JPH0445171Y2 - - Google Patents

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JPH0445171Y2
JPH0445171Y2 JP18845085U JP18845085U JPH0445171Y2 JP H0445171 Y2 JPH0445171 Y2 JP H0445171Y2 JP 18845085 U JP18845085 U JP 18845085U JP 18845085 U JP18845085 U JP 18845085U JP H0445171 Y2 JPH0445171 Y2 JP H0445171Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 「考案の目的」 (産業上の利用分野) この考案は可撓性の磁気デイスクの記録トラツ
クに対応した数のヘツド素子を選択的に切り換え
て記録、再生できるようにした磁気デイスク記録
再生装置に係り、特に、記録、再生時において固
定多素子磁気ヘツドに磁気デイスクを、トラツク
ずれ等を生ずることなく確実に当接できるように
した磁気デイスク記録再生装置に関するものであ
る。
(従来技術) 従来の可撓性の磁気デイスク記録再生装置は、
例えば、第5図及び第6図に示すような構成のも
のがあつた。
この従来の装置は、可撓性磁気デイスク1の記
録トラツク数に対応した数のヘツド素子を選択的
に切り換えて記録、再生を行なう固定多素子磁気
ヘツド2と、その固定多素子磁気ヘツド2に磁気
デイスク1を当接させるためのパツド機構3等に
よつて構成されている。
上記したパツド機構3には、第6図に示すよう
に、可撓性磁気デイスク1を固定多素子磁気ヘツ
ド2に当接させるための複数個の分割パツド3a
〜3dが設けられていた。この分割パツド3a〜
3dは、ソレノイド等を有する作動機構によつて
それぞれ独立して作動できるように構成され、固
定多素子磁気ヘツド2のヘツド素子のうち、記録
または再生を行なうヘツド素子に対応した、例え
ば、パツド3aを作動し、可撓性磁気デイスク1
を当接させ、接触状態を良好にするように構成さ
れていた。また、固定多素子磁気ヘツド2の磁気
デイスク1との接触面は、磁気デイスク1の回転
方向に円弧状とし、その接触状態の改善を図つて
いた。
(考案が解決しようとする問題点) しかし、上記した従来のものにおいては、磁気
デイスク1の上面側に、分割パツド3a〜3dを
設置し、それぞれ独立して作動させるために、そ
の分割パツド個数分だけソレノイド4等を有する
作動機構を必要とするため、構造が複雑となり高
価な装置となる等の欠点があつた。また、固定多
素子磁気ヘツド2は、磁気デイスク1の回転方向
にのみ円弧形状としているため、上記したように
分割パツド3a〜3dを選択的に当接させた時、
当接させていないパツド部分が、磁気デイスク1
の面ブレのために、磁気デイスク1との衝突を繰
り返し、磁気デイスク1の磁性体層を破損あるい
は傷つける等の虞れがあり、また、接触面積が必
要以上に大きくなるため、スピンドルモータへの
負荷が大きくなる欠点があつた。
この考案は、上記した点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、固定多素子磁
気ヘツドのヘツド素子のうち、記録、再生を行な
うヘツド素子の位置に磁気デイスクを良好な接触
状態で当接できるようにすると共に、磁気デイス
クの磁性体層を傷つける等の虞れがない磁気デイ
スク記録再生装置を提供することにある。
「考案の構成」 (問題を解決するための手段) この考案に係る磁気デイスク記録再生装置は、
可撓性の磁気デイスクの半径方向に配置されこの
磁気デイスクの記録トラツク数に対応した数のヘ
ツド素子を有し、これらのヘツド素子を選択的に
切り換えて記録、再生を行なう固定多素子磁気ヘ
ツドと、この固定多素子磁気ヘツドに磁気デイス
クを当接させるためのパツド機構とを設け、前記
固定多素子磁気ヘツドの磁気デイスクとの接触面
を磁気デイスクの半径方向に円弧状に形成すると
共に、前記固定多素子磁気ヘツドの下面両側とそ
の取付基台との間に電わい素子を介在させ、前記
円弧状に形成した接触面を前記電わい素子により
円弧状の頂点を基点として磁気デイスクの中心方
