JPH045249B2 - - Google Patents
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- JPH045249B2 JPH045249B2 JP20803583A JP20803583A JPH045249B2 JP H045249 B2 JPH045249 B2 JP H045249B2 JP 20803583 A JP20803583 A JP 20803583A JP 20803583 A JP20803583 A JP 20803583A JP H045249 B2 JPH045249 B2 JP H045249B2
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- Japan
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- target
- base material
- sputtering
- amorphous alloy
- shutter
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として垂直熱磁気記録方式において
記録媒体として用いられる磁性薄膜の製造方法に
関するものである。
記録媒体として用いられる磁性薄膜の製造方法に
関するものである。
該磁性薄膜は書込みパワーを小さくするため、
書込み速度を大とするため、良好なSN比を得る
ために相互に交換結合している低キユリー点を有
する高保磁力層と高キユリー点を有する低保磁力
層とからなる二層構造にすることが望ましい。そ
して該高保磁力層は例えばTb−Fe非晶質合金、
Dy−Fe非晶質合金等からなり、低保磁力層は例
えばGd−Fe非晶質合金、Gd−Co非晶質合金、
Gd−Fe−Co非晶質合金等からなる。
書込み速度を大とするため、良好なSN比を得る
ために相互に交換結合している低キユリー点を有
する高保磁力層と高キユリー点を有する低保磁力
層とからなる二層構造にすることが望ましい。そ
して該高保磁力層は例えばTb−Fe非晶質合金、
Dy−Fe非晶質合金等からなり、低保磁力層は例
えばGd−Fe非晶質合金、Gd−Co非晶質合金、
Gd−Fe−Co非晶質合金等からなる。
上記二層構造の磁性薄膜においては上記したよ
うに高保磁力層と低保磁力層とを交換結合させる
ことが必要であるが、そのためには上記二層の境
界における酸化物の存在を極力少なくして二層間
の結合が静磁結合になることを防止する必要があ
る。
うに高保磁力層と低保磁力層とを交換結合させる
ことが必要であるが、そのためには上記二層の境
界における酸化物の存在を極力少なくして二層間
の結合が静磁結合になることを防止する必要があ
る。
本発明の目的は上記のような二層間の境界にお
ける酸化物の存在を極力小なくして二層間に出来
るだけ完全な交換結合を行わせることを目的とし
窓孔を有する回転シヤツタを介して基材と相対す
る一対のターゲツトに荷電し、一方のターゲツト
上に回転シヤツタの窓孔を位置せしめて該ターゲ
ツトの非晶質合金を該基材表面に付着せしめるス
パツタリングを行うとともに、他方のターゲツト
は該シヤツタとの間でスパツタリングを行い、次
いで回転シヤツタを回転せしめて他方のターゲツ
ト上に窓孔を位置せしめて直ちに該ターゲツトと
基材との間でスパツタリングを行うことを骨子と
するものである。
ける酸化物の存在を極力小なくして二層間に出来
るだけ完全な交換結合を行わせることを目的とし
窓孔を有する回転シヤツタを介して基材と相対す
る一対のターゲツトに荷電し、一方のターゲツト
上に回転シヤツタの窓孔を位置せしめて該ターゲ
ツトの非晶質合金を該基材表面に付着せしめるス
パツタリングを行うとともに、他方のターゲツト
は該シヤツタとの間でスパツタリングを行い、次
いで回転シヤツタを回転せしめて他方のターゲツ
ト上に窓孔を位置せしめて直ちに該ターゲツトと
基材との間でスパツタリングを行うことを骨子と
するものである。
本発明においては上記骨子によつて一方のター
ゲツトの非晶質合金が基材にスパツタリングされ
ている間に他方のターゲツトはシヤツタとの間で
スパツタリングが行われることによつて表面に存
在する酸化物が除去せられ、次いで回転シヤツタ
を回転させるだけで基材にスパツタリングされた
