を所
要値である５×10-4Torrとすると、試料室内のガス圧力
は従来装置では3.5 ×10-4Torrであるが、本発明装置で
は１×10-3Torrであり、従来装置の場合の略３倍またプ
ラズマ生成室内のガス圧力の２倍高いガス圧力に保たれ
ている。
果について説明する。図２はプラズマ生成室内のガス圧
力と試料室内のガス圧力との関係を示すグラフであり、
本発明装置及び従来装置を比較したものである。両装置
には反応ガスとしてCl2 ガスを10 sccm の流速にてプラ
ズマ生成室及び試料室に供給し、排気装置の排気量を変
化させることによってガス圧力を連続的に変化させた。
図２から明らかな如く測定した範囲において、従来装置
は試料室内のガス圧力がプラズマ生成室内のガス圧力よ
りの常に低いのに対し、本発明装置は試料室内のガス圧
力がプラズマ生成室内のガス圧力よりの常に高い。そし
て両者の差は、例えばプラズマ生成室内のガス圧力を所
要値である５×10-4Torrとすると、試料室内のガス圧力
は従来装置では3.5 ×10-4Torrであるが、本発明装置で
は１×10-3Torrであり、従来装置の場合の略３倍またプ
ラズマ生成室内のガス圧力の２倍高いガス圧力に保たれ
ている。
【００１６】図３はプラズマ生成室内のガス圧力と生成
したプラズマの電子温度との関係を示すグラフであり、
図４は試料室内のガス圧力とエッチング速度との関係を
示すグラフである。両図中白丸印は本発明装置を、また
黒丸印は従来装置を示しており、前述した条件の反応ガ
スをμ波パワー900 ＷにてＥＣＲ励起し、６インチのシ
リコンウェハに堆積したポリシリコン膜をレジストをマ
スクとしてエッチングした。なお電子温度はプラズマ引
出窓の位置にて測定した。
したプラズマの電子温度との関係を示すグラフであり、
図４は試料室内のガス圧力とエッチング速度との関係を
示すグラフである。両図中白丸印は本発明装置を、また
黒丸印は従来装置を示しており、前述した条件の反応ガ
スをμ波パワー900 ＷにてＥＣＲ励起し、６インチのシ
リコンウェハに堆積したポリシリコン膜をレジストをマ
スクとしてエッチングした。なお電子温度はプラズマ引
出窓の位置にて測定した。
【００１７】図３から明らかな如く、本発明装置及び従
来装置はプラズマ生成室内のガス圧力が低くなるに従い
電子温度が高くなっており、その値は両者ともほぼ同じ
である。そしてプラズマ生成室内のガス圧力を１×10-4
Torrから５×10-3Torrまで変化させて生成したプラズマ
によって前記ウェハをエッチングした結果、１×10-3To
rr以上の圧力ではレジストパターンより内側までエッチ
ングが進行しており、十分な異方性形状が得られなかっ
たが、５×10-4Torr以下にガス圧力を下げると、側壁が
垂直となり所要の異方性形状を得ることができた。
来装置はプラズマ生成室内のガス圧力が低くなるに従い
電子温度が高くなっており、その値は両者ともほぼ同じ
である。そしてプラズマ生成室内のガス圧力を１×10-4
Torrから５×10-3Torrまで変化させて生成したプラズマ
によって前記ウェハをエッチングした結果、１×10-3To
rr以上の圧力ではレジストパターンより内側までエッチ
ングが進行しており、十分な異方性形状が得られなかっ
たが、５×10-4Torr以下にガス圧力を下げると、側壁が
垂直となり所要の異方性形状を得ることができた。
【００１８】また図４から明らかな如く、本発明装置及
び従来装置は試料室内のガス圧力が１×10-3Torrを境
に、そのガス圧力が低くなるに従いエッチング速度が遅
くなっている。そしてその値は両者とも、プラズマ生成
室内のガス圧力に影響を受けることなくほぼ同じであ
る。従って前述の如く所要の異方性形状を得るために、
例えばプラズマ生成室内のガス圧力を５×10-4Torrとし
た場合、図２及び図４より、従来装置では試料室内のガ
ス圧力が3.5 ×10-4Torrで、このときのエッチング速度
は略1,500 Å／minであったのに対し、本発明装置では
試料室内のガス圧力が１×10-3Torrで、このときのエッ
チング速度は略1,900 Å／min であった。
び従来装置は試料室内のガス圧力が１×10-3Torrを境
に、そのガス圧力が低くなるに従いエッチング速度が遅
くなっている。そしてその値は両者とも、プラズマ生成
室内のガス圧力に影響を受けることなくほぼ同じであ
る。従って前述の如く所要の異方性形状を得るために、
例えばプラズマ生成室内のガス圧力を５×10-4Torrとし
た場合、図２及び図４より、従来装置では試料室内のガ
ス圧力が3.5 ×10-4Torrで、このときのエッチング速度
は略1,500 Å／minであったのに対し、本発明装置では
試料室内のガス圧力が１×10-3Torrで、このときのエッ
チング速度は略1,900 Å／min であった。
【００１９】図５は本発明装置の他の構成例を示す模式
図であり、プラズマ生成室１の上部壁縁周部に排気装置
５に連なる排気管5bを接続してある。なお図中図１と同
じものには同符号を付しその説明を省略する。図５の如
く本発明装置をこのような構成としても、図１における
プラズマ生成室１の側壁に接続した場合とその効果は変
わらない。また図６は更に他の構成例を示す模式図であ
り、プラズマ生成室１及び試料室３には排気装置５及び
６に連なる排気管5a及び6aが各別に接続されている。こ
