JPH0453275A - シリコンフォトセンサ - Google Patents
シリコンフォトセンサInfo
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- JPH0453275A JPH0453275A JP2162387A JP16238790A JPH0453275A JP H0453275 A JPH0453275 A JP H0453275A JP 2162387 A JP2162387 A JP 2162387A JP 16238790 A JP16238790 A JP 16238790A JP H0453275 A JPH0453275 A JP H0453275A
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- film
- nitride film
- oxide film
- electrode
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- Pending
Links
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業」−の利用分野〉
本発明はシリコンフォＩ・セン日ノ′に関し、史にｉ？
Ｙしくは、分光感度特性の長期安定性の改１９に関する
。
Ｙしくは、分光感度特性の長期安定性の改１９に関する
。
〈従来の技術〉
従来のシリコンフォトセンザでは、多層配線を行う場合
の層間絶縁膜や電極保護膜として一般にＰＳＧ （リン
ンリケイｊ・グラス）か用いられている。
の層間絶縁膜や電極保護膜として一般にＰＳＧ （リン
ンリケイｊ・グラス）か用いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、ＰＳＧは水分を吸収しやすく、熱等によって分
光感度特性が変化することがある。
光感度特性が変化することがある。
すなわち、光かシリコン基板内部に入射する場合、−に
層膜を通過する時にこの膜での反ルＪ、透過状態が変化
することによって入射光量が変化してしまい、分光感度
特性も変化してしまうことになって信頼性が得られなく
なってしまう。
層膜を通過する時にこの膜での反ルＪ、透過状態が変化
することによって入射光量が変化してしまい、分光感度
特性も変化してしまうことになって信頼性が得られなく
なってしまう。
本発明はこのような点に着ＩＩシてなされたものであり
、その１１的は、安定し、た分光感度特性か１１ノられ
る信頼性の高いシリコンフオトセンザを提（１１１：す
ることにある。
、その１１的は、安定し、た分光感度特性か１１ノられ
る信頼性の高いシリコンフオトセンザを提（１１１：す
ることにある。
く課題を解決するための手段〉
上記課題を解決する本発明は、
Ｎ （Ｐ）型シリコン基板上に形成された酸化膜と、
この酸化膜−１−の一部に層間絶縁膜のエツチンクスト
ツバとして形成された窒化膜と、 窒化膜を含む酸化膜の下部領域に受光部と１７て形成さ
れたＰ （Ｎ）型拡散層と、 窒化膜から外れた酸化膜の１・部領域に形成されたＮ（
Ｐ）パリ拡散層と、 これらＰ（、Ｎ）型拡散層及びＮ （Ｐ）型拡散層にそ
れぞれ電気的に接続されるように形成された電極と、 これら電極間を絶縁分離するように形成された層間絶縁
膜と、 電極を保護するように形成された電極保護膜とで構成さ
れ、 窒化膜が露出するように層間絶縁膜及び電極保護膜が選
択的に除去されて受光部が形成されたことを特徴とする
ものである。
ツバとして形成された窒化膜と、 窒化膜を含む酸化膜の下部領域に受光部と１７て形成さ
れたＰ （Ｎ）型拡散層と、 窒化膜から外れた酸化膜の１・部領域に形成されたＮ（
Ｐ）パリ拡散層と、 これらＰ（、Ｎ）型拡散層及びＮ （Ｐ）型拡散層にそ
れぞれ電気的に接続されるように形成された電極と、 これら電極間を絶縁分離するように形成された層間絶縁
膜と、 電極を保護するように形成された電極保護膜とで構成さ
れ、 窒化膜が露出するように層間絶縁膜及び電極保護膜が選
択的に除去されて受光部が形成されたことを特徴とする
ものである。
く作用〉
本発明のシリコンフ第１・センサによれば、受光部には
信頼性の高い窒化膜が形成されて信頼性の乏しい層間絶
縁膜は除去されているので、分光感度特性の長期安定性
