JPH0444319A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH0444319A JPH0444319A JP15367590A JP15367590A JPH0444319A JP H0444319 A JPH0444319 A JP H0444319A JP 15367590 A JP15367590 A JP 15367590A JP 15367590 A JP15367590 A JP 15367590A JP H0444319 A JPH0444319 A JP H0444319A
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- Japan
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- gas
- etched
- wafer
- spare chamber
- chamber
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- Pending
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜・半導体素子の製造に用いるドライエツチ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
従来の技術
従来Ｓｉ膜のドライエツチングにおいてはフッ素（Ｆ）
系ガスが用いられていたが、近年素子の微細化に伴い、
加工精度をあげるため、Ｃｅ系またはＢ２系ガスが用い
られるようになった。
系ガスが用いられていたが、近年素子の微細化に伴い、
加工精度をあげるため、Ｃｅ系またはＢ２系ガスが用い
られるようになった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記ガス系においては、被エツチング物上
に残留したガスにより、大気に取り出した後の被エツチ
ング物の表面に実物が発生したり、また、被エツチング
物を取り出すための金属部材に錆または堆積ぶつを発生
させるという課題を有していた。これらは薄膜・半導体
素子の製造においてダスト源として著しく素子の信頼性
を低下させる。
に残留したガスにより、大気に取り出した後の被エツチ
ング物の表面に実物が発生したり、また、被エツチング
物を取り出すための金属部材に錆または堆積ぶつを発生
させるという課題を有していた。これらは薄膜・半導体
素子の製造においてダスト源として著しく素子の信頼性
を低下させる。
そこで本発明は、この課題を解決するため、被エツチン
グ物表面に付着したガスを反応により脱離しやすくする
ドライエツチング方法を提供するものである。
グ物表面に付着したガスを反応により脱離しやすくする
ドライエツチング方法を提供するものである。
また、本発明の他の目的は反応により付着ガスを脱離し
やす（するとともに、加熱により気化するドライエツチ
ング方法を提供するものである。
やす（するとともに、加熱により気化するドライエツチ
ング方法を提供するものである。
更に、本発明の他の目的は反応により付着ガスを脱離し
やすくするとともに同ガスを希釈し排気するドライエツ
チング方法を提供するものである。
やすくするとともに同ガスを希釈し排気するドライエツ
チング方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
第１の発明は、エツチング処理後の被エツチング物を真
空状態で引き続きＯ，ガスプラズマ処理するものである
。
空状態で引き続きＯ，ガスプラズマ処理するものである
。
第２の発明は、Ｏ，ガスプラズマ処理するとともに予備
室で被エツチング物を加熱するドライエツチング方法で
ある。
室で被エツチング物を加熱するドライエツチング方法で
ある。
第３の発明は、Ｏ，ガスプラズマ処理するとともに予備
室で被エツチング物に対し、Ｎ、ガスの供給・排気を繰
り返し行うドライエツチング後処理方法である。
室で被エツチング物に対し、Ｎ、ガスの供給・排気を繰
り返し行うドライエツチング後処理方法である。
作 用
第１の発明によれば、被エツチング表面に付着したガス
をＯ，ガスプラズマ処理により反応脱離させ、付着ガス
を減少させることができる。
をＯ，ガスプラズマ処理により反応脱離させ、付着ガス
を減少させることができる。
第２の発明によれば、Ｏ，ガスプラズマで処理とともに
、予備室で被エツチング物を加熱することにより、付着
ガスを脱離し減少させ、さらに残留した付着ガスを気化
させて除去できる。
、予備室で被エツチング物を加熱することにより、付着
ガスを脱離し減少させ、さらに残留した付着ガスを気化
させて除去できる。
第３の発明によれば、０．ガスプラズマ処理とともに、
予備室で被エツチングに対しＮ２ガスの供給・排気を繰
り返すことにより、付着ガスを脱離し減少させ、さらに
残留した付着ガスを希釈し除去できる。
予備室で被エツチングに対しＮ２ガスの供給・排気を繰
