JPH0445589A - 面発光半導体レーザの製造方法 - Google Patents
面発光半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH0445589A JPH0445589A JP15456290A JP15456290A JPH0445589A JP H0445589 A JPH0445589 A JP H0445589A JP 15456290 A JP15456290 A JP 15456290A JP 15456290 A JP15456290 A JP 15456290A JP H0445589 A JPH0445589 A JP H0445589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- quantum well
- group
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18322—Position of the structure
- H01S5/1833—Position of the structure with more than one structure
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光交換ないしは光情報処理装置等で利用され
る半導体レーザに間し、特に半導体基板に垂直方向にレ
ーザ発振光が出射される面発光半導体レーザに関する。
る半導体レーザに間し、特に半導体基板に垂直方向にレ
ーザ発振光が出射される面発光半導体レーザに関する。
光交換あるいは光情報処理等の分野に用いるために、二
次元集積が可能な面発光レーザが必要ときれており、そ
の−例がＪ、Ｌ、Ｊｅｖｅｌ １等によって報告されア
いる（ １００Ｃ’８９ Ｔｅ＃ｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉ
ｆｆｅｓｔ １８Ｂ２−６（ＰＤ））。
次元集積が可能な面発光レーザが必要ときれており、そ
の−例がＪ、Ｌ、Ｊｅｖｅｌ １等によって報告されア
いる（ １００Ｃ’８９ Ｔｅ＃ｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉ
ｆｆｅｓｔ １８Ｂ２−６（ＰＤ））。
この面発光半導体レーザにおいては、ｎ型ＧａＡｓ基板
上にｎ型のＧａＡｓとＡｊｌＡｓを交互に約２０周期程
度積層しなｎ型半導体多層反射膜と、Ｉｎｏ、ｚ Ｇａ
（、、ｇ Ａｓ約１００Ａからなる量子井戸活性層と、
ｐ型のＧａＡｓとＡＪＡｓを交互に約２０周期程度積層
したｐ型半導体多層反射膜とを順次形成し、この後に金
及びニッケルをおのおの約１０００Ａ程度蒸着し、フォ
トリソグラフィ法によりニッケルを円形にパターニング
した後に、このニッケルをマスクとしてドライエツチン
グにより金及び半導体層をｎ型ＧａＡｓ基板に達するま
でエツチング除去することにより電流狭さくを行なう構
造となっている。
上にｎ型のＧａＡｓとＡｊｌＡｓを交互に約２０周期程
度積層しなｎ型半導体多層反射膜と、Ｉｎｏ、ｚ Ｇａ
（、、ｇ Ａｓ約１００Ａからなる量子井戸活性層と、
ｐ型のＧａＡｓとＡＪＡｓを交互に約２０周期程度積層
したｐ型半導体多層反射膜とを順次形成し、この後に金
及びニッケルをおのおの約１０００Ａ程度蒸着し、フォ
トリソグラフィ法によりニッケルを円形にパターニング
した後に、このニッケルをマスクとしてドライエツチン
グにより金及び半導体層をｎ型ＧａＡｓ基板に達するま
でエツチング除去することにより電流狭さくを行なう構
造となっている。
しかしながら、上述した従来の面発光半導体レーザにお
いては、量子井戸活性層が表面にむき出しになり、また
ドライエツチングによるダメージ層が表面近傍に形成さ
れたｔまであるので、表面非発光再結合、及びダメージ
層での非発光再結合の寄与が大きく、閾値電流が増大す
るという問題点があった。
いては、量子井戸活性層が表面にむき出しになり、また
ドライエツチングによるダメージ層が表面近傍に形成さ
れたｔまであるので、表面非発光再結合、及びダメージ
層での非発光再結合の寄与が大きく、閾値電流が増大す
るという問題点があった。
本発明の目的は、表面非発光再結合及びダメージ層にお
ける非発光再結合の寄与が小さく、閾値電流の小さい面
発光半導体レーザの製造方法を提供することにある。
ける非発光再結合の寄与が小さく、閾値電流の小さい面
発光半導体レーザの製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は第１導電型で、■−Ｖ族化合物半導体からなる
基板上に、第１導電型で高屈折率の半導体層と低屈折率
の半導体層を交互に積層させた第１導電型半導体多層反
射膜を形成し、さらにこの半導体多層反射膜の上に、少
くとも１つの量子井戸を含む量子井戸活性層を形成する
工程と、この量子井戸活性層の上に第２導電型を有する
第２導電型半導体多層反射膜を形成する工程と、この工
程の後に発光領域以外の領域を少くとも量子井戸活性層
に達するまでエツチング除去する工程と、この工程の後
にＶ族元素のガス雰囲気中で不純物を導入し、Ｖ族元素
のガス圧力を制御することにより、側面近傍の量子井戸
活性層を部分的に無秩序化するとともに、該半導体多層
反射膜を精成する高屈折率の半導体層と低屈折率の半導
体層における不純物の拡散速度に相違を生じさせる工程
とを有することを特徴とする面発光半導体レーザの製造
方法である。
基板上に、第１導電型で高屈折率の半導体層と低屈折率
の半導体層を交互に積層させた第１導電型半導体多層反
射膜を形成し、さらにこの半導体多層反射膜の上に、少
くとも１つの量子井戸を含む量子井戸活性層を形成する
工程と、この量子井戸活性層の上に第２導電型を有する
第２導電型半導体多層反射膜を形成する工程と、この工
程の後に発光領域以外の領域を少くとも量子井戸活性層
に達するまでエツチング除去する工程と、この工程の後
にＶ族元素のガス雰囲気中で不純物を導入し、Ｖ族元素
のガス圧力を制御することにより、側面近傍の量子井戸
活性層を部分的に無秩序化するとともに、該半導体多層
反射膜を精成する高屈折率の半導体層と低屈折率の半導
体層における不純物の拡散速度に相違を生じさせる工程
とを有することを特徴とする面発光半導体レーザの製造
方法である。
■−ｖ族化合物半導体中に不純物を拡散させる場合には
、高温熱処理中に蒸気圧の高いＶ族原子の脱離が生じ、
結晶性が著しく劣化するので−これをふせぐために半導
体層の上にキャップ層を付けるか、あるいは、Ｖ族元素
のガス（以下Ｖ族ガスと記す）雰囲気中で拡散処理を行
うのが一般的である。特に、Ｖ族ガス雰囲気中で拡散処
理を行う場合には、拡散速度は拡散させる半導体結晶の
組成だけでなくＶ族ガス圧力にも大きく依存する。この
原因は拡散現象に大きく寄与する■族原子の空孔密度が
Ｖ族ガス圧力に依存するなめである。また半導体結晶の
組成が異なると■族原子の空孔の生成エネルギーが異な
るため、拡散速度のＶ族ガス圧力依存性も異なってくる
。従って、例えは、ＧａＡｓ層とＡｆｆｌＧａＡｓ層に
同時に同じ原子を拡散させる場合に、Ｇ ａ Ａ ｓ層
には拡散するが、Ａ 、Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層にはほと
んど拡散しないという■族ガス圧力を選ぶことが出来る
。
、高温熱処理中に蒸気圧の高いＶ族原子の脱離が生じ、
結晶性が著しく劣化するので−これをふせぐために半導
体層の上にキャップ層を付けるか、あるいは、Ｖ族元素
のガス（以下Ｖ族ガスと記す）雰囲気中で拡散処理を行
うのが一般的である。特に、Ｖ族ガス雰囲気中で拡散処
理を行う場合には、拡散速度は拡散させる半導体結晶の
組成だけでなくＶ族ガス圧力にも大きく依存する。この
原因は拡散現象に大きく寄与する■族原子の空孔密度が
Ｖ族ガス圧力に依存するなめである。また半導体結晶の
組成が異なると■族原子の空孔の生成エネルギーが異な
るため、拡散速度のＶ族ガス圧力依存性も異なってくる
。従って、例えは、ＧａＡｓ層とＡｆｆｌＧａＡｓ層に
同時に同じ原子を拡散させる場合に、Ｇ ａ Ａ ｓ層
には拡散するが、Ａ 、Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層にはほと
んど拡散しないという■族ガス圧力を選ぶことが出来る
。
該面発光半導体レーザにおける多層反射膜は、半導体の
組成を変えることにより高屈折率層と低屈折率層を形成
している。従って高屈折率層にのみ不純物が拡散すると
いうＶ族ガス圧力を選ぶことが８来る。その結果、不純
物導入領域は積層方向に分離しているので不純物導入領
域を通して流れる洩れ電流は生じない。一方、側面近傍
の量子井戸活性層は無秩序化され混晶となる。従って洩
れ電流の発生を伴うことなく埋め込み構造を形成するこ
とが８来る。
組成を変えることにより高屈折率層と低屈折率層を形成
している。従って高屈折率層にのみ不純物が拡散すると
いうＶ族ガス圧力を選ぶことが８来る。その結果、不純
物導入領域は積層方向に分離しているので不純物導入領
域を通して流れる洩れ電流は生じない。一方、側面近傍
の量子井戸活性層は無秩序化され混晶となる。従って洩
れ電流の発生を伴うことなく埋め込み構造を形成するこ
とが８来る。
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明
するための面発光半導体レーザの各製造工程における断
面図である。
する。第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明
するための面発光半導体レーザの各製造工程における断
面図である。
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡＪＡｓ層λ
２及びｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層３を各々厚さ正ｎｒ（λ：
活性層の禁止帯幅でほぼ来まるレーザ発振波長、ｎｒ
：半導体各層の屈折率）だけ形成する。この後に上記工
程を繰り返し約２０周期程度積層することによりｎ型半
導体多層反射膜４を形成する。
活性層の禁止帯幅でほぼ来まるレーザ発振波長、ｎｒ
：半導体各層の屈折率）だけ形成する。この後に上記工
程を繰り返し約２０周期程度積層することによりｎ型半
導体多層反射膜４を形成する。
次にこのｎ型半導体多層反射膜４の上にｎ型クラッド層
５としてｎ型Ａｆｆｌｘ Ｇａｐ−）、Ａｓ （Ｘ＝０
．３〜０．７）層を約５００Ａ〜１μｍ形成する。この
ｎ型クラッド層の上に例えば厚さ約１００ＡのＩ ｎｙ
