JPH0451219A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH0451219A JPH0451219A JP2161729A JP16172990A JPH0451219A JP H0451219 A JPH0451219 A JP H0451219A JP 2161729 A JP2161729 A JP 2161729A JP 16172990 A JP16172990 A JP 16172990A JP H0451219 A JPH0451219 A JP H0451219A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を担体で固定した表示素子の構成に関する
。
。
［従来の技術］
従来の液晶を担体で固定した表示素子はアメリカ特許４
，７２８，５４７および４，６８８，９００等に開示さ
れており、液晶を担持する担体に紫外線硬化性あるいは
熱硬化性有機高分子を用いていた。しかし、担体モノマ
ーを液晶と混合した後に化学反応により硬化させるため
、担体モノマーと液晶が反応する、あるいは液晶が分解
してしまい信頼性が悪い、前の表示状態によりしきい特
性が変化してしまう（ヒステリシス特性と名づける）、
などの課題があった。これを解決するために担体高分子
として熱可塑性高分子を用いる方法が検討されている。
，７２８，５４７および４，６８８，９００等に開示さ
れており、液晶を担持する担体に紫外線硬化性あるいは
熱硬化性有機高分子を用いていた。しかし、担体モノマ
ーを液晶と混合した後に化学反応により硬化させるため
、担体モノマーと液晶が反応する、あるいは液晶が分解
してしまい信頼性が悪い、前の表示状態によりしきい特
性が変化してしまう（ヒステリシス特性と名づける）、
などの課題があった。これを解決するために担体高分子
として熱可塑性高分子を用いる方法が検討されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、熱可塑性高分子を用いた場合には電界を切った
場合の光１１（ＯＦＦ光Ｊｌ）が大きいためにコントラ
ストが取れない課題を有していた。そこで本発明では、
担体に熱可塑性の高分子を用い、反射モードを用いるこ
とによって、コントラストの良好な、ヒステリシス特性
の無い、しかも信頼性の高い表示素子を提供することを
目的とするものである。
場合の光１１（ＯＦＦ光Ｊｌ）が大きいためにコントラ
ストが取れない課題を有していた。そこで本発明では、
担体に熱可塑性の高分子を用い、反射モードを用いるこ
とによって、コントラストの良好な、ヒステリシス特性
の無い、しかも信頼性の高い表示素子を提供することを
目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の表示素子は、
■電極間に液晶を高分子で固定した表示素子に於て、高
分子として熱可塑性高分子を用い、液晶層の外側に反射
板を設けたことを特徴とする。
分子として熱可塑性高分子を用い、液晶層の外側に反射
板を設けたことを特徴とする。
■前記反射板を電極表面に対して傾けて配置したことを
特徴とする。
特徴とする。
■前記反射板の表面構造が鋸歯状であることを特徴とす
る。
る。
■前記反射板が電極を兼ねていることを特徴とする。
■前記熱可塑性高分子がポリアセタール、ポリエチレン
オキサイド、セルロース、ポリビニルアセテート、ポリ
ブテン、ポリブチルアセテート、ポリブチレンアジペー
ト、ポリイソプレン、ポリスチレン、ポリビニリデンフ
ルオライド、ポリエチレン等の有機高分子あるいはその
誘導体からなることを特徴とする。
オキサイド、セルロース、ポリビニルアセテート、ポリ
ブテン、ポリブチルアセテート、ポリブチレンアジペー
ト、ポリイソプレン、ポリスチレン、ポリビニリデンフ
ルオライド、ポリエチレン等の有機高分子あるいはその
誘導体からなることを特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の構成によれば、光が素子を２回通過する
ので透過モードで測定した電気光学特性の２乗のカーブ
が得られる。そのためしきい特性が急峻となるのである
。この時反射板を素子部表面に対して傾けて配置するこ
とにより素子表面からの反射光を取り除くことができる
。また熱可塑性高分子を用いると、特にセルロース誘導
体を用いる場合にはヒステリシス特性がほとんど無い。
ので透過モードで測定した電気光学特性の２乗のカーブ
が得られる。そのためしきい特性が急峻となるのである
。この時反射板を素子部表面に対して傾けて配置するこ
とにより素子表面からの反射光を取り除くことができる
。また熱可塑性高分子を用いると、特にセルロース誘導
体を用いる場合にはヒステリシス特性がほとんど無い。
このため電気光学特性の良好な表示素子を作成すること
ができる。また既に高度に重合した高分子を用いること
ができるため、液晶分子と反応するような不純物を極力
減らすことができる、また担体を重合で形成することが
無いため紫外線を照射することもなく液晶にダメージを
与えることが極めて少ない。そのため信頼性が向上する
のである。
ができる。また既に高度に重合した高分子を用いること
ができるため、液晶分子と反応するような不純物を極力
減らすことができる、また担体を重合で形成することが
