JPH045145B2 - - Google Patents
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- JPH045145B2 JPH045145B2 JP25148283A JP25148283A JPH045145B2 JP H045145 B2 JPH045145 B2 JP H045145B2 JP 25148283 A JP25148283 A JP 25148283A JP 25148283 A JP25148283 A JP 25148283A JP H045145 B2 JPH045145 B2 JP H045145B2
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- resistance
- measured
- voltage
- constant voltage
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ダイオード等の非線形素子が直列に
接続された抵抗の抵抗値を測定する抵抗測定装置
に関する。
接続された抵抗の抵抗値を測定する抵抗測定装置
に関する。
非線形素子、例えばダイオードが直列に挿入接
続された抵抗の抵抗値を測定することは、ダイオ
ードの電圧降下の影響を受けて一般に困難であ
る。
続された抵抗の抵抗値を測定することは、ダイオ
ードの電圧降下の影響を受けて一般に困難であ
る。
従来、この種の抵抗を測定する場合、定電流に
よる方法が実現されている。これを第１図を参照
して説明する。
よる方法が実現されている。これを第１図を参照
して説明する。
同図において、ダイオードＤ及び被測定抵抗Ｚ
が直列に挿入されている被測定物に、定電流源i1
を接続すると、該被測定物全体の電圧降下VS1
は、定電流をi1として(1)式のようにあらわされ
る。
が直列に挿入されている被測定物に、定電流源i1
を接続すると、該被測定物全体の電圧降下VS1
は、定電流をi1として(1)式のようにあらわされ
る。
VS1＝i1Z＋VD ……(1)
ついで、定電流源をi2に切替えると、電圧降下
VS2は、(2)式のようになる。
VS2は、(2)式のようになる。
VS2＝i2Z＋VD ……(2)
ここで、上記(1)、(2)式のVDは、ダイオードＤ
の電圧降下分であるので、一般には一定電圧値を
示す。従つて、(2)式及び(1)式からVDを除去する
ことができる。すなわち、(1)、(2)式から、 VS2−VS1＝（i2−i1）Ｚ よつて、 Ｚ＝VS2−VS1／i2−i1 ……(3) となる。そして、(3)式において、VS2、VS1、i2、
i1は、いずれも既知であるので、被測定抵抗Ｚの
値を求めることができる。
の電圧降下分であるので、一般には一定電圧値を
示す。従つて、(2)式及び(1)式からVDを除去する
ことができる。すなわち、(1)、(2)式から、 VS2−VS1＝（i2−i1）Ｚ よつて、 Ｚ＝VS2−VS1／i2−i1 ……(3) となる。そして、(3)式において、VS2、VS1、i2、
i1は、いずれも既知であるので、被測定抵抗Ｚの
値を求めることができる。
しかしながら、この従来の装置は、定電流源を
用いているため種々の問題がある。即ち、定電流
源は、アナログ回路的要素が極端に強く、回路構
成が複雑になると共に、電源部での電力消費が大
きくなる欠点があり、又、装置が大型化する欠点
がある。
用いているため種々の問題がある。即ち、定電流
源は、アナログ回路的要素が極端に強く、回路構
成が複雑になると共に、電源部での電力消費が大
きくなる欠点があり、又、装置が大型化する欠点
がある。
本発明は、斯かる欠点に鑑みてなされたもの
で、定電圧源を用いることにより、回路構成を簡
単化すると共に、電源部での電力消費を少なく
し、更に装置を小型化できる非線形素子介入抵抗
測定装置を提供することを目的とする。
で、定電圧源を用いることにより、回路構成を簡
単化すると共に、電源部での電力消費を少なく
し、更に装置を小型化できる非線形素子介入抵抗
測定装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は次の原理に
基づいて構成される。第２図を参照して、本発明
