JPH044290A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH044290A JPH044290A JP2102815A JP10281590A JPH044290A JP H044290 A JPH044290 A JP H044290A JP 2102815 A JP2102815 A JP 2102815A JP 10281590 A JP10281590 A JP 10281590A JP H044290 A JPH044290 A JP H044290A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/42—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40
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- Materials Engineering (AREA)
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶組成物に関し、さらに詳しくは
、負の誘電異方性を有する非カイラルな化合物を含有し
てなる、負の誘電異方性を有する応答速度の温度特性に
優れた、強誘電性液晶組成物およびそれを用いた光スイ
ツチング素子に関する。
、負の誘電異方性を有する非カイラルな化合物を含有し
てなる、負の誘電異方性を有する応答速度の温度特性に
優れた、強誘電性液晶組成物およびそれを用いた光スイ
ツチング素子に関する。
近年、液晶デイスプレィは、薄型、軽量、低消費電力な
どの特徴を生かして表示素子として幅広く用いられるよ
うになってきた。しかし、これらの表示素子のほとんど
は、ネマチック相を有する液晶材料を用いたＴＮ型表示
方式を利用したものであり、高マルチプレツクス化を必
要とする応用分野ではまだまだ応答が遅く、改善の必要
性に迫られている。
どの特徴を生かして表示素子として幅広く用いられるよ
うになってきた。しかし、これらの表示素子のほとんど
は、ネマチック相を有する液晶材料を用いたＴＮ型表示
方式を利用したものであり、高マルチプレツクス化を必
要とする応用分野ではまだまだ応答が遅く、改善の必要
性に迫られている。
このような現状の中で、最近、注目されているのが、Ｎ
、Ａ、 クラークとＳ、Ｔ、ラガウォールにより提案
された、強誘電性液晶の光スイツチング現象を利用した
表示方式である（アプライド・フィジクス・レターズ（
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ）第３６巻、Ｐ
、８９９ （１９８０年）参照）。強誘電性液晶は、１
９７５年にＲ，Ｂ、 メイヤー等によってその存在が初
めて発表されたもので（ジャーナル・ド・フィジーク（
Ｊ、 ｄｅ Ｐｈｙｓ、）第３６巻、Ｐ、６９ （１９
７５年）参照）、液晶分類上からカイラルスメクチック
Ｃ相、カイラルスメクチックＩ相、カイラルスメクチッ
クＦ相、カイラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチ
ックＨ相、カイラルスメクチックＪ相およびカイラルス
メクチックに相（以下、それぞれＳｃ本相、Ｓ 相、
ネ ■ ＳＦ本相、Ｓ 相、Ｓ 相、Ｓ 相および木本＊ Ｇ ＨＪ ＊ Ｓ 相と略記する）に属する。
、Ａ、 クラークとＳ、Ｔ、ラガウォールにより提案
された、強誘電性液晶の光スイツチング現象を利用した
表示方式である（アプライド・フィジクス・レターズ（
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ）第３６巻、Ｐ
、８９９ （１９８０年）参照）。強誘電性液晶は、１
９７５年にＲ，Ｂ、 メイヤー等によってその存在が初
めて発表されたもので（ジャーナル・ド・フィジーク（
Ｊ、 ｄｅ Ｐｈｙｓ、）第３６巻、Ｐ、６９ （１９
７５年）参照）、液晶分類上からカイラルスメクチック
Ｃ相、カイラルスメクチックＩ相、カイラルスメクチッ
クＦ相、カイラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチ
ックＨ相、カイラルスメクチックＪ相およびカイラルス
メクチックに相（以下、それぞれＳｃ本相、Ｓ 相、
ネ ■ ＳＦ本相、Ｓ 相、Ｓ 相、Ｓ 相および木本＊ Ｇ ＨＪ ＊ Ｓ 相と略記する）に属する。
強誘電性液晶の光スイツチング効果を表示素子として応
用する場合、ＴＮ型表示方式に較べて２つの優れた特徴
がある。第１の特徴は、非常に高速で応答し、その応答
時間はＴＮ表示方式の素子と比較すると１／１００以下
であること、第２の特徴は、メモリー効果があること、
上記の高速応答性と相まって時分割駆動が容易なことで
ある。
用する場合、ＴＮ型表示方式に較べて２つの優れた特徴
がある。第１の特徴は、非常に高速で応答し、その応答
時間はＴＮ表示方式の素子と比較すると１／１００以下
であること、第２の特徴は、メモリー効果があること、
上記の高速応答性と相まって時分割駆動が容易なことで
ある。
強誘電性液晶を用いた表示素子にメモリー性を持たせる
には、２つの方法が考えられる。
には、２つの方法が考えられる。
第１の方法は、Ｎ、Ａ、 クラークらが提案している
、セル厚（ｄ）をらせんピッチ（ｐ）以下の厚みにまて
薄＜ Ｌ （ｄｉｐ） らせんをほどくことによりメ
モリー性を出現させる方法（アプライド・フィジクス・
レターズ（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）第３
６巻、Ｐ、８９９ （１９８０年）参照）テする。この
方法によりメモリー性を出現させるためには、現状の強
誘電性液晶材料はらせんピッチで短い（１〜３μｍ）も
のが多いので、セル厚を１〜３μｍくらいに保つ必要が
ある。しがし、現状のセル製作技術から考えると、コス
ト面および歩留まりの点などて、この方法の利用には問
