JP2005252281A - 基板の表側または裏側に結像するためのリソグラフィ装置、基板識別方法、デバイス製造方法、基板、およびコンピュータプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板W上の整列マークP1、参照マークP2または回路形態の二つのマーカの位置をセンサMSにより測定し、それらの間の距離を識別ユニットIUで計算し且つMEM1およびMEM2に記憶してある所定の値と比較してその基板を識別し、またはこの基板に適用する処理工程を決め、またはこのシステムの整列値を自動的に調整等する。センサMSが基板Wの両面を読取れるので、これらのマーカは、基板Wの表にあっても裏にあってもよく、マーカをスクライブレーンに設けることもできるので、IC製作のための基板有効面積を減らすことがない。
【選択図】図1
Description
放射線(例えば、UV放射線またはEUV放射線)の投影ビームPBを供給するための照明システム(照明器)IL;
パターニング構造体(例えば、マスク)MAを支持し、且つこのパターニング構造体を部材PLに関して正確に位置決めするために第1位置決め装置段PMに結合された第1支持構造体(例えば、マスクテーブル)MT;
基板(例えば、レジストを塗被したウエハ)Wを保持し、且つこの基板を部材PLに関して正確に位置決めするために第2位置決め装置PWに結合された基板テーブル(例えば、ウエハテーブル)WT;および
パターニング構造体MAによって投影ビームPBに与えたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に結像するための投影システム(例えば、屈折性投影レンズ)PLを含む。
1.ステップモードでは、投影ビームに与えた全パターンを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露光で)投影しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを本質的に固定して保持する。次に基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露光できるようにする。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像する目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードでは、投影ビームの与えたパターンを目標部分C上に投影(即ち、単一動的露光で)しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期して走査する。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの(縮)倍率および像反転特性によって決る。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光での目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の(走査方向の)高さを決める。
上に説明した使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
一例として、整列マークパターンM1@MA1と参照マークパターンM2@MA1の間の相対x座標は、dxM1toM2@MA1である。
dxP1toP2@W1=xP1@W1−xP2@W1
第2メモリユニットMEM2(図1)に第1メモリ項目として記憶し、それが基板W1を識別する。
dxP1toP2@W2=xP1@W2−xP2@W2
第2メモリユニットMEM2に第2メモリ項目として記憶し、それが基板W2を識別する。
rdxP1toP2@W1=dxP1toP2@W1+pe1+me1
但し、pe1は位置誤差、me1は測定誤差(図10参照)である。位置誤差の例は、パターニング構造体MA1の生産中にパターニング構造体MA1上の回路パターンCP1@MA1と参照マークP2@MA1の間の距離に作る誤差である。先に説明したように、このリソグラフィ装置は、回路パターンCP1@MA1、参照マークP2@MA1および/または整列マークP1@MA1を別々に投影するかも知れない。実際に、回路パターンCP1@MA1の像を基板W1上の各目標部分C(図1)に付ける場合、参照マークP2@MA1の一つの像と整列マークP1@MA1の一つの像だけを基板W1上に付ける。この結像は、パターニング構造体MA1上の相対位置および基板W1上の所定の位置についての情報を使って行う。