Ｇａｘ−ｙ Ａｓ （ｙ井０． ｏ５〜ｏ。
５としてｎ型Ａｆｆｌｘ Ｇａｐ−）、Ａｓ （Ｘ＝０
．３〜０．７）層を約５００Ａ〜１μｍ形成する。この
ｎ型クラッド層の上に例えば厚さ約１００ＡのＩ ｎｙ
Ｇａｘ−ｙ Ａｓ （ｙ井０． ｏ５〜ｏ。
５）量子井戸層と厚さ約３０〜２００八〇〇ａＡＳ閉じ
込め層からなる量子井戸活性層６を形成する。この量子
井戸活性層６の上にｐ型クラッド層７としてｐ型Ａ Ｉ
Ｉ ｚ Ｇ ａ １− ｚ Ａ Ｓ （Ｚ ＃０ 、３
〜０．７）層を約５００Ａ〜１μｍ形成する。このｐ型
クラッド層７の上にｐ型ＡρＡｓ層８とｐ型λ ＧａＡｓ層３を各々厚さＴ〒７（λ：活性層の禁止帯幅
でほぼ決まるレーザ発振波長、 ｎｒ ：半導体各層の
屈折率）だけ形成し、上記工程を繰り返し約１０〜２０
周期程度積層することによりｐ型半導体多層反射膜１０
を形成する。このｐ型半導体多層反射膜１０の上にキャ
ップ層１１としてｐ型ＧａＡｓを約１０〜１００ＯＡ形
成する。これまでの工程は、例えば、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法等の結晶成長方法を用いて行う０次に成
長した基板上にＳｉＣ２，ＳｉＮ等の絶縁膜を約３００
０Ａ〜１μｍ形成し、フォトリソグラフィ法により直径
１〜１００μｍの円形状に加工することによりマスク１
２を形成する。その後、このマスク１２を用いてＣＪ２
２プラズマによる反応性イオンビームエツチング（ＲＩ
ＢＥ）法等のドライエツチング技術により、少くとも量
子井戸活性Ｎ６が露出するまでエツチングを行うく第１
図（ａ））。
込め層からなる量子井戸活性層６を形成する。この量子
井戸活性層６の上にｐ型クラッド層７としてｐ型Ａ Ｉ
Ｉ ｚ Ｇ ａ １− ｚ Ａ Ｓ （Ｚ ＃０ 、３
〜０．７）層を約５００Ａ〜１μｍ形成する。このｐ型
クラッド層７の上にｐ型ＡρＡｓ層８とｐ型λ ＧａＡｓ層３を各々厚さＴ〒７（λ：活性層の禁止帯幅
でほぼ決まるレーザ発振波長、 ｎｒ ：半導体各層の
屈折率）だけ形成し、上記工程を繰り返し約１０〜２０
周期程度積層することによりｐ型半導体多層反射膜１０
を形成する。このｐ型半導体多層反射膜１０の上にキャ
ップ層１１としてｐ型ＧａＡｓを約１０〜１００ＯＡ形
成する。これまでの工程は、例えば、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法等の結晶成長方法を用いて行う０次に成
長した基板上にＳｉＣ２，ＳｉＮ等の絶縁膜を約３００
０Ａ〜１μｍ形成し、フォトリソグラフィ法により直径
１〜１００μｍの円形状に加工することによりマスク１
２を形成する。その後、このマスク１２を用いてＣＪ２
２プラズマによる反応性イオンビームエツチング（ＲＩ
ＢＥ）法等のドライエツチング技術により、少くとも量
子井戸活性Ｎ６が露出するまでエツチングを行うく第１
図（ａ））。
この後に不純物として例えばＳｉ膜１３を厚さ約１００
〜５００Ａ全面に蒸着する。この工程の後に試料を砒素
粉末とともに石英管中に真空封入し、７０ｏ ’ｃ〜９
００ ’Ｃで１時間程度熱処理し、Ｓｉを拡散させるこ
とにより不純物導入領域１４を約０．１μｍ〜０．５程
度形成する。このとき、封入する砒素粉末量を調整する
ことにより、熱処理温度における管内の砒素圧力を決め
ることが出来る。熱処理時の砒素圧力を約０．１気圧〜
ギーの相違からＡＪＡｓ層にはＳｉが拡散しないように
することが出来る。従って不純物導入領域１４は積層方
向に分離して形成されるので、該不純物導入領域１４を
通って流れる電流成分は存在せず、無効電流は生じない
、また、量子井戸活性層６にはＳｉが拡散するので、側
面近傍の量子井戸活性層６は無秩序化され、埋め込み構
造が形成される（第１図（ｂ））。
〜５００Ａ全面に蒸着する。この工程の後に試料を砒素
粉末とともに石英管中に真空封入し、７０ｏ ’ｃ〜９
００ ’Ｃで１時間程度熱処理し、Ｓｉを拡散させるこ
とにより不純物導入領域１４を約０．１μｍ〜０．５程
度形成する。このとき、封入する砒素粉末量を調整する
ことにより、熱処理温度における管内の砒素圧力を決め
ることが出来る。熱処理時の砒素圧力を約０．１気圧〜
ギーの相違からＡＪＡｓ層にはＳｉが拡散しないように
することが出来る。従って不純物導入領域１４は積層方
向に分離して形成されるので、該不純物導入領域１４を
通って流れる電流成分は存在せず、無効電流は生じない
、また、量子井戸活性層６にはＳｉが拡散するので、側
面近傍の量子井戸活性層６は無秩序化され、埋め込み構
造が形成される（第１図（ｂ））。
次にマスク１２及びＳｉ膜１３を例えばＣＦ４プラズマ
による反応性イオンエツチング（ＲＴＥ）法により除去
した後にＳｉ○２膜１５全１５に形成し、フォトリソグ
ラフィ法により円柱の上部のみＳｉ○２膜１５全１５す
る。その後にｐ側電極１６としてＣｒ ／ Ａ ｕを全
面に形成する。最後にｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面の発光
領域以外の部分にｎ＠電極１７としてＡ ｕ Ｇ ｅ
Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｎｉを形成し、第１図（ｃ）に示
す面発光半導体レーザが完成する。
による反応性イオンエツチング（ＲＴＥ）法により除去
した後にＳｉ○２膜１５全１５に形成し、フォトリソグ
ラフィ法により円柱の上部のみＳｉ○２膜１５全１５す
る。その後にｐ側電極１６としてＣｒ ／ Ａ ｕを全
面に形成する。最後にｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面の発光
領域以外の部分にｎ＠電極１７としてＡ ｕ Ｇ ｅ
Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｎｉを形成し、第１図（ｃ）に示
す面発光半導体レーザが完成する。
上記実施例において不純物種はＳｉとしたがこれにかぎ
らず例えばＺｎなどの他の不純物でも本発明は適用でき
る。
らず例えばＺｎなどの他の不純物でも本発明は適用でき
る。
上記実施例において量子井戸活性層は単一量子井戸とし
たがこれにかぎらず多重量子井戸であっても本発明は適
用できる。
たがこれにかぎらず多重量子井戸であっても本発明は適
用できる。
上記実施例において材料系はＧ ａ Ａ ｓ ／ Ａ
Ｉ ＧａＡｓ系としたがこれにかぎらず他の材料系、例
えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系においても本発明は適用で
きる。
Ｉ ＧａＡｓ系としたがこれにかぎらず他の材料系、例
えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系においても本発明は適用で
きる。
上記実施例においては拡散は封入による閉管法によると
したがこれに限らず、他の拡散方法、例えばアルシン（
ＡＳＨ３＞、ホスフィン（ＰＨ３＞などの■族元素を含
んだガスを用いた開管法によっても本発明は適用出来る
。
したがこれに限らず、他の拡散方法、例えばアルシン（
ＡＳＨ３＞、ホスフィン（ＰＨ３＞などの■族元素を含
んだガスを用いた開管法によっても本発明は適用出来る
。
以上説明したように、本発明によれば、無効電流の増加
を伴うことなしに埋め込み構造が形成されるため発振閾
値電流の小さい面発光半導体レーザが得られる。
を伴うことなしに埋め込み構造が形成されるため発振閾
値電流の小さい面発光半導体レーザが得られる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための面発光半導
体レーザの各製造工程における断面図である０図中、１
はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｆＡｓ層、３はｎ型Ｇ
ａＡｓ層、４はｎ型半導体多層反射膜、５はｎ型クラッ
ド層、６は量子井戸活性層、７はｐ型クラッド層、８は
ｐ型ＡＪＡｓ層、９はｐ型ＧａＡｓ層、１０はｐ型半導
体多層反射膜、１１はキャップ層、１２はマスク、１３
はＳｉ膜、１４は不純物導入領域、１５はＳ ｉ ０２
膜、１６はｐ側電極、１７はｎ側電極である。
体レーザの各製造工程における断面図である０図中、１
はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｆＡｓ層、３はｎ型Ｇ
ａＡｓ層、４はｎ型半導体多層反射膜、５はｎ型クラッ
ド層、６は量子井戸活性層、７はｐ型クラッド層、８は
ｐ型ＡＪＡｓ層、９はｐ型ＧａＡｓ層、１０はｐ型半導
体多層反射膜、１１はキャップ層、１２はマスク、１３
はＳｉ膜、１４は不純物導入領域、１５はＳ ｉ ０２
膜、１６はｐ側電極、１７はｎ側電極である。
Claims (1)
- 第１導電型で、III−Ｖ族化合物半導体からなる基板上
に、第１導電型で高屈折率の半導体層と低屈折率の半導
体層を交互に積層させた第１導電型半導体多層反射膜を
形成し、さらにこの半導体多層反射膜の上に、少くとも
１つの量子井戸を含む量子井戸活性層を形成する工程と
、この量子井戸活性層の上に第２導電型を有する第２導
電型半導体多層反射膜を形成する工程と、この工程の後
に発光領域以外の領域を少くとも量子井戸活性層に達す
るまでエッチング除去する工程と、この工程の後にＶ族
元素のガス雰囲気中で不純物を導入し、Ｖ族元素のガス
圧力を制御することにより、側面近傍の量子井戸活性層
を部分的に無秩序化するとともに、該半導体多層反射膜
を構成する高屈折率の半導体層と低屈折率の半導体層に
おける不純物の拡散速度に相違を生じさせる工程とを有
することを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154562A JP2595774B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154562A JP2595774B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445589A true JPH0445589A (ja) | 1992-02-14 |