題がある。
、セル厚（ｄ）をらせんピッチ（ｐ）以下の厚みにまて
薄＜ Ｌ （ｄｉｐ） らせんをほどくことによりメ
モリー性を出現させる方法（アプライド・フィジクス・
レターズ（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）第３
６巻、Ｐ、８９９ （１９８０年）参照）テする。この
方法によりメモリー性を出現させるためには、現状の強
誘電性液晶材料はらせんピッチで短い（１〜３μｍ）も
のが多いので、セル厚を１〜３μｍくらいに保つ必要が
ある。しがし、現状のセル製作技術から考えると、コス
ト面および歩留まりの点などて、この方法の利用には問
題がある。
第２の方法はＬｅ ピーサントらにより発見された、
ＡＣスタビライズ効果を利用してメモリー性を出現させ
る方法（パリ・リキッド・クリスタル・コンファレンス
（Ｐａｒｉｓ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｃｏｎ
−ｆｅｒｅｎｃｅ、） 、ｐ、 ２１７ （１９８４
年）参照）である。
ＡＣスタビライズ効果を利用してメモリー性を出現させ
る方法（パリ・リキッド・クリスタル・コンファレンス
（Ｐａｒｉｓ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｃｏｎ
−ｆｅｒｅｎｃｅ、） 、ｐ、 ２１７ （１９８４
年）参照）である。
この方法は負の誘電異方性（Δε）を有する強誘電性液
晶材料においてのみ有効である。誘電異方性が負（Δε
＜０）の液晶分子は電界を印加した場合に基板に対して
平行の状態になろうとする性質を有する。電界を印加す
る際スイッチングが行なわれるが低周波電界を印加した
場合は自発分極の効果が支配的に働き電界が印加されて
いない状態では分子が基板からはなれてメモリー性がな
くなり、コントラストが低下する。しかし、高周波電界
を印加すると自発分極の効果が追随できなくなり、誘電
異方性の効果が支配的となり、電界が印加されない状態
においても分子は基板からはなれないため、メモリー性
か出現して高いコントラストが得られる。
晶材料においてのみ有効である。誘電異方性が負（Δε
＜０）の液晶分子は電界を印加した場合に基板に対して
平行の状態になろうとする性質を有する。電界を印加す
る際スイッチングが行なわれるが低周波電界を印加した
場合は自発分極の効果が支配的に働き電界が印加されて
いない状態では分子が基板からはなれてメモリー性がな
くなり、コントラストが低下する。しかし、高周波電界
を印加すると自発分極の効果が追随できなくなり、誘電
異方性の効果が支配的となり、電界が印加されない状態
においても分子は基板からはなれないため、メモリー性
か出現して高いコントラストが得られる。
ＡＣスタビライズ効果とは、上述の負の誘電異方性をも
つ液晶に高周波電界を印加した場合の性質を利用したも
のであって、厚セル（５〜７μｍ）においてもメモリー
性を出現させることができる。
つ液晶に高周波電界を印加した場合の性質を利用したも
のであって、厚セル（５〜７μｍ）においてもメモリー
性を出現させることができる。
それ故この第２の方法は現状のセル製作技術を利用する
ことが可能であり第１の方法より実用性がある。
ことが可能であり第１の方法より実用性がある。
実際に、このＡＣスタビライズ効果を利用したマトリッ
クス表示が示されたのは、１９８５年、ジェアリーが報
告したのが最初であり （ＳＩＤ８５ ダイジェスト
Ｐ、１２８ （１９８５年）参照）、その後はほとんど
例がない。その理由は、負の誘電異方性を有する強誘電
性液晶材料が少ないことである。また、ジエアリーの報
告では、ＡＣスタビライズ効果を利用してメモリー性を
出現させるためには、約４０Ｖの電圧が必要であり、通
常のＩＣの駆動電圧範囲を考慮すると、もっと低い電圧
（２５Ｖ以下）にて、ＡＣスタビライズ効果が出現する
ことが望ましい。
クス表示が示されたのは、１９８５年、ジェアリーが報
告したのが最初であり （ＳＩＤ８５ ダイジェスト
Ｐ、１２８ （１９８５年）参照）、その後はほとんど
例がない。その理由は、負の誘電異方性を有する強誘電
性液晶材料が少ないことである。また、ジエアリーの報
告では、ＡＣスタビライズ効果を利用してメモリー性を
出現させるためには、約４０Ｖの電圧が必要であり、通
常のＩＣの駆動電圧範囲を考慮すると、もっと低い電圧
（２５Ｖ以下）にて、ＡＣスタビライズ効果が出現する
ことが望ましい。
現状の複屈折モード型の強誘電性液晶素子は分子の５ｐ
ｌａｙ配列並びにｃｈｅｖｒｏｎ構造の形成により十分
メモリー性が得られず、そのためコントラストが低く実
用的でない。それ故、薄いセル（１〜３μｍ）でもＡＣ
スタビライズ効果の利用が必要となってきており、それ
に対応する液晶材料が望まれている。
ｌａｙ配列並びにｃｈｅｖｒｏｎ構造の形成により十分
メモリー性が得られず、そのためコントラストが低く実
用的でない。それ故、薄いセル（１〜３μｍ）でもＡＣ
スタビライズ効果の利用が必要となってきており、それ
に対応する液晶材料が望まれている。
シュアリ−らの報告した強誘電性液晶材料の応答時間は
数−５ｅｃであり、実用面から見ると応答時間はまだ遅
いので、本出願人は、特開平１−１６８７９２号公報、
特開平１−３０６４９３号公報において、強誘電性液晶
組成物を提供したが応答時間の温度変化か大きく実用的
ではないので、さらに、高速応答性を有し、応答時間の
温度特性に優れた、誘電異方性が負である強誘電性液晶
の出現が望まれる。
数−５ｅｃであり、実用面から見ると応答時間はまだ遅
いので、本出願人は、特開平１−１６８７９２号公報、
特開平１−３０６４９３号公報において、強誘電性液晶
組成物を提供したが応答時間の温度変化か大きく実用的
ではないので、さらに、高速応答性を有し、応答時間の
温度特性に優れた、誘電異方性が負である強誘電性液晶
の出現が望まれる。
本発明の第１の目的は、負の誘電異方性であり、低電圧
にてＡＣスタビライズ効果を有し、高速応答性でしかも