り返すことにより、付着ガスを脱離し減少させ、さらに
残留した付着ガスを希釈し除去できる。
実施例
本発明の実施例について以下図面を参照して説明する。
実施例１
第１図は本発明の第１の実施例における０２ガスプラズ
マ処理時間と被エツチング物上に付着した異物（ダスト
）の数の関係を示したものである。エツチング条件と０
２ガスプラズマ処理条件を下記に示す。
マ処理時間と被エツチング物上に付着した異物（ダスト
）の数の関係を示したものである。エツチング条件と０
２ガスプラズマ処理条件を下記に示す。
（エツチング条件）
０ガス流量：ＳＦ １０１０５ｅ
ＨＣｅ １０ｓｅｃ１
０５ｅ １５ｓｅｃｍ
０２ １ｓｅｃｍ
Ｏガス圧カニ３００ｍＴｏｒｒ
Ｏ高周波電カニ３００ｗ
０工ツチング時間＝２分
（０，ガスプラズマ処理条件）
０ガス流量：０２５０ｓｅｃｍ
Ｏガス圧カニ６００ｍＴｏｒｒ
Ｏ高周波電カニ２００ｗ
上記条件で６インチＳｉ基板をエツチング処理し、同一
反応室にて０２ガスプラズマ処理した後、予備室をへて
大気に取り出し、０．３μｍ径以上のダストを測定した
。第１図より明らかなようにエツチング処理後に発生す
るダスト数は０２プラズマ処理を５砂入れることにより
激減することがわがる。イオンのロフト法によるウェハ
上の残留Ｃｅ量の測定結果からも明らかな減少がａ認さ
れた。
反応室にて０２ガスプラズマ処理した後、予備室をへて
大気に取り出し、０．３μｍ径以上のダストを測定した
。第１図より明らかなようにエツチング処理後に発生す
るダスト数は０２プラズマ処理を５砂入れることにより
激減することがわがる。イオンのロフト法によるウェハ
上の残留Ｃｅ量の測定結果からも明らかな減少がａ認さ
れた。
尚、本実施例におてはＣｅ系ガスとしてＨＣｅ 。
Ｂｒ系ガスとしてＨＢｒを用いているが、Ｃｅ。
Ｂｒを含む伯のガスにおいても同様の効果がある。
実施例２
第２図は本発明の第２の実施例における予備室内でのウ
ェハ加熱構成を示したものである。第２図において反応
室１でエツチング処理、０２ガスプラズマ処理（５秒）
を終えたウェハ２は図示しない搬送系により予備室３に
移載される。予備室３にはヒーターを埋め込んだウェハ
加熱台４が具備され直流電圧５を変えることで任意の温
度に設定できるようになっている。予備室３の外にあっ
て、予備室ゲート６近傍にステンレス製の薄板（３０Ｘ
３０ ｍ ）を置き、ウェハ加熱温度と薄板の発錆の
程度を調べた結果を下表に示す。処理ウェハ枚数は５０
０枚である。
ェハ加熱構成を示したものである。第２図において反応
室１でエツチング処理、０２ガスプラズマ処理（５秒）
を終えたウェハ２は図示しない搬送系により予備室３に
移載される。予備室３にはヒーターを埋め込んだウェハ
加熱台４が具備され直流電圧５を変えることで任意の温
度に設定できるようになっている。予備室３の外にあっ
て、予備室ゲート６近傍にステンレス製の薄板（３０Ｘ
３０ ｍ ）を置き、ウェハ加熱温度と薄板の発錆の
程度を調べた結果を下表に示す。処理ウェハ枚数は５０
０枚である。
表中Ｏは発錆なし、△は若干発錆、×は発錆したことを
示す。このようにウェハ加熱を行うことによりステンレ
ス部材の発錆を防止できることがわかる。
示す。このようにウェハ加熱を行うことによりステンレ
ス部材の発錆を防止できることがわかる。
尚、本実施例においては加熱の方法としてヒーター加熱
を用いたが、赤外線加熱など他の加熱手段を用いること
も可能である。
を用いたが、赤外線加熱など他の加熱手段を用いること
も可能である。
実施例３
第３図は本発明の第３の実施例における予備室内でのＮ
２ガス供排気構成を示している。第２図と同一物には同
一番号を付し説明を省略する。第３図において反応室１
でエツチング処理（５秒）を終えたウェハ２は図示しな
い搬送系により予備室３に移載される。予備室３にはＮ
２供給ノズル７と図示しない排気手段が接続された排気
口８が具備されている。予備室３においてＮ２供給およ
び排気を繰り返し行うことで、ウェハ上に付着した残留
ガスは希釈される。Ｎ２ガス供給２０ＳＬＭで約１００
Ｔｏｒｒまで昇圧した後、排気を０．ＩＴｏｒｒまで行
い、これを繰り返し行い発錆の程度を実施例２と同様な
方法で調べた。結果を下表に示す。
２ガス供排気構成を示している。第２図と同一物には同
一番号を付し説明を省略する。第３図において反応室１
でエツチング処理（５秒）を終えたウェハ２は図示しな
い搬送系により予備室３に移載される。予備室３にはＮ
２供給ノズル７と図示しない排気手段が接続された排気
口８が具備されている。予備室３においてＮ２供給およ
び排気を繰り返し行うことで、ウェハ上に付着した残留
ガスは希釈される。Ｎ２ガス供給２０ＳＬＭで約１００
Ｔｏｒｒまで昇圧した後、排気を０．ＩＴｏｒｒまで行
い、これを繰り返し行い発錆の程度を実施例２と同様な
方法で調べた。結果を下表に示す。
上表のようにＮ２供給・排気を繰り返すことでステンレ
ス部材の発錆が防止できることがわかる。
ス部材の発錆が防止できることがわかる。
発明の効果
以上のように第１の発明によればＣｅ系またはＢｒ系ガ
スでＳｉ系膜のエツチング処理後、０゜ガスプラズマ処
理を施すことにより、被エツチング物上の付着ガスが脱
離し、被エツチング物上のダスト（異物）が激減させる
ことができる。
スでＳｉ系膜のエツチング処理後、０゜ガスプラズマ処
理を施すことにより、被エツチング物上の付着ガスが脱
離し、被エツチング物上のダスト（異物）が激減させる
ことができる。
また、第２の発明によれば０．ガスプラズマ処理後、予
備室で被エツチング物を加熱することにより、第１の発
明で得られる効果に加えて、被エツチング物上の残留ガ
スを気化し、搬送系などの金属部材の発錆も防止できる
。
備室で被エツチング物を加熱することにより、第１の発
明で得られる効果に加えて、被エツチング物上の残留ガ
スを気化し、搬送系などの金属部材の発錆も防止できる
。
更に、第３の発明によればＯ，ガスプラズマ処理後、予
備室で被エツチング物に対し、Ｎ、供給・排気を雄り返
すことで、第１の発明で得られる効果に加えて、被エツ
チング物上の残留ガスを希釈し、搬送系などの金属部材
の発錆を防止することができる。
備室で被エツチング物に対し、Ｎ、供給・排気を雄り返
すことで、第１の発明で得られる効果に加えて、被エツ
チング物上の残留ガスを希釈し、搬送系などの金属部材
の発錆を防止することができる。
第１図は本発明の第１の実施例における０２ガスプラズ
マ処理と被エツチング物上の異物数との関係を示した図
、第２図は本発明の第２の実施例における加熱構成を示
した図、第３図は本発明の第３の実施例におけるＮ２ガ
ス供給・排気構成を示した図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・被エツチング物
（ウェハ〉、３・・・・・・予備室、４・・・・・・加
熱台、７・・・・・・Ｎ２供給ノズル、８・・・・・・
排気口。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 Ｏクブラス′マ匁目！］８聞（巖゛）
マ処理と被エツチング物上の異物数との関係を示した図
、第２図は本発明の第２の実施例における加熱構成を示
した図、第３図は本発明の第３の実施例におけるＮ２ガ
ス供給・排気構成を示した図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・被エツチング物
（ウェハ〉、３・・・・・・予備室、４・・・・・・加
熱台、７・・・・・・Ｎ２供給ノズル、８・・・・・・
排気口。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 Ｏクブラス′マ匁目！］８聞（巖゛）
Claims (3)
- （１）真空状態にある反応室に塩素系または臭素系ガス
を導入しシリコン基板のエッチングを行った後、酸素プ
ラズマ処理を行うことを特徴とするドライエッチング方
法。 - （２）被エッチング物を取り出すための予備室において
、同被エッチング物を加熱する請求項１記載のドライエ
ッチング方法。 - （３）被エッチング物を取り出すための予備室において
、同被エッチング物に対し、窒素（Ｎ＿２）ガスの供給
・排気を繰り返し行う請求項１記載のドライエッチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15367590A JPH0444319A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15367590A JPH0444319A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444319A true JPH0444319A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15567719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15367590A Pending JPH0444319A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136213A (en) * | 1997-02-26 | 2000-10-24 | Ebara Corporation | Gas polishing method |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15367590A patent/JPH0444319A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136213A (en) * | 1997-02-26 | 2000-10-24 | Ebara Corporation | Gas polishing method |
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