JPS607163A - ボンデイングワイヤの製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、半導体装置、集積回路(IC)等の(以下、
IC等と称すん気的接続に用いられるポンディングワイ
ヤの製造方法に関するものである。
IC等と称すん気的接続に用いられるポンディングワイ
ヤの製造方法に関するものである。
(背景技術)
従来、例えばICチップとパッケージを電気接続するに
は、第1図に示すように、ICIの電極2とパッケージ
3の導電回路4の間をポンディングワイヤ5によシ接続
していた。
は、第1図に示すように、ICIの電極2とパッケージ
3の導電回路4の間をポンディングワイヤ5によシ接続
していた。
このボンディングワイヤには極細の金属線が用いられる
。従来J線としては線径25μ 近傍のものにはAl−
1%81合金線が使用されていたが、これは、広く使用
されているAu線のようなボールポンドがされに<<、
超音波によるウェッジポンドによる接続が成されている
。ところが、超音波ウェッジポンドによる接続は、線材
に対して押圧する方法がとられ、ポンディング強度はこ
の押圧されて断面積が減少した接続部の線材の断面積に
より決まるため、強度のばらつきが大きくなったシ、最
低強度値が低くなるという欠点があった。
。従来J線としては線径25μ 近傍のものにはAl−
1%81合金線が使用されていたが、これは、広く使用
されているAu線のようなボールポンドがされに<<、
超音波によるウェッジポンドによる接続が成されている
。ところが、超音波ウェッジポンドによる接続は、線材
に対して押圧する方法がとられ、ポンディング強度はこ
の押圧されて断面積が減少した接続部の線材の断面積に
より決まるため、強度のばらつきが大きくなったシ、最
低強度値が低くなるという欠点があった。
(発明の開示)
本発明は、上述の欠点を解消するため成されタモので、
Al−8i合金製ポンディングワイヤの超音波ウェッジ
ポンドによるボンディング強度のばらつきを無くし、最
低強度値を高くし得るポンディングワイヤの製造方法を
提供せんとするものである。
Al−8i合金製ポンディングワイヤの超音波ウェッジ
ポンドによるボンディング強度のばらつきを無くし、最
低強度値を高くし得るポンディングワイヤの製造方法を
提供せんとするものである。
本発明は、Si0.8〜1.5%を含有し、残部hlと
合計でO,01%以下の不純物とから成るポンディング
ワイヤを、製造工程の冷間加工工程中、200〜400
℃の温度での中間焼鈍を1回以」二施すことを特徴とす
るボンディングワイヤの製造方法である。
合計でO,01%以下の不純物とから成るポンディング
ワイヤを、製造工程の冷間加工工程中、200〜400
℃の温度での中間焼鈍を1回以」二施すことを特徴とす
るボンディングワイヤの製造方法である。
本発明において、合金中の81はボンディングワイヤの
強度を増加させると同時に、伸びを得るためであり、S
i量を08〜1.5%と規定したのは、08チ未満では
強度、伸びの改善に効果なく、1.5%を越えると伸線
性が悪く、実用的でないためである。
強度を増加させると同時に、伸びを得るためであり、S
i量を08〜1.5%と規定したのは、08チ未満では
強度、伸びの改善に効果なく、1.5%を越えると伸線
性が悪く、実用的でないためである。
又合金中の不純物を合計で001係以下と規定したのは
、伸線性の劣化を防止するためである。
、伸線性の劣化を防止するためである。
又本発明において、冷間加工工程中、200〜400℃
の温度での中間焼鈍を施すのは、爾後の伸線加工におい
て加工硬化能を高めて強度を増加させると同時に、最終
伸線後の伸び特性を改善するためであり、200℃未満
では伸線性が劣化し、強度、伸びの改善効率が無くなり
、又400°Cを越えるとやはり伸線性が劣化し、強度
、伸びも低下する。
の温度での中間焼鈍を施すのは、爾後の伸線加工におい
て加工硬化能を高めて強度を増加させると同時に、最終
伸線後の伸び特性を改善するためであり、200℃未満
では伸線性が劣化し、強度、伸びの改善効率が無くなり
、又400°Cを越えるとやはり伸線性が劣化し、強度
、伸びも低下する。
本発明において、中間焼鈍は少なくとも熱間加工後1回
又は2回以上施される。
又は2回以上施される。
200〜400℃の中間焼鈍により、熱間加工時にマト
リックス中に析出した81粒子の再配列と、一部固溶化
させることにより、加工硬化能の増大と伸び特性の改善
効果が得られる。
リックス中に析出した81粒子の再配列と、一部固溶化