応答時間の温度特性に優れた強誘電性液晶組成物を提供
することであり、第２の目的は、上記の液晶組成物を用
いた光スイツチング素子を提供することである。
にてＡＣスタビライズ効果を有し、高速応答性でしかも
応答時間の温度特性に優れた強誘電性液晶組成物を提供
することであり、第２の目的は、上記の液晶組成物を用
いた光スイツチング素子を提供することである。
本発明の強誘電性液晶組成物は、少なくとも下記のＡＳ
ＢおよびＣの３成分の割合がＡ、Ｂ、Ｃの３成分の合計
量に対して、Ａ成分が１０〜２５重量％、Ｂ成分が４５
〜６５重量％、Ｃ成分が１０〜３０重量％てあり、該３
成分を８５％以上含有し負の誘電異方性を有することを
特徴とする。
ＢおよびＣの３成分の割合がＡ、Ｂ、Ｃの３成分の合計
量に対して、Ａ成分が１０〜２５重量％、Ｂ成分が４５
〜６５重量％、Ｃ成分が１０〜３０重量％てあり、該３
成分を８５％以上含有し負の誘電異方性を有することを
特徴とする。
たｖし、Ａ成分は一般式
で示される化合物、
Ｂ成分は一般式
で示される化合物、
Ｃ成分は一般式
から選ばれた化合物であり、各成分は１種または２種以
上の化合物からなる。
上の化合物からなる。
（こ＼で、ＲおよびＲ２は、炭素数１〜１８の同一もし
くは相異なる直鎖アルキル基もしくはアルコキシ基を示
し、Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ７およびＲ９はそれぞれ炭素数１〜
１８の同一もしくは相異なる直鎖もしくは分岐のアルキ
ル基またはアルコキシ基を示し、ＲおよびＲ８は、炭素
数２〜１８の直鎖もしくは分岐のアルキル基を示し、Ｒ
１０は炭素数２〜１８の直鎖もしくは分岐のアルキル基
または炭素数１〜１８の直鎖もしくは分岐のアルコキシ
基を示す。
くは相異なる直鎖アルキル基もしくはアルコキシ基を示
し、Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ７およびＲ９はそれぞれ炭素数１〜
１８の同一もしくは相異なる直鎖もしくは分岐のアルキ
ル基またはアルコキシ基を示し、ＲおよびＲ８は、炭素
数２〜１８の直鎖もしくは分岐のアルキル基を示し、Ｒ
１０は炭素数２〜１８の直鎖もしくは分岐のアルキル基
または炭素数１〜１８の直鎖もしくは分岐のアルコキシ
基を示す。
、Ｑ、ｍ、ｎおよびｋは０もしくは１を示し、１＋ｍは
１もしくは２である。
１もしくは２である。
および
０舎（Σ（）（Σ（Σおよび
を示し、ｘ、ｙ、ｚおよびＷはそれぞれＦ、Ｃｆｉ。
ＢｒもしくはＣＮを示す、＊は不斉炭素原子を示す。）
本発明の液晶組成物のＡ成分は、一般式（Ａ）で表わさ
れる非カイラルな化合物である。この化合物は負の誘電
異方性を有し、スメクチックＣ性に富んでいるため、本
発明の液晶組成物におけるベースＳ。化合物の役目（広
範囲な温度域にてＳｃを示すこと）を果している。
れる非カイラルな化合物である。この化合物は負の誘電
異方性を有し、スメクチックＣ性に富んでいるため、本
発明の液晶組成物におけるベースＳ。化合物の役目（広
範囲な温度域にてＳｃを示すこと）を果している。
Ａ成分の一般式（Ａ）で表わされる化合物のＲ１および
Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜１８の同一または相異なる直
鎖のアルキル基またはアルコキシ基を示すが、好ましい
炭素数１〜１０、特に好ましいのは４〜１０である。
Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜１８の同一または相異なる直
鎖のアルキル基またはアルコキシ基を示すが、好ましい
炭素数１〜１０、特に好ましいのは４〜１０である。
一般式（Ａ）で表わされる具体的な化合物の一例として
、式 で示される化合物をあげることがてきる。Ｒ１およびＲ
２の炭素数は上記同様であり、特に好ましいのは４〜１
０である。具体的なＲおよびＲ２を示すと第１表のとお
りである。
、式 で示される化合物をあげることがてきる。Ｒ１およびＲ
２の炭素数は上記同様であり、特に好ましいのは４〜１
０である。具体的なＲおよびＲ２を示すと第１表のとお
りである。
一般式（Ａ−１）で表わされる化合物は比較的高い温度
域にてＳ。相を示し、負の誘電異方性を有する。たとえ
ば、式 式（Ｂ）で表わされるカイラル化合物としては、で示さ
れる化合物は、相転移温度が Ｃｒ８３．６ ５ｃ１３８．６ Ｓ＾１５８．０ １
Ｓ。
域にてＳ。相を示し、負の誘電異方性を有する。たとえ
ば、式 式（Ｂ）で表わされるカイラル化合物としては、で示さ
れる化合物は、相転移温度が Ｃｒ８３．６ ５ｃ１３８．６ Ｓ＾１５８．０ １
Ｓ。
で、誘電異方性はΔε−−７である。
本発明の液晶組成物のＢ成分には、式（Ｂ）のＲ４が光
学活性基であるカイラルスメクチックＣ性のカイラル化
合物とスメクチックＣ性に富む非カイラル化合物とがあ
る。
学活性基であるカイラルスメクチックＣ性のカイラル化
合物とスメクチックＣ性に富む非カイラル化合物とがあ
る。
式（Ｂ）で表わされる非カイラル化合物の１例として、
一般式 （こ＼で、ＲおよびＲ１４は炭素数１〜１８の同−もし
くは相異なる直鎖のアルキル基を示し、Ｒ１５は炭素数
１〜１８の直鎖のアルキル基またはアルコキシ基を示し
、Ｒ１６は炭素数２〜（１６−ｐ）のアルキル基を示す
。ｐはＯ〜１ｏの整数を示し、＊は不斉炭素原子を示す
。）をあげることができる。また、Ｒ１３は炭素数６〜
１２の直鎖アルキル基、Ｒ１４は炭素数が３〜１３の直
鎖アルキル基、Ｒ１５は炭素数５〜１３の直鎖アルキル
基、ＲｌＢは炭素数２がより好ましい。
一般式 （こ＼で、ＲおよびＲ１４は炭素数１〜１８の同−もし
くは相異なる直鎖のアルキル基を示し、Ｒ１５は炭素数
１〜１８の直鎖のアルキル基またはアルコキシ基を示し
、Ｒ１６は炭素数２〜（１６−ｐ）のアルキル基を示す
。ｐはＯ〜１ｏの整数を示し、＊は不斉炭素原子を示す
。）をあげることができる。また、Ｒ１３は炭素数６〜
１２の直鎖アルキル基、Ｒ１４は炭素数が３〜１３の直
鎖アルキル基、Ｒ１５は炭素数５〜１３の直鎖アルキル
基、ＲｌＢは炭素数２がより好ましい。
前記（Ｂ−３）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）および（Ｂ
−６）で表わされるカイラル化合物は自発分極が小さい
ので、非カイラル化合物と同様に本発明の液晶組成物の
ベース化合物の役目を果たしている。具体的なＲ、Ｒは
第２表および第３表に、Ｒ、Ｒを、第４表および第５表
に示す。
−６）で表わされるカイラル化合物は自発分極が小さい
ので、非カイラル化合物と同様に本発明の液晶組成物の
ベース化合物の役目を果たしている。具体的なＲ、Ｒは
第２表および第３表に、Ｒ、Ｒを、第４表および第５表
に示す。
第２表
Ｒ１３＜ζ１ｏＲ１４て表わされる化合物（Ｂ＊
は、比較的低い温度域にてＳ 相あるいはＳｃ相を示し
、負の誘電異方性を有する。
、負の誘電異方性を有する。
たとえば、
Ｃ７Ｈｔ５ｅｏｃ５Ｈ，１
で示される化合物は相転移温度
Ｃｒ２６．５ Ｓ ３５ Ｓ ４８ Ｓｃ
６７、５ Ｎ６８．７ ＩＧ Ｆ
ｓ。
６７、５ Ｎ６８．７ ＩＧ Ｆ
ｓ。
誘電異方性はΔε−−１である。
て示される化合物は、相転移温度
Ｃｒ２６． Ｏ５ｃ４６． Ｏ５Ａ５３．４ １８゜で
あり、誘電異方性はΔε−−２である。また、化合物で
あり、自発分極を大きくすること、組成物の応答速度を
速くすることに寄与している。
あり、誘電異方性はΔε−−２である。また、化合物で
あり、自発分極を大きくすること、組成物の応答速度を
速くすることに寄与している。
て示される化合物は、相転移温度
ネ
Ｃｒ１Ｏ，ＯＳ ３３．２ Ｓｔ、４３．２ １Ｓ
。
。
である。誘電異方性はΔε−−０．５である。
以上の外に、Ｂ成分として好適な化合物として、Ｃ５Ｈ
ｌｌ＜奸◎−＠−ｃ２Ｈ５ Ｃ５Ｈ１１（奸◎−＠−Ｃ３Ｈ７ Ｃ４Ｈ９＜奸◎−＠−（３Ｈ７ などがあげられる。
ｌｌ＜奸◎−＠−ｃ２Ｈ５ Ｃ５Ｈ１１（奸◎−＠−Ｃ３Ｈ７ Ｃ４Ｈ９＜奸◎−＠−（３Ｈ７ などがあげられる。
本発明の液晶組成物のＣ成分は下記の一般式（Ｃ−１）
〜（Ｃ−３）で表わされるカイラルな（Ｃ−３） （こ＼で、Ｒ、ＲおよびＲ９は、それぞれ炭素数１〜１
８の同一もしくは相異なる直鎖もしくは分岐のアルキル
基またはアルコキシ基を示し、ＲおよびＲ８はそれぞれ
同一もしくは相異なる炭素数２〜１８の直鎖もしくは分
岐のアルキル基を示し、Ｒ１０は炭素数２〜１８の直鎖
もしくは分岐のアルキル基または炭素数１〜１８の直鎖
もしくは分岐のアルコキシ基を示す。ｋは０もしくはＷ
はそれぞれＦ、Ｃ４）、ＢｒもしくはＣＮを示し、＊は
不斉炭素原子を示す。） Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｒ、ＲおよびＲｌＯのそ れぞれは、直鎖が好ましい。また（Ｃ−３）式の好まし
い化合物として （Ｃ−３８） ａ） Ｈの炭素数か５〜１２、Ｒ６の炭素数が２〜９
、ＺがＦもしくはＣＮ（好ましくはＦ）の式（Ｃ−１）
で表わされる化合物、 ｂ） Ｈの炭素数が７〜１２、Ｒ８の炭素数が２〜６
、ＷがＦもしくはＣＮ（好ましくはＣＮ）の式（Ｃ−２
）で表わされる化合物、 Ｃ） Ｒ９の炭素数が３〜１ｏ、Ｒ１０の炭素数が２〜
８のアルキル基、もしくは炭素数１〜８のアルコキシ基
（好ましくは炭素数２〜７のアルコキシ基）の（Ｃ−３
ａ）および（Ｃ−３ｂ） で表わされる化合物をあげる
ことができる。
〜（Ｃ−３）で表わされるカイラルな（Ｃ−３） （こ＼で、Ｒ、ＲおよびＲ９は、それぞれ炭素数１〜１
８の同一もしくは相異なる直鎖もしくは分岐のアルキル
基またはアルコキシ基を示し、ＲおよびＲ８はそれぞれ
同一もしくは相異なる炭素数２〜１８の直鎖もしくは分
岐のアルキル基を示し、Ｒ１０は炭素数２〜１８の直鎖
もしくは分岐のアルキル基または炭素数１〜１８の直鎖
もしくは分岐のアルコキシ基を示す。ｋは０もしくはＷ
はそれぞれＦ、Ｃ４）、ＢｒもしくはＣＮを示し、＊は
不斉炭素原子を示す。） Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｒ、ＲおよびＲｌＯのそ れぞれは、直鎖が好ましい。また（Ｃ−３）式の好まし
い化合物として （Ｃ−３８） ａ） Ｈの炭素数か５〜１２、Ｒ６の炭素数が２〜９
、ＺがＦもしくはＣＮ（好ましくはＦ）の式（Ｃ−１）
で表わされる化合物、 ｂ） Ｈの炭素数が７〜１２、Ｒ８の炭素数が２〜６
、ＷがＦもしくはＣＮ（好ましくはＣＮ）の式（Ｃ−２
）で表わされる化合物、 Ｃ） Ｒ９の炭素数が３〜１ｏ、Ｒ１０の炭素数が２〜
８のアルキル基、もしくは炭素数１〜８のアルコキシ基
（好ましくは炭素数２〜７のアルコキシ基）の（Ｃ−３
ａ）および（Ｃ−３ｂ） で表わされる化合物をあげる
ことができる。
その代表例を第５表、第６表、第７表および第８表に示
す。
す。
（Ｃ−３ｂ）
をあげることができる。
さらに好ましいＣ成分の化合物としては、で表わされる
化合物（Ｃ−１） て表わされる化合物 （Ｃ−３ａ） で表わされる化合物（Ｃ−２） で表わされる化合物 （Ｃ−３ｂ） 前記ａ）の化合物は、特開昭第６１−４３号公報、特開
昭第６１−２１００５６号公報に記載された化合物であ
り、自発分極が大きく、コレステリック性を有し、負の
誘電異方性をもっている。
化合物（Ｃ−１） て表わされる化合物 （Ｃ−３ａ） で表わされる化合物（Ｃ−２） で表わされる化合物 （Ｃ−３ｂ） 前記ａ）の化合物は、特開昭第６１−４３号公報、特開
昭第６１−２１００５６号公報に記載された化合物であ
り、自発分極が大きく、コレステリック性を有し、負の
誘電異方性をもっている。
たとえば、式
で表わされる化合物は相転移温度：
自発分極値： １０５ｎＣｃｇ−２（Ｔ−Ｔｃ−−１０
℃）、応答時間： ３１ μｓｅｅ （Ｔ−Ｔｃ−−
１０℃、Ｅ＝５Ｖ／μｍ）、誘電異方性Δε−−１であ
った。
℃）、応答時間： ３１ μｓｅｅ （Ｔ−Ｔｃ−−
