JPH0445448A - リソグラフィー用ペリクル - Google Patents
リソグラフィー用ペリクルInfo
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- JPH0445448A JPH0445448A JP2152757A JP15275790A JPH0445448A JP H0445448 A JPH0445448 A JP H0445448A JP 2152757 A JP2152757 A JP 2152757A JP 15275790 A JP15275790 A JP 15275790A JP H0445448 A JPH0445448 A JP H0445448A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリソグラフィー用ペリクル、とくにはＬＳ１．
超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表示板を製造す
る際のゴミよけとして使用される実質的に５００ｎｍ以
下の光を用いる露光方式におけるリソグラフィー用ペリ
クルに関するものである。
超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表示板を製造す
る際のゴミよけとして使用される実質的に５００ｎｍ以
下の光を用いる露光方式におけるリソグラフィー用ペリ
クルに関するものである。
（従来の技術）
ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表示板
などの製造においては、半導体ウェハーあるいは液晶用
原版に光を照射してパターニングを作成するのであるが
、この場合に用いる露光原版にゴミが付着していると、
このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうため、転
写したパターニングが変形したり、エツジががさついた
ものとなるほか、白地が黒く汚れたりして、寸法、品質
、外観などが損なわれるという問題があった。
などの製造においては、半導体ウェハーあるいは液晶用
原版に光を照射してパターニングを作成するのであるが
、この場合に用いる露光原版にゴミが付着していると、
このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうため、転
写したパターニングが変形したり、エツジががさついた
ものとなるほか、白地が黒く汚れたりして、寸法、品質
、外観などが損なわれるという問題があった。
このため、これらの作業は通常クリーンルームで行われ
ているが、このクリーンルーム内でも露光原版を常に清
浄に保つことが廻しいので、これには露光原版の表面に
ゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリクル
を貼着する方式が取られており、このペリクルとしては
ニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が使用さ
れている。
ているが、このクリーンルーム内でも露光原版を常に清
浄に保つことが廻しいので、これには露光原版の表面に
ゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリクル
を貼着する方式が取られており、このペリクルとしては
ニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が使用さ
れている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、これらのニトロセルロース、酢酸セルロースな
どで作られたペリクルでは、２１０〜４００ｎ＋＊のよ
うな短波長域で大きな吸収端ができるほか。
どで作られたペリクルでは、２１０〜４００ｎ＋＊のよ
うな短波長域で大きな吸収端ができるほか。
安定性に乏しく使用中に黄変するため、デバイスの製造
の際にエキシマレーザ−やｉ線の紫外線のように波長域
が２１０〜４００ｎｍの露光を行う超ＬＳＩ用や高密度
の微細結晶表示板などのリソグラフィー用には使用でき
ないという制約があり、このような荒波長域にも利用で
きるリソグラフィー用ペリクルの出現が求められていた
。
の際にエキシマレーザ−やｉ線の紫外線のように波長域
が２１０〜４００ｎｍの露光を行う超ＬＳＩ用や高密度
の微細結晶表示板などのリソグラフィー用には使用でき
ないという制約があり、このような荒波長域にも利用で
きるリソグラフィー用ペリクルの出現が求められていた
。
したがって、本発明の目的は２１０〜４００ｎｍのよう
な短波長域での透過性に優れ、かつ使用中に黄変するこ
とのない安定性に優れたリソグラフィー用ペリクルを提
供するにある。
な短波長域での透過性に優れ、かつ使用中に黄変するこ
とのない安定性に優れたリソグラフィー用ペリクルを提
供するにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、上記目的の達成のため、短波長域での使
用に適したリソグラフィー用ペリクルを開発すべく種々
検討の結果、従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロ
ースなどに代えて、ヒドロキシアルキル基の置換度が１
．１〜３．０であるヒドロキシアルキルセルロースのシ
アノエチル化物を使用したところ、このペリクルは５０
０ｎｍ以下の短波長域でのリソグラフィー用に適してい
ることを見出し、さらに、このペリクルの形状、構造、
その製造方法等についての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
用に適したリソグラフィー用ペリクルを開発すべく種々
検討の結果、従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロ
ースなどに代えて、ヒドロキシアルキル基の置換度が１
．１〜３．０であるヒドロキシアルキルセルロースのシ
アノエチル化物を使用したところ、このペリクルは５０
０ｎｍ以下の短波長域でのリソグラフィー用に適してい
ることを見出し、さらに、このペリクルの形状、構造、
その製造方法等についての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
したがって、このリソグラフィー用ペリクルはヒドロキ
シアルキル基の置換度が１．１〜３．０であるヒドロキ
シアルキルセルロースのシアノエチル化物からなること
を特徴とするものである。
シアルキル基の置換度が１．１〜３．０であるヒドロキ
シアルキルセルロースのシアノエチル化物からなること
を特徴とするものである。
これをさらに説明すると、本発明の出発原料であるヒド
ロキシアルキルセルロースは、ヒドロキシアルキル基の
置換度が１．１〜３．０のものであることが必要とされ
る。これは置換度が１．０以下では得られるシアノエチ
ル化物の膜が極めて脆く、取扱い中に破損し易いため、
リソグラフィー用ペリクルとして利用することが難しい
。また置換度が３．１以上のものでは得られるシアノエ
チル化物が柔らかくなりすぎて経時的に膜が伸びてしま
うため、これもリソグラフィー用ペリクルとして不適当
である。
ロキシアルキルセルロースは、ヒドロキシアルキル基の
置換度が１．１〜３．０のものであることが必要とされ
る。これは置換度が１．０以下では得られるシアノエチ
ル化物の膜が極めて脆く、取扱い中に破損し易いため、
リソグラフィー用ペリクルとして利用することが難しい
。また置換度が３．１以上のものでは得られるシアノエ
チル化物が柔らかくなりすぎて経時的に膜が伸びてしま
うため、これもリソグラフィー用ペリクルとして不適当
である。
また、このヒドロキシアルキル基には、ヒドロキシエチ
ル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基等の
単独または混合が挙げられ、これらを有するヒドロキシ
アルキルセルロースには、例えばヒドロキシエチルセル
ロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエ
チルヒドロキシプロピルセルロース等が挙げられる。
ル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基等の
単独または混合が挙げられ、これらを有するヒドロキシ
アルキルセルロースには、例えばヒドロキシエチルセル
ロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエ
チルヒドロキシプロピルセルロース等が挙げられる。
このヒドロキシアルキルセルロースのシアノエチル化物
は、セルロースをヒドロキシアルキル基の置換度が１．
１〜３．０となるように、エチレンオキサイド、プロピ
レンオキサイド等のアルキレンオキサイドと反応させた
後、水酸基の一部または全部をアクリロニトリルと反応
させることによって得られる。
は、セルロースをヒドロキシアルキル基の置換度が１．
１〜３．０となるように、エチレンオキサイド、プロピ
レンオキサイド等のアルキレンオキサイドと反応させた
後、水酸基の一部または全部をアクリロニトリルと反応
させることによって得られる。
このようにして得られた上記ヒドロキシアルキルセルロ
