JPH0442564A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、リードフレームに係り、特にパラジウムめっ
きの施された高密度リード配置のリードフレームに関す
る。

（従来の技術） ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置用リードフレームは、フ
ォトエツチング法またはプレス加工のいずれかの方法に
よって、０．２５ｍｍあるいは０゜１５ｍｍの板厚の金
属条材の不要部分を除去することによって形状加工した
のち、所定部分にめっきを行うめっき工程、テープを貼
着しインナーリード相互間を固定するテーピング工程等
を経て形成される。

ところで、近年、アウターリードの先端を実装基板表面
に形成された配線パターン上に接続する面実装技術が盛
んになってきているが、この場合、アウターリードにも
パラジウムめっきを施すことによって、半田付着性が良
好であるうえ、インナーリード先端のボンディングエリ
アについてもパラジウムめっきを施すことによってボン
ディング性の向上をはかることができるという利点を有
している。

また、パラジウムめっき層は硬いため、薄いリードフレ
ームに対しても、十分な強度を与えることができ、下地
材料に限定されることがない。

しかしながら、モールド後、タイバーを切除しなければ
ならず、この切除部断面にリードフレームの素地が露出
し、これが錆発生の原因となっている。

従ってタイバーのないリードフレーム構造が望ましいが
、リードフレームの高密度化は進む一方であり、板厚を
小さくした場合、機械的強度が小さくなり、このため工
程間および工程中における搬送や位置決めに際して基準
ビンの挿入、抜き出し等で折れや曲がり等の損傷が生じ
易くリードフレームの歩留まりや信頼性を低下させると
いう問題があった。

（発明が解決しようとする課題） このように、半導体装置の高集積化に伴い、リード間隔
およびリード幅は小さくなる一方であり、加工精度の向
上が大きな問題となっており、パラジウムめっきを施し
たリードフレームが注目されているが、タイバーの切除
部断面にリードフレームの素地が露出し、これが錆発生
の原因となっている。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたちのて、リード相
互間の位置を保持しつつ、錆発生が無く、製造が容易で
高精度でかつ信頼性の高いリードフレームを提供するこ
とを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） そこで本発明のリードフレームでは、リードフレームの
少なくともアウターリード表面をパラジウム（Ｐ　ｄ）
またはパラジウム合金めっき層で被覆するとともに、タ
イバーに代えて、隣接インナーリード間または隣接アウ
ターリード間を連結固定する固定部材としての絶縁性テ
ープを貼着している。

なお、ここでアウターリードとは、パッケージラインよ
りも外側のリード領域をいう。

（作用） 上記構成によれば、タイバーがないため、タイバー切除
領域での素地の露出による錆発生のおそれもなく、実装
に際しても半田付着性が良好で、ボンディング性の高い
リードフレームを得ることが可能となる。

そして、タイバーに代わり、絶縁性テープによって相互
の位置が高精度に維持されているため、直接高精度の面
実装が可能である。また、アウターリードが肉薄となる
ように形成されているため曲げ加工が容易である。

また、工程間および工程中における搬送や位置決めに際
して高精度の位置を維持しているため、信頼性の高いリ
ードフレームを得ることが可能となる。

また、絶縁性テープの貼着時に、１８０”Ｃ以上に昇温
しなければならないが、半田めっきの場合１８０℃以上
になると溶けてしまい、流れて隣接リードとの短絡等の
不良を生じ易いが、パラジウム（Ｐ　ｄ）またはパラジ
ウム合金めっきを用いた場合、溶融することもなく良好
に維持される。

さらにまた、インナーリードの先端に連結片を残して形
状加工し、連結片の切除に先立ち、インナーリード相互
間の位置を絶縁性部材を用いて固定するようにすれば、
リード間隔を良好に維持し、ボンディング性を高めるこ
とが可能となる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

本発明実施例のリードフレームは、第１図（ａ）に平面
図、第１図（ｂ）にそのＡ−Ａ断面図を示す如く、タイ
バーのないリードフレームであって、表面全体にパラジ
ウムめっきが施されていると共に、インナーリード１２
およびアウターリード１４の所定の領域にポリイミドテ
ープ１８を貼着するようにしたことを特徴とするもので
ある。

すなわち、グイバッド１１のまわりにインナーリード１
２が放射状に配列され、ポリイミドテープ１８で連結さ
れると共に、各インナーリードにアウターリード１４が
連設されて、このアウターリードもポリイミドテープ１
８で連結され、サイドパー１５．１６によって先端を支
持せしめられている。ここで１７はサポートバーである
。

また、リードフレームのインナーリード表面およびアウ
ターリードの裏面にはパラジウムめっき層ｍが形成され
ている。

次に、このリードフレームの製造方法について説明する
。

まず、第２図（ａ＞に示すように、アロイ４２と指称さ
れている金属条材を順送り金型に装着してプレス加工に
より、に示すように、所望の形状のインナーリード（先
端面を除く）１２、アウターリード１４などを形成する
、第１の打ち抜き領域Ａ１を順次形成し、インナーリー
ドの先端面を残してインナーリード部およびアウタリー
ド部等をパターニングする。

この後、さらに順次所定領域の打ち抜きを行い、インナ
ーリードの先端にタイバーＴを残してインナーリード１
２およびアウタリード１４のパタニングを完了する。

続いて、膜厚１μ額のニッケルめっき層および膜厚０．
３〜０．５μ調のパラジウムめっき層ｍを形成するめっ
き工程を経て、さらに第２図（ｂ）に示すように、イン
ナーリードおよびアウターリード固定用のポリイミドテ
ープ１８を貼着する。

この後、第２図（ｅ）に示すように、前記工程で残され
たインナーリード端部の第２の打ち抜き領域Ａ２（キャ
ビティ領域）を打ち抜き、タイバーを切除しダイパッド
１１とインナーリード先端とを分離し、リードフレーム
の加工が終了する。

このようにして形成されたリードフレームは、ダイパッ
ド１１上に半導体チップ２０を接続し、ワイヤボンディ
ング工程を経て樹脂封止を行い、サイドパー１５．１６
を切除し、第３図に示すように面実装用にアウターリー
ドを折り曲げ、実装用基板の配線パターン上に位置決め
を行い、実装用基板側を加熱することにより固着される
。

このようにして、高密度にアウターリードが形成された
半導体装置も、極めて容易に信頼性よく実装することが
可能である。

特に、タイバーレスであるため、タイバー切除面がなく
、リードフレーム素地の露呈による錆の発生のおそれは
ない。また、インナーリードは表面にパラジウムめっき
を施されかつポリイミドテープで補強されており、アウ
ターリードは実装面側をはじめ表面全体がパラジウムめ
っきを施されかつ実装面の反対側面がポリイミドテープ
で補強されているため、面実装が極めて容易に信頼性よ
く実現可能である。

また、このようにして形成されたリードフレームは、硬
いパラジウムめっきで補強されるため、プレス工程の出
発材料を肉薄とすることができ、これにより歪の少ない
リードフレームを得ることができる。従って、後続工程
における加熱工程を経ても変形の少ないリードフレーム
を得ることが可能となる。

さらにまた、インナーリードの先端に連結片を残して形
状加工し、連結片の切除に先立ち、インナーリード相互
間の位置をポリイミド樹脂を用いて固定する固定工程を
含むようにしているため、リード間隔を良好に維持し、
ボンディング性を高めることが可能となる。

なお、前記実施例では、タイバーがないため、樹脂封止
に際し、樹脂が流出するおそれがあるが、金型に突起を
形成しておき、これによって、樹脂の流出を防止するこ
とができる。

また、前記実施例では、インナーリード間領域の打ち抜
き後、めっきを行うようにしたが、インナーリード間領
域の打ち抜き工程に先立ち、素子搭載領域をはじめイン
ナーリード先端部に相当する領域にパラジウムめっきを
行うようにしてもよく、このようにすることによって、
インナーリードあるいはアウターリード側部全体にわた
るめっき金属の付着を防止することができるため、寸法
精度の低下の防止が完全なものとなる。

また、前記実施例では、ポリイミド樹脂の貼着位置につ
いては適宜変更可能である。

この場合、第４図（ａ）および第４図（ｂ）に示すよう
に、ポリイミドテープ１８はインナーリード先端のみで
もよくまた、リードフレーム表面全体にパラジウムめっ
き層ｍを形成してもよい。この場合は、それぞれ一方の
面全体に形成すれば良いため、形成が極めて容易である
。

さらに、第５図に示すように、ポリイミドテープ１８を
通常のタイバーの位置に貼着するようにしても良い。

加えて、リードフレーム素材としてはアロイ４２に限定
されることなく、銅等他の材料を用いるようにしてもよ
い。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明によれば、リードフレ
ームの少なくともアウターリード表面をパラジウム（Ｐ
ｄ）またはパラジウム合金めっき層で被覆するとともに
、タイバーに代えて、隣接インナーリード間または隣接
アウターリード間を連結固定する固定部材としての絶縁
性テープを貼着するようにしているため、高精度で信頼
性が高く実装の容易なリードフレームを得ることが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および第１図（ｂ）は本発明実施例のリー
ドフレームを示す図、第２図（ａ）乃至第２図（Ｃ）は
同リードフレームの製造工程を示す図、第３図は本発明
実施例のリードフレームを用いて形成した半導体装置の
斜視図、第４図および第５図は本発明の他の実施例のリ
ードフレームを示す図である。 １１・・・ダイパッド、１２・・・インナーリード、１
３・・・ダムバー　１４・・・アウターリード、１５．
１６・・・サイドパー　１７・・・サポートパー　１８
・・・ポリイミドテープ、Ｔ・・・タイバー　ｍ・・・
めっき層。 −　７＋−ニ ー：）４ 第２図（−１） ハ１ 第２ 図（’ｆ’の２） 第３ 図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　内方にむかって伸長する複数のアウターリードと、 前記アウターリードに連設され半導体素子搭載部分近傍
   に向かって伸長する複数のインナーリードとを具備した
   リードフレームにおいて、前記リードフレームの少なく
   ともアウターリード表面がパラジウム（Ｐｄ）またはパ
   ラジウム合金めっき層で被覆されるとともに、 隣接アウターリード間を連結固定する固定部材としての
   タイバーに代えて、 隣接インナーリード間または隣接アウターリード間を連
   結固定する固定部材としての絶縁性テープが貼着されて
   なることを特徴とするリードフレーム。