向または外周方向に回動変位させるように構成す
ることにより、問題の解決を図つている。
(作用) 固定多素子磁気ヘツドの下面両側とその取付基
台との間に介在させた電わい素子に電界を加える
と、電わい素子は電わい効果を示し、電界方向に
伸縮(縦効果)を生じ、固定多素子磁気ヘツドの
磁気デイスクとの接触面を、記録または再生する
磁気デイスクの中心方向または外周方向に回動変
位させることができる。また、固定多素子磁気ヘ
ツドの磁気デイスクとの接触面を、磁気デイスク
の半径方向に円弧状に形成したから、上記した回
動変位動作並びに磁気デイスク面への接触を確実
に行なわせることができる。
(実施例) この考案に係る磁気デイスク記録再生装置の実
施例を第1図乃至第4図に基づいて説明する。
図中、11は可撓性の磁気デイスクで、その中
心をスピンドル軸12に設けたクランプ機構13
によりクランプされ、所定の速度で時計方向に回
転されている。14は固定多素子磁気ヘツドで、
磁気デイスク11の下面側の半径方向に配置され
ると共に、その磁気デイスク11の記録トラツク
数に対応した数のヘツド素子を選択的に切り換え
て記録、再生を行なう。また、この固定多素子磁
気ヘツド14は、第4図に示すように、磁気デイ
スク11の下面の記録トラツクとの接触面14a
を磁気デイスク11の回転方向に円弧状rに形成
すると共に半径方向にも円弧状Rを形成した構造
とされている。この円弧状Rの値は、第2図に示
すように、固定多素子磁気ヘツド14の両端部1
4b,14cと磁気デイスク11の下面との間
に、数10μm〜100μm程度のギヤツプBが形成さ
れる値とされる。15、16は電わい素子で、
各々電極部15a,15b及び16a,16bを
有し、固定多素子磁気ヘツド14の下面両側と取
付基台17との間に設けられている。取付基台1
7は導電体となつており、電わい素子15,16
の電極面15b,16bと導通している。19
a,19bは電源端子で、電わい素子15,16
の電極部15a,16bに接続されている。電わ
い素子15,16は、電界が加わつた方向に伸縮
し(縦効果)、電極部15a,16a側にプラス、
電極部15b,16b側にマイナスの電界が加わ
ると伸び、逆に、電極部15a,16a側にマイ
ナス、電極部15b,16b側にプラスの電界が
加わると縮むように取り付けられている。18は
パツド機構で、固定多素子磁気ヘツド14と対向
する位置に、磁気デイスク11の半径方向に幅広
のパツド18aが設けられ、磁気デイスク11に
記録再生を行なう時に、その磁気デイスク11の
記録トラツクに固定多素子磁気ヘツド14が当接
できるようにするものである。
上記のように構成したこの考案の磁気デイスク
記録再生装置の動作を説明する。
まず、第2図のように電源端子19a,19b
に電源が接続されていない場合は、電わい素子1
5,16は電わい効果を生ぜず、固定多素子磁気
ヘツド14の接触面14aの頂点A付近が磁気デ
イスク11の下面中間部分に当接している。した
がつて、この場合は、磁気デイスク11の下面中
間部分の記録トラツクに固定多素子磁気ヘツド1
4の頂点A付近のヘツド素子が当接し、所望の記
録、再生を行なうことができる。
次に、第3図は、磁気デイスク11の下面外周
部分の記録トラツクに記録または再生を行なう場
合を示し、電源端子19a,19bに、19a側
がプラス、19b側がマイナスになる電源20が
接続されている。この場合、電わい素子15は、
電極部15aにマイナス、電極部15bにプラス
の電界が加わるために、電わい効果により電界が
加わる方向に縮みを生じる。また、電わい素子1
6は、電極部16aにプラス、電極部16bにマ
イナスの電界が加わるために、電わい効果により
電界が加わる方向に伸びを生じる。その結果、固
定多素子磁気ヘツド14の接触面14aは、磁気
デイスク11の半径方向に形成した円弧状の頂点
Aを基点として、端部14aが磁気デイスク11
の下面から離れ且つ端部14cが磁気デイスク1
1の下面に接近するように回動変位し、磁気デイ
スク11の下面と固定多素子磁気ヘツド14の端
部14cとのギヤツプを無くして磁気デイスク1
1の下面外周部分に当接される。したがつて、磁
気デイスク11の下面外周部分の記録トラツクに
固定多素子磁気ヘツド14の端部14c付近のヘ