ースのシアノエチル化物は、次にシクロヘキサノン、Ｎ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトンなどの溶剤に適
宜溶解した後、スピンコーターやナイフコーターなどを
用いる溶液キャスター法によるか、Ｔダイ法、インフレ
ーション法などの溶融押出法によって、膜状物に成形加
工される。
ースのシアノエチル化物は、次にシクロヘキサノン、Ｎ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトンなどの溶剤に適
宜溶解した後、スピンコーターやナイフコーターなどを
用いる溶液キャスター法によるか、Ｔダイ法、インフレ
ーション法などの溶融押出法によって、膜状物に成形加
工される。
この際、ペリクルとして使用するときの機械的強度をも
たせるために、膜厚は０．５．ｃｍ以上にすることが好
ましい。しかし、この膜に表面反射防止処理を行なった
場合でも、２１０ｎｍ以上の波長域の紫外線の透過性を
保持するため、膜厚は３００ ｔＵ、”Ｘ内に止めてお
くのが望ましい。
たせるために、膜厚は０．５．ｃｍ以上にすることが好
ましい。しかし、この膜に表面反射防止処理を行なった
場合でも、２１０ｎｍ以上の波長域の紫外線の透過性を
保持するため、膜厚は３００ ｔＵ、”Ｘ内に止めてお
くのが望ましい。
このようにして得られた本発明による膜状物は、２１０
〜４００ｎ＋＋＋の短波長域での光透過率が良好である
ことから、短波長域でのリソグラフィー用ペリクルとし
てとくに有用である。なお、この使用に際してはアルミ
ニウム等の枠体に接着固定して使用するのが好ましい。
〜４００ｎ＋＋＋の短波長域での光透過率が良好である
ことから、短波長域でのリソグラフィー用ペリクルとし
てとくに有用である。なお、この使用に際してはアルミ
ニウム等の枠体に接着固定して使用するのが好ましい。
（実施例）
以下、本発明の具体的態様を実施例および比較例により
説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ない。
実施例 １゜
ヒドロキシエチル基の置換度が１．５で２０℃における
２０％ＤＭＦ溶液の粘度が７０，０ＯＯｃＰである。ヒ
ドロキシエチルセルロースのシアノエチル化物を、５％
のアセトン溶液とした後、クリアランス５０即のナイフ
コーターを用いて、この溶液を平滑なガラス板上にキャ
ストし、室温で２４時間、次に６０℃で２時間、最後に
１００℃で１時間それぞれ乾燥して、上記シアノエチル
化物の薄膜とした。
２０％ＤＭＦ溶液の粘度が７０，０ＯＯｃＰである。ヒ
ドロキシエチルセルロースのシアノエチル化物を、５％
のアセトン溶液とした後、クリアランス５０即のナイフ
コーターを用いて、この溶液を平滑なガラス板上にキャ
ストし、室温で２４時間、次に６０℃で２時間、最後に
１００℃で１時間それぞれ乾燥して、上記シアノエチル
化物の薄膜とした。
つぎに、内径１３０閣のアルミニウムフレームの端面に
エポキシ系接着剤：アラルダイトラビッド（昭和高分子
■製、商品名）を塗布したものに、上記薄膜を接着して
１時間硬化させた後、ガラス板ごと水中に浸漬し、５分
後、ガラス板から自然に剥離したものを取出し、風乾後
、アルミニウムフレームの外側にはみ出している部分の
フィルムを切り取ったところ、均一な張りのある厚さ１
．３ｐのリソグラフィー用ペリクルとしての薄膜が得ら
れた。
エポキシ系接着剤：アラルダイトラビッド（昭和高分子
■製、商品名）を塗布したものに、上記薄膜を接着して
１時間硬化させた後、ガラス板ごと水中に浸漬し、５分
後、ガラス板から自然に剥離したものを取出し、風乾後
、アルミニウムフレームの外側にはみ出している部分の
フィルムを切り取ったところ、均一な張りのある厚さ１
．３ｐのリソグラフィー用ペリクルとしての薄膜が得ら
れた。
この薄膜の光線透過率を測定したところ、２４０〜５０
０ｎ■の波長域で９０％以上であり、膜の表裏両面に反
射防止処理を施したものについては、４３６ｎ■のｇ線
で９８．１％、３６５ｎｍのｉ線で９８．２％、２４９
ｎ冒のエキシマレーザ−で９８．０％、さらに２１０ｎ
閣では８５％であった。
０ｎ■の波長域で９０％以上であり、膜の表裏両面に反
射防止処理を施したものについては、４３６ｎ■のｇ線
で９８．１％、３６５ｎｍのｉ線で９８．２％、２４９
ｎ冒のエキシマレーザ−で９８．０％、さらに２１０ｎ
閣では８５％であった。
また、この薄膜は使用中に黄変することがなく、引張強
度が６００ｋｇ／ａｔ、伸び率が２３％で、軟化温度が
６５℃という物性を持ち、機械的強度、とくに曲げに対
して強靭で、常温での寸法安定性にも優れているため、
