JPH0448670A - リッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
リッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0448670A JPH0448670A JP15588990A JP15588990A JPH0448670A JP H0448670 A JPH0448670 A JP H0448670A JP 15588990 A JP15588990 A JP 15588990A JP 15588990 A JP15588990 A JP 15588990A JP H0448670 A JPH0448670 A JP H0448670A
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- layer
- ridge structure
- mask
- laser device
- cladding layer
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリッジ構造を有する半導体レーザ装置において
リッジ構造を左右対称に製造するための製造方法に関す
るものである。
リッジ構造を左右対称に製造するための製造方法に関す
るものである。
（従来の技術）
従来のリッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方法
を第２図（Ａ）〜（１）と共に説明する。
を第２図（Ａ）〜（１）と共に説明する。
まず、第２図（Ａ）に示すように、半導体基板１上にｎ
−クラッド層２、活性層３、Ｐ−クラッド層４を順次結
晶成長させて積層し、その上にＳｉＮｘ膜５（または５
１０２膜）を成膜する。
−クラッド層２、活性層３、Ｐ−クラッド層４を順次結
晶成長させて積層し、その上にＳｉＮｘ膜５（または５
１０２膜）を成膜する。
次に、同図（Ｂ）に示すように、このＳｉＮｘ膜５を作
製するリッジ幅に合わせてストライブ状にドライエツチ
ングし、このストライプ状の５ＩＮｘ膜５をマスクとし
てＰ−クラッド層４を途中までウェットエツチングを行
ってＰ−クラッド層４のリッジ構造を形成する（同図（
Ｃ））。
製するリッジ幅に合わせてストライブ状にドライエツチ
ングし、このストライプ状の５ＩＮｘ膜５をマスクとし
てＰ−クラッド層４を途中までウェットエツチングを行
ってＰ−クラッド層４のリッジ構造を形成する（同図（
Ｃ））。
そして、ＳｉＮｘ膜５上に、ｐ−クラッド層４のリッジ
幅よりもやや幅の狭いフォトレジスト６をバターニング
した後（同図（Ｄ＞＞、ＳｉＮｘ膜５において、フォト
レジスト６より幅の広い部分をドライエツチングしてか
ら（同図（Ｅ））、このフォトレジスト６を有楯溶荊に
より除去する（同図Ｆ））。
幅よりもやや幅の狭いフォトレジスト６をバターニング
した後（同図（Ｄ＞＞、ＳｉＮｘ膜５において、フォト
レジスト６より幅の広い部分をドライエツチングしてか
ら（同図（Ｅ））、このフォトレジスト６を有楯溶荊に
より除去する（同図Ｆ））。
その後、Ｐ−クラッド層４上にブロック層７ａ。
７ｂを成長させてから（同図（Ｇ））、ＳｉＮｘ膜５を
除去し、ブロック層７ａ１，７ｂ及びＰ−クラッド層４
のリッジ部分の上にコンタクト層８を結晶成長させて（
同図（Ｈ））、このコンタクト層８上と、半導体基板１
の下側にそれぞれ電極９゜１０を取付けることにより、
半導体レーザ装置を製造していた（同図（Ｉ））。
除去し、ブロック層７ａ１，７ｂ及びＰ−クラッド層４
のリッジ部分の上にコンタクト層８を結晶成長させて（
同図（Ｈ））、このコンタクト層８上と、半導体基板１
の下側にそれぞれ電極９゜１０を取付けることにより、
半導体レーザ装置を製造していた（同図（Ｉ））。
（発明が解決しようとする課題）
第１図（Ｊ）に示すようなリッジ構造を有する半導体レ
ーザ装置では、活性層３より安定した単一波長のレーザ
光を発振させるために、横方向の光の閉じ込め（水平横
モード）を制御することが非常に重要である。
ーザ装置では、活性層３より安定した単一波長のレーザ
光を発振させるために、横方向の光の閉じ込め（水平横
モード）を制御することが非常に重要である。
ところが、従来のリッジ構造を有する半導体レーザ装置
の製造方法では、第３図（Ｄ）に示したフォトレジスト
６は、Ｐ−クラッド層４のリッジ構造を形成した後でＳ
ｉＮｘ膜５上にバターニングするため、その位置合わせ
が非常に難しく、ＳｉＮｘ膜５の中央からずれてしまっ
ていた。
の製造方法では、第３図（Ｄ）に示したフォトレジスト
６は、Ｐ−クラッド層４のリッジ構造を形成した後でＳ
ｉＮｘ膜５上にバターニングするため、その位置合わせ
が非常に難しく、ＳｉＮｘ膜５の中央からずれてしまっ
ていた。
このため、同図（Ｇ）において、ブロック層７ａ、７ｂ
を成長させた際に左右対称とならず、その結果、活性層
３内での光の閉じ込め効果が弱まって、レーザ光が発振
しにくくなり、発振した際にも、単一波長になりにくく
、さらにはリッジ構造のエツジ部分に電流が多く集中す
るのでレーザ装置の寿命も短くなるという課題があった
。
を成長させた際に左右対称とならず、その結果、活性層
３内での光の閉じ込め効果が弱まって、レーザ光が発振
しにくくなり、発振した際にも、単一波長になりにくく
、さらにはリッジ構造のエツジ部分に電流が多く集中す
るのでレーザ装置の寿命も短くなるという課題があった
。
そこで本発明は、上記課題を解決するために、ブロック
層の位置を精密に制御して左右対称に成長させるリッジ