１０℃、Ｅ＝５Ｖ／μｍ）、誘電異方性Δε−−１であ
った。
前記ｂ）の化合物は、特願昭６３−
２９８１５６号に記載のらせんピッチ調節剤である化合
物であり、負の誘電異方性を有している。
物であり、負の誘電異方性を有している。
たとえば、式
で表わされる化合物は相転移温度・
自発分極値： ２３．６ｎＣｃｍ （Ｔ−Ｔｃ−一
１０℃）、応答時間： １０８ ｕ Ｓｅｅ （Ｔ
Ｔ ｃ−−１０℃、Ｅ＝５Ｖ／μｍ）、誘電異方性Δ
ε−−２であった。
１０℃）、応答時間： １０８ ｕ Ｓｅｅ （Ｔ
Ｔ ｃ−−１０℃、Ｅ＝５Ｖ／μｍ）、誘電異方性Δ
ε−−２であった。
前記Ｃ）の化合物は、特願昭６２
１０３９７７号に記載の化合物であり、自発分極が大き
く、応答時間を短縮することに寄与している。しかし、
正の誘電異方性をもつため、あまり多量に使用すると組
成物の誘電異方性を正にする可能性があるので、その混
合割合は１５重量％以下がのぞましい。
く、応答時間を短縮することに寄与している。しかし、
正の誘電異方性をもつため、あまり多量に使用すると組
成物の誘電異方性を正にする可能性があるので、その混
合割合は１５重量％以下がのぞましい。
たとえば、Ｃ−３ａ式に相当する化合物とじてて表わさ
れる化合物は、相転移温度： 零 ＊ Ｃｒ６７５ｃ９６ Ｎ １０７ ｌ８ｏ１自発分極値二
３２７ ｎｃｃｍ （Ｔ Ｔ ｃ−１０℃）、応
答時間：４５μｓｅｃ （Ｔ−Ｔｃ−−１０℃、Ｅ−
５Ｖ／μｍ）である。
れる化合物は、相転移温度： 零 ＊ Ｃｒ６７５ｃ９６ Ｎ １０７ ｌ８ｏ１自発分極値二
３２７ ｎｃｃｍ （Ｔ Ｔ ｃ−１０℃）、応
答時間：４５μｓｅｃ （Ｔ−Ｔｃ−−１０℃、Ｅ−
５Ｖ／μｍ）である。
また、Ｃ−３ｂ式に相当する化合物として、で表わされ
る化合物は、相転移温度： 自発分極値： ２４３ｎＣｃＩＩｌ（Ｔ−Ｔｃ−−１０
℃）、応答時間： ３０μｓｅｃ （Ｔ−Ｔｃ−−１
０℃、Ｅ−５Ｖ／μｍ）である。
る化合物は、相転移温度： 自発分極値： ２４３ｎＣｃＩＩｌ（Ｔ−Ｔｃ−−１０
℃）、応答時間： ３０μｓｅｃ （Ｔ−Ｔｃ−−１
０℃、Ｅ−５Ｖ／μｍ）である。
なお、一般式（Ｃ−３ａ）、（Ｃ−３ｂ）で表わされる
化合物は、光学活性部位の絶対配置が（Ｓ、Ｓ）または
（Ｓ、Ｒ）型の場合、自発分極の極性は一型であり、ら
せんのねじれの向きは左である。（絶対配置が（Ｒ，Ｒ
）または（Ｒ，Ｓ）型の場合は、各々十型で右である。
化合物は、光学活性部位の絶対配置が（Ｓ、Ｓ）または
（Ｓ、Ｒ）型の場合、自発分極の極性は一型であり、ら
せんのねじれの向きは左である。（絶対配置が（Ｒ，Ｒ
）または（Ｒ，Ｓ）型の場合は、各々十型で右である。
）また、一般式（Ｃ−２）で表わされる化合物は、一般
式（Ｃ３ａ）、（Ｃ−３ｂ）で表わされる化合物と自発
分極の極性が同一であり（自発分極が相殺されない）か
つらせんの向きか逆であるので、一般式（Ｃ−２）で表
わされる化合物と一般式（Ｃ−３ａ）または（Ｃ−３ｂ
）で表わされる化合物を組合せることによって、らせん
ピッチを長くすることができる。
式（Ｃ３ａ）、（Ｃ−３ｂ）で表わされる化合物と自発
分極の極性が同一であり（自発分極が相殺されない）か
つらせんの向きか逆であるので、一般式（Ｃ−２）で表
わされる化合物と一般式（Ｃ−３ａ）または（Ｃ−３ｂ
）で表わされる化合物を組合せることによって、らせん
ピッチを長くすることができる。
本発明の組成物のＡ成分はＡ、Ｂ、ＣＢ成分合計量に対
して１０〜２５重量％である。１０％未も小さくなる。
して１０〜２５重量％である。１０％未も小さくなる。
２５％超になると粘性が高くなりすぎて応答速度が遅く
なり、またＮ本絹が消えて配向が悪くなる。
なり、またＮ本絹が消えて配向が悪くなる。
Ｂ成分は該３成分に対して４５〜６５重量％である。４
５％未満になると相対的にＡ、Ｂ成分が多くなり、粘性
が高くなりすぎる。６５％超にな配向が悪くなる。
５％未満になると相対的にＡ、Ｂ成分が多くなり、粘性
が高くなりすぎる。６５％超にな配向が悪くなる。
Ｃ成分は該３成分に対して１０〜３０重量％である。１
０％未満になると自発分極が小さくなりすぎて応答速度
が遅くなる。３０％超になると自発分極が大きくなりす
ぎてＡＣスタビライズ効果が発現しにく＼なり、応答速
度に対して自発分極の大きさよりも粘度の影響が大きく
なり、また、自発分極が大きくなっても応答速度は遅く
なる。
０％未満になると自発分極が小さくなりすぎて応答速度
が遅くなる。３０％超になると自発分極が大きくなりす
ぎてＡＣスタビライズ効果が発現しにく＼なり、応答速
度に対して自発分極の大きさよりも粘度の影響が大きく
なり、また、自発分極が大きくなっても応答速度は遅く
なる。
本発明の組成物は、Ａ、Ｂ、Ｃの３成分以外の例をあげ
ると下記のとおりである。
ると下記のとおりである。
実現するためや、負の誘電異方性をさらに大きくするた
めに含有させることが可能である。その量は組成物中１
５％未満、好ましくは２〜７％である。
めに含有させることが可能である。その量は組成物中１
５％未満、好ましくは２〜７％である。
Ａ、ＢおよびＣ成分以外の成分として、一般式で表わさ
れる化合物から選ばれた１種または２種以上の化合物が
示される。具体的な化合物の代表〔実施例〕 以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の各種の測定はっぎの方法で行なった。
れる化合物から選ばれた１種または２種以上の化合物が
示される。具体的な化合物の代表〔実施例〕 以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の各種の測定はっぎの方法で行なった。
自発分極値（Ｐ８）はソーヤ・タウアー法にて測定し、
傾き角（θ）はホモジニアス配向させたセルに、臨界電
場以上の十分高い電場を印加し、螺旋構造を消滅させ、
更に極性を反転させ、直交ニコル下における消光位の移
動角（２θに対応）より求めた。
傾き角（θ）はホモジニアス配向させたセルに、臨界電
場以上の十分高い電場を印加し、螺旋構造を消滅させ、
更に極性を反転させ、直交ニコル下における消光位の移
動角（２θに対応）より求めた。
応答時間は、配向処理を施した電極間隔が２μｍのセル
に各組成物を注入し、Ｖｐ、が２０Ｖ、Ｉ ＫＨｚの矩
形波を印加した時の透過光強度の変化から測定した。
に各組成物を注入し、Ｖｐ、が２０Ｖ、Ｉ ＫＨｚの矩
形波を印加した時の透過光強度の変化から測定した。
本。
Ｓｃヒツチは、セル厚約２００μｍのホモジニアス配向
を施したセルを使用し、偏光顕微鏡下で、螺旋ピッチに
対応する縞模様（デ、カイラリゼイションライン）の間
隔を直接測定することにより求めた。
を施したセルを使用し、偏光顕微鏡下で、螺旋ピッチに
対応する縞模様（デ、カイラリゼイションライン）の間
隔を直接測定することにより求めた。
Ｎ本ピッチは、くさび型セルを使用し、偏光顕微鏡下に
て、線欠陥（ディスクリネイションライン）の間隔（Ｎ
）を測定し、くさび型セルの傾斜角をθとした時の理論
式Ｐ（ピッチ）−２１ｔａｎθを用いて間接的に求めた
。
て、線欠陥（ディスクリネイションライン）の間隔（Ｎ
）を測定し、くさび型セルの傾斜角をθとした時の理論
式Ｐ（ピッチ）−２１ｔａｎθを用いて間接的に求めた
。
誘電異方性は、平行配向処理および垂直配向処理を施し
たセルを使用し、Ｉ ＫＨｚにおける空セルでの容量と
液晶を注入したときの容量から誘電率を測定し、誘電異
方性を算出した。
たセルを使用し、Ｉ ＫＨｚにおける空セルでの容量と
液晶を注入したときの容量から誘電率を測定し、誘電異
方性を算出した。
（実施例１）
以下の組成比からなる組成物を調製した。
Ａ成分として
Ｂ成分として
その他の成分
３重量％
この組成物Ｃの相転移温度は、Ｃｒ−３４Ｃ成分として
２５℃において、自発分極値は、１７ ｎｃｃｇａ−２
、傾き角は２８°、応答時間は２６９ ｔｔ ｓｅｅ
（Ｅ −５Ｖ／μｍ）、誘電異方性のΔεは−４であ
った。
、傾き角は２８°、応答時間は２６９ ｔｔ ｓｅｅ
（Ｅ −５Ｖ／μｍ）、誘電異方性のΔεは−４であ
った。
４０℃において、応答時間は１０７μＳｅｅ 。
７２５℃／τ４ａ℃−２． ５２ （τ２５℃’７４０
℃はそれぞれ２５℃、４０℃での応答時間）であった。
℃はそれぞれ２５℃、４０℃での応答時間）であった。
（比較例１）
下記の組成比からなる強誘電性液晶組成物を調製した。
（該組成物は特願昭６２−３２８７１７号に示される組
成物である。） Ｂ成分として Ｃ７Ｈ１５（ト（防０Ｃ４Ｈ９ Ｃ７Ｈ１５（ト（防０Ｃ８Ｈ１７ Ｃ７町５（ト（防００１１’２３ ０８町７（ト（訓ＱＣ８Ｈ，７ ０１０Ｈ２１Ｑ旨ＤＯＣｔ２Ｈ２５ ｃ６ａ１３ｏ（８ｉｃ８Ｈ，□ ０５町区）（）（訃０Ｂ Ｈ２Ｓ ０６Ｈ１べ防煩８）０６Ｈ１３ ４，４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ Ｃ成分として、 本発明の組成物でない成分として 化合物も含まれているが、Ａ。
成物である。） Ｂ成分として Ｃ７Ｈ１５（ト（防０Ｃ４Ｈ９ Ｃ７Ｈ１５（ト（防０Ｃ８Ｈ１７ Ｃ７町５（ト（防００１１’２３ ０８町７（ト（訓ＱＣ８Ｈ，７ ０１０Ｈ２１Ｑ旨ＤＯＣｔ２Ｈ２５ ｃ６ａ１３ｏ（８ｉｃ８Ｈ，□ ０５町区）（）（訃０Ｂ Ｈ２Ｓ ０６Ｈ１べ防煩８）０６Ｈ１３ ４，４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ ４．４重量％ Ｃ成分として、 本発明の組成物でない成分として 化合物も含まれているが、Ａ。
ＢおよびＣ成分量
この組成物ｄの相転移温度はＣｒ−３８２５℃において
自発分極値は１６ ｎｃｃｓ−２、傾き角は２５℃、応
答時間は３４０μｓｅｃ （Ｅ＝５Ｖ／μｍ）、誘電
異方性Δεは−４であった。４０℃において、応答時間
は１１９μＳｅＣ。
自発分極値は１６ ｎｃｃｓ−２、傾き角は２５℃、応
答時間は３４０μｓｅｃ （Ｅ＝５Ｖ／μｍ）、誘電
異方性Δεは−４であった。４０℃において、応答時間
は１１９μＳｅＣ。
７２５℃／τ −２，８５であった。
４０℃
第１図に実施例１で得られた組成物と比較例１で得られ
た組成物の応答時間の温度変化を示した。
た組成物の応答時間の温度変化を示した。
実施例１の組成物と比較例１の組成物を比較すると、自
発分極値と、誘電異方性は、はぼ同程度であるが、組成
物Ｃが応答時間が短かく、応答時間の温度特性にも優れ
ている。また、本発明の組成物には、本発明の組成物の
Ｂ成分およびＣ成分の物が合計２０重量％含有されてい
るため、これらの化合物が粘度を高くして応答速度を遅
くしている。
発分極値と、誘電異方性は、はぼ同程度であるが、組成
物Ｃが応答時間が短かく、応答時間の温度特性にも優れ
ている。また、本発明の組成物には、本発明の組成物の
Ｂ成分およびＣ成分の物が合計２０重量％含有されてい
るため、これらの化合物が粘度を高くして応答速度を遅
くしている。
以上のことから明らかなように、本発明の組成分のＡ、
ＢおよびＣの三つの成分を組み合わせるを示し、高速応
答性を有し、応答時間の温度特性に優れた負の誘電異方
性を有する強誘電性液晶組成物が得られることがわかる
。
ＢおよびＣの三つの成分を組み合わせるを示し、高速応
答性を有し、応答時間の温度特性に優れた負の誘電異方
性を有する強誘電性液晶組成物が得られることがわかる
。
（実施例２）
以下の組成比からなる組成物を調製した。
Ａ成分として
Ｂ成分として
Ｃ３Ｈ１１（奸◎（）０２Ｈ５
Ｃ成分として
Ａ成分として
Ｂ成分として
３重量％
この組成物の相転移温度はＣｒ−２９
７重量％
おいて、自発分極値は１７ ｎｃｃｓ−”、傾き角は２
６°、応答時間は２５７ ｕ ｓｅｅ （Ｅ −５Ｖ
／μｍ）、誘電異方性はΔε−−２で、４０”Ｃにお
いて、１００μｓｅｃ、ｒ２５℃／τ４ｏ℃−２，５７
＊ と、室温を含む広い温度範囲でＳ。相を有し、高速応答
性でしかも応答時間の温度特性に優れた負の誘電異方性
を有する強誘電性液晶組成物が得られた。
６°、応答時間は２５７ ｕ ｓｅｅ （Ｅ −５Ｖ
／μｍ）、誘電異方性はΔε−−２で、４０”Ｃにお
いて、１００μｓｅｃ、ｒ２５℃／τ４ｏ℃−２，５７
＊ と、室温を含む広い温度範囲でＳ。相を有し、高速応答
性でしかも応答時間の温度特性に優れた負の誘電異方性
を有する強誘電性液晶組成物が得られた。
（実施例３）
以下の組成比からなる組成物を調製した。
Ｃ成分として
５重量％
その他の成分として
この組成物の相転移温度は、
において誘電異方性はΔε−−２、自発分極値は１８
ｎｃｃｔｎ 、傾き角は２５°、応答時間は２０７μ
ｓｅｃ （Ｅ−５Ｖ／μｍ） 、４０”Ｃにおいて応
答時間が８０μｓｅｃ、７２５℃／τ −２，４０と
４０℃ 容性てしかも応答時間の温度特性に優れた組成物が調製
できた。
ｎｃｃｔｎ 、傾き角は２５°、応答時間は２０７μ
ｓｅｃ （Ｅ−５Ｖ／μｍ） 、４０”Ｃにおいて応
答時間が８０μｓｅｃ、７２５℃／τ −２，４０と
４０℃ 容性てしかも応答時間の温度特性に優れた組成物が調製
できた。
（実施例４）
本発明に基づき以下の組成比からなる組成物を調製した
。
。
Ａ成分として
Ｃ３Ｈ１７（ト（ン０Ｃ６Ｈ１３
Ｃ８ＨＩ７ｎｏ Ｃ３ＨＩ７
１．５重量％
５．８重量％
Ｃ成分として
Ｂ成分として
Ｃ７Ｈ１５４謬−ＣＮｏｃ５Ｈ，□ １
１．２重量％ＣｒＨ１５＠←ｌ０ｃ６Ｈ１３８，５重量
％Ｃ７Ｈ，５（（コト（羽七Ｃ７Ｈ１５１１，６重量％
３重量％ ２重量％ その他の成分として この組成物の相転移温度は、Ｃｒ−３５本
本 ５ｃ６６ ＳＡ ７１ Ｎ ８ｏ ＩＳｏで、２５℃
において、誘電異方性は−３、自発分極値は１８ｎＣＣ
−、傾き角は２６°、応答時間は２９４ｕｓｅｃ （
Ｅ−５Ｖ／ｕｍ） 、４０”Ｃにおいて応答＊ を含む広い温度範囲でＳ 相を有し、Ｎ１相ビ・チが長
く、配向性もよく高速応答性でしがも応答時間の温度特
性に優れた組成物が調製できた。
１．２重量％ＣｒＨ１５＠←ｌ０ｃ６Ｈ１３８，５重量
％Ｃ７Ｈ，５（（コト（羽七Ｃ７Ｈ１５１１，６重量％
３重量％ ２重量％ その他の成分として この組成物の相転移温度は、Ｃｒ−３５本
本 ５ｃ６６ ＳＡ ７１ Ｎ ８ｏ ＩＳｏで、２５℃
において、誘電異方性は−３、自発分極値は１８ｎＣＣ
−、傾き角は２６°、応答時間は２９４ｕｓｅｃ （
Ｅ−５Ｖ／ｕｍ） 、４０”Ｃにおいて応答＊ を含む広い温度範囲でＳ 相を有し、Ｎ１相ビ・チが長
く、配向性もよく高速応答性でしがも応答時間の温度特
性に優れた組成物が調製できた。
（実施例５）
実施例４の強誘電性液晶組成物を、配向処理剤としてポ
リイミドを塗布し、表面をラビングして、平行配向処理
を施した、セルギャップ５μｍの透明電極を備えたセル
に注入し、この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２
枚の偏光子の間に挾み、第２図のパルス波形で、パルス
幅４００μｓｅｃ、波高値２５ＶＩ：２０ＫＨｚ 、２
０Ｖ（７）ＡＣ波形を重畳したところ、第３図の様な良
好なＡＣスタビライズ効果が認められ、メモリー性も良
好であり、コントラスト比も１：２０と非常によい液晶
表示素子が得られた。
リイミドを塗布し、表面をラビングして、平行配向処理
を施した、セルギャップ５μｍの透明電極を備えたセル
に注入し、この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２
枚の偏光子の間に挾み、第２図のパルス波形で、パルス
幅４００μｓｅｃ、波高値２５ＶＩ：２０ＫＨｚ 、２
０Ｖ（７）ＡＣ波形を重畳したところ、第３図の様な良
好なＡＣスタビライズ効果が認められ、メモリー性も良
好であり、コントラスト比も１：２０と非常によい液晶
表示素子が得られた。
（実施例６）
実施例３の強誘電性液晶組成物を配向処理剤としてポリ
イミドを塗布し、表面をラビングして平行配向処理を施
した、セルギャップ２μｍの透明電極を備えたセルに注
入し、この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の
偏光子の間に挾み、第２図のバス波形で、パルス！４０
０μｓｅｃ波高値１０Ｖに２０ＫＨｚ、８ＶのＡＣ波形
を重畳したところ第３図の様な良好なＡＣスタビライズ
効果が認められ、メモリー性も良好であり、コントラス
ト比も１：２０と非常によい液晶素子が得られた。
イミドを塗布し、表面をラビングして平行配向処理を施
した、セルギャップ２μｍの透明電極を備えたセルに注
入し、この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の
偏光子の間に挾み、第２図のバス波形で、パルス！４０
０μｓｅｃ波高値１０Ｖに２０ＫＨｚ、８ＶのＡＣ波形
を重畳したところ第３図の様な良好なＡＣスタビライズ
効果が認められ、メモリー性も良好であり、コントラス
ト比も１：２０と非常によい液晶素子が得られた。
本発明の液晶組成物は、負の誘電異方性があり、良好な
ＡＣスタビライズ効果を有し、応答時間の温度特性が優
れたものである。
ＡＣスタビライズ効果を有し、応答時間の温度特性が優
れたものである。
また、本発明の液晶組成物を用いた光スイツチング素子
は、高速応答性を有し、高マルチプレックス、液晶デイ
スプレィなどに応用できる。
は、高速応答性を有し、高マルチプレックス、液晶デイ
スプレィなどに応用できる。
第１図は実施例１の本願組成物と比較例１の液晶組成物
の応答時間の温度変化を示す。 第２図は、本願組成物の印加電圧波形を示し、第３図は
第２図に示した電圧波形に２５ＫＨ２でのＡＣ波形を重
畳した場合の光学応答を示す図である。
の応答時間の温度変化を示す。 第２図は、本願組成物の印加電圧波形を示し、第３図は
第２図に示した電圧波形に２５ＫＨ２でのＡＣ波形を重
畳した場合の光学応答を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも下記のＡ、ＢおよびＣの３成分の割合が
Ａ、Ｂ、Ｃの３成分の合計量に対して、Ａ成分が１０〜