ペリクルとして優れていることが確認された。
度が６００ｋｇ／ａｔ、伸び率が２３％で、軟化温度が
６５℃という物性を持ち、機械的強度、とくに曲げに対
して強靭で、常温での寸法安定性にも優れているため、
ペリクルとして優れていることが確認された。
実施例 ２゜
ヒドロキシプロピル基の置換度が１．２で、２０℃にお
ける２０％ＤＭＦ溶液の粘度が５，０ＯＯｃＰである、
ヒドロキシプロピルセルロースのシアノエチル化物を用
いたほかは、実施例１と同様に処理して厚さ１．ＩＩＪ
ａのリソグラフィー用ペリクルを得た。
ける２０％ＤＭＦ溶液の粘度が５，０ＯＯｃＰである、
ヒドロキシプロピルセルロースのシアノエチル化物を用
いたほかは、実施例１と同様に処理して厚さ１．ＩＩＪ
ａのリソグラフィー用ペリクルを得た。
この薄膜の光線透過率を測定したところ、２４０〜５０
０ｎｍの波長域で９０％以上、膜の表裏両面に反射防止
処理を施したものについては、４３６ｎｍのｇ線で９６
．５％、３６５ｎ園のｉ線で９６．０％、２４９ｎ履の
エキシマレーザ−で９２．５％、さらに２１０ｎ−では
７５％であった。
０ｎｍの波長域で９０％以上、膜の表裏両面に反射防止
処理を施したものについては、４３６ｎｍのｇ線で９６
．５％、３６５ｎ園のｉ線で９６．０％、２４９ｎ履の
エキシマレーザ−で９２．５％、さらに２１０ｎ−では
７５％であった。
また、この薄膜は使用中に黄変することがなく、引張強
度が５５０ｋｇ／ｃｄ、伸び率が３２％、軟化温度が５
５℃という物性を持ち、機械的強度、とくに曲げに対し
て強靭で、常温での寸法安定性にも優れているため、ペ
リクルとして優れていることが確認された。
度が５５０ｋｇ／ｃｄ、伸び率が３２％、軟化温度が５
５℃という物性を持ち、機械的強度、とくに曲げに対し
て強靭で、常温での寸法安定性にも優れているため、ペ
リクルとして優れていることが確認された。
比較例 １゜
ニトロセルロースＨＩ Ｇ−２０ＣＭ化成工業■製、商
品名）の酢酸エチル溶液を用いたほかは実施例１と同様
に処理して、厚さ１．４μの薄膜を得た。
品名）の酢酸エチル溶液を用いたほかは実施例１と同様
に処理して、厚さ１．４μの薄膜を得た。
これは４３６ｎ鳳のｇ線で９７．９％、 ３６５ｎｍの
ｉ線で９７゜５％の透過率を示したが、 ２４９ｎｍの
エキシマレーザ−での透過率は４１．０％と悪く、これ
はまたｉ線を使用中に黄変するため、ペリクルとして使
用することのできないものであった。
ｉ線で９７゜５％の透過率を示したが、 ２４９ｎｍの
エキシマレーザ−での透過率は４１．０％と悪く、これ
はまたｉ線を使用中に黄変するため、ペリクルとして使
用することのできないものであった。
比較例 ２゜
ヒドロキシエチル基の置換度が４．５で、２０”Ｃにお
ける２０％ＤＭＦ溶液の粘度が８ 、０ＯＯｃＰである
、ヒドロキシエチルセルロースのシアノエチル化物を用
いたほかは、実施例１と同様に処理して厚さ１．２虜の
薄膜を得た。
ける２０％ＤＭＦ溶液の粘度が８ 、０ＯＯｃＰである
、ヒドロキシエチルセルロースのシアノエチル化物を用
いたほかは、実施例１と同様に処理して厚さ１．２虜の
薄膜を得た。
この薄膜の光線透過率を測定したところ、２４０〜５０
０ｎｍの波長域で９０％以上の透過率を示したが、軟化
温度が３４℃と低く、経時的に膜が伸び１しまうため、
ペリクルとして使用することの−できないものであった
。
０ｎｍの波長域で９０％以上の透過率を示したが、軟化
温度が３４℃と低く、経時的に膜が伸び１しまうため、
ペリクルとして使用することの−できないものであった
。
比較例 ３゜
ヒドロキシエチル基の置換度が０．５で、２０℃におけ
る２０％ＤＭＦ溶液の粘度が８０，０００ｃＰである、
ヒドロキシエチルセルロースのシアノエチル化物を用い
たほかは、実施例１と同様に処理して厚さ１．４／＃の
薄膜を得た。
る２０％ＤＭＦ溶液の粘度が８０，０００ｃＰである、
ヒドロキシエチルセルロースのシアノエチル化物を用い
たほかは、実施例１と同様に処理して厚さ１．４／＃の
薄膜を得た。
この薄膜の光線透過率を測定したところ、２４０〜５０
０ｎｍの波長域で９０％以上の透過率を示したが、引張
強度が５００ｋｇ／ｃｄで比較的高かったものの、伸び
率が４％と低く、このために曲げに対して非常に弱く、
ペリクルとして使用することのできないものであった。
０ｎｍの波長域で９０％以上の透過率を示したが、引張
強度が５００ｋｇ／ｃｄで比較的高かったものの、伸び
率が４％と低く、このために曲げに対して非常に弱く、
ペリクルとして使用することのできないものであった。
（発明の効果）
本発明によるリソグラフィー用ペリクルは２１０〜５０
０ｎｍの短波長域の紫外線の光透過率が高く 使用中に
