JPH0675035B2 - 反射率測定装置 - Google Patents
反射率測定装置Info
- Publication number
- JPH0675035B2 JPH0675035B2 JP13409886A JP13409886A JPH0675035B2 JP H0675035 B2 JPH0675035 B2 JP H0675035B2 JP 13409886 A JP13409886 A JP 13409886A JP 13409886 A JP13409886 A JP 13409886A JP H0675035 B2 JPH0675035 B2 JP H0675035B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflectance
- light
- reflecting surface
- groove
- measuring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は一定ピッチに溝が形成されている反射面の反射
率測定を行なう装置に関するものである。
率測定を行なう装置に関するものである。
従来の技術 従来例として例えば光学技術ハンドブック(朝倉書店、
昭50.7.20、P330もしくはP354)に示されているよう
に、内壁が一様な反射率をもつ完全拡散反射面である球
(積分球)を利用した球形光束計が上げられる。
昭50.7.20、P330もしくはP354)に示されているよう
に、内壁が一様な反射率をもつ完全拡散反射面である球
(積分球)を利用した球形光束計が上げられる。
第4図にその構造図を示すが、積分球14内に反射率資料
15を置き、資料15に光源窓16から拡散ガラス17を経てレ
ーザー光を照射し、拡散ガラス17′を経て側光窓18に固
定した受光器19と資料15との間には遮光板20が設けら
れ、資料15からの直射光は受光できない構成である。資
料に反射率RSの標準反射率資料と未知反射率資料とを用
い、受光器に生ずる光電流をそれぞれiS,iTとすると により未知反射率を測定でき、資料の反射面に溝が形成
されていても(1)式が適用される。
15を置き、資料15に光源窓16から拡散ガラス17を経てレ
ーザー光を照射し、拡散ガラス17′を経て側光窓18に固
定した受光器19と資料15との間には遮光板20が設けら
れ、資料15からの直射光は受光できない構成である。資
料に反射率RSの標準反射率資料と未知反射率資料とを用
い、受光器に生ずる光電流をそれぞれiS,iTとすると により未知反射率を測定でき、資料の反射面に溝が形成
されていても(1)式が適用される。
発明が解決しようとする問題点 前記の従来装置によると、積分球14の内面塗料を完全拡
散することが実際上困難であること、内壁の反射率も場
所によって若干の相異があること、資料15による反射光
源が点光源でなく光の自己吸収や反射を行なうこと、支
持棒21,21′や遮光板20が球内に存在することなどのた
めに(1)式は厳密に成り立たず、測定精度が十分でな
い上、資料を小さくするなどの測定条件にも制限があっ
た。本発明はかかる点に鑑みなされたもので、一定ピッ
チの溝が形成された反射面の反射率を測定する装置を提
供することを目的とする。
散することが実際上困難であること、内壁の反射率も場
所によって若干の相異があること、資料15による反射光
源が点光源でなく光の自己吸収や反射を行なうこと、支
持棒21,21′や遮光板20が球内に存在することなどのた
めに(1)式は厳密に成り立たず、測定精度が十分でな
い上、資料を小さくするなどの測定条件にも制限があっ
た。本発明はかかる点に鑑みなされたもので、一定ピッ
チの溝が形成された反射面の反射率を測定する装置を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明は一定ピッチの溝が形成された反射面に単色光を
照射し、その反射光の各回折方向にそれぞれ光量検出器
を設け、各光量検出器の検出感度を統一し、且光量検出
器の出力を総和することで反射面の反射率測定を行なう
ものである。
照射し、その反射光の各回折方向にそれぞれ光量検出器
を設け、各光量検出器の検出感度を統一し、且光量検出
器の出力を総和することで反射面の反射率測定を行なう
ものである。
作 用 この技術的手段による作用は次のようになる。一般に反
射面による反射率はその反射面を境にして接している媒
体の光学定数(もしくは反射面が多層の薄膜で構成され
ている場合は各層の光学定数とその厚み及び反射層に接
している外側の媒体の光学定数)によって一義的に決定
されるものであり、反射面に溝が形成されていても反射
回折する全光量は溝形状にならず一定である。特に一定
ピッチの溝に単色光を照射した場合の反射光は、その回
折方向がピッチと単色光の波長によって決定されるた
め、反射光の各回折方向にそれぞれ検出感度を統一した
光量検出器を設置し、各光量検出器の出力を総和するこ
とで溝のある反射面の反射率を測定することができる。
射面による反射率はその反射面を境にして接している媒
体の光学定数(もしくは反射面が多層の薄膜で構成され
ている場合は各層の光学定数とその厚み及び反射層に接
している外側の媒体の光学定数)によって一義的に決定
されるものであり、反射面に溝が形成されていても反射
回折する全光量は溝形状にならず一定である。特に一定
ピッチの溝に単色光を照射した場合の反射光は、その回
折方向がピッチと単色光の波長によって決定されるた
め、反射光の各回折方向にそれぞれ検出感度を統一した
光量検出器を設置し、各光量検出器の出力を総和するこ
とで溝のある反射面の反射率を測定することができる。
実施例 本発明の反射率測定装置の一実施例の構成図を第1図に
示す。半導体レーザー1を出射したレーザー光はコリメ
ーターレンズ2により集光され平行ビームとなり、ビー
ムスプリッタ3を反射し、λ/4 板4,絞りレンズ5を経
て溝面6に垂直に絞り込まれる。溝面6より反射回折し
た0次回折光は絞りレンズ5,λ/4 板4を経てビームス
プリッタ3を透過し、凸レンズ7により光量検出器8上
に集光される。また1次回折光,2次回折光,−1次回折
光,−2次回折光等もそれぞれ凸レンズ7a,7b,7c,7dに
より光量検出器8a,8b,8c,8d上に集光される。なお溝ピ
ッチをP,レーザー光の波長をλとすると0次回折光光軸
に対するn次回折光光軸のなす角θnはsinθn=nλ/
P(ただしn=±1,±2,……)で与えられ、各凸レンズ
及び各検出器はθnで決定される回折方向に設置されて
いる。
示す。半導体レーザー1を出射したレーザー光はコリメ
ーターレンズ2により集光され平行ビームとなり、ビー
ムスプリッタ3を反射し、λ/4 板4,絞りレンズ5を経
て溝面6に垂直に絞り込まれる。溝面6より反射回折し
た0次回折光は絞りレンズ5,λ/4 板4を経てビームス
プリッタ3を透過し、凸レンズ7により光量検出器8上
に集光される。また1次回折光,2次回折光,−1次回折
光,−2次回折光等もそれぞれ凸レンズ7a,7b,7c,7dに