２５重量％、Ｂ成分が４５〜６５重量％、Ｃ成分が１０
〜３０重量％であり、該３成分を８５％以上含有してな
る負の誘電異方性を有する強誘電性液晶組成物。 たゞし、Ａ成分は一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ａ） で示される化合物、 Ｂ成分は一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ） で示される化合物、 Ｃ成分は一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−１） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−２） および ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−３） から選ばれた化合物であり、各成分は１種または２種以
上の化合物からなる。 （こゝで、Ｒ＾１およびＲ＾２は、炭素数１〜１８の同
一もしくは相異なる直鎖アルキル基もしくはアルコキシ
基を示し、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾７およびＲ＾
９はそれぞれ炭素数１〜１８の同一もしくは相異なる直
鎖もしくは分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し
、Ｒ＾６およびＲ＾８は、炭素数２〜１８の直鎖もしく
は分岐のアルキル基を示し、Ｒ＾１＾０は炭素数２〜１
８の直鎖もしくは分岐のアルキル基または炭素数１〜１
８の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基を示す。 ｌ、ｍ、ｎおよびｋは０もしくは１を示し、ｌ＋ｍは１
もしくは２である。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼および▲数式、化学式、表等があります▼はそれぞれ
独立に▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼もしくは
▲数式、化学式、表等があります▼を示し、Ｘ、Ｙ、Ｚ
およびＷはそれぞれＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＣＮを示す
、＊は不斉炭素原子を示す。） ２、Ａ成分が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ａ−１） で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
化合物である請求項１記載の液晶組成物。 ３、Ｂ成分が 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−１） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−２） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−３） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−４） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−５） および ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−６） （こゝで、Ｒ＾１＾３およびＲ＾１＾４は炭素数１〜１
８の同一もしくは相異なる直鎖のアルキル基を示し、Ｒ
＾１＾５は炭素数１〜１８の直鎖のアルキル基またはア
ルコキシ基を示し、Ｒ＾１＾６は炭素数２〜（１６−ｐ
）のアルキル基を示す。ｐは０〜１０の整数を示し、＊
は不斉炭素原子を示す。）で表わされる化合物から選ば
れた１種もしくは２種の化合物からなる請求項１記載の
液晶組成物。 ４、（Ｃ−３）式で示される化合物が ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−３ａ） および ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−３ｂ） で表わされる化合物から選ばれた１種もしくは２種以上
の化合物である請求項１記載の液晶組成物。 ５、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｄ−１） および ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｄ−２） で表わされる化合物から選ばれた１種または２種以上の
化合物を１５％未満含有する請求項１、２、３、４のい
ずれかに記載の液晶組成物。 （こゝで、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８、Ｒ＾１＾９および
Ｒ＾２＾０は炭素数３〜１５の同一もしくは相異なるア
ルキル基を示す。） ６、請求項１記載の液晶組成物を利用することを特徴と
する光スイッチング素子。
Priority Applications (4)
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| JP2102815A JP2958046B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 強誘電性液晶組成物 |
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- 1991-04-20 KR KR1019910006355A patent/KR0171412B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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