測定誤差の例は、マークセンサが作る誤差および位置センサIFが作る誤差(図1)である。
rdxP1toP2@W2=dxP1toP2@W2+pe2+me2。
両実測相対距離rdxP1toP2@W1およびrdxP1toP2@W2は、誤差項を含むかも知れない。識別ユニットIUは、実測距離wDを基板W1および基板W2上の基板整列マークP1および基板参照マークP2の間の所定の距離dxP1toP2@W1およびdxP1toP2@W2と比較する。所定の距離dxP1toP2@W1およびdxP1toP2@W2のどれも実測距離wDと等しくないことも有り得る。識別ユニットIUは、この実測距離wDと所定の距離の各々との差を決めるだろう。実測距離wDとの最小差の所定の距離を基板を識別するときに選択してもよい。|wD−dxP1toP2@W1|<|wD−dxP1toP2@W2|の場合、識別ユニットIUは、この基板をW1と認定するだろう。|wD−dxP1toP2@W1|>|wD−dxP1toP2@W2|の場合、識別ユニットIUは、この基板をW2と認定するだろう。
xCP1@W=xP2@W+dCP1toP2@W。 (1)
処理した基板W1上では、この距離をrdCP1toP2@W1と呼ぶ。所定の距離dCP1toP2@Wとの関係は、
rdCP1toP2@W1=dCP1toP2@W1+ε1。 (2)
この項ε1は、位置誤差pelに類似する位置誤差である。
rdCP1toP1@W1=dCP1toP1@W1+δ1 (3)
但し、δ1は、位置誤差ε1に類似する位置誤差である。
rdCP1toP1@W2=dCP1toP1@W2+δ2 (4)
但し、δ2は、位置誤差ε1およびδ1に類似する位置誤差である。
xP2@W1=xP2@W1+ξ1。 (5)
この項ξ1は、測定誤差melに類似する測定誤差である。
xP1@W1=xP1@W1+ζ1。 (6)
この項ζ1も測定誤差である。この誤差は、例えばノイズのために、測定誤差ξ1に等しい必要はない。
xCP1@W1=xP2@W1+dCP1toP2@W1。 (7)
ここで、第1回路パターンの実現した位置xCP1@W1は測定できないので、この実現した距離の代りにCP1toP2@W1間の所定の距離を使うことに注目すべきである。
xCP1@W2=xP2@W2+dCP1toP2@W2。 (8)
基板W1上の第1回路パターンCP1@W1の位置は、基板整列マークP1@W1の実測位置からも推定できる。これは、次によって行うことができる
xCP1@W1=xP1@W1+dCP1toP1@W1。 (9)
基板W2に対し、第1回路パターンCP1@W2の位置を次によって推定することができる
xCP1@W2=xP1@W2+dCP1toP1@W2。 (10)
xCP1@W1=(xP2@W1+dCP1toP2@W1
+xP1@W1+dCP1toP1@W1)/2。 (11)
式5、2、6および3を書込むと、如何に誤差が推定したxCP1@W1に入り込むかが明確になる。
xCP1@W1=(xP2@W1+ξ1+rdCP1toP2@W1−ε1
+xP1@W1+ζ1+rdCP1toP1@W1−δ1)/2。 (12)
ORm=座標U1−座標F1
但し、座標U1は形態U1の座標の略であり、座標F1は形態F1の座標の略である。
マスクMA上の整列領域M1の位置は分っている。従って、このマスクをこのリソグラフィ装置に関して整列できる。
ORm=座標U5−座標F5
但し、形態F5の座標F5は、整列領域の座標系にあり、形態U5の座標U5は、カメラCAMの座標系にある。これは、次にこのマスクをこのリソグラフィ装置に関して整列できるようにする。
1.形態を特定の放射線に対して低反射性の点によって作ってもよい。これらの点の外部の領域は、その放射線に対して高反射性だろう。
2.形態を特定の放射線に対して背景と異なる透過率の点によって作ってもよい。そうするとこのマスクをセンサ(センサがCCDカメラのような位置感応装置である場合)またはセンサの組み(センサが位置感応装置でなく、例えば、フォトセルである場合)と放射線源との間に置くだろう。
3.形態を、特定の入射放射線を背景がこの入射放射線を散乱する方向とは異なる方向に散乱する点で作ってもよい。
4.形態を、特定の入射放射線を背景がこの入射放射線を回折する方向とは異なる方向に回折する点で作ってもよい。
5.形態が整列領域の残りより上に隆起した領域でもよい。測定面に平行な光を放射することによって、そのような形態の存在がこの放射線を阻止するだろう。この放射線源に対向するセンサがそれならば形態の存在を検出できるだろう。
整列領域で形態の位置情報を決めることができるどんな装置も使えることが分るだろう。これらの形態は、ピック・アンド・プレース部品、バイアまたは導電領域のような、回路形態でもよい。
当業者には、参照情報を別の方法で設けてもよいことが分るだろう。この参照情報を、位置処理装置PPDに接続した別のメモリユニット(例えば、半導体メモリまたは一つ以上のディスクドライブ)に記憶することができる。
14 ミラー
16 レンズ
18 レンズ
C 目標部分
IU 識別ユニット
MA パターニング構造体
MEM メモリユニット
MS センサ
W 基板
Claims (26)
- 基板上の第1および第2形態の位置を測定するように構成したセンサ、
実測位置に基づいた第1および第2形態の相対位置を、複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の少なくとも一つと比較するように構成した識別ユニットにして、前記複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の各々が少なくとも一つの基板を特徴付ける情報に関連されている識別ユニット、を含むリソグラフィ装置であって、
前記識別ユニットが第1および第2形態の相対位置と複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の一つとの間の対応を示すように構成されているリソグラフィ装置。 - 少なくとも一つの基板を特徴付ける情報が、基板の素性、較正基板の高さ情報、基板が属する基板の組の中の基板の数量、基板が受けた先の処理作業の日付、リソグラフィプロセスの先の作業で使用した装置、およびリソグラフィプロセスの先の作業で使用したパターニング構造体の少なくとも一つを示す請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 識別ユニットが第1および第2形態の相対位置と、値が相対位置に最も近い、記憶した第1および第2形態の相対位置との間の対応を示すように構成してある請求項2に記載されたリソグラフィ装置。
- 第1および第2形態の相対位置が第1方向の第1距離および第1方向と異なる第2方向の第2距離を含み、
そこで識別ユニットが第1距離を第1方向の少なくとも一つの記憶した距離と比較するように構成してあり、第1方向の少なくとも一つの記憶した距離は、対応する基板についての情報を示し、そして
そこで識別ユニットが第2距離を第2方向の少なくとも一つの記憶した距離と比較するように構成してあり、第2方向の少なくとも一つの記憶した距離は、対応する基板についての情報を示す請求項1に記載されたリソグラフィ装置。 - 少なくとも一つのセンサによって測定した通りの第1形態の位置に基づいて基板を位置付けるように構成した位置決め構造体を含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の一つに基づいて、基板の位置を決めるように構成した位置決め構造体を含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の一つに関連する少なくとも一つの基板を特徴付ける情報に基づいて、装置を較正するように構成した位置決め構造体を含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 識別ユニットが論理素子のアレイおよび論理素子のアレイによって実行可能な命令を記憶するメモリを含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 基板が互いに対して独特な位置を有する複数の形態を含み、センサが参照位置に対応する複数の形態の位置を測定するように構成してあり、前記装置がさらに、
参照位置の位置に対応して、複数の形態の位置を示す参照情報を記憶するように構成したメモリユニット、および
センサにおよびメモリユニットに接続され、複数の形態の中から第1および第2形態を識別するように構成したプロセッサ装置、を含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。 - 基板が該基板の第1側に配置した目標部分および基板の第2側に配置した形態部分を含み、第2側は第1側と背中合せに位置し、第2側は、その上に複数の形態が位置し、さらに、
複数の形態の像を基板の第2側から基板の周囲の外にある平面上に伝達するように構成した光学システムを含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。 - 前記光学システムが複数の形態の像を第2側からセンサの捕捉範囲内に置く請求項10に記載されたリソグラフィ装置。
- 基板に関する情報を得る方法であって、
基板上の第1および第2形態の位置を測定する工程、
基板上の第1形態と第2形態との間の実測位置に基づく相対位置を、複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の少なくとも一つと比較される工程であって、複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の各々が少なくとも一つの基板を特徴付ける情報に関連される工程、および
第1および第2形態の相対位置と複数の記憶した第1および第2形態の相対位置の一つの間の対応を表示する工程、を含む方法。 - 対応を表示する工程が第1および第2形態の相対位置と、値が相対位置に最も近い、記憶した第1および第2形態の相対位置との間の対応を表示する工程を含む請求項12に記載された方法。
- 基板が互いに対して独特な位置を有する複数の形態を含み、前記方法がさらに、
参照位置に基づいて複数の形態の位置を測定する工程、および
複数の形態の中から第1および第2形態を識別する工程、を含む請求項12に記載された方法。 - 光ビームを、複数の形態を含む基板の第2側の形態部分上に投影する工程であって、基板の第2側が基板の目標部分を有する第1側と背中合せにある工程、および
複数の形態の像を基板の第2側から基板の周囲の外にある平面上に創る工程、をさらに含む請求項12に記載された方法。 - 複数の形態の像を、基板上の第1および第2形態の位置の測定ができるようにするために、捕捉範囲内に置く工程、をさらに含む請求項15に記載された方法。
- 各々マーカおよびマーカに対応して独特の位置に形態を有する、1組の基板上に複数のデバイスを製造する工程、
組の基板の少なくとも一つのために、形態およびマーカの少なくとも一つの、他の形態およびマーカに対応する位置を測定する工程、
実測相対位置をデータ集合の複数の項目の少なくとも一つと比較し、各項目が基板の組の一つのマーカおよび形態間の相対位置に対応する工程、および
実測相対位置に対応する項目を選択することによって基板を識別する工程、を含み、
前記製造工程が基板の素性に基づいて処理作業を修正する工程を含むデバイス製造方法。 - 基板を標識付けする方法であって、
第1形態を備える基板を用意する工程、
第2形態を備える基板を用意する工程、および
第1および第2形態の相対位置と基板を特徴付ける情報の間の対応を記録する工程、を含む方法。 - 基板が一組の基板の一部であり、そして、基板を特徴付ける情報が前記一組の基板の各々に共通である請求項18に記載された方法。
- 基板が一組の基板の一部であり、そして、基板を特徴付ける情報が前記基板を前記一組の基板における他の基板と区別する請求項18に記載された方法。
- 基板が一組の基板の一部であり、そして情報が、基板の素性、較正基板の高さ情報、基板が属する基板の組の中の基板の数量、基板が受けた先の処理作業の日付、基板が受けた先の処理作業の時間、リソグラフィプロセスの先の作業で使用した装置、およびリソグラフィプロセスの先の作業で使用したパターニング構造体の少なくとも一つを示す請求項18に記載された方法。
- デバイス製造方法であって、
各々基板の位置を示すマーカおよびマーカに対応する位置に形態を有する、1組の基板上に複数のデバイスを製造する工程、
前記1組の基板の一つのために、マーカと形態の相対位置を決定する工程、を含み、
前記製造工程が、決定した相対位置に基づいて、基板への処理作業の態様を選択する工程を含む方法。 - リソグラフィ基板であって、
第1形態、および
第1形態とある相対位置にある第2形態を含み、
相対位置が基板上に符号化した情報を示す基板。 - 情報が、基板の素性、較正基板の高さ情報、基板が属する基板の組の中の基板の数量、基板が受けた先の処理作業の日付、基板が受けた先の処理作業の時間、リソグラフィプロセスの先の作業で使用した装置、およびリソグラフィプロセスの先の作業で使用したパターニング構造体の少なくとも一つを示す請求項23に記載されたリソグラフィ基板。
- 第1形態を基板上に第1時点に創成し、そして
第2形態を基板上に第1時点と別の第1時点に創成する請求項23に記載されたリソグラフィ基板。 - 第1形態を基板上に第1時点の露出によって結像し、そして
第2形態を基板上に第1時点から非露出時間だけ離れた第2時点の露出によって結像する請求項23に記載されたリソグラフィ基板。
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