のよな構成とすることによって、プラズマ生成室及び試
料室内のガス圧力を精密に制御することができる。
図であり、プラズマ生成室１の上部壁縁周部に排気装置
５に連なる排気管5bを接続してある。なお図中図１と同
じものには同符号を付しその説明を省略する。図５の如
く本発明装置をこのような構成としても、図１における
プラズマ生成室１の側壁に接続した場合とその効果は変
わらない。また図６は更に他の構成例を示す模式図であ
り、プラズマ生成室１及び試料室３には排気装置５及び
６に連なる排気管5a及び6aが各別に接続されている。こ
のよな構成とすることによって、プラズマ生成室及び試
料室内のガス圧力を精密に制御することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明のプラズマ装置
にあっては、処理速度を低下させることなく高活性のプ
ラズマを生成できるため、高品質な製品を製造し得かつ
スループットが高い等、本発明は優れた効果を奏する。
にあっては、処理速度を低下させることなく高活性のプ
ラズマを生成できるため、高品質な製品を製造し得かつ
スループットが高い等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明をエッチング装置として適用した例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】プラズマ生成室内のガス圧力と試料室内のガス
圧力との関係を示すグラフである。
圧力との関係を示すグラフである。
【図３】プラズマ生成室内のガス圧力と生成したプラズ
マの電子温度との関係を示すグラフである。
マの電子温度との関係を示すグラフである。
【図４】試料室内のガス圧力とエッチング速度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】本発明装置の他の構成例を示す模式図である。
【図６】本発明装置の更に他の構成例を示す模式図であ
る。
る。
【図７】従来のＥＣＲプラズマ装置を示す模式的断面図
である。
である。
１ プラズマ生成室 １ａ マイクロ波導入窓 １ｂ プラズマ引出窓 １ｃ ガス供給管 ２ 導波管 ３ 試料室 ３ａ ガス供給管 ５ 排気装置 ５ａ 排気管 ９ 載置台 １４，１５ 励磁コイル Ｓ 試料
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマ生成室及びこれに連接した試料
室を減圧しつつ両室にガスを供給し、電子サイクロトロ
ン共鳴を利用して前記プラズマ生成室にて生成したプラ
ズマを前記試料室内の試料周辺に導いて、これを処理す
るプラズマ装置において、 前記プラズマ生成室から前記ガスを排気すべくなしてあ
ることを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357466A JPH06196420A (ja) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357466A JPH06196420A (ja) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196420A true JPH06196420A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18454274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4357466A Pending JPH06196420A (ja) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277306A (ja) * | 1997-01-29 | 2008-11-13 | Foundation For Advancement Of International Science | プラズマ装置 |
| CN112117176A (zh) * | 2019-06-20 | 2020-12-22 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及其包含等离子体处理设备的等离子体处理系统 |
-
1992
- 1992-12-23 JP JP4357466A patent/JPH06196420A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277306A (ja) * | 1997-01-29 | 2008-11-13 | Foundation For Advancement Of International Science | プラズマ装置 |
| CN112117176A (zh) * | 2019-06-20 | 2020-12-22 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及其包含等离子体处理设备的等离子体处理系统 |
| CN112117176B (zh) * | 2019-06-20 | 2023-03-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及等离子体处理系统 |
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