JPS62289749A - 反射率測定装置 - Google Patents
反射率測定装置Info
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- JPS62289749A JPS62289749A JP13409886A JP13409886A JPS62289749A JP S62289749 A JPS62289749 A JP S62289749A JP 13409886 A JP13409886 A JP 13409886A JP 13409886 A JP13409886 A JP 13409886A JP S62289749 A JPS62289749 A JP S62289749A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は一定ピッチに溝が形成されている反射面の反射
率測定を行なう装置に関するものである。
率測定を行なう装置に関するものである。
従来の技術
従来例として例えば光学技術ノ・ンドプック（朝倉書店
、昭５０．７．２０．Ｐ３３０もしくはＰ２Ｓ５）ｉＣ
示されているように、内壁が一様な反射率をもつ完全拡
散反射面である球（積分球）を利用した原形光束計が上
げられる。
、昭５０．７．２０．Ｐ３３０もしくはＰ２Ｓ５）ｉＣ
示されているように、内壁が一様な反射率をもつ完全拡
散反射面である球（積分球）を利用した原形光束計が上
げられる。
第４図にその構成図を示すが、積分球１４内に反射率資
料１５を置き、資料１５に光源窓１６から拡散ガラス１
７を経てレーザー光を照射し、拡散ガラス１プを経て測
光窓１８に固定した受光器１９と資料１５との間には遮
光板２ｏが設けられ、資＃＋１５からの直射光は受光で
きない構成である。
料１５を置き、資料１５に光源窓１６から拡散ガラス１
７を経てレーザー光を照射し、拡散ガラス１プを経て測
光窓１８に固定した受光器１９と資料１５との間には遮
光板２ｏが設けられ、資＃＋１５からの直射光は受光で
きない構成である。
資料に反射率Ｒｓの標１反射率資料と未知反射率資料と
を用い、受光器に生ずる光電流をそれぞれｉｓ、ｉＴと
すると Ｔ ＲＴ−Ｒ８（−７−） ・・・・・・・・・・（
１）Ｓ により未知反射率を測定でき、資料の反射面に溝が形成
されていても（１）式が適用される。
を用い、受光器に生ずる光電流をそれぞれｉｓ、ｉＴと
すると Ｔ ＲＴ−Ｒ８（−７−） ・・・・・・・・・・（
１）Ｓ により未知反射率を測定でき、資料の反射面に溝が形成
されていても（１）式が適用される。
発明が解決しようとする問題点
前記の従来装置によると、積分球１４の内面塗料を完全
拡散にすることが実際上困難であること、内壁の反射率
も陽所によって若干の相異があること、資料１５による
反射光源が点光源でなく光の自己吸収や反射を行なうこ
と、支持棒２１．２１’−１′＝遮光板２０が球内に存
在することなどのために（１）式は厳密に成り立たず、
測定相変が十分でない上、資料を小さくするなどの測定
条件にも制限があった。本発明はかかる点に鑑みなされ
たもので、一定ピツチの溝が形成された反射面の反射率
を測定する装置を提供することを目的とする。
拡散にすることが実際上困難であること、内壁の反射率
も陽所によって若干の相異があること、資料１５による
反射光源が点光源でなく光の自己吸収や反射を行なうこ
と、支持棒２１．２１’−１′＝遮光板２０が球内に存
在することなどのために（１）式は厳密に成り立たず、
測定相変が十分でない上、資料を小さくするなどの測定
条件にも制限があった。本発明はかかる点に鑑みなされ
たもので、一定ピツチの溝が形成された反射面の反射率
を測定する装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は一定ピンチの溝が形成された反射面に単色光を
照射し、その反射光の各回折方向にそれぞれ光量検出器
を設け、各光量検出器の検出感度を統一し、各光量検出
器の出力を総和することで反射面の反射率測定を行なう
ものである。
照射し、その反射光の各回折方向にそれぞれ光量検出器
を設け、各光量検出器の検出感度を統一し、各光量検出
器の出力を総和することで反射面の反射率測定を行なう
ものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
一般に反射面による反射率はその反射面を境にして接し
ている媒体の光学定数（もしくは反射面が多層の薄膜で
構成されている場合は各層の光学定数とその厚み及び反
射層に接している外側の媒体の光学定数）によって一義
的に決定されるものであり、反射面に溝が形成されてい
ても反射回折する全光量は溝形状によらず一定である。
ている媒体の光学定数（もしくは反射面が多層の薄膜で
構成されている場合は各層の光学定数とその厚み及び反
射層に接している外側の媒体の光学定数）によって一義
的に決定されるものであり、反射面に溝が形成されてい
ても反射回折する全光量は溝形状によらず一定である。
特に一定ピツチの溝に単色光を照射した場合の反射光は
、その回折方向がピンチと単色光の波長によって決定さ
れるため、反射光の各回折方向にそれぞれ検出感度を統
一した光量検出器を設置し、各光量検出器の出力を総和
することで溝のある反射面の反射率を測定することがで
きる。
、その回折方向がピンチと単色光の波長によって決定さ
れるため、反射光の各回折方向にそれぞれ検出感度を統
