JPH04246Y2 - - Google Patents
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- JPH04246Y2 JPH04246Y2 JP19887585U JP19887585U JPH04246Y2 JP H04246 Y2 JPH04246 Y2 JP H04246Y2 JP 19887585 U JP19887585 U JP 19887585U JP 19887585 U JP19887585 U JP 19887585U JP H04246 Y2 JPH04246 Y2 JP H04246Y2
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、光デイスクなどの透明基板における
厚さ(透明部分の厚さ)を測定する厚さ測定装置
の改良に関するものである。
厚さ(透明部分の厚さ)を測定する厚さ測定装置
の改良に関するものである。
一般に、光デイスクは反射面の凹凸(ピツト)
により信号を記録したもので、第6図に示す如き
構造を有するものである。図において、11は例
えば透明な塩化ビニールよりなる厚さ約1mmの透
明デイスク、12は例えばアルミニウムの蒸着膜
よりなりこの透明デイスク11の片面に形成され
た反射膜、13は反射膜12の上に形成された保護
膜である。厚さ測定装置はこのような構造を有す
る光デイスク1における透明デイスク11の厚さ
を測定し、その均一性などを検査するために使用
されるものである。
により信号を記録したもので、第6図に示す如き
構造を有するものである。図において、11は例
えば透明な塩化ビニールよりなる厚さ約1mmの透
明デイスク、12は例えばアルミニウムの蒸着膜
よりなりこの透明デイスク11の片面に形成され
た反射膜、13は反射膜12の上に形成された保護
膜である。厚さ測定装置はこのような構造を有す
る光デイスク1における透明デイスク11の厚さ
を測定し、その均一性などを検査するために使用
されるものである。
第7図は従来の厚さ測定装置の一例を示す構成
図である。図において、2は光デイスク1を回転
させるスピンドルモータ、3はアクチユエータに
よりフオーカス方向に駆動され、光デイスク1の
表面上にレーザ光を集光する集光レンズ、4は集
光レンズ3の移動量を検出する変位検出器、5は
集光レンズ3を介して光デイスク1にレーザ光を
照射するレーザ光源、6は例えばλ/4板とビー
ムスプリツタとにより構成され、光デイスク1に
より反射されたレーザ光(反射光)を分離する光
アイソレータ、7は例えばシリンドリカルレンズ
と4分割センサとにより構成され、集光レンズ3
の焦点が光デイスク1の反射膜面上あるいは透明
デイスク側表面上(以下、単に表面上という)に
合つているか否かを検出する合焦状態検出器、8
は合焦状態検出器7の出力を受け、集光レンズ3
の位置を制御するサーボアンプである。
図である。図において、2は光デイスク1を回転
させるスピンドルモータ、3はアクチユエータに
よりフオーカス方向に駆動され、光デイスク1の
表面上にレーザ光を集光する集光レンズ、4は集
光レンズ3の移動量を検出する変位検出器、5は
集光レンズ3を介して光デイスク1にレーザ光を
照射するレーザ光源、6は例えばλ/4板とビー
ムスプリツタとにより構成され、光デイスク1に
より反射されたレーザ光(反射光)を分離する光
アイソレータ、7は例えばシリンドリカルレンズ
と4分割センサとにより構成され、集光レンズ3
の焦点が光デイスク1の反射膜面上あるいは透明
デイスク側表面上(以下、単に表面上という)に
合つているか否かを検出する合焦状態検出器、8
は合焦状態検出器7の出力を受け、集光レンズ3
の位置を制御するサーボアンプである。
上記のように構成された厚さ測定装置において
は、合焦状態検出器7およびサーボアンプ8によ
りサーボ系が構成され、光デイスク1の反射膜面
上または表面上に焦点が合うように集光レンズ3
の位置が制御されるとともに、集光レンズ3の位
置(移動量)が変位検出器4により検出されてい
る。したがつて第8図に示すように、例えば反射
膜面上に焦点が合つている状態から、サーボ系
(集光レンズ3)を意識的に移動して、表面上に
焦点を合わせるようにすれば、この時の集光レン
ズ3の移動量から光デイスク1の厚さを測定する
ことができる。
は、合焦状態検出器7およびサーボアンプ8によ
りサーボ系が構成され、光デイスク1の反射膜面
上または表面上に焦点が合うように集光レンズ3
の位置が制御されるとともに、集光レンズ3の位
置(移動量)が変位検出器4により検出されてい
