JPH0451502Y2 - - Google Patents

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JPH0451502Y2
JPH0451502Y2 JP13493887U JP13493887U JPH0451502Y2 JP H0451502 Y2 JPH0451502 Y2 JP H0451502Y2 JP 13493887 U JP13493887 U JP 13493887U JP 13493887 U JP13493887 U JP 13493887U JP H0451502 Y2 JPH0451502 Y2 JP H0451502Y2
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JP
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semiconductor laser
pulse
voltage
control
control voltage
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Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は半導体レーザの駆動装置に関する。
[従来技術の説明] 1W〜15Wクラスの高出力半導体レーザは大電
流で短時間駆動する必要があり、そのため従来に
おいては、固定容量のコンデンサにより出力制御
されるサイリスタによつて駆動する方法がとられ
ていた。そのため、半導体レーザの駆動時間およ
び出力を容易に変更することができず、また、コ
スト高になるなどの問題があつた。
[考案の目的] 本考案は上記観点に基づいてなされたもので、
その目的は、半導体レーザの駆動時間および出力
調節を容易に行なうことができ、しかも、コスト
低減に寄与する半導体レーザ駆動装置を提供する
ことにある。
[目的を達成するための手段] 本考案においては、出力パルス幅の調節が可能
で調節設定された時間幅の制御パルスを外部信号
に応答して出力するパルス出力手段と、出力電圧
の調節が可能で調節設定された制御電圧を出力す
る安定電源手段と、前記制御パルスと前記制御電
圧とを入力し前記制御パルスの時間幅だけ前記制
御電圧に応じた駆動電圧を出力する手段と、半導
体レーザの通電回路に挿入され前記駆動電圧をゲ
ート入力として前記半導体レーザへの通電を制御
するFETとを有する半導体レーザ駆動装置によ
つて、上記目的を達成する。
すなわち、制御パルスの時間幅の調節によつて
半導体レーザの駆動時間を偏向することができ、
制御電圧の調節によつて半導体レーザの出力を変
えることができる。更に、サイリスタを用いない
ので、装置のコスト低減を図ることができる。
[考案の実施例] 添附図面は本考案の一実施例を示す構成図であ
る。
図において、1は単安定マルチバイブレータ
で、駆動信号DSの立上りでトリガされて制御パ
ルスCPを出力する。単安定マルチバイブレータ
1は、可変抵抗器2とコンデンサ3とによる時定
数回路を備え、その制御パルスCPの時間幅が可
変抵抗器2の調節操作で変更できるようになつて
いる。4は制御電圧CVを出力する三端子可変出
力形安定化電源回路、5は安定化電源回路4の制
御電圧CVを調節する調節回路である。安定化電
源回路4は、一端がグラウンドされたノイズ防止
用のコンデンサ6を介して入力端子INに電源入
力を受け、調節回路5の調節操作に応じた値の制
御電圧CVを出力端子OUTに与える。調節回路5
は、安定化電源回路4の調節端子ADJとグラウ
ンドとの間に挿入された可変抵抗器5aと、安定
化電源回路4の調節端子ADJと出力端子OUTと
の間に挿入された固定抵抗5bとを有し、可変抵
抗器5aの調節操作で安定化電源回路4の制御電
圧CVの値を変更できるようになつている。7は
6個のバツフア7aが並列接続されたバツフア回
路で、安定化電源回路4の制御電圧CVを一端が
グラウンドされたノイズ防止用のコンデンサ8を
介して入力すると共に、単安定マルチバイブレー
タ1の制御パルスCPを入力し、制御パルスCPの
時間幅だけ制御電圧CVに応じた駆動電圧DVを
出力する。9は逆流防止用のダイオードを備えた
FETで、ソースがグラウンドされ、ドレインが
高出力半導体レーザ10の一端に接続されてお
り、そのゲートに抵抗11を介してバツフア回路
7の駆動電圧DAが印加されるようになつてい
る。高出力半導体レーザ10の他端は電流制限抵
抗12を介して駆動電源13に接続されている。
以上のごとき構成において、調節回路5の可変
抵抗器5aにより調節設定された制御電圧CVが
バツフア回路7に印加されている状態で、駆動信
号DSが与えられると、単安定マルチバイブレー
タ1から可変抵抗器2の調節に応じた制御パルス
CPがバツフア回路7に与えられ、制御パルスCP
の時間幅だけ制御電圧CVに応じた駆動電圧DV
がFET9に印加される。これにより、FET9が
導通して高出力半導体レーザ10が駆動される。
単安定マルチバイブレータ1の可変抵抗器2によ
つて制御パルスCPの時間幅を変えれば、FET9
の導通時間すなわち高出力半導体レーザ10の駆
動時間が変わる。調節回路5の可変抵抗器5aに
より制御電圧CVの値を変えれば、FET9のドレ
イン・ソース間の電流量が変わり、高出力半導体
レーザ10の出力が変わることとなる。
[考案の効果] 以上説明したように本考案によれば、制御パル
スの時間幅だけ制御電圧に応じた駆動電圧を
FETに印加して半導体レーザを駆動すると共に、
制御パルスの時間幅および制御電圧の大きさを調
節可能としたので、半導体レーザの駆動時間およ
び出力調節を容易に行なうことができ、しかも、
サイリスタを用いないのでコスト低減に寄与する
半導体レーザ駆動装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
添附図面は本考案の一実施例を示す構成図であ
る。 1……単安定マルチバイブレータ、2……可変
抵抗器、3……コンデンサ、4……三端子可変出
力形安定化電源回路、5……調節回路、5a……
可変抵抗器、7……バツフア回路、9……FET、
10……高出力半導体レーザ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 出力パルス幅の調節が可能で調節設定された時
    間幅の制御パルスを外部信号に応答して出力する
    パルス出力手段と、出力電圧の調節が可能で調節
    設定された制御電圧を出力する安定化電源手段
    と、前記制御パルスと前記制御電圧とを入力し前
    記制御パルスの時間幅だけ前記制御電圧に応じた
    駆動電圧を出力する手段と、半導体レーザの通電
    回路に挿入され前記駆動電圧をゲート入力として
    前記半導体レーザへの通電を制御するFETとを
    有することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
JP13493887U 1987-09-03 1987-09-03 Expired JPH0451502Y2 (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS6439668U JPS6439668U (ja) 1989-03-09
JPH0451502Y2 true JPH0451502Y2 (ja) 1992-12-03

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