の原理を説明する。
基づいて構成される。第２図を参照して、本発明
の原理を説明する。
ダイオードＤに直列に挿入されている被測定抵
抗Ｚに定電圧E1を印加すると(4)式となる。
抗Ｚに定電圧E1を印加すると(4)式となる。
E1＝E1−VS1／Z0（Ｚ＋Z0）＋VD ……(4)
次に同様に定電圧E2を印加すると(5)式となる。
E2＝E2−VS2／Z0（Ｚ＋Z0）＋VD ……(5)
ここで、VDはダイオード電圧降下分であるの
で、一定電圧値を一般には示すから、(5)式−(4)式
により、VDを除去することができ、(6)式となる。
で、一定電圧値を一般には示すから、(5)式−(4)式
により、VDを除去することができ、(6)式となる。
E2−E1＝Ｚ＋Z0／Z0（E2−E1−VS2＋VS1） ……(6)
(6)式は、(7)式のように変形される。
Ｚ＝（E2−E1）Z0／（E2−E1−VS2＋VS1）−Z0…
…(7) すなわち、VS2およびVS1は、それぞれ定電圧
E1およびE2を内部抵抗Z0で印加した時の被測定
物の電圧降下測定値であるから、被測定抵抗Ｚの
値を除き、すべて既知であるので、被測定抵抗Ｚ
の値を求めることが出来る。
…(7) すなわち、VS2およびVS1は、それぞれ定電圧
E1およびE2を内部抵抗Z0で印加した時の被測定
物の電圧降下測定値であるから、被測定抵抗Ｚの
値を除き、すべて既知であるので、被測定抵抗Ｚ
の値を求めることが出来る。
以下、上記原理による本発明を図面に示す実施
例に基づいて説明する。
例に基づいて説明する。
第３図は本発明抵抗測定装置の一実施例を示す
ブロツク図である。図において本発明は、非線形
素子としてダイオードＤを直列接続した被測定物
に接続して電圧を印加する電圧手段と、被測定物
の電圧降下を検出する測定手段と、それらを制御
すると共に、被測定値から被測定物抵抗値を算出
する手段とを備えて構成される。
ブロツク図である。図において本発明は、非線形
素子としてダイオードＤを直列接続した被測定物
に接続して電圧を印加する電圧手段と、被測定物
の電圧降下を検出する測定手段と、それらを制御
すると共に、被測定値から被測定物抵抗値を算出
する手段とを備えて構成される。
電源手段は、定電圧源E1及びE2と、既知の抵
抗値から成る内部抵抗Z0と、該定電圧源E1及び
E2の出力を切替えて内部抵抗Z0と接続するスイ
ツチSW1と、該内部抵抗Z0の他端を被測定物に接
続するスイツチSW0とを有して成る。ここで、定
電圧源E1とE2とは、内部インピーダンスを無視
すべく、入力インピーダンス無限大のバツフアア
ンプA0を介して内部抵抗Z0に接続してある。こ
れは、電源手段の内部抵抗が既知のZ0であること
を明示するための回路手段を示したもので、回路
構成を具体的に明記したものではない。
抗値から成る内部抵抗Z0と、該定電圧源E1及び
E2の出力を切替えて内部抵抗Z0と接続するスイ
ツチSW1と、該内部抵抗Z0の他端を被測定物に接
続するスイツチSW0とを有して成る。ここで、定
電圧源E1とE2とは、内部インピーダンスを無視
すべく、入力インピーダンス無限大のバツフアア
ンプA0を介して内部抵抗Z0に接続してある。こ
れは、電源手段の内部抵抗が既知のZ0であること
を明示するための回路手段を示したもので、回路
構成を具体的に明記したものではない。
上記定電圧源E1とE2の切替は、スイツチSW1
で行なわれ、被測定物、本実施例ではダイオード
Ｄと被測定抵抗Ｚの直列接続されたものへの定電
圧源E1，E2の印加は、スイツチSW0で行なわれ
る。これらのスイツチSW0及びSW1の制御は、後
述する処理手段のマイクロプロセツサCPUにて
制御される出力装置OUT0と接続される継電器
R0，R1の電流オンオフにて行なわれる。
で行なわれ、被測定物、本実施例ではダイオード
Ｄと被測定抵抗Ｚの直列接続されたものへの定電
圧源E1，E2の印加は、スイツチSW0で行なわれ
る。これらのスイツチSW0及びSW1の制御は、後
述する処理手段のマイクロプロセツサCPUにて
制御される出力装置OUT0と接続される継電器
R0，R1の電流オンオフにて行なわれる。
測定手段は、バツハアアンプA1を介して入力
される被測定電圧を、後述する処理手段から供給
される比較信号と比較するコンパレータＣと、上