る。したがつて第8図に示すように、例えば反射
膜面上に焦点が合つている状態から、サーボ系
(集光レンズ3)を意識的に移動して、表面上に
焦点を合わせるようにすれば、この時の集光レン
ズ3の移動量から光デイスク1の厚さを測定する
ことができる。
すなわち、第9図に示す如く、合焦状態検出器
7より得られるフオーカス誤差を縦軸に、集光レ
ンズ3の変位量を横軸にとつた場合、反射膜面上
の合焦位置をP1、表面上の合焦位置をP2とする
と、この間の変位量xが集光レンズ3の移動量と
いうことになる。ここで、透明デイスク部分にお
ける屈折率をnとすると、光デイスク1(透明デ
イスク部分)の厚さtは t=n・x として求められる。
7より得られるフオーカス誤差を縦軸に、集光レ
ンズ3の変位量を横軸にとつた場合、反射膜面上
の合焦位置をP1、表面上の合焦位置をP2とする
と、この間の変位量xが集光レンズ3の移動量と
いうことになる。ここで、透明デイスク部分にお
ける屈折率をnとすると、光デイスク1(透明デ
イスク部分)の厚さtは t=n・x として求められる。
しかしながら、このような厚さ測定装置におい
ては、集光レンズ3を少なくとも光デイスク1の
厚さに相当する量だけ変位させなければならない
ので、集光レンズ3を駆動するアクチユエータお
よび集光レンズ3の変位量を検出する変位検出器
4に長いストロークが必要とされ、装置が大型化
してしまう。また、光デイスク1のそりを考慮し
た場合には、さらに長いストロークが必要となつ
てしまう。
ては、集光レンズ3を少なくとも光デイスク1の
厚さに相当する量だけ変位させなければならない
ので、集光レンズ3を駆動するアクチユエータお
よび集光レンズ3の変位量を検出する変位検出器
4に長いストロークが必要とされ、装置が大型化
してしまう。また、光デイスク1のそりを考慮し
た場合には、さらに長いストロークが必要となつ
てしまう。
本考案は、上記のような従来装置の欠点をなく
し、集光レンズの比較的短いストロークの範囲で
光デイスクの厚さを測定することのできる厚さ測
定装置を簡単な構成により実現することを目的と
したものである。
し、集光レンズの比較的短いストロークの範囲で
光デイスクの厚さを測定することのできる厚さ測
定装置を簡単な構成により実現することを目的と
したものである。
本考案の厚さ測定装置は、光デイスクの反射膜
面上に焦点が合つているか否かを検出する合焦状
態検出器とこの合焦状態検出器の出力を受けその
出力が零(合焦状態)となるように集光レンズの
位置を制御するサーボアンプとを有する厚さ測定
装置において、前記第1の合焦状態検出器と共通
の反射光を受ける第2の合焦状態検出器と、前記
第1および第2の合焦状態検出器の出力を選択的
に前記サーボアンプに供給する切換えスイツチと
を具備するとともに、前記第2の合焦状態検出器
を屈折率および厚さが既知の光デイスクの反射膜
面上に焦点を合わせた状態においてこの光デイス
クにおける透明デイスク側表面からの反射光のみ
に感度を持ち、その出力が零となるように構成し
たものである。
面上に焦点が合つているか否かを検出する合焦状
態検出器とこの合焦状態検出器の出力を受けその
出力が零(合焦状態)となるように集光レンズの
位置を制御するサーボアンプとを有する厚さ測定
装置において、前記第1の合焦状態検出器と共通
の反射光を受ける第2の合焦状態検出器と、前記
第1および第2の合焦状態検出器の出力を選択的
に前記サーボアンプに供給する切換えスイツチと
を具備するとともに、前記第2の合焦状態検出器
を屈折率および厚さが既知の光デイスクの反射膜
面上に焦点を合わせた状態においてこの光デイス
クにおける透明デイスク側表面からの反射光のみ
に感度を持ち、その出力が零となるように構成し
たものである。
このように、透明デイスク側表面からの反射光
にのみ感度を有する第2の合焦状態検出器を設
け、屈折率および厚さが既知の光デイスクの反射
膜面上に焦点を合わせた状態において、この第2
の合焦状態検出器の出力が零となるように構成し
ておくと、第1の合焦状態検出器の出力を利用し
て反射膜面上に焦点を合わせた後、第2の合焦状
態検出器の出力をサーボアンプに印加すると、こ
の時の集光レンズの変位量から光デイスクの厚さ
を測定することができ、集光レンズの比較的短い
ストロークの範囲で光デイスクの厚さを測定する
ことができる。
にのみ感度を有する第2の合焦状態検出器を設
け、屈折率および厚さが既知の光デイスクの反射
膜面上に焦点を合わせた状態において、この第2
の合焦状態検出器の出力が零となるように構成し
ておくと、第1の合焦状態検出器の出力を利用し
て反射膜面上に焦点を合わせた後、第2の合焦状
態検出器の出力をサーボアンプに印加すると、こ
の時の集光レンズの変位量から光デイスクの厚さ
を測定することができ、集光レンズの比較的短い
ストロークの範囲で光デイスクの厚さを測定する
ことができる。
第1図は本考案の厚さ測定装置の一実施例を示
す構成図である。図において、前記第7図と同様
のものは同一符号を付して示す。9はハーフミラ
ー、10は第2の合焦状態検出器、11は第1お
よび第2の合焦状態検出器7,10の出力を選択
的にサーボアンプ8に供給する切換えスイツチで
ある。第1の合焦状態検出器7は光デイスク1に
おける反射膜面上に焦点が合つた時に、その出力
が零となるように構成されている。また、第2の
合焦状態検出器10は、第2図に示すように、屈
折率n0および厚さt0が既知の光デイスクl0を使用
して、その反射膜面上に焦点を合わせた状態にお
いて、透明デイスク側表面からの反射光(図中に
破線で示す)のみに感度を持ち、その出力が零と
なるように構成されている。したがつて、スピン
ドルモータ2に上記既知の光デイスク10をセツ
トした状態においては、第1および第2の合焦状
態検出器7,10におけるこの時の感度特性は第
3図の如く表わされる。すなわち、反射膜面上に
焦点を合わせた合焦位置P1において、第1およ
び第2の合焦状態検出器7,10の出力が共に零
となつており、この点を中心にフオーカス誤差が
発生されている。
す構成図である。図において、前記第7図と同様
のものは同一符号を付して示す。9はハーフミラ
ー、10は第2の合焦状態検出器、11は第1お
よび第2の合焦状態検出器7,10の出力を選択
的にサーボアンプ8に供給する切換えスイツチで
ある。第1の合焦状態検出器7は光デイスク1に
おける反射膜面上に焦点が合つた時に、その出力
が零となるように構成されている。また、第2の
合焦状態検出器10は、第2図に示すように、屈
折率n0および厚さt0が既知の光デイスクl0を使用
して、その反射膜面上に焦点を合わせた状態にお
いて、透明デイスク側表面からの反射光(図中に
破線で示す)のみに感度を持ち、その出力が零と
なるように構成されている。したがつて、スピン
ドルモータ2に上記既知の光デイスク10をセツ
トした状態においては、第1および第2の合焦状
態検出器7,10におけるこの時の感度特性は第
3図の如く表わされる。すなわち、反射膜面上に
焦点を合わせた合焦位置P1において、第1およ
び第2の合焦状態検出器7,10の出力が共に零
となつており、この点を中心にフオーカス誤差が
発生されている。
一般に、第2の合焦状態検出器10における上
記のような検出特性は、その光学系の配置状態を
変更することにより行なわれている。第10図
は、第2の合焦状態検出器10の一実施例を示す
構成図である。図は非点収差法を用いた合焦状態
検出器の例を示している。図において、101は
レンズ、102は円筒レンズ、103は受光素子
である。また、図中の実線は光デイスク1の反射
膜面からの反射光、破線は透明デイスク側表面か
らの反射光を示している。図に示すように、反射
膜面からの反射光と透明デイスク側表面からの反
射光とでは、集光位置(焦点位置)が異なつてお
り、受光素子103は透明デイスク側表面からの
反射光の集光位置付近に配置されている。
記のような検出特性は、その光学系の配置状態を
変更することにより行なわれている。第10図
は、第2の合焦状態検出器10の一実施例を示す
構成図である。図は非点収差法を用いた合焦状態
検出器の例を示している。図において、101は
レンズ、102は円筒レンズ、103は受光素子
である。また、図中の実線は光デイスク1の反射
膜面からの反射光、破線は透明デイスク側表面か
らの反射光を示している。図に示すように、反射
膜面からの反射光と透明デイスク側表面からの反
射光とでは、集光位置(焦点位置)が異なつてお
り、受光素子103は透明デイスク側表面からの
反射光の集光位置付近に配置されている。
受光素子103をこのような位置に配置する
と、受光素子103の位置では反射膜面からの反
射光は拡散して、入射光量が少なくなる。したが
つて、受光素子103へ入射する光は透明デイス
ク側表面からの反射光が支配的となり、第2の合
焦状態検出器10は透明デイスク側表面からの反
射光に対しては感度を持つが、反射膜面からの反
射光に対してはほとんど感度を持たなくなる。
と、受光素子103の位置では反射膜面からの反
射光は拡散して、入射光量が少なくなる。したが
つて、受光素子103へ入射する光は透明デイス
ク側表面からの反射光が支配的となり、第2の合