一した光量検出器を設置し、各光量検出器の出力を総和
することで溝のある反射面の反射率を測定することがで
きる。
実施例
本発明の反射率測定装置の一実施例の構成図を第１図に
示す。半導体レーザー１を出射したレーザー光はコリメ
ーターレンズ２により集光され平行ビームとなり、ビー
ムスプリッタ３を反射し、λ／４ 板４．絞りレンズ５
を経て溝面６に垂直に絞り込まれる。溝面６より反射回
折したＯ次回新党は絞りレンズ６．λ／４板４を経てビ
ームスプリッタ３を透過し、凸レンズ７により光量検出
器８上に集光される。また１次回折光、２次回折光。
示す。半導体レーザー１を出射したレーザー光はコリメ
ーターレンズ２により集光され平行ビームとなり、ビー
ムスプリッタ３を反射し、λ／４ 板４．絞りレンズ５
を経て溝面６に垂直に絞り込まれる。溝面６より反射回
折したＯ次回新党は絞りレンズ６．λ／４板４を経てビ
ームスプリッタ３を透過し、凸レンズ７により光量検出
器８上に集光される。また１次回折光、２次回折光。
−１次回折光、−２次回折光等もそれぞれ凸レンズ７ａ
、７ｂ、７ｃ、７ｄにより光量検出器８ａ。
、７ｂ、７ｃ、７ｄにより光量検出器８ａ。
ｓｂ、ｓｃ、ｓｄ上に集光される。なお溝ピッチをＰ、
レーザー光の波長をλとすると０次回新党光軸に対する
ｎ次回舌先光軸のなす角θ。はｓｉΩθ。＝ｎλ／Ｐ（
ただしｎ＝±１．±２．・・・・・・）で与えられ、各
凸レンズ及び各検出器はθ。で決定される回折方向に設
置されている。
レーザー光の波長をλとすると０次回新党光軸に対する
ｎ次回舌先光軸のなす角θ。はｓｉΩθ。＝ｎλ／Ｐ（
ただしｎ＝±１．±２．・・・・・・）で与えられ、各
凸レンズ及び各検出器はθ。で決定される回折方向に設
置されている。
第２図は本実施例の検出系を説明するブロック図である
。各検出器８．８ａ 、ｓｂ 、８ｃ 、ｓｄにより検
出される信号を増幅器９，９ａ、９ｂ。
。各検出器８．８ａ 、ｓｂ 、８ｃ 、ｓｄにより検
出される信号を増幅器９，９ａ、９ｂ。
９ｃ、９ｄにより増幅し、各増幅器の増幅度を調節する
ことで各検出器の感度を統一する。増幅器後の信号は加
算器１０により加算され、反射率信号１１として出力さ
れる。この反射率信号１１を反射率既知の溝なし標準反
射板にて較正することにより、反射面６の反射率を知る
ことが出来る。
ことで各検出器の感度を統一する。増幅器後の信号は加
算器１０により加算され、反射率信号１１として出力さ
れる。この反射率信号１１を反射率既知の溝なし標準反
射板にて較正することにより、反射面６の反射率を知る
ことが出来る。
また第２の実施例として、第１図での検出器８を検出器
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの位置に移動させ、それぞれの
位置で検出される出力を総和することで溝面の反射率を
測定することもできる。
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの位置に移動させ、それぞれの
位置で検出される出力を総和することで溝面の反射率を
測定することもできる。
々お第３図に示すように、溝面６が透明基板１２で２お
われている場合、０次回折光の検出器８で検出される透
明基板表面１３のみの反射光量を予め測定しておき、出
力信号の総和値よシ差し引けば、第一実施例と同様にし
て、溝面の反射率を測定することが出来る。
われている場合、０次回折光の検出器８で検出される透
明基板表面１３のみの反射光量を予め測定しておき、出
力信号の総和値よシ差し引けば、第一実施例と同様にし
て、溝面の反射率を測定することが出来る。
発明の効果
以上述べてきたように本発明によれば、一定ピツチの溝
が形成された反射面の反射率測定が可能となり、増幅器
の増幅度を調節するだけで各回折光量の検出感度を厳密
に統一できるため、音度のよい反射率測定が行なえる。
が形成された反射面の反射率測定が可能となり、増幅器
の増幅度を調節するだけで各回折光量の検出感度を厳密
に統一できるため、音度のよい反射率測定が行なえる。
また反射資料を小さい・ものに限定する必要がなく、反
射率測定器としてきわめて有用である。
射率測定器としてきわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例における反射率測定装置の構
成図、第２図は同実施例の検出系を説明するブロック図
、第３図は溝面が透明基材におおわれている反射資料の
断面図、第４図は従来の反射率測定装置の構成図である
。 １・・・・・・半導体レーザー、２・・・・・・コリメ
ータレンズ、３・・・・・・ビームスプリッタ、４・・
・・・・λ／４板、５・・・・・・絞りレンズ、６・・
・・・・反射面、７ 、７ ａ、 ７ｂ。 ７ ｃ 、 ７ ｃｌ−＝−凸レンズ、８．８ａ、８ｂ
、８ｃ。 ８ｄ・・・・・・光量検出器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−手硼一木トンス゛ ど−−−コ１刀←タレンス１ Ｊ −一七：＝−一と二、ニスζ７す〜ノボ５【４−−
−λ／４販 ６−一未（リレンス゛ ６−４射面 ７．７ａ、７ｂ、７Ｃ、’Ｉｄ −−−ピ’ｒＬ７＞
７＜’第２０
成図、第２図は同実施例の検出系を説明するブロック図
、第３図は溝面が透明基材におおわれている反射資料の
断面図、第４図は従来の反射率測定装置の構成図である
。 １・・・・・・半導体レーザー、２・・・・・・コリメ
ータレンズ、３・・・・・・ビームスプリッタ、４・・