が確保される。
信頼性の高い窒化膜が形成されて信頼性の乏しい層間絶
縁膜は除去されているので、分光感度特性の長期安定性
が確保される。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図、第２図は第１
図の製造工程側図である。
図の製造工程側図である。
上程１
まず、素子分離のために例えばＮ型シリコンＪｌ。
板１の表面を選択酸化してＬ ＯＣＯＳ （ｌｏｃａｌ
ｏｘｉｄａＬａＬｉｏｎ ｏｒ ５ｉｌｉｃｏｎ）２
を形成する。
ｏｘｉｄａＬａＬｉｏｎ ｏｒ ５ｉｌｉｃｏｎ）２
を形成する。
上程２
ＬＯＧＯ８２を形成した後５．２Ｉ（板１の表面に熱酸
化膜（Ｓｉ０２）３を形成する。そして、熱酸化膜２の
表向に選択的に減圧ＣＶＤにより窒化膜（ｓｉ３Ｎａ）
４を形成する。この窒化膜４は後の上程で層間絶縁膜を
エッチンク除去する場合にストッパとして機能する。
化膜（Ｓｉ０２）３を形成する。そして、熱酸化膜２の
表向に選択的に減圧ＣＶＤにより窒化膜（ｓｉ３Ｎａ）
４を形成する。この窒化膜４は後の上程で層間絶縁膜を
エッチンク除去する場合にストッパとして機能する。
−１，程３
ＬＯＧＯ５２Ｊ−に、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−８ｉ
）電極５を形成する。なお、上程２と３は前後してもよ
い。
）電極５を形成する。なお、上程２と３は前後してもよ
い。
上程４
窒化膜４を形成した後、窒化膜４を含む酸化膜３の下部
領域に受光部として機能するＰ型拡散層６を形成し７、
窒化膜４から夕ｉれた酸化膜３のド部領域にはオーミッ
クコンタクトを得るためのＮ型拡散層７を形成する。こ
れら各拡散層６．７は例えばイオン注入技術で形成する
。
領域に受光部として機能するＰ型拡散層６を形成し７、
窒化膜４から夕ｉれた酸化膜３のド部領域にはオーミッ
クコンタクトを得るためのＮ型拡散層７を形成する。こ
れら各拡散層６．７は例えばイオン注入技術で形成する
。
上程５
酸化膜３．窒化膜４及び多結晶シリコン電極５の表面に
層間絶縁膜８と【７て例えばＰＳＧを形成する。この層
間絶縁膜８は後の一１゛程で形成される電極間を絶縁分
離するように機能する。
層間絶縁膜８と【７て例えばＰＳＧを形成する。この層
間絶縁膜８は後の一１゛程で形成される電極間を絶縁分
離するように機能する。
１１程６
層間絶縁膜８を形成した後、多結晶シリコン電極５及び
各拡散層６，７に貫通ずるように層間絶縁膜８及び酸化
膜３に穴をあけ、例えばアルミの電極配線層９を選択的
に形成する。
各拡散層６，７に貫通ずるように層間絶縁膜８及び酸化
膜３に穴をあけ、例えばアルミの電極配線層９を選択的
に形成する。
上程７
電極配線層９を形成した後、層間絶縁膜８及び電極配線
層９の全面を覆うように電極保護膜］０として例えばＰ
ＳＧを形成する。
層９の全面を覆うように電極保護膜］０として例えばＰ
ＳＧを形成する。
上程８
その後、窒化膜４が露出するように層間絶縁膜８及び電
極保護膜１０を選択的に除去して受光部１］を形成する
。また、各電極配線層９に貫通するように電極保護膜１
０を選択的に除去してパッド１２を形成する。
極保護膜１０を選択的に除去して受光部１］を形成する
。また、各電極配線層９に貫通するように電極保護膜１
０を選択的に除去してパッド１２を形成する。
このような構成において、受光部１１に入射される光は
窒化膜４で反射吸収され、基板１内部で光電流に変換さ
れる。
窒化膜４で反射吸収され、基板１内部で光電流に変換さ
れる。
このような構成のシリコンフォトセンザは、フオドダイ
オードかアレイ状に配列されるフォトダイオ−ドア る。
オードかアレイ状に配列されるフォトダイオ−ドア る。
ここで、受光部１１の表面には光学的に長期安定な熱酸
化膜３及び窒化膜４か形成され、不安定要素であるＰ
Ｓ Ｇは除去されているのでシル板１内部への入射光量
の変化は少なくなり、安定した分光感度特性か得られる
。
化膜３及び窒化膜４か形成され、不安定要素であるＰ
Ｓ Ｇは除去されているのでシル板１内部への入射光量
の変化は少なくなり、安定した分光感度特性か得られる
。
また、分光感度特性の波長に対する変化は、従来の構成
では第３図（ Ａ． ）に示すように波長によって感１
庭が波打っていたか、本発明のようにｈｌＩ７成するこ
とにより（Ｂ）に示すように全体になだらかになり、例
えば半導体レーザーを用いる場合の波長のずれの影響を
受けにくくなる。
では第３図（ Ａ． ）に示すように波長によって感１
庭が波打っていたか、本発明のようにｈｌＩ７成するこ
とにより（Ｂ）に示すように全体になだらかになり、例
えば半導体レーザーを用いる場合の波長のずれの影響を
受けにくくなる。
なお、」二連実施例ではＮ型基板を用いる例を説明した
が、Ｐ型基板でもよい。
が、Ｐ型基板でもよい。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれば、安定した
分光感度特性が得られる信頼性の高いシリコンフォトセ
ン→ノ゛を提供することかてきる。
分光感度特性が得られる信頼性の高いシリコンフォトセ
ン→ノ゛を提供することかてきる。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図、第２図は第１
図の製造工程同図、 第３図は分光感度の特性例図である。 ］・Ｎ型シリコン基板 ２・・・ＬＯＣＯＳ３・・・酸
化膜 ４・・窒化膜５・・多結晶シリコン電
極 ６・・Ｐ型拡散層 ７・・・Ｎ型拡散層８・層間
絶縁膜（Ｐ Ｓ Ｇ） ９・・電極配線（アルミ） １〔）・・・電極保護膜（Ｐ Ｓ Ｇ）１１・・・受光
部 １２・・・パッドＷＡＶＥＬＥＮＧＴＨ（ｕ
ｍ）
図の製造工程同図、 第３図は分光感度の特性例図である。 ］・Ｎ型シリコン基板 ２・・・ＬＯＣＯＳ３・・・酸
化膜 ４・・窒化膜５・・多結晶シリコン電
極 ６・・Ｐ型拡散層 ７・・・Ｎ型拡散層８・層間
絶縁膜（Ｐ Ｓ Ｇ） ９・・電極配線（アルミ） １〔）・・・電極保護膜（Ｐ Ｓ Ｇ）１１・・・受光
部 １２・・・パッドＷＡＶＥＬＥＮＧＴＨ（ｕ
ｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｎ（Ｐ）型シリコン基板上に形成された酸化膜と、 この酸化膜上の一部に層間絶縁膜のエッチングストッパ
として形成された窒化膜と、 窒化膜を含む酸化膜の下部領域に受光部として形成され
たＰ（Ｎ）型拡散層と、 窒化膜から外れた酸化膜の下部領域に形成されたＮ（Ｐ
）型拡散層と、 これらＰ（Ｎ）型拡散層及びＮ（Ｐ）型拡散層にそれぞ
れ電気的に接続されるように形成された電極と、 これら電極間を絶縁分離するように形成された層間絶縁
膜と、 電極を保護するように形成された電極保護膜とで構成さ
れ、 窒化膜が露出するように層間絶縁膜及び電極保護膜が選
択的に除去されて受光部が形成されたことを特徴とする
シリコンフォトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162387A JPH0453275A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | シリコンフォトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162387A JPH0453275A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | シリコンフォトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453275A true JPH0453275A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15753617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2162387A Pending JPH0453275A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | シリコンフォトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453275A (ja) |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2162387A patent/JPH0453275A/ja active Pending
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