無いため紫外線を照射することもなく液晶にダメージを
与えることが極めて少ない。そのため信頼性が向上する
のである。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例コ
実施例１
第１図は本発明の１実施例を示す表示素子の断面図であ
る。また第２図は本発明の表示素子を含む表示装置の全
体図である。基板１および基板６上に透明電極ＩＴＯ２
および透明電極ＩＴＯ５を形成しこれらの基板間に液晶
及び有機熱可塑性高分子の混合物を挟み込んだ。液晶及
び高分子の調合及び素子作製法について述べる。 表１
に本実施例で用いた熱可塑性高分子及びそれと組み合わ
せた液晶を示した。まずここにあげた高分子に液晶を３
０〜９０％混ぜ合わせ、１８０℃程度に加熱して均一に
相溶させる。相溶した状態で電極付基板上に展開し、相
分離しないように電極付対向基板で挟み込んだ。液晶層
の厚さは１０μｍとしたがこの限りでない。厚くすれば
表示素子としてのコントラストを向上させることはでき
るが駆動電圧が高くなる課題があり、薄くすると駆動電
圧を低下させることはできるがコントラストが取れない
課題を有する。こうして作成した素子部の外側に反射板
７を素子部の表面に対して３度傾けて配置した。反射板
７はできるだけ素子部に近づけて配置する必要がある、
さもなくば同画素によって同一光を変調できなくなる。
る。また第２図は本発明の表示素子を含む表示装置の全
体図である。基板１および基板６上に透明電極ＩＴＯ２
および透明電極ＩＴＯ５を形成しこれらの基板間に液晶
及び有機熱可塑性高分子の混合物を挟み込んだ。液晶及
び高分子の調合及び素子作製法について述べる。 表１
に本実施例で用いた熱可塑性高分子及びそれと組み合わ
せた液晶を示した。まずここにあげた高分子に液晶を３
０〜９０％混ぜ合わせ、１８０℃程度に加熱して均一に
相溶させる。相溶した状態で電極付基板上に展開し、相
分離しないように電極付対向基板で挟み込んだ。液晶層
の厚さは１０μｍとしたがこの限りでない。厚くすれば
表示素子としてのコントラストを向上させることはでき
るが駆動電圧が高くなる課題があり、薄くすると駆動電
圧を低下させることはできるがコントラストが取れない
課題を有する。こうして作成した素子部の外側に反射板
７を素子部の表面に対して３度傾けて配置した。反射板
７はできるだけ素子部に近づけて配置する必要がある、
さもなくば同画素によって同一光を変調できなくなる。
これを実現するためにも反射板７を傾ける角度は素子部
表面の反射光が受光部に入らない必要最小限にする必要
がある。第３図に本実施例の表示素子の電気光学特性を
示した。コントラストは約２０＝ １である。 本実
施例では駆動電圧４０ｖ（駆動周波数については素子に
電界が十分印加される程度の周波数、ここではＩＫＨｚ
）とした。どの高分子を用いても同様の表示状態を得る
ことができた。１力月後の電気光学特性に於ける経時変
化はほとんど無かった。ここで用いた液晶は高分子の屈
折率に合わせて選んだ物であり、少々屈折率が合わなく
ても他の液晶を用いることができる。また高分子自身も
熱可塑性の高分子であればここに示した物に限らず用い
ることができる、高分子に対する液晶の割合は、３０％
以下であると十分な光学変化が得られず、９０％以上で
あると十分な光散乱が得られない。
表面の反射光が受光部に入らない必要最小限にする必要
がある。第３図に本実施例の表示素子の電気光学特性を
示した。コントラストは約２０＝ １である。 本実
施例では駆動電圧４０ｖ（駆動周波数については素子に
電界が十分印加される程度の周波数、ここではＩＫＨｚ
）とした。どの高分子を用いても同様の表示状態を得る
ことができた。１力月後の電気光学特性に於ける経時変
化はほとんど無かった。ここで用いた液晶は高分子の屈
折率に合わせて選んだ物であり、少々屈折率が合わなく
ても他の液晶を用いることができる。また高分子自身も
熱可塑性の高分子であればここに示した物に限らず用い
ることができる、高分子に対する液晶の割合は、３０％
以下であると十分な光学変化が得られず、９０％以上で
あると十分な光散乱が得られない。
表１
表中の液晶はＺＬＩ−がメルク社製であり、ＲＤＰ−が
ロブイック社製である。
ロブイック社製である。
実施例２
本実施例では反射板として鋸歯形断面を持つ反射板を用
いた例を示す。第４図は本実施例を示す素子の断面図で
ある。実施例１と異なっている点は素子部の外側に配置
した反射板の構造及び配置である。反射板の構造につい
て述べる。第２図に示したように５０μｍピッチで、か
つ表面角度が５度である鋸歯状の凹凸をガラス基板１４
上に形成した。ガラス基板の替わりに高分子基板を用い
てもよい。この上に反射膜８としてアルミニウムを３０
００Ａの膜厚で形成した。これを素子部表面に密着して
配置した。この反射板を用いることにより素子部の全面
に渡り入射光に対して均一な２重変調を行なうことが可
能となった。
いた例を示す。第４図は本実施例を示す素子の断面図で
ある。実施例１と異なっている点は素子部の外側に配置
した反射板の構造及び配置である。反射板の構造につい
て述べる。第２図に示したように５０μｍピッチで、か
つ表面角度が５度である鋸歯状の凹凸をガラス基板１４
上に形成した。ガラス基板の替わりに高分子基板を用い
てもよい。この上に反射膜８としてアルミニウムを３０