焦状態検出器10は透明デイスク側表面からの反
射光に対しては感度を持つが、反射膜面からの反
射光に対してはほとんど感度を持たなくなる。
さて、上記のように構成された厚さ測定装置に
おいて、屈折率n、厚さtの光デイスク1を測定
したとすると、その測定動作は次の通りである。
おいて、屈折率n、厚さtの光デイスク1を測定
したとすると、その測定動作は次の通りである。
まず、切換えスイツチ11を第1の合焦状態検
出器7側に接続し、第1の合焦状態検出器7の出
力を利用して、第4図に示す如く、光デイスク1
の反射膜面上に焦点を合わせる。この時、被測定
の光デイスク1における屈折率nおよび厚さtが
前記した既知の光デイスク10の屈折率n0および
厚さt0と異つていた場合には、第1の合焦状態検
出器7における出力(フオーカス誤差)が零であ
つても、第2の合焦状態検出器10の出力は零と
はならない。この様子を第5図に示す。第4図お
よび第5図において、P1が反射膜面上に焦点を
合わせた場合の合焦位置である。
出器7側に接続し、第1の合焦状態検出器7の出
力を利用して、第4図に示す如く、光デイスク1
の反射膜面上に焦点を合わせる。この時、被測定
の光デイスク1における屈折率nおよび厚さtが
前記した既知の光デイスク10の屈折率n0および
厚さt0と異つていた場合には、第1の合焦状態検
出器7における出力(フオーカス誤差)が零であ
つても、第2の合焦状態検出器10の出力は零と
はならない。この様子を第5図に示す。第4図お
よび第5図において、P1が反射膜面上に焦点を
合わせた場合の合焦位置である。
そこで、次に、切換えスイツチ11を第2の合焦
状態検出器10側に切り換え、サーボ動作により
第2の合焦状態検出器10の出力が零となるよう
に、集光レンズ3の位置を変位させる。第2の合
焦状態検出器10の出力が零となる位置(合焦位
置)をP2とする。
状態検出器10側に切り換え、サーボ動作により
第2の合焦状態検出器10の出力が零となるよう
に、集光レンズ3の位置を変位させる。第2の合
焦状態検出器10の出力が零となる位置(合焦位
置)をP2とする。
この時の集光レンズ3の変位量をxとすると、
光デイスク1の厚さtは t=(t0/n0+x)n=t0n/n0+x・n として求められる。ここで、この時の変位量x
は、nn0,tt0とすれば、光デイスク1の厚
さtに比べて非常に小さな値となるので、小さな
ストロークの集光レンズ3および変位検出器4に
より光デイスク1の厚さtを測定することができ
る。また、必要とするストロークが小さいので、
集光レンズ3のアクチユエータや変位検出器4
を、制御性の最も良い中立点付近で使用すること
ができる。
光デイスク1の厚さtは t=(t0/n0+x)n=t0n/n0+x・n として求められる。ここで、この時の変位量x
は、nn0,tt0とすれば、光デイスク1の厚
さtに比べて非常に小さな値となるので、小さな
ストロークの集光レンズ3および変位検出器4に
より光デイスク1の厚さtを測定することができ
る。また、必要とするストロークが小さいので、
集光レンズ3のアクチユエータや変位検出器4
を、制御性の最も良い中立点付近で使用すること
ができる。
以上説明したように、本考案の厚さ測定装置で
は、光デイスクの反射膜面上に焦点が合つている
か否かを検出する合焦状態検出器とこの合焦状態
検出器の出力を受けその出力が零(合焦状態)と
なるように集光レンズの位置を制御するサーボア
ンプとを有する厚さ測定装置において、前記第1
の合焦状態検出器と共通の反射光を受ける第2の
合焦状態検出器と、前記第1および第2の合焦状
態検出器の出力を選択的に前記サーボアンプに供
給する切換えスイツチとを具備するとともに、前
記第2の合焦状態検出器を屈折率および厚さが既
知の光デイスクの反射膜面上に焦点を合わせた状
態においてこの光デイスクにおける透明デイスク
側表面からの反射光のみに感度を持ち、その出力
が零となるように構成しているので、第1の合焦
状態検出器の出力を利用して反射膜面上に焦点を
合わせた後、第2の合焦状態検出器の出力をサー
ボアンプに印加することにより、この時の集光レ
ンズの変位量から光デイスクの厚さを測定するこ
とができ、集光レンズの比較的短いストロークの
範囲で光デイスクの厚さを測定することのできる
厚さ測定装置を簡単な構成により実現することが
できる。
は、光デイスクの反射膜面上に焦点が合つている
か否かを検出する合焦状態検出器とこの合焦状態
検出器の出力を受けその出力が零(合焦状態)と
なるように集光レンズの位置を制御するサーボア
ンプとを有する厚さ測定装置において、前記第1