一方のターゲツトの非晶質合金が酸化されないう
ちに直ちに上記のごとくにして酸化物が除去され
た他方のターゲツトがその上にスパツタリングさ
れるから、二層間に殆んど酸化物が存在せず良好
な交換結合が得られるのである。
ゲツトの非晶質合金が基材にスパツタリングされ
ている間に他方のターゲツトはシヤツタとの間で
スパツタリングが行われることによつて表面に存
在する酸化物が除去せられ、次いで回転シヤツタ
を回転させるだけで基材にスパツタリングされた
一方のターゲツトの非晶質合金が酸化されないう
ちに直ちに上記のごとくにして酸化物が除去され
た他方のターゲツトがその上にスパツタリングさ
れるから、二層間に殆んど酸化物が存在せず良好
な交換結合が得られるのである。
本発明を図に示す一実施例によつて説明する。
第１図において、スパツタリング室１内上部には
内部に水が送通されることによつて冷却される基
材のホルダー２が配置せられ、下方には該ホルダ
ー２に相対して一対のターゲツト電極３Ａ，３Ｂ
が配置せられ、該電極３Ａ，３Ｂはターゲツトを
支持する背板３１と、該背板３１を遮蔽する遮蔽
板３２とからなり、外部の電源３３により荷電せ
られ、更に内部に水が送通されることによつて冷
却される。該ホルダー２と電極３Ａ，３Ｂとの間
には一つの窓孔４１を有する回転シヤツタ４が介
在し、該回転シヤツタ４は軸４２を中心として回
転する。
第１図において、スパツタリング室１内上部には
内部に水が送通されることによつて冷却される基
材のホルダー２が配置せられ、下方には該ホルダ
ー２に相対して一対のターゲツト電極３Ａ，３Ｂ
が配置せられ、該電極３Ａ，３Ｂはターゲツトを
支持する背板３１と、該背板３１を遮蔽する遮蔽
板３２とからなり、外部の電源３３により荷電せ
られ、更に内部に水が送通されることによつて冷
却される。該ホルダー２と電極３Ａ，３Ｂとの間
には一つの窓孔４１を有する回転シヤツタ４が介
在し、該回転シヤツタ４は軸４２を中心として回
転する。
上記構成のスパツタリング装置１０において、
ホルダー２にはプラスチツク、セラミツクス、ガ
ラス等の非磁性材料からなる基材５を支持せし
め、電極３Ａ，３Ｂの背板３１上にはターゲツト
６Ａ，６Ｂを載置する。ターゲツト６Ａは高保磁
力層にかかり、Tb−Fe非晶質合金、Dy−Fe非
晶質合金等からなるが、該非晶質合金の構成要素
からなる複合ターゲツトであり、ターゲツト６Ｂ
は低保磁力層にかかり、Gd−Fe非晶質合金、Gd
−Co非晶質合金、Gd−Fe−Co非晶質合金等から
なるか、該非晶質合金の構成要素からなる複合タ
ーゲツトである。通気孔１１を介してスパツタリ
ング室１内をアルゴンガス、ネオンガス等の不活
性ガスで置換し、基材５とターゲツト６Ａ，６Ｂ
をともに回転シヤツタ４で遮蔽した状態において
電極３Ａ，３Ｂに電源３３から荷電すればターゲ
ツト６Ａ，６Ｂとシヤツタ４との間でスパツタリ
ングが行われ、ターゲツト６Ａ，６Ｂ表面に存在
する酸化物は除去される。次いでシヤツタ４を回
転させて窓孔４１をターゲツト６Ａ上に位置せし
めればターゲツト６Ａと基材５間でスパツタリン
グが行われ、高保磁力層が形成される。なおター
ゲツト６Ａが清浄で表面に酸化物が存在しない場
合にはターゲツト６Ａとシヤツタ４との間でスパ
ツタリングを行うことなく、直ちにターゲツト６
Ａと基材５間でスパツタリングを行つてもよい。
ターゲツト６Ａと基材５間でスパツタリングが行
われている間もターゲツト６Ｂとシヤツタ４との
間でスパツタリングが行われる。ターゲツト６Ｂ
表面の酸化物が除去されている。次いでシヤツタ
４を回転せしめて窓孔４１ををターゲツト６Ａ上
に位置せしめれば上記のごとくして清浄にされた
ターゲツト６Ｂと基材５間でスパツタリングが行
われ、高保磁力層上に低保磁力層が形成される。
高保磁力層形成後低保磁力層形成に至るまでの時
間は単にシヤツタ４を回転させるだけであるから
極めて短時間であり、その間に高保磁力層が酸化
される必配は全くない。かくして第２図に示すよ
うに基材５、高保磁力層６１Ａ、低磁力層６１Ｂ
からなる記録媒体Ｍが得られるが、通常該記録媒
体ＭはSiO2，TiN，TiC等の透明保護膜７で被覆
される。
ホルダー２にはプラスチツク、セラミツクス、ガ
ラス等の非磁性材料からなる基材５を支持せし
め、電極３Ａ，３Ｂの背板３１上にはターゲツト
６Ａ，６Ｂを載置する。ターゲツト６Ａは高保磁