００Ａの膜厚で形成した。これを素子部表面に密着して
配置した。この反射板を用いることにより素子部の全面
に渡り入射光に対して均一な２重変調を行なうことが可
能となった。
実施例３
本実施例では１方の電極を金属電極１３として鋸歯状の
反射表面を有する反射板を兼ねさせた場合を示す。第５
図に本実施例の素子の断面図を示す。
反射表面を有する反射板を兼ねさせた場合を示す。第５
図に本実施例の素子の断面図を示す。
用いた高分子及び液晶は実施例１と同様である。
実施例２で用いた反射板を１方の基板としてもう１方に
平坦な透明電極付基板を用いこの間に相溶させた高分子
／液晶混合物を相溶した状態のまま挟み込んで急冷した
０本実施例に於ける電気光学特性及び信頼性は実施例１
に同じであった。本実施例によれば反射板が必要ないの
で、コンパクトで安価な反射型表示素子を作製すること
ができる。
平坦な透明電極付基板を用いこの間に相溶させた高分子
／液晶混合物を相溶した状態のまま挟み込んで急冷した
０本実施例に於ける電気光学特性及び信頼性は実施例１
に同じであった。本実施例によれば反射板が必要ないの
で、コンパクトで安価な反射型表示素子を作製すること
ができる。
従来例
第６図に従来の高分子分散型液晶表示素子の断面図を示
す。反射板を除いた素子の作製法は実施例１と同様であ
る。こうして作製した素子について透過モードでの電気
光学特性を測定した（第７図参照）。ＯＦＦ光量がかな
り多くコントラストが取れていないことがわかる。
す。反射板を除いた素子の作製法は実施例１と同様であ
る。こうして作製した素子について透過モードでの電気
光学特性を測定した（第７図参照）。ＯＦＦ光量がかな
り多くコントラストが取れていないことがわかる。
以上実施例及び従来例を述べたが、本発明は以上の実施
例のみならず、広く表示素子、反射型デイスプレィ、プ
ロジェクタ−などに応用が可能である。
例のみならず、広く表示素子、反射型デイスプレィ、プ
ロジェクタ−などに応用が可能である。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、担体に熱可塑性の高
分子を用い、反射モードを用いることによって、コント
ラストの良好な、ヒステリシス特性の無い、しかも信頼
性の高い表示素子を提供することが可能となった。
分子を用い、反射モードを用いることによって、コント
ラストの良好な、ヒステリシス特性の無い、しかも信頼
性の高い表示素子を提供することが可能となった。
第１図は、本発明の実施例１に於ける表示素子の断面図
である。 第２図は、本発明の実施例１に於ける表示素子を含む装
置の全体図である。 第３図は、本発明の実施例１に於ける表示素子の電気光
学特性図である。 第４図は、本発明の実施例２に於ける表示素子の断面図
である。 第５図は、本発明の実施例３に於ける表示素子の断面図
である。 第６図は、従来の高分子分散型液晶表示素子の断面図で
ある。 第７図は、従来の高分子分散型液晶表示素子の電気光学
特性図である。 １、・・・ガラス基板 ２、・・・ＩＴＯ透明電極 ３、・・・液晶 ４、・・・高分子 ５、・・・ＩＴＯ透明電極 ６、・・・ガラス基板 ７、・・・反射板 ８゜・・・反射膜 ９、・・・入射光 １０、・・・反射光 １１、・・・集光レンズ １２、・・・スクリーン １３、・・・金属電極 １４、・・・鋸歯形ガラス基板 第１図 資ｒＬＣｖ） 第５図 電瓦 ＣＶ）
である。 第２図は、本発明の実施例１に於ける表示素子を含む装
置の全体図である。 第３図は、本発明の実施例１に於ける表示素子の電気光
学特性図である。 第４図は、本発明の実施例２に於ける表示素子の断面図
である。 第５図は、本発明の実施例３に於ける表示素子の断面図
である。 第６図は、従来の高分子分散型液晶表示素子の断面図で
ある。 第７図は、従来の高分子分散型液晶表示素子の電気光学
特性図である。 １、・・・ガラス基板 ２、・・・ＩＴＯ透明電極 ３、・・・液晶 ４、・・・高分子 ５、・・・ＩＴＯ透明電極 ６、・・・ガラス基板 ７、・・・反射板 ８゜・・・反射膜 ９、・・・入射光 １０、・・・反射光 １１、・・・集光レンズ １２、・・・スクリーン １３、・・・金属電極 １４、・・・鋸歯形ガラス基板 第１図 資ｒＬＣｖ） 第５図 電瓦 ＣＶ）
Claims (5)
- （１）電極間に液晶を高分子で固定した表示素子に於て
、高分子として熱可塑性高分子を用い液晶層の外側に反
射板を設けたことを特徴とする表示素子。 - （２）前記反射板を電極表面に対して傾けて配置したこ
とを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - （３）前記反射板の表面構造が鋸歯状であることを特徴
とする請求項１記載の表示素子。 - （４）前記反射板が電極を兼ねていることを特徴とする
請求項１記載の表示素子。 - （５）前記熱可塑性高分子がポリアセタール、ポリエチ
レンオキサイド、セルロース、ポリビニルアセテート、
ポリブテン、ポリブチルアセテート、ポリブチレンアジ
ペート、ポリイソプレン、ポリスチレン、ポリビニリデ
ンフルオライド、ポリエチレン等の有機高分子あるいは
その誘導体からなることを特徴とする請求項１記載の表
示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16172990A JP3194935B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16172990A JP3194935B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 表示装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35463398A Division JP3147881B2 (ja) | 1990-06-20 | 1998-12-14 | 表示素子 |
| JP35463498A Division JP3147882B2 (ja) | 1990-06-20 | 1998-12-14 | 表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451219A true JPH0451219A (ja) | 1992-02-19 |
| JP3194935B2 JP3194935B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=15740777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16172990A Expired - Fee Related JP3194935B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194935B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993015433A1 (fr) * | 1992-01-30 | 1993-08-05 | Nippon Hoso Kyokai | Plaque variateur de lumiere a cristaux liquides et eclairage contenant une telle plaque |
| US5631665A (en) * | 1992-11-13 | 1997-05-20 | Nippon Hoso Kyokai | Liquid crystal device, driving method thereof, liquid crystal apparatus, and illumination apparatus |
| WO2000007065A1 (fr) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a diffusion et procede d'excitation de ce dispositif |
| US6807926B2 (en) | 2002-02-14 | 2004-10-26 | Usui Kokusai Sangyo Kaisha Limited | Control method for outside control type fan coupling apparatus |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP16172990A patent/JP3194935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993015433A1 (fr) * | 1992-01-30 | 1993-08-05 | Nippon Hoso Kyokai | Plaque variateur de lumiere a cristaux liquides et eclairage contenant une telle plaque |
| US5764316A (en) * | 1992-01-30 | 1998-06-09 | Nippon Hoso Kyokai | Liquid crystal dimmer plate and lighting system including the same |
| US5631665A (en) * | 1992-11-13 | 1997-05-20 | Nippon Hoso Kyokai | Liquid crystal device, driving method thereof, liquid crystal apparatus, and illumination apparatus |
| WO2000007065A1 (fr) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a diffusion et procede d'excitation de ce dispositif |
| US6807926B2 (en) | 2002-02-14 | 2004-10-26 | Usui Kokusai Sangyo Kaisha Limited | Control method for outside control type fan coupling apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3194935B2 (ja) | 2001-08-06 |
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