黄変することもないので、ＬＳ １．超ＬＳエなどの大
規模集積回路あるいは超微細な液晶表示板の露光用ペリ
クルとして有用であり、さらには光透過率が優れている
ことから、露光時間の短縮、厚膜化によるペリクル膜強
度の向上が期待できる。
０ｎｍの短波長域の紫外線の光透過率が高く 使用中に
黄変することもないので、ＬＳ １．超ＬＳエなどの大
規模集積回路あるいは超微細な液晶表示板の露光用ペリ
クルとして有用であり、さらには光透過率が優れている
ことから、露光時間の短縮、厚膜化によるペリクル膜強
度の向上が期待できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ヒドロキシアルキル基の置換度が１．１〜３．０で
あるヒドロキシアルキルセルロースのシアノエチル化物
からなるリソグラフィー用ペリクル。 ２、ヒドロキシアルキル基がヒドロキシエチル基または
ヒドロキシプロピル基である請求項１記載のリソグラフ
ィー用ペリクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152757A JPH0445448A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | リソグラフィー用ペリクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152757A JPH0445448A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | リソグラフィー用ペリクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445448A true JPH0445448A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15547494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2152757A Pending JPH0445448A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | リソグラフィー用ペリクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445448A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858811A2 (de) * | 1997-02-14 | 1998-08-19 | Hüls Aktiengesellschaft | Gegenstand mit Mikroorganismen abweisender Beschichtung, dessen Herstellung und Verwendung |
| JP2008276195A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-11-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルの製造方法及びペリクル |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2152757A patent/JPH0445448A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858811A2 (de) * | 1997-02-14 | 1998-08-19 | Hüls Aktiengesellschaft | Gegenstand mit Mikroorganismen abweisender Beschichtung, dessen Herstellung und Verwendung |
| EP0858811A3 (de) * | 1997-02-14 | 1999-05-26 | Hüls Aktiengesellschaft | Gegenstand mit Mikroorganismen abweisender Beschichtung, dessen Herstellung und Verwendung |
| JP2008276195A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-11-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルの製造方法及びペリクル |
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