より光量検出器8a,8b,8c,8d上に集光される。なお溝ピ
ッチをP,レーザー光の波長をλとすると0次回折光光軸
に対するn次回折光光軸のなす角θnはsinθn=nλ/
P(ただしn=±1,±2,……)で与えられ、各凸レンズ
及び各検出器はθnで決定される回折方向に設置されて
いる。
第2図は本実施例の検出系を説明するブロック図であ
る。各検出器8,8a,8b,8c,8dにより検出される信号を増
幅器9,9a,9b,9c,9dにより増幅し、各増幅器の増幅度を
調節することで各検出器の感度を統一する。増幅器後の
信号は加算器10により加算され、反射率信号11として出
力される。この反射率信号11を反射率既知の溝なし標準
反射板にて較正することにより、反射面6の反射率を知
ることが出来る。
る。各検出器8,8a,8b,8c,8dにより検出される信号を増
幅器9,9a,9b,9c,9dにより増幅し、各増幅器の増幅度を
調節することで各検出器の感度を統一する。増幅器後の
信号は加算器10により加算され、反射率信号11として出
力される。この反射率信号11を反射率既知の溝なし標準
反射板にて較正することにより、反射面6の反射率を知
ることが出来る。
また第2の実施例として、第1図での検出器8を検出器
8a,8b,8c,8dの位置に移動させ、それぞれの位置で検出
される出力を総和することで溝面の反射率を測定するこ
ともできる。
8a,8b,8c,8dの位置に移動させ、それぞれの位置で検出
される出力を総和することで溝面の反射率を測定するこ
ともできる。
なお第3図に示すように、溝面6が透明基板12でおおわ
れている場合、0次回折光の検出器8で検出される透明
基板表面13のみの反射光量を予め測定しておき、出力信
号の総和値により差し引けば、第一実施例と同様にし
て、溝面の反射率を測定することが出来る。
れている場合、0次回折光の検出器8で検出される透明
基板表面13のみの反射光量を予め測定しておき、出力信
号の総和値により差し引けば、第一実施例と同様にし
て、溝面の反射率を測定することが出来る。
発明の効果 以上述べてきたように本発明によれば、一定ピッチの溝
が形成された反射面の反射率測定が可能となり、増幅器
の増幅度を調節するだけで各回折光量の検出感度わ厳密
に統一できるため、精度のよい反射率測定が行なえる。
また反射資料を小さいものに限定する必要がなく、反射
率測定器としてきわめて有用である。
が形成された反射面の反射率測定が可能となり、増幅器
の増幅度を調節するだけで各回折光量の検出感度わ厳密
に統一できるため、精度のよい反射率測定が行なえる。
また反射資料を小さいものに限定する必要がなく、反射
率測定器としてきわめて有用である。
第1図は本発明の一実施例における反射率測定装置の構
成図、第2図は同実施例の検出系を説明するブロック
図、第3図は溝面が透明基材におおわれている反射資料
の断面図、第4図は従来の反射率測定装置の構成図であ
る。 1……半導体レーザー、2……コリメータレンズ、3…
…ビームスプリッタ、4……λ/4板、5……絞りレン
ズ、6……反射面、7,7a,7b,7c,7d……凸レンズ、8,8a,
8b,8c,8d……光量検出器。
成図、第2図は同実施例の検出系を説明するブロック
図、第3図は溝面が透明基材におおわれている反射資料
の断面図、第4図は従来の反射率測定装置の構成図であ
る。 1……半導体レーザー、2……コリメータレンズ、3…
…ビームスプリッタ、4……λ/4板、5……絞りレン
ズ、6……反射面、7,7a,7b,7c,7d……凸レンズ、8,8a,
8b,8c,8d……光量検出器。
Claims (1)
- 【請求項1】一定ピッチの溝が形成された反射面に単色
光を照射し、その反射光の各回折方向にそれぞれ光量検
出器を設け、前記各光量検出器の検出感度を統一し、前
記各光量検出器の出力を総和することで前記反射面の反
射率を測定することを特徴とする反射率測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13409886A JPH0675035B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 反射率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13409886A JPH0675035B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 反射率測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62289749A JPS62289749A (ja) | 1987-12-16 |
JPH0675035B2 true JPH0675035B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=15120394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13409886A Expired - Lifetime JPH0675035B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 反射率測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0675035B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100200868B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-06-15 | 윤종용 | 광픽업 장치 |
SG177786A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-02-28 | Semiconductor Tech & Instr Inc | System and method for capturing illumination reflected in multiple directions |
CN102564954A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-11 | 苏州生物医学工程技术研究所 | 一种用于干式化学分析的多通道光电检测装置 |
CN105549341A (zh) | 2012-02-21 | 2016-05-04 | Asml荷兰有限公司 | 检查设备和方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13409886A patent/JPH0675035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62289749A (ja) | 1987-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |