JPH0439836A - 直流型放電パネルの陰極用厚膜印刷ペースト - Google Patents
直流型放電パネルの陰極用厚膜印刷ペーストInfo
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- JPH0439836A JPH0439836A JP2145350A JP14535090A JPH0439836A JP H0439836 A JPH0439836 A JP H0439836A JP 2145350 A JP2145350 A JP 2145350A JP 14535090 A JP14535090 A JP 14535090A JP H0439836 A JPH0439836 A JP H0439836A
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Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は直流型放電表示パネルの陰極用厚膜印刷ペース
トに関する。
トに関する。
[従来の技術および発明が解決しようとする課題]一般
に放電表示パネルは、電極を放電空間に露出させ、直流
電圧を印加して動作させる直流型放電表示パネルと、電
極の表面を誘電体で被覆し、交流電圧を印加して動作さ
せる交流型放電表示パネルの2つに大別させる。
に放電表示パネルは、電極を放電空間に露出させ、直流
電圧を印加して動作させる直流型放電表示パネルと、電
極の表面を誘電体で被覆し、交流電圧を印加して動作さ
せる交流型放電表示パネルの2つに大別させる。
このうち、直流型放電表示パネルは他のフラットデイス
プレィである蛍光表示管、液晶、発光ダイオード等の表
示素子に比べて動作電圧が150〜200Vと著しく高
く、発光効率も低いといった欠点がある。これらの欠点
は、■封入ガス、■構造、■陰極材料に起因している。
プレィである蛍光表示管、液晶、発光ダイオード等の表
示素子に比べて動作電圧が150〜200Vと著しく高
く、発光効率も低いといった欠点がある。これらの欠点
は、■封入ガス、■構造、■陰極材料に起因している。
このうち■封入ガス、■構造についてはこれまでに多く
の改良がなされてきており、基本的に改良の余地は殆ど
ない。しかし、■陰極材料については様々な材料につい
て研究がなされてきているものの、依然として満足すべ
きものは得られておらず、更なる改善が必要である。
の改良がなされてきており、基本的に改良の余地は殆ど
ない。しかし、■陰極材料については様々な材料につい
て研究がなされてきているものの、依然として満足すべ
きものは得られておらず、更なる改善が必要である。
この直流型放電表示パネルの陰極材料に要求される条件
として、以下のようなことが挙げられる。
として、以下のようなことが挙げられる。
すなわち、
■ 仕事関数が低く、二次電子放射効率が高いこと、
■ イオン衝撃に強く、飛散しにくいこと、■ 導電性
であること、 ■ 製造が容易であること、 ■ 構造が複雑にならないこと、 等である。
であること、 ■ 製造が容易であること、 ■ 構造が複雑にならないこと、 等である。
これらの条件を満足する陰極材料として、希土類金属六
ホウ化物がある。例えばLaB’e(6ホウ化ランタン
)は仕事関数が2.68 eVで、現在量も使われてい
るNiの4.84 eVよりもかなり低く、耐スパツタ
性にも優れている。La B6はプラズマ溶射法で実用
化されているが、この方法では低コスト化、高精細化、
大型化が困難である。他に電子ビーム蒸着法も試みられ
ているものの同様な理由で、いまだに実用化されていな
い。
ホウ化物がある。例えばLaB’e(6ホウ化ランタン
)は仕事関数が2.68 eVで、現在量も使われてい
るNiの4.84 eVよりもかなり低く、耐スパツタ
性にも優れている。La B6はプラズマ溶射法で実用
化されているが、この方法では低コスト化、高精細化、
大型化が困難である。他に電子ビーム蒸着法も試みられ
ているものの同様な理由で、いまだに実用化されていな
い。
上記の2つの方法以外で、低コスト化、高精細化、大型
化に適した方法として厚膜印刷法が挙げられるが、希土
類金属六ホウ化物は融点が2200”C以上と非常に高
い物質であり、難焼結性であるために特性上満足できる
製品は得られていない。
化に適した方法として厚膜印刷法が挙げられるが、希土
類金属六ホウ化物は融点が2200”C以上と非常に高
い物質であり、難焼結性であるために特性上満足できる
製品は得られていない。
Laβ6等の希土類金属六ホウ化物を印刷法で形成する
際の問題点としては、次のようなことが挙げられる。
際の問題点としては、次のようなことが挙げられる。
■ 融点が2200’C以上と非常に高い。
このため印刷法でパターン形成をした場合、基板となる
ガラスに悪影響を及ぼさない$00’C以下の焼成温度
では全く焼結せず、機械的および電気的結合強度が得ら
れない。
ガラスに悪影響を及ぼさない$00’C以下の焼成温度
では全く焼結せず、機械的および電気的結合強度が得ら
れない。
■ 希土類金属六ホウ化物粒子同志の機械的および電気
的結合力を得るためには最終封止工程の後、陽極と陰極
の間に電圧を印加し、2〜5A/−の高電流ガス放電に
よる活性化処理が必要となる。
的結合力を得るためには最終封止工程の後、陽極と陰極
の間に電圧を印加し、2〜5A/−の高電流ガス放電に
よる活性化処理が必要となる。
この■の方法には以下に示すような致命的な欠陥がある
。
。
(a)活性化処理の際に、集中的に高温になる部分が発
生し、成分が飛散したり、ガラスに歪が生じたりする。
生し、成分が飛散したり、ガラスに歪が生じたりする。
(b>下地電極と希土類金属六ホウ化物粒子との結合を
均一にすることが難しい。
均一にすることが難しい。
(C)放電の集中という現象を防ぐためにHgをパネル
内に入れることが必要になる。ところがこのことにより
、希土類金属六ホウ化物の持つ低電圧駆動可能という大
きな長所が犠牲となってしまう(TV学技報You 、
12.No、49.p、43〜4g)。
内に入れることが必要になる。ところがこのことにより
、希土類金属六ホウ化物の持つ低電圧駆動可能という大
きな長所が犠牲となってしまう(TV学技報You 、
12.No、49.p、43〜4g)。
(d)下地電極と希土類金属六ホウ化物との接合が不充
分で剥げ落ちやすい(TV学技報VoJ 、12゜No
、7. p 61〜66)。
分で剥げ落ちやすい(TV学技報VoJ 、12゜No
、7. p 61〜66)。
本発明は上述した従来技術の課題を解決し、下地電極と
希土類金属六ホウ化物、および希土類金属六ホウ化物粒
子間の機械的および電気的結合を改善し、動作電圧の低
減、発光の均一化および高輝度化を可能にした空気中焼
成可能な直流型放電表示パネルの陰極用厚膜印刷ペース
トを得ることを目的とする。
希土類金属六ホウ化物、および希土類金属六ホウ化物粒
子間の機械的および電気的結合を改善し、動作電圧の低
減、発光の均一化および高輝度化を可能にした空気中焼
成可能な直流型放電表示パネルの陰極用厚膜印刷ペース
トを得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段および作用]本発明者等は
、上記した従来技術の課題を解決すべく鋭意検討した結
果、仕事関数の小さい希土類金属六ホウ化物をガスプラ
ズマ中にて表面クリニツクした後、ガラスフリットと共
に焼成することにより、活性化処理を小電流、短時間に
することが可能となり、DC−FDPの動作電圧の低減
化のみならず、発光の均一化、高輝度化、陰極の長寿命
化を達成し得ることを知見し、本発明を完成するに至っ
た。さらに、表面クリーニング後の希土類金属六ホウ化
物粉体表面上に、導電性物質、特にAJ、Sl、N+よ
り選ばれる少なくとも 1種以上の金属またはそれらの
合金あるいは化合物を被着させることにより、活性化処
理をさらに短時間で行なうことができることを知見した
。
、上記した従来技術の課題を解決すべく鋭意検討した結
果、仕事関数の小さい希土類金属六ホウ化物をガスプラ
ズマ中にて表面クリニツクした後、ガラスフリットと共
に焼成することにより、活性化処理を小電流、短時間に
することが可能となり、DC−FDPの動作電圧の低減
化のみならず、発光の均一化、高輝度化、陰極の長寿命
化を達成し得ることを知見し、本発明を完成するに至っ
た。さらに、表面クリーニング後の希土類金属六ホウ化
物粉体表面上に、導電性物質、特にAJ、Sl、N+よ
り選ばれる少なくとも 1種以上の金属またはそれらの
合金あるいは化合物を被着させることにより、活性化処
理をさらに短時間で行なうことができることを知見した
。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたものである。
すなわち本発明は、ガスプラズマ中で表面クリーニング
された平均粒径0,5〜10μ■の希土類金風穴ホウ化
物60〜99容量%と低融点ガラスフリット 1〜40
容量%とからなる混合物を有機バインダー中に分散せし
めてなることを特徴とする空気中焼成可能な直流型放電
表示パネルの陰極用厚膜印刷ペーストにある。
された平均粒径0,5〜10μ■の希土類金風穴ホウ化
物60〜99容量%と低融点ガラスフリット 1〜40
容量%とからなる混合物を有機バインダー中に分散せし
めてなることを特徴とする空気中焼成可能な直流型放電
表示パネルの陰極用厚膜印刷ペーストにある。
以下、本発明の直流型放電表示パネルの陰極用厚膜印刷
ペーストについて詳しく説明する。
ペーストについて詳しく説明する。
本発明の陰極用厚膜印刷ペーストの主材料となる電子放
射性物質としてはLa B6 、Ce B6等の希土類
金属六ホウ化物が用いられる。これらの化合物はその仕
事関数が、例えばLa B6で2,66BV、Ce B
6で2.59 eVと非常に小さいために直流型放電表
示パネルの陰極として使用できれば、その駆動電圧を大
幅に下げることが可能になる。
射性物質としてはLa B6 、Ce B6等の希土類
金属六ホウ化物が用いられる。これらの化合物はその仕
事関数が、例えばLa B6で2,66BV、Ce B
6で2.59 eVと非常に小さいために直流型放電表
示パネルの陰極として使用できれば、その駆動電圧を大
幅に下げることが可能になる。
本発明に用いられる希土類金属六ホウ化物では、平均粒
径0,5〜lOμmの粉体を使用する。これは、焼成中
の過度の酸化防止、均一な焼結発光の均一化、印刷のし
易さのためである。0.5μm未満では焼成中の六ホウ
化物の表面酸化が激しく六ホウ化物の特性を発揮しにく
くなり、逆に10μ厘を超えると印刷時にスクリーンの
抜けが悪くなり、高精細なパターンが形成しづらくなる
。
径0,5〜lOμmの粉体を使用する。これは、焼成中
の過度の酸化防止、均一な焼結発光の均一化、印刷のし
易さのためである。0.5μm未満では焼成中の六ホウ
化物の表面酸化が激しく六ホウ化物の特性を発揮しにく
くなり、逆に10μ厘を超えると印刷時にスクリーンの
抜けが悪くなり、高精細なパターンが形成しづらくなる
。
本発明ではこの希土類金属六ホウ化物をN2 。
B2 、Ar 、Xe 、Ne 、He等のガスあるい
はこれらの混合ガスの3000℃以下のガスプラズマ中
に入れ表面クリーニングを行なう。この処理は通常の不
活性ガス中での処理条件(1000〜1500’c、1
〜2時間)に比べ、気体分子あるいはイオンのエネルギ
ーが高いために、非常に短時間(数十秒〜数分)で、し
かも完全に希土類金属六ホウ化物粉体表面をクリーニン
グすることができる。希土類金属六ホウ化物粉体表面の
雑多な不純物をこうして取り除くことにより、後に大気
中焼成をしたとしても、プラズマ処理を行なわない場合
に比べ、最終的に残存する不純物量が非常に少なくなる
。
はこれらの混合ガスの3000℃以下のガスプラズマ中
に入れ表面クリーニングを行なう。この処理は通常の不
活性ガス中での処理条件(1000〜1500’c、1
〜2時間)に比べ、気体分子あるいはイオンのエネルギ
ーが高いために、非常に短時間(数十秒〜数分)で、し
かも完全に希土類金属六ホウ化物粉体表面をクリーニン
グすることができる。希土類金属六ホウ化物粉体表面の
雑多な不純物をこうして取り除くことにより、後に大気
中焼成をしたとしても、プラズマ処理を行なわない場合
に比べ、最終的に残存する不純物量が非常に少なくなる
。
このため、従来2〜5A/cijという大電流を要して
いた活性化処理が、0.5〜IA/aiという小電流で
、しかも短時間のうちに行なえるようになる。
いた活性化処理が、0.5〜IA/aiという小電流で
、しかも短時間のうちに行なえるようになる。
また、本発明ではこのように表面クリーニングされた希
土類金属水ホウ化物粉体の表面上に、導電性物質を被着
させることが望ましい。このような導電性物質としては
、AJ、St、Ni、Sn。
土類金属水ホウ化物粉体の表面上に、導電性物質を被着
させることが望ましい。このような導電性物質としては
、AJ、St、Ni、Sn。
Zn、Co、Fe等が例示されるが、好ましくはAj、
N1 、Siより選ばれる 1種以上の金属またはこれ
らの合金あるいは化合物である。ここに用いられる合金
としては11.7重量%Si −AJ合金、5.7重量
%Nf−Aj合金等が例示され、また化合物としてはN
1AJ3等が例示される。この導電性物質の被着により
希土類金属六ポウ化物粒子間の電気的結合がより強くな
る。また大気中焼成した際には導電性物質の方が先に酸
化するため、希土類金属六ホウ化物表面の酸化が抑制さ
れ、被着処理をしない場合に比べ、六ホウ化物の酸化に
よりその表面に生成するLa203 、B203といっ
た酸化物はさらに少なくなる。
N1 、Siより選ばれる 1種以上の金属またはこれ
らの合金あるいは化合物である。ここに用いられる合金
としては11.7重量%Si −AJ合金、5.7重量
%Nf−Aj合金等が例示され、また化合物としてはN
1AJ3等が例示される。この導電性物質の被着により
希土類金属六ポウ化物粒子間の電気的結合がより強くな
る。また大気中焼成した際には導電性物質の方が先に酸
化するため、希土類金属六ホウ化物表面の酸化が抑制さ
れ、被着処理をしない場合に比べ、六ホウ化物の酸化に
よりその表面に生成するLa203 、B203といっ
た酸化物はさらに少なくなる。
この導電性物質の被着量は、希土類金属六ホウ化物と導
電性物質との合計に対して5o容量%以下である。導電
性物質の被着量が50容量%を超えると、希土類金属六
ホウ化物よりはむしろ被着させた導電性物質の特性を持
った陰極となってしまい、陰極としての特性が低下して
しまう。
電性物質との合計に対して5o容量%以下である。導電
性物質の被着量が50容量%を超えると、希土類金属六
ホウ化物よりはむしろ被着させた導電性物質の特性を持
った陰極となってしまい、陰極としての特性が低下して
しまう。
次に、上記の処理を施した希土類金属六ホウ化物60〜
99容量%、好ましくは70〜b点ガラスフリット 1
〜40容量%、好ましくは10〜30容量%からなる混
合物を、有機バインダー中に石川式撹拌機、三本ローラ
ー等を用いて分散し、混練して本発明のペーストを得る
。低融点ガラスフリットが1容量%未満では下地電極と
希土類金属六ホウ化物の間、および希土類金属六ホウ化
物粒子間の機械的強度を得るには不充分で、4o容量%
を超えると電気的結合が取り難くなってしまう。
99容量%、好ましくは70〜b点ガラスフリット 1
〜40容量%、好ましくは10〜30容量%からなる混
合物を、有機バインダー中に石川式撹拌機、三本ローラ
ー等を用いて分散し、混練して本発明のペーストを得る
。低融点ガラスフリットが1容量%未満では下地電極と
希土類金属六ホウ化物の間、および希土類金属六ホウ化
物粒子間の機械的強度を得るには不充分で、4o容量%
を超えると電気的結合が取り難くなってしまう。
ここで用いられる低融点ガラスフリットは特に制限ハナ
<、例えばPb 0−B203−8t 02 。
<、例えばPb 0−B203−8t 02 。
Pb 0−B203 、 Zn 0−B203−5t
02等が例示される。
02等が例示される。
また、有機バインダーとしては、好ましくはエチルセル
ロースを2〜20重量%の範囲で含むα−ターピネオー
ル液、またはニトロセルロース、アクリル樹脂、ポリビ
ニルアルコールの少なくとも1種を含有するα−ターピ
ネオール液である。なお、溶剤としてα−ターピネオー
ルの代わりにブチルカルピトール、ブチルカルピトール
アセテート、フタル酸ジオクチル等を使用することも可
能である。有機バインダーはペースト焼成時に消失し、
導電層には実質的に残存しないので、公知の種々の有機
ビヒクルを使用することが可能である。
ロースを2〜20重量%の範囲で含むα−ターピネオー
ル液、またはニトロセルロース、アクリル樹脂、ポリビ
ニルアルコールの少なくとも1種を含有するα−ターピ
ネオール液である。なお、溶剤としてα−ターピネオー
ルの代わりにブチルカルピトール、ブチルカルピトール
アセテート、フタル酸ジオクチル等を使用することも可
能である。有機バインダーはペースト焼成時に消失し、
導電層には実質的に残存しないので、公知の種々の有機
ビヒクルを使用することが可能である。
以下、図面に基づき説明する。
J@1図は本発明の陰極用厚膜印刷ペーストを用いた直
流型放電表示パネルの一例を示す斜視図である。
流型放電表示パネルの一例を示す斜視図である。
同図中、1は前面ガラス、2は陽極、4は隔壁、5は背
面ガラスを示し、31は陰極下地電極、32は本発明の
ペーストにより形成された希土類金属六ホウ化物陰極で
ある。
面ガラスを示し、31は陰極下地電極、32は本発明の
ペーストにより形成された希土類金属六ホウ化物陰極で
ある。
まず、背面ガラス5上にAj、Ni 、Ag等の導電性
ペーストで陰極下地電極31を形成し、乾燥させる。こ
の陰極下地電極31上に本発明のペーストを3〜50μ
■の膜厚になるように積層印刷し、乾燥後、焼成する。
ペーストで陰極下地電極31を形成し、乾燥させる。こ
の陰極下地電極31上に本発明のペーストを3〜50μ
■の膜厚になるように積層印刷し、乾燥後、焼成する。
この時、希土類金属六ホウ化物はガラスフリットにより
機械的には強固に結合しているが、電気的にはホウ化物
同志の弱い接触、あるいは導電性粒子による弱い結合し
か有していない。その後、前面ガラス1側あるいは背面
ガラス5側に隔壁4を形成し、電極2.3 (31,3
2)が内側に向き合い、直交するように重ね合わせ、周
囲を封止ガラスでシールする。この時、陽極2と陰極3
の間の距離は隔壁4の高さによって決められる。
機械的には強固に結合しているが、電気的にはホウ化物
同志の弱い接触、あるいは導電性粒子による弱い結合し
か有していない。その後、前面ガラス1側あるいは背面
ガラス5側に隔壁4を形成し、電極2.3 (31,3
2)が内側に向き合い、直交するように重ね合わせ、周
囲を封止ガラスでシールする。この時、陽極2と陰極3
の間の距離は隔壁4の高さによって決められる。
次いで、内部を加熱排気した後、ペニング混合ガスある
いは希ガス単体を封入する。封入するガスとして、Ne
−Arペニング混合ガスあるいはNe単体ガス等のNe
主体のガスを使用すると放電によってネオンオレンジ色
を発光する。またHe−Xeペニング混合ガス、N e
X eペニング混合ガス、Xe単体ガス等のXeを
含むガスを使用すると放電によってXeから紫外線が放
射される。この時、パネルの内部にこの紫外線によって
励起される蛍光体を塗布しておくと、その蛍光体の種類
に応じて赤、青、緑の発光が得られ、マルチカラーおよ
びフルカラー表示が可能となる。
いは希ガス単体を封入する。封入するガスとして、Ne
−Arペニング混合ガスあるいはNe単体ガス等のNe
主体のガスを使用すると放電によってネオンオレンジ色
を発光する。またHe−Xeペニング混合ガス、N e
X eペニング混合ガス、Xe単体ガス等のXeを
含むガスを使用すると放電によってXeから紫外線が放
射される。この時、パネルの内部にこの紫外線によって
励起される蛍光体を塗布しておくと、その蛍光体の種類
に応じて赤、青、緑の発光が得られ、マルチカラーおよ
びフルカラー表示が可能となる。
次に陰極3表面を清浄にし、電気的結合を強固なものに
し、さらに希土類金属六ホウ化物を活性化させるために
放電による活性化処理を施して直流型放電表示パネルが
完成される。
し、さらに希土類金属六ホウ化物を活性化させるために
放電による活性化処理を施して直流型放電表示パネルが
完成される。
第2図に希土類金属六ホウ化物ペーストの印刷(a)乾
燥後、(b)焼成後、(C)活性化後の組織断面を示す
模式図を示す。同図中821は希土類金属六ホウ化物粒
子、322は導電性物質、323は低融点ガラスフリッ
ト粒子を示す。
燥後、(b)焼成後、(C)活性化後の組織断面を示す
模式図を示す。同図中821は希土類金属六ホウ化物粒
子、322は導電性物質、323は低融点ガラスフリッ
ト粒子を示す。
[実施例]
以下、本発明を実施例および比較例により、さらに詳し
く説明する。
く説明する。
実施例1〜10および比較例1〜4
希土類金属六ホウ化物として平均粒径4.2μ腸のLa
86粒子を、プラズマ炎温度1000〜3000℃の
Arガラスプラズマ中で数十秒間表面クリーニングをし
、これに低融点ガラスフリットを第3表に示す割合で割
合で混合し、3本ロールミルを用いて有機バインダー中
に分散、混練してペーストを作成した。なお、比較例1
および3においては低融点ガラスフリットを混合しなか
った。
86粒子を、プラズマ炎温度1000〜3000℃の
Arガラスプラズマ中で数十秒間表面クリーニングをし
、これに低融点ガラスフリットを第3表に示す割合で割
合で混合し、3本ロールミルを用いて有機バインダー中
に分散、混練してペーストを作成した。なお、比較例1
および3においては低融点ガラスフリットを混合しなか
った。
次に、このペーストを下地金属であるN1またはAjの
上に約20μ■の厚さになるように印刷し、乾燥後、大
気中にて600℃で焼成して、併せて陰極とした。こう
して作成した陰極が形成された背面ガラス板と別に作成
した陽極が形成された前面ガラス板とを組み合わせ、直
流型放電表示パネルを作成した。作成したパネルの主な
仕様を第1表に示す。
上に約20μ■の厚さになるように印刷し、乾燥後、大
気中にて600℃で焼成して、併せて陰極とした。こう
して作成した陰極が形成された背面ガラス板と別に作成
した陽極が形成された前面ガラス板とを組み合わせ、直
流型放電表示パネルを作成した。作成したパネルの主な
仕様を第1表に示す。
第 1 表
放電ガス Ne −Ar (0,5%) 250
Torr電極間距離 0.15履 こうして作成したLa B6陰極を第2表に示す条件で
活性化を行ない、完全に活性化させるのに要する時間を
測定した。活性化の条件を第2表に示す。
Torr電極間距離 0.15履 こうして作成したLa B6陰極を第2表に示す条件で
活性化を行ない、完全に活性化させるのに要する時間を
測定した。活性化の条件を第2表に示す。
第 2 表
放電電流 IA/i
デユーティ−比 1/64
活性化した後に電極の放電維持電圧を測定し、また発光
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
比較例5〜6
La Beをガスプラズマ中で表面クリーニングしない
以外は、実施例3および8と全く同様にペーストを作成
した。
以外は、実施例3および8と全く同様にペーストを作成
した。
このペーストを用い、実施例1と同様に直流型放電表示
パネルを作成し、さらにLa B6陰極を活性化した。
パネルを作成し、さらにLa B6陰極を活性化した。
活性化した後に電極の放電維持電圧を測定し、また発光
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
実施例11〜22および比較例7〜9
ガスプラズマ中で表面クリーニングされたLaB6に、
Aj、Ni 、Stより選ばれる 1種以上の金属また
はそれらの合金あるいは化合物を第3表に示す割合で被
着した以外は実施例1と同様にしてペーストを作成した
。
Aj、Ni 、Stより選ばれる 1種以上の金属また
はそれらの合金あるいは化合物を第3表に示す割合で被
着した以外は実施例1と同様にしてペーストを作成した
。
このペーストを用い、実施例1と同様に直流型放電表示
パネルを作成し、さらにt、a B8陰極を活性化した
。但し、実施例22のみは下地金属としてAgを用いた
。
パネルを作成し、さらにt、a B8陰極を活性化した
。但し、実施例22のみは下地金属としてAgを用いた
。
活性化した後に電極の放電維持電圧を測定し、また発光
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
実施例23〜24
希土類金属六ホウ化物としてLa B6に代えてCe
B6を用いた以外は、実施例3および8と同様にペース
トを作成した。
B6を用いた以外は、実施例3および8と同様にペース
トを作成した。
このペーストを用い、実施例1と同様に直流型放電表示
パネルを作成し、さらにCe B6陰極を活性化した。
パネルを作成し、さらにCe B6陰極を活性化した。
活性化した後に電極の放電維持電圧を測定し、また発光
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
比較例1O
市販のNiペーストを用い、実施例1と同様に直流型放
電表示パネルを作成し、さらにNi陰極を活性化した。
電表示パネルを作成し、さらにNi陰極を活性化した。
活性化した後に電極の放電維持電圧を測定し、また発光
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
状態、付着力を調べた。その結果を活性化処理時間と共
に第3表に示した。
第3表から明らかなように、ガスプラズマ中で表面クリ
ーニングしたLa Beと低融点ガラスフリットを一定
割合で混合した実施例1〜IOは、発光状態が良好とな
り、市販Niペーストを陰極とした比較例10に比べ最
小放電維持電圧は60〜70V低下した。
ーニングしたLa Beと低融点ガラスフリットを一定
割合で混合した実施例1〜IOは、発光状態が良好とな
り、市販Niペーストを陰極とした比較例10に比べ最
小放電維持電圧は60〜70V低下した。
一方、実施例11〜22は、AU等の導電性物質でLa
B6の表面を被着させたものであるが、実施例1〜1
0と比較して活性化時間が大幅に短縮される。
B6の表面を被着させたものであるが、実施例1〜1
0と比較して活性化時間が大幅に短縮される。
また、実施例23〜24は、La B、に代えてCeB
6を用いた例であるが、La B、を用いた場合と同等
の結果が得られた。
6を用いた例であるが、La B、を用いた場合と同等
の結果が得られた。
他方、比較例1〜4は、La B6と低融点ガラスフリ
ットの混合割合が本願発明で規定する範囲から外れたも
のであるが、いずれも活性化に多大の時間を要し、しか
も発光状態も悪い。また、比較例5〜6は、ガスプラズ
マ中で表面クリーニングをしないLa B6を用いたも
のであるが、同様に発光状態が悪い。比較例7〜9は、
導電性物質の添加量が過剰な例であるか、最小放電維持
時間が比較例10と同等程度に高い値を示す。
ットの混合割合が本願発明で規定する範囲から外れたも
のであるが、いずれも活性化に多大の時間を要し、しか
も発光状態も悪い。また、比較例5〜6は、ガスプラズ
マ中で表面クリーニングをしないLa B6を用いたも
のであるが、同様に発光状態が悪い。比較例7〜9は、
導電性物質の添加量が過剰な例であるか、最小放電維持
時間が比較例10と同等程度に高い値を示す。
[発明の効果]
以上説明したように、ガスプラズマ中で表面クリーニン
グされた希土類金属六ホウ化物と低融点ガラスフリット
を一定割合で有機バインダー中で分散させる本発明のペ
ーストを用い、印刷法により陰極とした直流型放電表示
パネルは、陰極の活性化が短時間で可能であり、しかも
発光状態が良好で、また最小放電維持電圧を低下させる
ことができ、さらに付着力も比較的良好である。また、
希土類金属六ホウ化物に導電性物質を被着することによ
り、活性化処理時間がさらに大幅に短縮される。
グされた希土類金属六ホウ化物と低融点ガラスフリット
を一定割合で有機バインダー中で分散させる本発明のペ
ーストを用い、印刷法により陰極とした直流型放電表示
パネルは、陰極の活性化が短時間で可能であり、しかも
発光状態が良好で、また最小放電維持電圧を低下させる
ことができ、さらに付着力も比較的良好である。また、
希土類金属六ホウ化物に導電性物質を被着することによ
り、活性化処理時間がさらに大幅に短縮される。
第1図は、本発明の陰極用厚膜印刷ペーストを用いた直
流型放電表示パネルの一例を示す斜視図、そして、 第2図(a)〜(c)は、希土類金属六ホウ化物ペース
トを印刷した後の、(a)乾燥後、(b)焼成後、(c
)活性化後の組織断面をそれぞれ示す模式図。 321:希土類金属六ホウ化物粒子 322:導電性物質 323:低融点ガラスフリット粒子
流型放電表示パネルの一例を示す斜視図、そして、 第2図(a)〜(c)は、希土類金属六ホウ化物ペース
トを印刷した後の、(a)乾燥後、(b)焼成後、(c
)活性化後の組織断面をそれぞれ示す模式図。 321:希土類金属六ホウ化物粒子 322:導電性物質 323:低融点ガラスフリット粒子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ガスプラズマ中で表面クリーニングされた平均粒径
0.5〜10μmの希土類金属六ホウ化物60〜99容
量%と低融点ガラスフリット1〜40容量%とからなる
混合物を有機バインダー中に分散せしめてなることを特
徴とする空気中焼成可能な直流型放電表示パネルの陰極
用厚膜印刷ペースト。 2、前記ガスプラズマ中で表面クリーニングされた希土
類金属六ホウ化物に導電性物質が該ガズプラズマ中で被
着され、該導電性物質の被着量が該希土類金属六ホウ化
物と導電性物質の合計に対して50容量%以下である請
求項1に記載の陰極用厚膜印刷ペースト。 3、前記導電性物質がAl、Si、Niより選ばれる少
なくとも1種以上の金属またはそれらの合金あるいは化
合物である請求項2に記載の陰極厚膜印刷ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2145350A JPH0439836A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 直流型放電パネルの陰極用厚膜印刷ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2145350A JPH0439836A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 直流型放電パネルの陰極用厚膜印刷ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0439836A true JPH0439836A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15383158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2145350A Pending JPH0439836A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 直流型放電パネルの陰極用厚膜印刷ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0439836A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001018840A1 (en) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Picture display device with electrode protection |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2145350A patent/JPH0439836A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001018840A1 (en) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Picture display device with electrode protection |
US6566811B1 (en) * | 1999-09-08 | 2003-05-20 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Picture display device |
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