の合焦状態検出器と共通の反射光を受ける第2の
合焦状態検出器と、前記第1および第2の合焦状
態検出器の出力を選択的に前記サーボアンプに供
給する切換えスイツチとを具備するとともに、前
記第2の合焦状態検出器を屈折率および厚さが既
知の光デイスクの反射膜面上に焦点を合わせた状
態においてこの光デイスクにおける透明デイスク
側表面からの反射光のみに感度を持ち、その出力
が零となるように構成しているので、第1の合焦
状態検出器の出力を利用して反射膜面上に焦点を
合わせた後、第2の合焦状態検出器の出力をサー
ボアンプに印加することにより、この時の集光レ
ンズの変位量から光デイスクの厚さを測定するこ
とができ、集光レンズの比較的短いストロークの
範囲で光デイスクの厚さを測定することのできる
厚さ測定装置を簡単な構成により実現することが
できる。
第1図および第10図は本考案の厚さ測定装置
の一実施例を示す構成図、第2図〜第5図は第1
図の厚さ測定装置の測定動作を示す説明図、第6
図は一般的な光デイスクの構造を示す構成図、第
7図は従来の厚さ測定装置の一例を示す構成図、
第8図および第9図は第7図の厚さ測定装置の測
定動作を示す説明図である。 1……光デイスク、2……スピンドルモータ、
3……集光レンズ、4……変位検出器、5……レ
ーザ光線、6……光アイソレータ、7,10……
合焦状態検出器、8……サーボアンプ、9……ハ
ーフミラー、11……切換えスイツチ。
の一実施例を示す構成図、第2図〜第5図は第1
図の厚さ測定装置の測定動作を示す説明図、第6
図は一般的な光デイスクの構造を示す構成図、第
7図は従来の厚さ測定装置の一例を示す構成図、
第8図および第9図は第7図の厚さ測定装置の測
定動作を示す説明図である。 1……光デイスク、2……スピンドルモータ、
3……集光レンズ、4……変位検出器、5……レ
ーザ光線、6……光アイソレータ、7,10……
合焦状態検出器、8……サーボアンプ、9……ハ
ーフミラー、11……切換えスイツチ。
Claims (1)
- 光デイスクの反射膜面上に焦点が合つているか
否かを検出する合焦状態検出器とこの合焦状態検
出器の出力を受けその出力が零(合焦状態)とな
るように集光レンズの位置を制御するサーボアン
プとを有する厚さ測定装置において、前記第1の
合焦状態検出器と共通の反射光を受ける第2の合
焦状態検出器と、前記第1および第2の合焦状態
検出器の出力を選択的に前記サーボアンプに供給
する切換えスイツチとを具備するとともに、前記
第2の合焦状態検出器を屈折率および厚さが既知
の光デイスクの反射膜面上に焦点を合わせた状態
においてこの光デイスクにおける透明デイスク側
表面からの反射光のみに感度を持ちその出力が零
となるように構成してなる厚さ測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19887585U JPH04246Y2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19887585U JPH04246Y2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62106102U JPS62106102U (ja) | 1987-07-07 |
JPH04246Y2 true JPH04246Y2 (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=31159972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19887585U Expired JPH04246Y2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04246Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006153851A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共焦点光学装置及び球面収差補正方法 |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP19887585U patent/JPH04246Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62106102U (ja) | 1987-07-07 |
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