記比較信号をデジタル−アナログ変換するＤ／Ａ
変換器DACとから成る。
される被測定電圧を、後述する処理手段から供給
される比較信号と比較するコンパレータＣと、上
記比較信号をデジタル−アナログ変換するＤ／Ａ
変換器DACとから成る。
又、処理手段は、上記スイツチSW0，SW1の継
電器R0，R1を駆動する出力装置OUT0と、上記
Ｄ／Ａ変換器DACにデジタルの比較信号を出力
する出力装置OUT1と、上記コンパレータＣの出
力を入力させる入力装置INと、測定値等を記憶
するメモリMMと、測定結果を出力する出力装置
OUT2と、これらの付属装置を介して上記電源手
段及び測定手段を制御すると共に測定値の演算処
理を行うマイクロプロセツサCPUとを有して成
る。
電器R0，R1を駆動する出力装置OUT0と、上記
Ｄ／Ａ変換器DACにデジタルの比較信号を出力
する出力装置OUT1と、上記コンパレータＣの出
力を入力させる入力装置INと、測定値等を記憶
するメモリMMと、測定結果を出力する出力装置
OUT2と、これらの付属装置を介して上記電源手
段及び測定手段を制御すると共に測定値の演算処
理を行うマイクロプロセツサCPUとを有して成
る。
このような構成において、本発明測定装置によ
る抵抗値測定は、次のように行なう。
る抵抗値測定は、次のように行なう。
まず、スイツチSW0開放時、定電圧源E1及び
E2の値を、入力インピーダンス無限大のバツフ
アアンプA1を介してコンパレータＣに入力せし
める。一方、マイクロプロセツサCPUにより制
御される出力装置OUT1から出力される比較信号
を、Ｄ／Ａ変換器DACにてアナログ電圧に変換
して、上記コンパレータＣの他の入力端子に入力
せしめる。コンパレータＣは、両者の電圧の一
致、不一致を検出する。マイクロプロセツサ
CPUは、入力装置INにて上記コンパレータＣの
出力状態を監視し、定電圧源の電圧と比較信号電
圧が不一致であれば、出力装置OUT1の比較信号
のデジタル値を変化させ、両電圧が合致した時、
その時のデジタル値を、その定電圧源E1，E2の
電圧として、マイクロプロセツサCPU内又はメ
モリMMに記憶される。
E2の値を、入力インピーダンス無限大のバツフ
アアンプA1を介してコンパレータＣに入力せし
める。一方、マイクロプロセツサCPUにより制
御される出力装置OUT1から出力される比較信号
を、Ｄ／Ａ変換器DACにてアナログ電圧に変換
して、上記コンパレータＣの他の入力端子に入力
せしめる。コンパレータＣは、両者の電圧の一
致、不一致を検出する。マイクロプロセツサ
CPUは、入力装置INにて上記コンパレータＣの
出力状態を監視し、定電圧源の電圧と比較信号電
圧が不一致であれば、出力装置OUT1の比較信号
のデジタル値を変化させ、両電圧が合致した時、
その時のデジタル値を、その定電圧源E1，E2の
電圧として、マイクロプロセツサCPU内又はメ
モリMMに記憶される。
次に、スイツチSW0を閉成し、スイツチSW1を
切替えて定電圧源E1とE2とを各々被測定物に印
加する。そして、上記同様の測定方法により、定
電圧源E1印加時のデジタル値をVS1として、又定
電圧源E2印加時のデジタル値をVS2として、マイ
クロプロセツサCPU又はメモリMMに記憶させ
る。又、内部抵抗Z0は、抵抗値をデジタル値とし
て予めメモリMMに記憶せしめておく。
切替えて定電圧源E1とE2とを各々被測定物に印
加する。そして、上記同様の測定方法により、定
電圧源E1印加時のデジタル値をVS1として、又定
電圧源E2印加時のデジタル値をVS2として、マイ
クロプロセツサCPU又はメモリMMに記憶させ
る。又、内部抵抗Z0は、抵抗値をデジタル値とし
て予めメモリMMに記憶せしめておく。
マイクロプロセツサCPUは、これらのデータ
を基にして、上記(7)式の演算を実行し、被測定抵
抗Ｚの値を求める。そして、出力装置OUT2を介
してこの測定結果を出力する。
を基にして、上記(7)式の演算を実行し、被測定抵
抗Ｚの値を求める。そして、出力装置OUT2を介
してこの測定結果を出力する。
以上説明したように、本発明は、定電圧源を用
いることにより、従来定電流源を用いて複雑であ
つた回路構成を簡単化すると共に、電源部での電
力消費を少なくし、更に、装置を小型化できる効
果がある。
いることにより、従来定電流源を用いて複雑であ
つた回路構成を簡単化すると共に、電源部での電
力消費を少なくし、更に、装置を小型化できる効
果がある。
第１図は従来の抵抗測定装置の原理を示す回路
図、第２図は本発明抵抗測定装置の原理を示す回
路図、第３図は本発明抵抗測定装置の一実施例を
示すブロツク図である。 Ｄ……ダイオード、Ｚ……被測定抵抗、Z0……
内部抵抗、E1，E2……定電圧源、SW0，SW1…
…スイツチ、A0，A1……バツフアアンプ、Ｃ…
…コンパレータ、DAC……Ｄ／Ａ変換器、CPU
……マイクロプロセツサ、IN……入力装置、
OUT0，OUT1，OUT2……出力装置、MM……
メモリ、R0，R1……継電器。
図、第２図は本発明抵抗測定装置の原理を示す回
路図、第３図は本発明抵抗測定装置の一実施例を
示すブロツク図である。 Ｄ……ダイオード、Ｚ……被測定抵抗、Z0……
内部抵抗、E1，E2……定電圧源、SW0，SW1…
…スイツチ、A0，A1……バツフアアンプ、Ｃ…
…コンパレータ、DAC……Ｄ／Ａ変換器、CPU
……マイクロプロセツサ、IN……入力装置、
OUT0，OUT1，OUT2……出力装置、MM……
メモリ、R0，R1……継電器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 印加電流の増加に伴なつて比例的に電圧降下
を伴なう線形素子と、ある一定電圧に至るまで電
流をほとんど通過させず、ある一定電圧以上を印
加した場合は印加電流の大小にほとんど影響され
ることがないダイオード等の非線形素子とが直列
に挿入された被測定物の中、前記線形素子につい
ての抵抗値を測定する抵抗測定装置において、 異なつた電圧の定電圧源E1及びE2を、各々切
替えて被測定物に内部抵抗Z0を介して印加する電
源手段と、 上記定電圧源E1，E2印加に伴なう被測定物の
対応する電圧降下分を測定する測定手段と、 上記測定値VS1，VS2、上記定電圧源E1，E2の
電圧及び内部抵抗Z0の抵抗値を記憶すると共に、
これらのデータにより、被測定抵抗値Ｚを、 Ｚ＝（E2−E1）Z0／E2−E1−VS2＋VS1−Z0 で示される式にて演算して求める処理手段とを設
けたことを特徴とする非線形素子介入抵抗測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25148283A JPS60143786A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 非線形素子介入抵抗測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25148283A JPS60143786A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 非線形素子介入抵抗測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143786A JPS60143786A (ja) | 1985-07-30 |
| JPH045145B2 true JPH045145B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=17223458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25148283A Granted JPS60143786A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 非線形素子介入抵抗測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143786A (ja) |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP25148283A patent/JPS60143786A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60143786A (ja) | 1985-07-30 |
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