・・・・λ／４板、５・・・・・・絞りレンズ、６・・
・・・・反射面、７ 、７ ａ、 ７ｂ。 ７ ｃ 、 ７ ｃｌ−＝−凸レンズ、８．８ａ、８ｂ
、８ｃ。 ８ｄ・・・・・・光量検出器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−手硼一木トンス゛ ど−−−コ１刀←タレンス１ Ｊ −一七：＝−一と二、ニスζ７す〜ノボ５【４−−
−λ／４販 ６−一未（リレンス゛ ６−４射面 ７．７ａ、７ｂ、７Ｃ、’Ｉｄ −−−ピ’ｒＬ７＞
７＜’第２０
Claims (1)
- 一定ピッチの溝が形成された反射面に単色光を照射し、
その反射光の各回折方向にそれぞれ光量検出器を設け、
前記各光量検出器の検出感度を統一し、前記各光量検出
器の出力を総和することで前記反射面の反射率を測定す
ることを特徴とする反射率測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409886A JPH0675035B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 反射率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409886A JPH0675035B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 反射率測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62289749A true JPS62289749A (ja) | 1987-12-16 |
| JPH0675035B2 JPH0675035B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=15120394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13409886A Expired - Lifetime JPH0675035B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 反射率測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675035B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780840A1 (en) * | 1995-12-22 | 1997-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| EP2407772A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-01-18 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd. | System and method for capturing illumination reflected in multiple directions |
| CN102564954A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-11 | 苏州生物医学工程技术研究所 | 一种用于干式化学分析的多通道光电检测装置 |
| US10274370B2 (en) | 2012-02-21 | 2019-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13409886A patent/JPH0675035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780840A1 (en) * | 1995-12-22 | 1997-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US5841754A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device having an objective lens and auxiliary lenses exterior thereof |
| EP2407772A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-01-18 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd. | System and method for capturing illumination reflected in multiple directions |
| CN102564954A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-11 | 苏州生物医学工程技术研究所 | 一种用于干式化学分析的多通道光电检测装置 |
| US10274370B2 (en) | 2012-02-21 | 2019-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675035B2 (ja) | 1994-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |