JPH0443049A - サーマルヘッドと厚膜金電極へのメッキ方法 - Google Patents
サーマルヘッドと厚膜金電極へのメッキ方法Info
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- JPH0443049A JPH0443049A JP15117990A JP15117990A JPH0443049A JP H0443049 A JPH0443049 A JP H0443049A JP 15117990 A JP15117990 A JP 15117990A JP 15117990 A JP15117990 A JP 15117990A JP H0443049 A JPH0443049 A JP H0443049A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 69
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010931 gold Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002023 wood Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002344 gold compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は厚膜金電極を備えたサーマルヘッドと、サーマ
ルヘッドや等倍センサなど厚膜金電極を備えた電子装置
において、厚膜金電極上に金属メッキ層を形成する方法
に関するものである。
ルヘッドや等倍センサなど厚膜金電極を備えた電子装置
において、厚膜金電極上に金属メッキ層を形成する方法
に関するものである。
(従来の技術)
厚膜型サーマルヘッドにおいては、電極材料として金レ
ジネート(メタルオーガニック金どもいう)が主に用い
られている。金レジネートによる電極は有機金化合物を
スクリーン印刷法により塗布し焼成した後に写真製版法
とエツチングによりパターン化を施して得られる。金レ
ジネート電極は1通常の厚膜ペーストを用いたスクリー
ン印刷法による電極に比べてパターン精度がよく、密度
を上げることができる利点をもっている。
ジネート(メタルオーガニック金どもいう)が主に用い
られている。金レジネートによる電極は有機金化合物を
スクリーン印刷法により塗布し焼成した後に写真製版法
とエツチングによりパターン化を施して得られる。金レ
ジネート電極は1通常の厚膜ペーストを用いたスクリー
ン印刷法による電極に比べてパターン精度がよく、密度
を上げることができる利点をもっている。
厚膜型サーマルヘッドでも、発熱体を個別に選択する選
択電極には微細なパターンが要求されるため金レジネー
トが用いられるが、発熱体に共通に通電用電源を供給す
る共通電極は微細なパターンが必要とされないので、安
価で、抵抗値の低い厚膜電極としてAgやAg−Pdな
どの厚膜ペーストが主に用いられている。
択電極には微細なパターンが要求されるため金レジネー
トが用いられるが、発熱体に共通に通電用電源を供給す
る共通電極は微細なパターンが必要とされないので、安
価で、抵抗値の低い厚膜電極としてAgやAg−Pdな
どの厚膜ペーストが主に用いられている。
厚膜型サーマルヘッドで駆動用半導体集積回路袋W(以
下趣動用ICという)と選択電極の間を接続したり、駆
動用ICと入力用配線との間を接続するためにワイヤー
ボンディング法が用いられている。これに対し、薄膜型
サーマルヘッドでは駆動用ICのボンディングの処理効
率を向上させて設備費を減少させるために、ワイヤーボ
ンディングからフリップチップボンディングへ移行しつ
つある。しかし、厚膜型サーマルヘッドでは駆動用IC
と接続される電極が金レジネートであるため、金レジネ
ートパッドへのフリップチップボンディングができない
。
下趣動用ICという)と選択電極の間を接続したり、駆
動用ICと入力用配線との間を接続するためにワイヤー
ボンディング法が用いられている。これに対し、薄膜型
サーマルヘッドでは駆動用ICのボンディングの処理効
率を向上させて設備費を減少させるために、ワイヤーボ
ンディングからフリップチップボンディングへ移行しつ
つある。しかし、厚膜型サーマルヘッドでは駆動用IC
と接続される電極が金レジネートであるため、金レジネ
ートパッドへのフリップチップボンディングができない
。
(発明が解決しようとする課題)
金レジネート電極を用いた厚膜型サーマルヘッドに駆動
用ICをフリップチップボンディングするためには、金
レジネート電極上に金が半田にくわれるのを防止するた
めのバリア層と、半田付は性のよい金属層を何らかの方
法で形成する必要がある。フリップチップボンディング
のパッド寸法が約0.1mmと小さいため、スクリーン
印刷法によるパターン形成は困難である。また、蒸着法
やスパッタリング法によりパッド上に成膜しようとすれ
ば真空装置が必要となり、コスト高となる。
用ICをフリップチップボンディングするためには、金
レジネート電極上に金が半田にくわれるのを防止するた
めのバリア層と、半田付は性のよい金属層を何らかの方
法で形成する必要がある。フリップチップボンディング
のパッド寸法が約0.1mmと小さいため、スクリーン
印刷法によるパターン形成は困難である。また、蒸着法
やスパッタリング法によりパッド上に成膜しようとすれ
ば真空装置が必要となり、コスト高となる。
金レジネート上に金属層を形成するには、メッキによる
のが望ましいが、金レジネート上へそのまま金属メッキ
を施しても十分な付着力を得ることができず、メッキ層
が剥がれる問題がある。
のが望ましいが、金レジネート上へそのまま金属メッキ
を施しても十分な付着力を得ることができず、メッキ層
が剥がれる問題がある。
本発明は厚膜金電極をもつ厚膜型サーマルヘッドにおい
ては、駆動用ICとボンディングされる電極部分にフリ
ップチップボンディングが可能なように金属メッキ層を
形成したサーマルヘッドを提供することを目的とするも
のである。
ては、駆動用ICとボンディングされる電極部分にフリ
ップチップボンディングが可能なように金属メッキ層を
形成したサーマルヘッドを提供することを目的とするも
のである。
また1本発明はサーマルヘッドに限らず、厚膜金電極を
もつ電子装置においては、ICとのボンディングをフリ
ップチップボンディングで実現できるようにするために
、厚膜金電極に金属メッキを施す方法を提供することを
目的とするものである。
もつ電子装置においては、ICとのボンディングをフリ
ップチップボンディングで実現できるようにするために
、厚膜金電極に金属メッキを施す方法を提供することを
目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明のサーマルヘッドでは少なくとも一部の電極は厚
膜金電極であり、厚膜金電極のうち少なくともボンディ
ングパッド部分は厚膜金電極上にニッケルメッキ層を介
して金属メッキ層が積層されている。
膜金電極であり、厚膜金電極のうち少なくともボンディ
ングパッド部分は厚膜金電極上にニッケルメッキ層を介
して金属メッキ層が積層されている。
また、本発明のメッキ方法では、厚膜金電極をもつ電子
装置で厚膜金電極のメッキを施す部分を露出させ、露出
部分の厚膜金電極表面を薄くエツチングした後、その電
極露出部にニッケルのストライクメッキを施し、そのニ
ッケルメッキ層上にさらに金属メッキを施す。
装置で厚膜金電極のメッキを施す部分を露出させ、露出
部分の厚膜金電極表面を薄くエツチングした後、その電
極露出部にニッケルのストライクメッキを施し、そのニ
ッケルメッキ層上にさらに金属メッキを施す。
(作用)
ストライクメッキ法は、通常のメッキ条件より電流密度
を高めて行なうメッキ法であり、ストライクメッキ法に
よれば厚膜金電極上にニッケルメッキを施すことができ
る。厚膜金電極上にニッケルメッキ層を形成すれば、さ
らにその上に銅その他の金属メッキ層を形成することが
可能になる。
を高めて行なうメッキ法であり、ストライクメッキ法に
よれば厚膜金電極上にニッケルメッキを施すことができ
る。厚膜金電極上にニッケルメッキ層を形成すれば、さ
らにその上に銅その他の金属メッキ層を形成することが
可能になる。
ストライクNiメッキを施す部分の厚膜金電極表面を薄
くエツチングするのは、厚膜金電極とNiメッキ暦との
付着力を高めるためである。
くエツチングするのは、厚膜金電極とNiメッキ暦との
付着力を高めるためである。
(実施例)
第1図は一実施例のサーマルヘッドを表わす。
2はアルミナセラミック基板であり、その表面はガラス
質のグレーズ層4で被われている。グレーズ層4上には
金レジネートにより電極6,8が形成されている。6は