構造を有する半導体レーザ装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
層の位置を精密に制御して左右対称に成長させるリッジ
構造を有する半導体レーザ装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するための手段として、少なくとも半導
体基板１、第１のクラッド層２、活性層３、第２のクラ
ッド層４をこの順序で設け、この第２のクラッド層４上
に多層膜から成るマスク５゜１１を設け、このマスク５
，１１により前記第２のクラッド層４をリッジ構造にエ
ツチングした後、前記マスクの下層部分５を途中まで選
択エツチングしてから、前記マスクの上層部分１１を除
去し、前記第２のクラッド層４上にブロック層７ａ、７
ｂを成長させた後に、前記マスクの下層部分５を除去し
、前記ブロック層７ａ、７ｂ及び第２のクラッド層４の
リッジ部分の上にコンタクト層８を結晶成長させて、こ
のコンタクト層８上と前記半導体基板１の下側にそれぞ
れ電４１９．１０を取付け、半導体レーザ装置を製造す
ることを特徴とするリッジ桐遣を有する半導体レーザ装
置の製造方法を提供しようとするものである。
体基板１、第１のクラッド層２、活性層３、第２のクラ
ッド層４をこの順序で設け、この第２のクラッド層４上
に多層膜から成るマスク５゜１１を設け、このマスク５
，１１により前記第２のクラッド層４をリッジ構造にエ
ツチングした後、前記マスクの下層部分５を途中まで選
択エツチングしてから、前記マスクの上層部分１１を除
去し、前記第２のクラッド層４上にブロック層７ａ、７
ｂを成長させた後に、前記マスクの下層部分５を除去し
、前記ブロック層７ａ、７ｂ及び第２のクラッド層４の
リッジ部分の上にコンタクト層８を結晶成長させて、こ
のコンタクト層８上と前記半導体基板１の下側にそれぞ
れ電４１９．１０を取付け、半導体レーザ装置を製造す
ることを特徴とするリッジ桐遣を有する半導体レーザ装
置の製造方法を提供しようとするものである。
（実施例）
本発明のリッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方
法の一実施例を第１図（Ａ）〜（Ｊ）に示す。
法の一実施例を第１図（Ａ）〜（Ｊ）に示す。
まず、第１図（Ａ）に示すように、従来例と同様の方法
により、半導体基板１上にｎ−クラッド層２、活性層３
、Ｐ−クラッド層４を積層し、その上にＳ ｉＮｘ膜５
（または５１０２膜）を成膜する。
により、半導体基板１上にｎ−クラッド層２、活性層３
、Ｐ−クラッド層４を積層し、その上にＳ ｉＮｘ膜５
（または５１０２膜）を成膜する。
次に、同図（Ｂ）に示すように、５ｉＮｘｌｌＳ上に金
属マスク１１をバターニングして、この金属マスク１１
より幅の広い部分のＳｉＮｘ膜５をエツチングする（同
図（Ｃ））。
属マスク１１をバターニングして、この金属マスク１１
より幅の広い部分のＳｉＮｘ膜５をエツチングする（同
図（Ｃ））。
そして、同図（Ｄ）に示すように、ＳｉＮｘ膜５をマス
クとしてｐ−クラッド層４を途中までウェットエツチン
グして、ｐ−クラッド層４のリッジ構造を形成した後、
金属マスク１１をネせた状態でＳｉＮｘ膜５ｉ５のみを
さらに選択エツチングすることにより、ＳｉＮｘ膜５の
両脇だけが左右対称にエツチングされる（同図（Ｅ））
。
クとしてｐ−クラッド層４を途中までウェットエツチン
グして、ｐ−クラッド層４のリッジ構造を形成した後、
金属マスク１１をネせた状態でＳｉＮｘ膜５ｉ５のみを
さらに選択エツチングすることにより、ＳｉＮｘ膜５の
両脇だけが左右対称にエツチングされる（同図（Ｅ））
。
その後、金属マスク１１を除去して（同図（Ｆ））、ｐ
−クラッド層４上にブロック層７ａ７ｂを結晶成長させ
てから（同図（Ｇ））、ＳｉＮｘ膜５を除去しく同図（
Ｈ））、ブロック層７ａ、７ｂ及びｐ−クラッド層４の
リッジ部分の上にコンタクト層８を結晶成長させて（同
図（Ｉ））、このコンタクト層８上と半導体基板１の下
側にそれぞれ電極９．１０を取付けることにより、リッ
ジ構造を有する半導体レーザ装置を製造することができ
る（同図（Ｊ））。
−クラッド層４上にブロック層７ａ７ｂを結晶成長させ
てから（同図（Ｇ））、ＳｉＮｘ膜５を除去しく同図（
Ｈ））、ブロック層７ａ、７ｂ及びｐ−クラッド層４の
リッジ部分の上にコンタクト層８を結晶成長させて（同
図（Ｉ））、このコンタクト層８上と半導体基板１の下
側にそれぞれ電極９．１０を取付けることにより、リッ
ジ構造を有する半導体レーザ装置を製造することができ
る（同図（Ｊ））。
以上のようにして製造したリッジ構造を有する半導体レ
ーザ装置の実施例を第１表に示し、従来例を第２表に示
す。
ーザ装置の実施例を第１表に示し、従来例を第２表に示
す。
なお、半導体レーザ装置の材料は、実施例、従来例とも
にＧａ Ｉ ｎＰ／ＡＪ ＧａＩ ｎＰ系を用いた。ま
た、エツチング法には、エツチングに用いる材料と、ウ
ェットエツチングかドライエツチングかを示した。
にＧａ Ｉ ｎＰ／ＡＪ ＧａＩ ｎＰ系を用いた。ま
た、エツチング法には、エツチングに用いる材料と、ウ
ェットエツチングかドライエツチングかを示した。
（以下余白）
第１表に示した各実施例では、リッジ構造の中心に５ｉ
Ｎｘｌｌ！５（またはＳｉｏ２Ｍ）があるので、ブロッ
ク層７ａ、７ｂが左右対称に成長し、横方向の光の閉じ
込めが良好であった。
Ｎｘｌｌ！５（またはＳｉｏ２Ｍ）があるので、ブロッ
ク層７ａ、７ｂが左右対称に成長し、横方向の光の閉じ
込めが良好であった。
また、第２表に示した各従来例では、ＳｉＮｘ膜５（３
１０２膜）上にフォトレジストをパターニングする際に
、フォトレジストを中心に設けることができず、ブロッ
ク層７ａ、７ｂを左右対称に成長させることができなか
ったので、横方向の光の閉じ込めにバラツキが生じてし
まった。
１０２膜）上にフォトレジストをパターニングする際に
、フォトレジストを中心に設けることができず、ブロッ
ク層７ａ、７ｂを左右対称に成長させることができなか
ったので、横方向の光の閉じ込めにバラツキが生じてし
まった。
（発明の効果）
本発明のリッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方
法は、多層膜からなるマスクを利用して、ブロック層を
左右対称に成長させるようにしたので、横方向の光の閉
じ込めが良好となり、非点隔差を非常に小さくすること
ができる。
法は、多層膜からなるマスクを利用して、ブロック層を
左右対称に成長させるようにしたので、横方向の光の閉
じ込めが良好となり、非点隔差を非常に小さくすること
ができる。
また、レーザ光の単一波長発振が容易にでき、発振しき
い値電流も小さくなる。
い値電流も小さくなる。
さらに、発振電流が小さくなることにより、レーザ装置
の安定性寿命が向上するという効果がある。
の安定性寿命が向上するという効果がある。
第１図（Ａ）〜（Ｊ）は本発明のリッジ構造を有する半
導体レーザ装置の製造方法を示す工程図、第２図（Ａ）
〜（Ｉ）は従来例を示す工程図である。 １・・・半導体基板、２・・・ｎ−クラッド層、３・・
・活性層、４・・・ｐ−クラッド層、５・・・５ｉＮｘ
ｌｉ、６・・・フォトレジスト、７ａ、７ｂ・・・ブロ
ック層、８・・・コンタクト層、９．１０・・・電極、
１１・・・金属マスク。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 垣木邦夫 第 図 図
導体レーザ装置の製造方法を示す工程図、第２図（Ａ）
〜（Ｉ）は従来例を示す工程図である。 １・・・半導体基板、２・・・ｎ−クラッド層、３・・
・活性層、４・・・ｐ−クラッド層、５・・・５ｉＮｘ
ｌｉ、６・・・フォトレジスト、７ａ、７ｂ・・・ブロ
ック層、８・・・コンタクト層、９．１０・・・電極、
１１・・・金属マスク。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 垣木邦夫 第 図 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも半導体基板、第１のクラッド層、活性層、第
２のクラッド層をこの順序で設け、この第２のクラッド
層上に多層膜から成るマスクを設け、このマスクにより
前記第２のクラッド層をリッジ構造にエッチングした後
、 前記マスクの下層部分を途中まで選択エッチングしてか
ら、 前記マスクの上層部分を除去し、 前記第２のクラッド層上にブロック層を成長させた後に
、 前記マスクの下層部分を除去し、 前記ブロック層及び第２のクラッド層のリッジ部分の上
にコンタクト層を結晶成長させて、このコンタクト層上
と前記半導体基板の下側にそれぞれ電極を取付け、半導
体レーザ装置を製造することを特徴とするリッジ構造を
有する半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15588990A JPH0448670A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | リッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15588990A JPH0448670A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | リッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448670A true JPH0448670A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15615721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15588990A Pending JPH0448670A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | リッジ構造を有する半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448670A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363287A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法 |
| US7981704B2 (en) | 2006-10-16 | 2011-07-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP15588990A patent/JPH0448670A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363287A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法 |
| US7981704B2 (en) | 2006-10-16 | 2011-07-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
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