JPH04386B2 - - Google Patents

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JPH04386B2
JPH04386B2 JP58114974A JP11497483A JPH04386B2 JP H04386 B2 JPH04386 B2 JP H04386B2 JP 58114974 A JP58114974 A JP 58114974A JP 11497483 A JP11497483 A JP 11497483A JP H04386 B2 JPH04386 B2 JP H04386B2
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elongation
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Kenichi Sato
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
（技術分野） 本発明は、半導体装置、集積回路（IC）等
（以下、IC等と称す）の電気的接続に用いられる
ボンデイングワイヤの製造方法に関するものであ
る。 （背景技術） 従来、例えばICチツプとパツケージを電気接
続するには、第１図に示すように、IC１の電極
２とパツケージ３の導電回路４の間をボンデイン
グワイヤ５により接続していた。 このボンデイングワイヤには極細の金属線が用
いられる。従来Al線としては線径25μ近傍のもの
にはAl−１％Si合金線が使用されていたが、こ
れは、広く使用されているAu線のようなボール
ボンドがされにくく、超音波によるウエツジボン
ドによる接続が成されている。ところが、超音波
ウエツジボンドによる接続は、線材に対して押圧
する方法がとられ、ボンデイング強度はこの押圧
されて断面積が減少した接続部の線材の断面積に
より決まるため、強度のばらつきが大きくなつた
り、最低強度値が低くなるという欠点があつた。 （発明の開示） 本発明は、上述の欠点を解消するため成された
もので、Al−Si合金製ボンデイングワイヤの超
音波ウエツジボンドによるボンデイング強度のば
らつきを無くし、最低強度値を高くし得るボンデ
イングワイヤの製造方法を提供せんとするもので
ある。 本発明は、Si0.8〜1.5％を含有し、残部Alと合
計で0.01％以下の不純物とから成るボンデイング
ワイヤを、製造工程の冷間加工工程中、200〜400
℃の温度での中間焼鈍を１回以上施すことを特徴
とするボンデイングワイヤの製造方法である。 本発明において、合金中のSiはボンデイングワ
イヤの強度を増加させると同時に、伸びを得るた
めであり、Si量を0.8〜1.5％と規定したのは、0.8
％未満では強度、伸びの改善に効果なく、1.5％
を越えると伸線性が悪く、実用的でないためであ
る。 又合金中の不純物を合計で0.01％以下と規定し
たのは、伸線性の劣化を防止するためである。 又本発明において、冷間加工工程中、200〜400
℃の温度での中間焼鈍を施すのは、爾後の伸線加
工において加工硬化能を高めて強度を増加させる
と同時に、最終伸線後の伸び特性を改善するため
であり、200℃未満では伸線性が劣化し、強度、
伸びの改善効率が無くなり、又400℃を越えると
やはり伸線性が劣化し、強度、伸びも低下する。 本発明において、中間焼鈍は少なくとも熱間加
工後１回又は２回以上施される。 200〜400℃の中間焼鈍により、熱間加工時にマ
トリツクス中に析出したSi粒子の再配列と、一部
固溶化させることにより、加工硬化能の増大と伸
び特性の改善効果が得られる。 第２図，第３図はAl−１％Si合金を減面率99
％の冷間加工後、種々の温度で焼鈍した時の温度
と、伸び、引張強さの関係を示す図である。 図より、200〜400℃での焼鈍により、伸び特性
の回復と強度の改善が認められる。又200℃未満
では伸びが低く、又400℃を越えると伸びも強度
も低下する。 又この中間焼鈍は、減面率80％以上の冷間加工
後に行なえば、爾後の伸線性、加工硬化能、伸び
特性の改善に効果がある。 （実施例） 表１に示す組成のAl合金を純度99.99％のAl地
金にAl−10％Si合金を添加して溶製し、ビレツ
トに鋳造した後ホモ処理し、しかる後熱間押出し
により10mmφの線材を作成した。 この線材を皮剥、伸線により１mmφとし、表１
に示す温度で中間焼鈍を施した後、0.2mmφに伸
線加工した。0.2mmφの線を前と同じ温度で中間
焼鈍を施した後、25μφに伸線し、25μφにおいて
10秒間歪み取り焼鈍を施してボンデイングワイヤ
とした。 得られた25μφのボンデイングワイヤについて
引張強さ、伸び、ボンデイング強度を調査した結
果は表１に示す通りである。 ボンデイング強度は、ボンデイングワイヤを超
音波ウエツジワイヤボンダーにてICチツプとリ
ードフレームの間にボンデイングして、線の中央
において破壊試験をして強度の最低値および平均
値を求めた。
【表】 表１より、本発明によるNo.１〜No.５はいずれも
強度、伸びが良好で、又ボンデイング強度も高い
ことが分る。 これに対し、中間焼鈍温度の高いNo.６、Si量の
低いNo.８はいずれかの特性が悪く、ボンデイング
強度も低く、又中間焼鈍のないNo.７は伸線性が悪
い。 （発明の効果） 上述のように構成された本発明のボンデイング
ワイヤの製造方法は次のような効果がある。 合金中にSi0.8〜1.5％を含有するため、ボンデ
イングワイヤの強度を増加させると同時に伸びを
得、不純物を合計で0.01％以下としたため、伸線
性の劣化を防止し、冷間加工工程中、200〜400℃
の温度での中間焼鈍を１回以上施すことにより、
熱間加工時にマトリツクス中に析出したSi粒子の
再配列と、一部固溶化させることにより、加工硬
化能を高めて強度を増加させると同時に伸び特性
を改善するので、ボンデイングワイヤとしての強
度、伸び特性にすぐれ、超音波ウエツジボンドに
よるボンデイング強度のばらつきが少なく、最低
強度値の高いボンデイングワイヤを製造し得る。
【図面の簡単な説明】
第１図はICのボンデイングの例を示す断面図
である。第２図，第３図はAl−１％Si合金線を
種々の温度で焼鈍した時の温度と、伸び、引張強
さの関係を示す図である。 １…IC、２…電極、３…パツケージ、４…導
電回路、５…ボンデイングワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ Si0.8〜1.5％を含有し、残部Alと合計で0.01
    ％以下の不純物とから成るボンデイングワイヤ
    を、製造工程の冷間加工工程中、200〜400℃の温
    度での中間焼鈍を１回以上施すことを特徴とする
    ボンデイングワイヤの製造方法。
JP58114974A 1983-06-24 1983-06-24 ボンデイングワイヤの製造方法 Granted JPS607163A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101149066B1 (ko) * 2009-12-11 2012-05-24 한국세라믹기술원 포름알데히드 분해용 수열합성 패널의 제조방법 및 그로부터 제조된 패널

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