JPH0453275A - シリコンフォトセンサ - Google Patents

シリコンフォトセンサ

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Publication number
JPH0453275A
JPH0453275A JP2162387A JP16238790A JPH0453275A JP H0453275 A JPH0453275 A JP H0453275A JP 2162387 A JP2162387 A JP 2162387A JP 16238790 A JP16238790 A JP 16238790A JP H0453275 A JPH0453275 A JP H0453275A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
nitride film
oxide film
electrode
insulating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP2162387A
Other languages
English (en)
Inventor
Mayumi Nomiyama
野見山 真弓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
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Publication of JPH0453275A publication Critical patent/JPH0453275A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業」−の利用分野〉 本発明はシリコンフォI・セン日ノ′に関し、史にi?
Yしくは、分光感度特性の長期安定性の改19に関する
〈従来の技術〉 従来のシリコンフォトセンザでは、多層配線を行う場合
の層間絶縁膜や電極保護膜として一般にPSG (リン
ンリケイj・グラス)か用いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、PSGは水分を吸収しやすく、熱等によって分
光感度特性が変化することがある。
すなわち、光かシリコン基板内部に入射する場合、−に
層膜を通過する時にこの膜での反ルJ、透過状態が変化
することによって入射光量が変化してしまい、分光感度
特性も変化してしまうことになって信頼性が得られなく
なってしまう。
本発明はこのような点に着IIシてなされたものであり
、その11的は、安定し、た分光感度特性か11ノられ
る信頼性の高いシリコンフオトセンザを提(111:す
ることにある。
く課題を解決するための手段〉 上記課題を解決する本発明は、 N (P)型シリコン基板上に形成された酸化膜と、 この酸化膜−1−の一部に層間絶縁膜のエツチンクスト
ツバとして形成された窒化膜と、 窒化膜を含む酸化膜の下部領域に受光部と17て形成さ
れたP (N)型拡散層と、 窒化膜から外れた酸化膜の1・部領域に形成されたN(
P)パリ拡散層と、 これらP(、N)型拡散層及びN (P)型拡散層にそ
れぞれ電気的に接続されるように形成された電極と、 これら電極間を絶縁分離するように形成された層間絶縁
膜と、 電極を保護するように形成された電極保護膜とで構成さ
れ、 窒化膜が露出するように層間絶縁膜及び電極保護膜が選
択的に除去されて受光部が形成されたことを特徴とする
ものである。
く作用〉 本発明のシリコンフ第1・センサによれば、受光部には
信頼性の高い窒化膜が形成されて信頼性の乏しい層間絶
縁膜は除去されているので、分光感度特性の長期安定性
が確保される。
〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
第1図は本発明の一実施例の部分断面図、第2図は第1
図の製造工程側図である。
上程1 まず、素子分離のために例えばN型シリコンJl。
板1の表面を選択酸化してL OCOS (local
 oxidaLaLion or 5ilicon)2
を形成する。
上程2 LOGO82を形成した後5.2I(板1の表面に熱酸
化膜(Si02)3を形成する。そして、熱酸化膜2の
表向に選択的に減圧CVDにより窒化膜(si3Na)
4を形成する。この窒化膜4は後の上程で層間絶縁膜を
エッチンク除去する場合にストッパとして機能する。
−1,程3 LOGO52J−に、多結晶シリコン(poly−8i
)電極5を形成する。なお、上程2と3は前後してもよ
い。
上程4 窒化膜4を形成した後、窒化膜4を含む酸化膜3の下部
領域に受光部として機能するP型拡散層6を形成し7、
窒化膜4から夕iれた酸化膜3のド部領域にはオーミッ
クコンタクトを得るためのN型拡散層7を形成する。こ
れら各拡散層6.7は例えばイオン注入技術で形成する
上程5 酸化膜3.窒化膜4及び多結晶シリコン電極5の表面に
層間絶縁膜8と【7て例えばPSGを形成する。この層
間絶縁膜8は後の一1゛程で形成される電極間を絶縁分
離するように機能する。
11程6 層間絶縁膜8を形成した後、多結晶シリコン電極5及び
各拡散層6,7に貫通ずるように層間絶縁膜8及び酸化
膜3に穴をあけ、例えばアルミの電極配線層9を選択的
に形成する。
上程7 電極配線層9を形成した後、層間絶縁膜8及び電極配線
層9の全面を覆うように電極保護膜]0として例えばP
SGを形成する。
上程8 その後、窒化膜4が露出するように層間絶縁膜8及び電
極保護膜10を選択的に除去して受光部1]を形成する
。また、各電極配線層9に貫通するように電極保護膜1
0を選択的に除去してパッド12を形成する。
このような構成において、受光部11に入射される光は
窒化膜4で反射吸収され、基板1内部で光電流に変換さ
れる。
このような構成のシリコンフォトセンザは、フオドダイ
オードかアレイ状に配列されるフォトダイオ−ドア る。
ここで、受光部11の表面には光学的に長期安定な熱酸
化膜3及び窒化膜4か形成され、不安定要素であるP 
S Gは除去されているのでシル板1内部への入射光量
の変化は少なくなり、安定した分光感度特性か得られる
また、分光感度特性の波長に対する変化は、従来の構成
では第3図( A. )に示すように波長によって感1
庭が波打っていたか、本発明のようにhlI7成するこ
とにより(B)に示すように全体になだらかになり、例
えば半導体レーザーを用いる場合の波長のずれの影響を
受けにくくなる。
なお、」二連実施例ではN型基板を用いる例を説明した
が、P型基板でもよい。
〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、安定した
分光感度特性が得られる信頼性の高いシリコンフォトセ
ン→ノ゛を提供することかてきる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の部分断面図、第2図は第1
図の製造工程同図、 第3図は分光感度の特性例図である。 ]・N型シリコン基板 2・・・LOCOS3・・・酸
化膜      4・・窒化膜5・・多結晶シリコン電
極 6・・P型拡散層    7・・・N型拡散層8・層間
絶縁膜(P S G) 9・・電極配線(アルミ) 1〔)・・・電極保護膜(P S G)11・・・受光
部    12・・・パッドWAVELENGTH(u
m)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  N(P)型シリコン基板上に形成された酸化膜と、 この酸化膜上の一部に層間絶縁膜のエッチングストッパ
    として形成された窒化膜と、 窒化膜を含む酸化膜の下部領域に受光部として形成され
    たP(N)型拡散層と、 窒化膜から外れた酸化膜の下部領域に形成されたN(P
    )型拡散層と、 これらP(N)型拡散層及びN(P)型拡散層にそれぞ
    れ電気的に接続されるように形成された電極と、 これら電極間を絶縁分離するように形成された層間絶縁
    膜と、 電極を保護するように形成された電極保護膜とで構成さ
    れ、 窒化膜が露出するように層間絶縁膜及び電極保護膜が選
    択的に除去されて受光部が形成されたことを特徴とする
    シリコンフォトセンサ。
JP2162387A 1990-06-20 1990-06-20 シリコンフォトセンサ Pending JPH0453275A (ja)

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JP2162387A JPH0453275A (ja) 1990-06-20 1990-06-20 シリコンフォトセンサ

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JP2162387A JPH0453275A (ja) 1990-06-20 1990-06-20 シリコンフォトセンサ

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