ツド素子が当接し、所望の記録、再生を行なうこ
とができる。
また、磁気デイスク11の下面内周部分の記録
トラツクに記録または再生を行なう場合は、第2
図において、電源端子19a,19bに、19a
側がマイナス、19b側がプラスになる電源が接
続されることによつて達成される。この場合、電
わい素子15は伸び、電わい素子16は縮む。そ
の結果、固定多素子磁気ヘツド14の接触面14
aは、磁気デイスク11の半径方向に形成した円
弧状の頂点Aを基点として、前述と逆方向に回動
変位し、磁気デイスク11の下面と固定多素子磁
気ヘツド14の端部14bとの間のギヤツプを無
くして磁気デイスク11の下面内周部分に当接さ
れる。したがつて、磁気デイスク11の下面内周
部分の記録トラツクに固定多素子磁気ヘツド14
の端部14b付近のヘツド素子が当接し、所望の
記録、再生を行なうことができる。
このように、2つの電わい素子15,16を制
御することにより、記録、再生に使用される、磁
気デイスク11の記録トラツクと、この記録トラ
ツクに対応すべき、固定多素子磁気ヘツド14の
ヘツド素子とを当接させることができるから、所
望の記録、再生を行なうことができる。
「考案の効果」 この考案に係る磁気デイスク記録再生装置によ
れば、可撓性の磁気デイスクの半径方向に配置さ
れこの磁気デイスクの記録トラツク数に対応した
数のヘツド素子を有し、これらのヘツド素子を選
択的に切り換えて記録、再生を行なう固定多素子
磁気ヘツドと、この固定多素子磁気ヘツドに磁気
デイスクを当接させるためのパツド機構とを設
け、前記固定多素子磁気ヘツドの磁気デイスクと
の接触面を磁気デイスクの半径方向に円弧状に形
成すると共に、前記固定多素子磁気ヘツドの下面
両側とその取付基台との間に電わい素子を介在さ
せ、前記円弧状に形成した接触面を前記電わい素
子により円弧状の頂点を基点として磁気デイスク
の中心方向または外周方向に回動変位させるよう
に構成したので、磁気デイスクと固定多素子磁気
ヘツドとの良好な接触状態を得ることができる。
また、構造が複雑なパツド機構等を必要とせず、
構造は極めて簡単であつて、安価に構成すること
ができるから、実施が容易である等の優れた特長
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は、この考案に係る磁気デイ
スク記録再生装置の実施例を示し、第1図は構成
を示す正面図、第2図および第3図は要部を示す
正面図、第4図は磁気デイスクと固定多素子磁気
ヘツドとの関係を示す斜視図である。第5図およ
び第6図は従来のものを示す正面図および平面図
である。 11……磁気デイスク、14……固定多素子磁
気ヘツド、15,16……電わい素子、17……
取付基台、18……パツド機構。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 可撓性の磁気デイスクの半径方向に配置され
    この磁気デイスクの記録トラツク数に対応した
    数のヘツド素子を有し、これらのヘツド素子を
    選択的に切り換えて記録、再生を行なう固定多
    素子磁気ヘツドと、この固定多素子磁気ヘツド
    に磁気デイスクを当接させるためのパツド機構
    とを設けた磁気デイスク記録再生装置におい
    て、 前記固定多素子磁気ヘツドの磁気デイスクと
    の接触面を磁気デイスクの半径方向に円弧状に
    形成すると共に、前記固定多素子磁気ヘツドの
    下面両側とその取付基台との間に電わい素子を
    介在させ、前記円弧状に形成した接触面を前記
    電わい素子により円弧状の頂点を基点として磁
    気デイスクの中心方向または外周方向に回動変
    位させるように構成したことを特徴とする磁気
    デイスク記録再生装置。 (2) 固定多素子磁気ヘツドの磁気デイスクとの接
    触面は、磁気デイスクの回転方向及び半径方向
    に円弧状に形成されていることを特徴とする実
    用新案登録請求の範囲第1項記載の磁気デイス
    ク記録再生装置。
JP18845085U 1985-12-09 1985-12-09 Expired JPH0445171Y2 (ja)

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