力層にかかり、Tb−Fe非晶質合金、Dy−Fe非
晶質合金等からなるが、該非晶質合金の構成要素
からなる複合ターゲツトであり、ターゲツト６Ｂ
は低保磁力層にかかり、Gd−Fe非晶質合金、Gd
−Co非晶質合金、Gd−Fe−Co非晶質合金等から
なるか、該非晶質合金の構成要素からなる複合タ
ーゲツトである。通気孔１１を介してスパツタリ
ング室１内をアルゴンガス、ネオンガス等の不活
性ガスで置換し、基材５とターゲツト６Ａ，６Ｂ
をともに回転シヤツタ４で遮蔽した状態において
電極３Ａ，３Ｂに電源３３から荷電すればターゲ
ツト６Ａ，６Ｂとシヤツタ４との間でスパツタリ
ングが行われ、ターゲツト６Ａ，６Ｂ表面に存在
する酸化物は除去される。次いでシヤツタ４を回
転させて窓孔４１をターゲツト６Ａ上に位置せし
めればターゲツト６Ａと基材５間でスパツタリン
グが行われ、高保磁力層が形成される。なおター
ゲツト６Ａが清浄で表面に酸化物が存在しない場
合にはターゲツト６Ａとシヤツタ４との間でスパ
ツタリングを行うことなく、直ちにターゲツト６
Ａと基材５間でスパツタリングを行つてもよい。
ターゲツト６Ａと基材５間でスパツタリングが行
われている間もターゲツト６Ｂとシヤツタ４との
間でスパツタリングが行われる。ターゲツト６Ｂ
表面の酸化物が除去されている。次いでシヤツタ
４を回転せしめて窓孔４１ををターゲツト６Ａ上
に位置せしめれば上記のごとくして清浄にされた
ターゲツト６Ｂと基材５間でスパツタリングが行
われ、高保磁力層上に低保磁力層が形成される。
高保磁力層形成後低保磁力層形成に至るまでの時
間は単にシヤツタ４を回転させるだけであるから
極めて短時間であり、その間に高保磁力層が酸化
される必配は全くない。かくして第２図に示すよ
うに基材５、高保磁力層６１Ａ、低磁力層６１Ｂ
からなる記録媒体Ｍが得られるが、通常該記録媒
体ＭはSiO2，TiN，TiC等の透明保護膜７で被覆
される。
第１図は本発明の一実施例の説明図、第２図は
得られた記録媒体の断面図である。 図中、３Ａ，３Ｂ…電極、４…回転シヤツタ、
４１…窓孔、５…基材。
得られた記録媒体の断面図である。 図中、３Ａ，３Ｂ…電極、４…回転シヤツタ、
４１…窓孔、５…基材。
Claims (1)
- １ 窓孔を有する回転シヤツタを介して基材と相
対する一対のターゲツトに荷電し、一方のターゲ
ツト上に回転シヤツタの窓孔を位置せしめて該タ
ーゲツトの非晶質合金を該基材表面に付着せしめ
るスパツタリングを行うとともに、他方のターゲ
ツトは該シヤツタとの間でスパツタリングを行
い、次いで回転シヤツタを回転せしめて他方のタ
ーゲツト上に窓孔を位置せしめて直ちにターゲツ
トと基材との間でスパツタリングを行うことを特
徴とする磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803583A JPS60100417A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803583A JPS60100417A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100417A JPS60100417A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH045249B2 true JPH045249B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=16549576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20803583A Granted JPS60100417A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100417A (ja) |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP20803583A patent/JPS60100417A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100417A (ja) | 1985-06-04 |
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