全ての発熱体に接続される共通電極であり、8は発熱体
を個別に選択する選択電極である。電極6,8の金レジ
ネートの膜厚は例えば0.3〜IAtmである。画電極
6,8の間には、紙面垂直方向に延びる帯状の発熱体1
0が厚膜法により形成されている。発熱体10の抵抗体
材料としては例えば酸化ルテニウムRu20が用いられ
、その膜厚は例えば数μm〜10μmである。発熱体1
0上から電極6,8にわたって保護膜12が形成されて
いる。保護膜12としては例えばシリコン窒化膜やガラ
スを用いることができる。ボンディングパッドを形成す
るためのパターン化のためにはシリコン窒化膜の方が好
ましい。
質のグレーズ層4で被われている。グレーズ層4上には
金レジネートにより電極6,8が形成されている。6は
全ての発熱体に接続される共通電極であり、8は発熱体
を個別に選択する選択電極である。電極6,8の金レジ
ネートの膜厚は例えば0.3〜IAtmである。画電極
6,8の間には、紙面垂直方向に延びる帯状の発熱体1
0が厚膜法により形成されている。発熱体10の抵抗体
材料としては例えば酸化ルテニウムRu20が用いられ
、その膜厚は例えば数μm〜10μmである。発熱体1
0上から電極6,8にわたって保護膜12が形成されて
いる。保護膜12としては例えばシリコン窒化膜やガラ
スを用いることができる。ボンディングパッドを形成す
るためのパターン化のためにはシリコン窒化膜の方が好
ましい。
選択電極8のうち保護膜12から露出している部分14
は駆動用ICとの間にボンディングを施すためのボンデ
ィングパッドであり、金レジネート電極8上にウッドス
トライクメッキ法により形成された膜厚約1μm以下、
例えば約2000人のニッケルメッキ層16が形成され
、その上に厚さが約3〜15μm、例えば約10μmの
銅メッキ層18が形成され、さらにその上に厚さが約1
〜3μm、例えば約2μmの半田メッキ層20が形成さ
れている。
は駆動用ICとの間にボンディングを施すためのボンデ
ィングパッドであり、金レジネート電極8上にウッドス
トライクメッキ法により形成された膜厚約1μm以下、
例えば約2000人のニッケルメッキ層16が形成され
、その上に厚さが約3〜15μm、例えば約10μmの
銅メッキ層18が形成され、さらにその上に厚さが約1
〜3μm、例えば約2μmの半田メッキ層20が形成さ
れている。
共通電極6のうち保護膜12から露出した部分22は共
通電極6の電流容量を大きくするための補強部分であり
、ボンディングパッド14と同じ構造をしている。すな
わち、金レジネート電極6上に膜厚約1μm以下1例え
ば約2000人の厚さのウッドストライクメッキ法によ
るニッケルメッキ層24が形成され、その上に厚さが約
3〜15μm、例えば約10μmの銅メッキ層26が形
成され、さらにその上に厚さが約1〜3μm、例えば約
2μmの半田メッキ層28が形成されている。
通電極6の電流容量を大きくするための補強部分であり
、ボンディングパッド14と同じ構造をしている。すな
わち、金レジネート電極6上に膜厚約1μm以下1例え
ば約2000人の厚さのウッドストライクメッキ法によ
るニッケルメッキ層24が形成され、その上に厚さが約
3〜15μm、例えば約10μmの銅メッキ層26が形
成され、さらにその上に厚さが約1〜3μm、例えば約
2μmの半田メッキ層28が形成されている。
ボンディングパッド部14には駆動用ICとの間にフリ
ップチップボンディング法による接続が施される。
ップチップボンディング法による接続が施される。
電極構造以外に、発熱体1oや保護膜12の材質は厚膜
型サーマルヘッドで用いられている既知の他のものを用
いることもできる。
型サーマルヘッドで用いられている既知の他のものを用
いることもできる。
また、メッキ層においてはニッケルメッキ層16.24
上の材質は例示のものに限らない。
上の材質は例示のものに限らない。
次に、第2図により本発明のメッキ方法の一実施例を説
明する。
明する。
第1図のサーマルヘッドに適用した例について説明する
と、表面がグレーズ層4で被われた基板上に金レジネー
トを印刷し焼成した後、写真製版とエツチングによりパ
ターン化を施して共通電極6と選択電極8を形成する。
と、表面がグレーズ層4で被われた基板上に金レジネー
トを印刷し焼成した後、写真製版とエツチングによりパ
ターン化を施して共通電極6と選択電極8を形成する。
次に、発熱体10を印刷法と焼成により形成する。保護
膜12を形成し、メッキを施すボンディングパッド部分
14と共通電極の補強部分22を保護膜12から露出さ
せた状態のものを用意する。メッキを施す部分以外の部
分をさらにレジストで被覆しておく。
膜12を形成し、メッキを施すボンディングパッド部分
14と共通電極の補強部分22を保護膜12から露出さ
せた状態のものを用意する。メッキを施す部分以外の部
分をさらにレジストで被覆しておく。
メッキ工程では、まず酸洗浄とアルカリ洗浄を行なう。
酸洗浄では主に硫酸や塩酸を用い、アルカリ洗浄ではK
OHなどを用いる。酸洗浄やアルカリ洗浄はメッキを施
そうとする表面の異物、特に有機物を除去するために行
なうものであり、有機物が部分的にでも付着していると
その部分の金レジネートのエツチングがなされず、メッ
キが異常に成長したり、付着力不足を起こすからである
。
OHなどを用いる。酸洗浄やアルカリ洗浄はメッキを施
そうとする表面の異物、特に有機物を除去するために行
なうものであり、有機物が部分的にでも付着していると
その部分の金レジネートのエツチングがなされず、メッ
キが異常に成長したり、付着力不足を起こすからである
。
その後、ライトエッチを施す。これはメッキを施そうと
する金レジネート電極表面を薄くエツチングすることで
あり、エツチング液としてはヨウ素系、アルカリシアン
系又は王水系などのエツチング液を用い1例えば500
〜3000人程度、好ましくは約1000人のエツチン
グを行なう。
する金レジネート電極表面を薄くエツチングすることで
あり、エツチング液としてはヨウ素系、アルカリシアン
系又は王水系などのエツチング液を用い1例えば500
〜3000人程度、好ましくは約1000人のエツチン
グを行なう。
このように、金レジネート電極の表面を清浄にし、かつ
、少しエツチングした後、ニッケルのウッドストライク
メッキを行なう。メッキ液は例えば塩化ニッケル30−
300 1 5 0 g / Qを含む溶液であり、ニッケル陽
極(イオウ含有量が0.01%以下のもの)を用い、常
温で3〜IOA/dm”の電流密度で通電し、1〜3分
間メッキを行なう。
、少しエツチングした後、ニッケルのウッドストライク
メッキを行なう。メッキ液は例えば塩化ニッケル30−
300 1 5 0 g / Qを含む溶液であり、ニッケル陽
極(イオウ含有量が0.01%以下のもの)を用い、常
温で3〜IOA/dm”の電流密度で通電し、1〜3分
間メッキを行なう。
その後,ニッケルメッキ層上に銅メッキを施す。
銅メッキ液としては硫酸銅溶液を用いる。銅メッキ層は
抵抗値を下げて電流容量を大きくするたぬに、10μm
程度形成するのが好ましい。
抵抗値を下げて電流容量を大きくするたぬに、10μm
程度形成するのが好ましい。
さらに、銅メッキ層上にボンディング用に半田メッキを
施す。
施す。
ニッケルメッキ層上に形成するメッキ層のメッキ方法は
、電解メッキと無電解メッキのいずれでもよい。
、電解メッキと無電解メッキのいずれでもよい。
本発明はサーマルヘッドに限らず、厚膜金電極を備えた
他の電子装置にも適用することができる。
他の電子装置にも適用することができる。
(発明の効果)
本発明により厚膜金電極の少なくともボンディングパッ
ド部にニッケルメッキを介して銅その他の金属メッキ層
を形成したので,厚膜型サーマルヘッドその他の厚膜金
電極をもつ電子装置で、ICをフリップチップボンディ
ング法により接続することが可能になり、厚膜型サーマ
ルヘッドその他の電子装置の製造工程において製造コス
トを低下させることができる。
ド部にニッケルメッキを介して銅その他の金属メッキ層
を形成したので,厚膜型サーマルヘッドその他の厚膜金
電極をもつ電子装置で、ICをフリップチップボンディ
ング法により接続することが可能になり、厚膜型サーマ
ルヘッドその他の電子装置の製造工程において製造コス
トを低下させることができる。
第1図は一実施例の厚膜型サーマルヘッドを示す断面図
、第2図はメッキ方法の一実施例を示すフローチャート
図である。 6.8・・・・・・金レジネート電極、10・・・・・
・発熱体、12・・・・・・保護膜、14・・・・・・
ボンディングパッド、16.24・・・・・・ニッケル
メッキ層、18.26・・・・・・銅メッキ層、20,
28・・・・・・半田メッキ層、22・・・・・・共通
電極の補強部。
、第2図はメッキ方法の一実施例を示すフローチャート
図である。 6.8・・・・・・金レジネート電極、10・・・・・
・発熱体、12・・・・・・保護膜、14・・・・・・
ボンディングパッド、16.24・・・・・・ニッケル
メッキ層、18.26・・・・・・銅メッキ層、20,
28・・・・・・半田メッキ層、22・・・・・・共通
電極の補強部。
Claims (2)
- (1)基板上に発熱体と電極が形成され、少なくとも一
部の電極は厚膜金電極であり、厚膜金電極のうち少なく
ともボンディングパッド部分は厚膜金電極上にニッケル
メッキ層を介して金属メッキ層が積層されているサーマ
ルヘッド。 - (2)厚膜金電極をもつ電子装置で厚膜金電極のメッキ
を施す部分を露出させ、露出部分の厚膜金電極表面を薄
くエッチングした後、その電極露出部にニッケルのスト
ライクメッキを施し、そのニッケルメッキ層上にさらに
金属メッキを施すメッキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15117990A JPH0443049A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | サーマルヘッドと厚膜金電極へのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15117990A JPH0443049A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | サーマルヘッドと厚膜金電極へのメッキ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0443049A true JPH0443049A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15513027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP15117990A Pending JPH0443049A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | サーマルヘッドと厚膜金電極へのメッキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0443049A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6044281A (en) * | 1995-11-28 | 2000-03-28 | Uniden Corporation | Cordless telephone set having charging terminal configured for holding handset |
KR20100087011A (ko) | 2007-10-19 | 2010-08-02 | 오츠카 세이야쿠 가부시키가이샤 | 매트릭스형 의약 고형 제제 |
CN110884260A (zh) * | 2019-12-28 | 2020-03-17 | 厦门芯瓷科技有限公司 | 一种热敏打印头及其制造方法 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15117990A patent/JPH0443049A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9072670B2 (en) | 2007-10-19 | 2015-07-07 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Matrix-type pharmaceutical solid preparation |
US9289389B2 (en) | 2007-10-19 | 2016-03-22 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Method for producing matrix-type pharmaceutical solid preparation |
CN110884260A (zh) * | 2019-12-28 | 2020-03-17 | 厦门芯瓷科技有限公司 | 一种热敏打印头及其制造方法 |
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