| JP2595774B2 JP2595774B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=15586960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154562A Expired - Fee Related JP2595774B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595774B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027937A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2000294874A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子 |
| JP2012253271A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Denso Corp | 面発光レーザ素子 |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154562A patent/JP2595774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027937A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2000294874A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子 |
| JP2012253271A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Denso Corp | 面発光レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2595774B2 (ja) | 1997-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Panish | Heterostructure injection lasers | |
| US5499260A (en) | Semiconductor laser and a method for fabricating the same | |
| US4932033A (en) | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same | |
| US6984538B2 (en) | Method for quantum well intermixing using pre-annealing enhanced defects diffusion | |
| JP2002100836A (ja) | 埋め込み山型ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体レーザダイオード | |
| JP2752423B2 (ja) | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 | |
| JPS6180882A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0196980A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| EP0293000B1 (en) | Light emitting device | |
| JPS62205681A (ja) | 埋め込み型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0445589A (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 | |
| KR100227993B1 (ko) | 반도체 레이저장치 및 그 제조방법 | |
| JPH08181384A (ja) | 面発光レーザ及びその作製方法 | |
| JP2002076513A (ja) | 温度無依存分布ブラッグ反射型ミラー及び面型光学素子 | |
| JPH0462195B2 (ja) | ||
| JP3293221B2 (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH10321950A (ja) | チューナブルレーザ製造方法 | |
| JP3358197B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH04229679A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS63200591A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| KR100261248B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH09298338A (ja) | 量子井戸結晶体および半導体レーザ | |
| JPH0334485A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS60189984A (ja) | 半導体レ−ザとその製造方法 | |
| JPH05102611A (ja) | 光電子半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |