JPH0443815Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、レーザ光の反射率や透過率、あるい
は板厚など、光デイスクの物理的な諸特性を測定
する光デイスク検査装置において、これらの測定
系の校正に使用される基準板の改良に関するもの
である。

〔従来の技術〕

一般に、光デイスク検査装置においては、光デ
イスクの諸特性を測定する前に、その測定系の校
正が行なわれる。また、この校正には種々の方法
があるが、値のわかつている標準試料を使用して
校正を行なうのが、検出器や電気回路などを含め
た測定系全体を一度に校正することができ、便利
である。

〔考案が解決しようとする問題点〕

しかしながら、このような校正方法では、数点
の測定点から補間して校正曲線を求めるために、
数種類の標準試料を用意して、これらの標準試料
を順次光学ヘツドの上部（レーザ光の照射位置）
に正確にセツトしなければならず、標準試料の交
換操作が容易ではない。また、標準試料として測
定済みの光デイスクを利用する方法も考えられる
が、静止した光デイスクにレーザ光を照射する
と、レーザ光の熱で金属膜が溶けたり、酸化して
反射率や透過率が変化してしまう。このため、光
デイスクを回転させることになるが、反射率など
が全面に渡つて均一な光デイスクは少なく、正確
な基準値を得ることは難しい。

本考案は、上記のような従来装置の欠点をなく
し、複数の標準試料を順次光学ヘツドの上部に正
確にセツトすることができるとともに、レーザ光
の照射による温度上昇に対しても反射率等が変化
してしまうことのない光デイスク検査装置校正用
基準板を簡単な構成により実現することを目的と
したものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案の光デイスク検査装置校正用基準板は、
通常の光デイスクと等しい板厚を有するガラス基
板の一方の面に誘電体多層膜よりなる反射膜また
は透過膜が形成され所定の基準値に値付けされた
複数の標準試料片と、光デイスクのクランプ機構
により共通にクランプされるクランプ部を有し前
記複数の標準試料片を同一円周上に配置するとと
もにこれら複数の標準試料片をその反射膜面また
は透過膜面の位置およびクランプ面からの高さが
前記クランプ機構にクランプされる通常の光デイ
スクの記録膜面と一致するように保持する基板部
とを具備するようにしたものである。

〔作用〕

このように、複数の標準試料片を基板部の同一
円周上に配置するとともに、、この基板部に光デ
イスクと同様のクランプ部を設けるようにする
と、複数の標準試料片を特別の治具などを使用す
ることなく光デイスクと共通のクランプ機構によ
りクランプすることができるとともに、基板部を
回転させるだけで、任意の標準試料片を光学ヘツ
ドの上部にセツトすることができる。しかも、各
標準試料片の面積は小さいので、均一性に優れて
いる。また、複数の標準試料片をその反射膜面ま
たは透過膜面の位置およびクランプ面からの高さ
が前記クランプ機構にクランプされる通常の光デ
イスクの記録膜面と一致するように保持すると、
各標準試料片が常に光デイスクと同じ高さに保持
されるようになり、実際の測定状態により近い条
件で校正を行なうことができる。さらに、標準試
料片の反射膜または透過膜を誘電体多層膜により
形成すると、熱に強く、レーザ光を照射しても反
射率等が変化してしまうことのない標準試料片を
実現することができる。

〔実施例〕

以下、図面を用いて、本考案の光デイスク検査
装置校正用基準板を説明する。

第１図は本考案の光デイスク検査装置校正用基
準板の一実施例を示す平面図、第２図はその断面
図である。図において、Ｓ０〜Ｓ１１はそれぞれ
所定の基準値に値付けされた標準試料片、１は標
準試料片Ｓ０〜Ｓ１１を同一円周上に保持する基
板部、２は基板部１の中心に設けられたクランプ
部、２１はクランプ部２において光デイスクを回
転させるターンテーブルに当接するクランプ面で
ある。また、標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１は通常の光
デイスクと等しい板厚ｔを有するガラス基板３１
と、その一方の面に設けられた反射膜面または透
過膜面３２とから形成されている。基板部１は標
準試料片Ｓ０〜Ｓ１１をその反射膜面または透過
膜面３２側を上にした状態で、しかもその膜面の
クランプ面２１からの高さが通常の光デイスクに
おけるクランプ時の記録膜面の高さと一致するよ
うに保持している。例えば、光デイスクがその基
板部分を直接クランプされる形式のものであれ
ば、記録膜面の高さはその板厚と等しくなるの
で、標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１は図に示す如く、そ
の底面がクランプ面２１と一致するように保持さ
れる。また、光デイスクがクランプ用のハブを有
するものであれば、標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１の高
さも、そのハブの厚みを考慮して決定される。

第３図は標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１の形成例を示
す断面図である。図に示されるように、反射膜ま
たは透過膜３２は誘電体多層膜により形成されて
おり、その層数に応じて反射率または透過率が制
御され、所定の値付けが行なわれている。誘電体
多層膜の材質としては、例えば、酸化チタン
（TiO₂）および酸化ケイ素（SiO₂）が使用されて
いる。なお、基板部１において、反射率が０％の
位置および透過率が100％の位置は、試料片を設
けず、素通しにしている。

このように構成された基準板においては、基板
部１をクランプ部２を利用して光デイスク検査装
置のクランプ機構に装着するだけで、特別の治具
などを使用することなく、任意の標準試料片Ｓ０
〜Ｓ１１を光学ヘツドの上部にセツトすることが
できる。また、各標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１の面積
は小さいので、均一性に優れている。さらに、反
射膜または透過膜３２を形成する誘電体多層膜は
熱に強いので、レーザ光の照射により膜の温度が
上昇しても、溶けてしまつたり、反射率等が変化
してしまうことがない。ガラス基板３１もまた高
温に対して安定である。

第４図は本考案の基準板を光デイスク検査装置
に装着した状態を示す構成図である。図は光デイ
スクの反射率測定における校正動作時を例示した
ものである。図において、前記第１図および第２
図と同様のものは同一符号を付して示す。４は光
デイスク検査装置における光デイスクのクランプ
機構、４１はそのターンテーブル、５は光学ヘツ
ドである。光学ヘツド５は、一定光量のレーザ光
を出射するレーザ光源５１、光アイソレータ５
２、レーザ光源５１から出射されたレーザ光を収
束させ、標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１の反射面上に焦
点を結ばせる対物レンズ５３、標準試料片Ｓ０〜
Ｓ１１からの反射光を光アイソレータ５２を介し
て検出するフオトセンサ５４、フオトセンサ５４
の出力を増幅するアンプ５５などにより構成され
ている。

このような構成動作時においては、基板部１を
回転させるだけで、任意の標準試料片Ｓ０〜Ｓ１
１を光学ヘツド５の上部にセツトすることができ
る。したがつて、この時の標準試料片Ｓ０〜Ｓ１
１の値と測定出力S_Oとの関係をプロツトし、この
測定点間を補間すれば、対物レンズ５３などの光
学系やフオトセンサ５４、アンプ５５などの電気
回路系を含めた測定系全体の校正曲線を一度に得
ることができる。また、各標準試料片Ｓ０〜Ｓ１
１における反射面の高さが通常の光デイスクにお
ける記録膜面の高さと等しく形成されているの
で、光学ヘツド５と反射膜３２との距離が光デイ
スクの測定時と等しくなり、フオーカスサーボの
状態など、実際の測定時に近い条件で校正動作を
行なうことができる。

なお、上記の説明においては、光デイスクの反
射率測定時の校正動作を例示したが、測定項目が
変更された場合にも、基準板の装着方法は変ら
ず、所望の標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１を容易にセツ
トすることができる。また、光学ヘツド５として
は、光デイスクの下側からレーザ光を照射する形
式のものを例示したが、反対に、光デイスクの上
側からレーザ光を照射するものも存在する。この
ような場合には、光デイスクの記録膜面の位置は
デイスクの下側となるので、基準板における反射
膜面または透過膜面の位置および高さもこれに応
じて変更される。

〔考案の効果〕

以上説明したように、本考案の光デイスク検査
装置校正用基準板では、通常の光デイスクと等し
い板厚を有するガラス基板の一方の面に誘電体多
層膜よりなる反射膜または透過膜が形成され所定
の基準値に値付けされた複数の標準試料片と、光
デイスクのクランプ機構により共通にクランプさ
れるクランプ部を有し前記複数の標準試料片を同
一円周上に配置するとともにこれら複数の標準試
料片をその反射膜面または透過膜面の位置および
クランプ面からの高さが前記クランプ機構にクラ
ンプされる通常の光デイスクの記録膜面と一致す
るように保持する基板部とを具備しているので、
複数の標準試料片を特別の治具などを使用するこ
となく光デイスクと共通のクランプ機構によりク
ランプすることができ、基板部を回転させるだけ
で、任意の標準試料片を順次光学ヘツドの上部に
正確にセツトすることができるとともに、レーザ
光の照射による温度上昇に対しても反射率等が変
化してしまうことのない光デイスク検査装置校正
用基準板を簡単な構成により実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本考案の光デイスク検査
装置校正用基準板の一実施例を示す構成図および
断面図、第３図は標準試料片Ｓ０〜Ｓ１１の形成
例を示す断面図、第４図は本考案の光デイスク検
査装置校正用基準板を光デイスク検査装置に装着
した状態の一例を示す構成図である。 Ｓ０〜Ｓ１１……標準試料片、１……基板部、
２……クランプ部、３１……ガラス基板、３２…
…反射膜または透過膜、４……クランプ機構、５
……光学ヘツド。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 通常の光デイスクと等しい板厚を有するガラス
   基板の一方の面に誘電体多層膜よりなる反射膜ま
   たは透過膜が形成され所定の基準値に値付けされ
   た複数の標準試料片と、光デイスクのクランプ機
   構により共通にクランプされるクランプ部を有し
   前記複数の標準試料片を同一円周上に配置すると
   ともにこれら複数の標準試料片をその反射膜面ま
   たは透過膜面の位置およびクランプ面からの高さ
   が前記クランプ機構にクランプされる通常の光デ
   イスクの記録膜面と一致するように保持する基板
   部とを具備してなる光デイスク検査装置校正用基
   準板。