JPH0443358A - チップ位置識別パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 ウェハーから製造される半導体装置が、そのウェハーの
どの位置から製造されたかを識別するための識別パター
ンを形成する方法に関し、パターンの形成及びパターン
の識別が共に容易であることを目的とし、 半導体装置製造時のホトリソグラフィ工程において、ウ
ェハーへの露光は、製品パターンと識別パターン位置判
定用のスケールパターンとを有する第１のレチクルと、
該識別パターン位置判定用のスケールパターンに対応し
てチップの位置情報を示す識別パターンを有する第２の
レチクルとを用いて露光し、識別パターンは各チップ毎
にスケールパターン上の異なる位置に対応するように露
光するように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はウェハーから製造される半導体装置が、そのウ
ェハーのどの位置から製造されたかを識別するためのチ
ップ位置識別パターンの形成方法に関する。

近年の半導体製品においては、高密度化のためにパター
ンが著しく微細化している。パターンの微細化は微小な
異物、条件変動等により不良製品が生ずることが多くな
る。これら不良原因の解析の為、ウェハー処理時の不良
製品チップの位置を確認することが必要となる。このた
め、ウェハー上の各チップ毎に位置情報がわかる識別パ
ターンが必要となるが、この識別パターンは容易に形成
することができ、且つ容易に識別できることが必要であ
る。

〔従来の技術〕

従来のチップ位置識別パターンは第３図（ａ）に示すよ
うにウェハー１の製品パターン２を形成した各チップ３
毎に異なる形状パターン（例えば数字）４をレチクルを
用いず電子ビーム等で形成し、その形状により識別する
方法とか、第３図（ｂ）に示すようにレチクルを利用し
、各チップ毎の異なる位置に同形のパターン５を形成し
、その形成位置により識別する方法等が用いられている
。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来のチップ位置識別パターンの形成方法において
、第３Ｅｉ０　（ａ）に示すものは、パターン形成に同
じレチクルによる転写ができず（レチクルパターンが何
百と必要になってしまうため）、スループット比の低い
電子ビーム、レーザ等のビーム露光によらざるを得す、
所要工数が大となるという問題があり、また第３図（ｂ
）に示す方法は、各チップ毎の識別用パターン形状が同
じなので同一レチクルによるスルーブツト比の高いパタ
ーン形成は可能であるが、パターンから位置情報を識別
する方法において、目視識別には不向きであり、測定装
置に頼らざるを得す、測定に時間を要するという問題が
ある。

本発明は上記従来の問題点に鑑み、パターンの形成及び
パターンの識別が共に容易であるチップ位置識別パター
ンの形成方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するた於に本発明のチップ位置識別パタ
ーンの形成方法では、半導体装置製造時のホトＩＪソゲ
ラフイエ程において、ウェハー１５への露光は、製品パ
ターン１２と識別パターン位置判定用のスケールパター
ン１３とを有する第１のレチクル１０と、該識別パター
ン位置判定用のスケールパターン１３に対応してチップ
１６の位置情報を示す識別パターン１４を有する第２の
レチクル１１とを用いて露光し、識別パターン１４は各
チップ１６毎にスケールパターン１３上の異なる位置に
対応するように露光することを特徴とする。

〔作　用〕

本発明は、製品パターン１２を有する第１のレチクル１
０に識別パターン位置判定用のスケールパターン１３を
形成し、これをウェハー１５に転写することにより、別
のチップ位置情報を示す識別パターン１４を有する第２
のレチクル１１で転写した識別パターン１４を、前記識
別パターン位置判定用のスケールパターン１３を用いて
目測で位置判定することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例のチップ位置識別パターンの形
成方法を説明するための図であり、第２図はそれに用い
るレチクルを示す図である。

本実施例は半導体装置製造時のホ）　ＩＪソゲラフイエ
程において、第２図（ａ）（ｂ）に示す２枚のレチクル
１０．１１を用いて露光するのであるが、（ａ）図に示
す第１のレチクルは製品パターン１２と識別パターン位
置判定用のスケールパターン１３とを有している。なお
スケールパターン１３は図において、レチクル１０の２
辺に各１つずつ設けられているが、２辺とは限らず１辺
又は３．４辺に設けても良い。また１つの辺に１つとは
限らず平行して複数設けても良い。またスケールパター
ン１３の形状は図では直線パターンに４個の凸起を設け
た形状であるが、凸起の数は４個とは限らず増減しても
良い。

第２のレチクル１１は同図（ｂ）に示すように１個の識
別パターン１４のみが設けられている。なお識別パター
ン１４の形状は、図では四角形であるが、丸等他の形状
であっても良い。

本実施例のチップ位置識別パターンの形成方法は、先ず
前記第１のレチクル１０を用い、ステッパーにより第１
図（ａ）に示すようにウェハー１５上の各チップ位置に
製品パターン１２及びスケールパターン１３を転写する
。次に前記第２のレチクル１１を用い、ステッパーによ
り第１図（ｂ）に示すように各チップ１６−１〜１６−
４に識別パターン１４を転写する。この際の識別パター
ン１４は各チップ１６−１〜１６−４毎にスケールパタ
ーン１３の凸起に対向する位置（組合わせ）、を変える
。例えば図の如く縦方向のスケールパターン１３の凸起
を上から、イ、口、ハ、二とし、水平方向のスケールパ
ターン１３の凸起を左からＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄとしたとき、
スケールパターン１３に対応する識別パターン１４の位
置は、チップ１６−１が口とＢ１チップ１６−２が口と
Ｃ１チップ１６−３がハとＢ１チップ１６−４がハとＣ
というように転写する。

このようにスケールパターン１３と識別パターン１４を
転写されたチップは、識別パターン１４の位置をスケー
ルパターン１３のどの突起に対応しているのか、目視で
容易に確認することができる。またウェハー１５上の各
チップ１６の識別パターン１４の位置を記録しておけば
各チップをウェハー１５から分離した後でも、分離前の
チップ位位置を知ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明によればチップ位置識別パタ
ーンを２枚のレチクルで形成し、ビーム露光を必要とし
ないため、その形成は極とて容易である。また、識別パ
ターンの位置はスケールパターンにより補的で容易に、
目視でも確認でき、顕微鏡等の測定装置を必要としない
ため、測定時間の短縮が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の実施例に用いるレチクルを示す図、 第３図は従来のチップ位置識別パターンを説明するため
の図である。 図において、 １０は第１のレチクノペ １１は第２のレチクノペ １２は製品のパターン、 １３はスケールパターン、 １４は識別パターン、 １５はウェハー １６．１６−、〜１６−４はチップ を示す。 本発明の実施例に用いるレチクルを示す図案２図 １０　第１のレチクル １１　第２のレチクル １２　製品のパターン １３・スケールパター７ Ｉ　４−［別バター７

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体装置製造時のホトリソグラフィ工程において
   、ウェハー（１５）への露光は、製品パターン（１２）
   と識別パターン位置判定用のスケールパターン（１３）
   とを有する第１のレチクル（１０）と、該識別パターン
   位置判定用のスケールパターン（１３）に対応してチッ
   プ（１６）の位置情報を示す識別パターン（１４）を有
   する第２のレチクル（１１）とを用いて露光し、識別パ
   ターン（１４）は各チップ（１６）毎にスケールパター
   ン（１３）上の異なる位置に対応するように露光するこ
   とを特徴とするチップ位置識別パターンの形成方法。