させることにより、加工硬化能の増大と伸び特性の改善
効果が得られる。
第2図、第3図はAl−1%Si 合金を減面率99チ
の冷間加工後、棟々の温度で焼鈍した時の温度と、伸び
、引張強さの関係を示す図である。
の冷間加工後、棟々の温度で焼鈍した時の温度と、伸び
、引張強さの関係を示す図である。
図より、200〜400℃での焼鈍によシ、伸び特性の
回復と強度の改善が認められる。又200℃未満では伸
びが低く、又400℃を越えると伸びも強度も低下する
。
回復と強度の改善が認められる。又200℃未満では伸
びが低く、又400℃を越えると伸びも強度も低下する
。
又この中間焼鈍は、減面率80%以上の冷間加工後に行
なえば、爾後の伸線性、加工硬化能、伸び特性の改善に
効果がある。
なえば、爾後の伸線性、加工硬化能、伸び特性の改善に
効果がある。
(実施例)
表1に示す組成のA1合金を純度99.99%のhl地
金にAl−10%Si合金を添加して溶製し、ビレット
に鋳造した後ホモ処理し、しかる後熱間押出しによりl
0mmφの線材を作成した。
金にAl−10%Si合金を添加して溶製し、ビレット
に鋳造した後ホモ処理し、しかる後熱間押出しによりl
0mmφの線材を作成した。
この線材を皮剥、伸線により] mm−とし、表1に示
す温度で中間焼鈍を施した後、0.2 mm−に伸線加
工した。0.2mmφの線を前と同じ温度で中間焼鈍を
施した後、25μφに伸線し、25 ttφにおいて1
0秒間歪み取り焼鈍を施してボンディングワイヤとした
。
す温度で中間焼鈍を施した後、0.2 mm−に伸線加
工した。0.2mmφの線を前と同じ温度で中間焼鈍を
施した後、25μφに伸線し、25 ttφにおいて1
0秒間歪み取り焼鈍を施してボンディングワイヤとした
。
得られた25μφのボンディングワイヤについて引張強
さ、伸び、ボンディング強度を調査した結果は表1に示
す通りである。
さ、伸び、ボンディング強度を調査した結果は表1に示
す通りである。
ボンディング強度は、ボンディングワイヤを超音波ウェ
ッジワイヤボンダーにてICチップとリードフレームの
間にボンディングして、線の中央において破壊試験゛を
して強度の最低値および平均値をめた。
ッジワイヤボンダーにてICチップとリードフレームの
間にボンディングして、線の中央において破壊試験゛を
して強度の最低値および平均値をめた。
表 1
表Iよシ、本発明によるA I −A 5はいずれも強
度、伸びが良好で、又ボンディング強度も高いことが分
る。
度、伸びが良好で、又ボンディング強度も高いことが分
る。
これに対し、中間焼鈍温度の高いA6、Si量の低い厘
8はいずれかの特性が悪く、ボンディング強度も低く、
又中間焼鈍のない厘7は伸線性が悪い。
8はいずれかの特性が悪く、ボンディング強度も低く、
又中間焼鈍のない厘7は伸線性が悪い。
(発明の効果)
上述のように構成された本発明のボンディングワイヤの
製造方法は次のような効果がある。
製造方法は次のような効果がある。
合金中にSi0.8〜15%を含有するため、ボンディ
ングワイヤの強度を増加させると同時に伸びを得、不純
物を合計で0.01%以下としたため、伸線性の劣化を
防止し、冷間加工工程中、200〜400℃の温度での
中間焼鈍を1回以上施すことによシ、熱間加工時にマト
リックス中に析出した8粒子の再配列と、一部固溶化さ
せることによシ、加工硬化能を高めて強度を増加させる
と同時に伸び特性を改善するので、ボンディングワイヤ
としての強度、伸び特性にすぐれ、超音波ウェッジポン
ドによるボンティング強度のばらつきが少なく、最低強
度値の高いボンディングワイヤを製造し得る。
ングワイヤの強度を増加させると同時に伸びを得、不純
物を合計で0.01%以下としたため、伸線性の劣化を
防止し、冷間加工工程中、200〜400℃の温度での
中間焼鈍を1回以上施すことによシ、熱間加工時にマト
リックス中に析出した8粒子の再配列と、一部固溶化さ
せることによシ、加工硬化能を高めて強度を増加させる
と同時に伸び特性を改善するので、ボンディングワイヤ
としての強度、伸び特性にすぐれ、超音波ウェッジポン
ドによるボンティング強度のばらつきが少なく、最低強
度値の高いボンディングワイヤを製造し得る。
第1図はICのボンディングの例を示す断面図である。
第2図、第3図はA4−1%S+合金線を種々の温度で
焼鈍した時の温度と、伸び、引張強さの関係を示す図で
ある。 1・・・IC12・・・電極、3・・・パッケージ、4
・・・導電回路、5・・・ボンディングワイヤ。 7−
焼鈍した時の温度と、伸び、引張強さの関係を示す図で
ある。 1・・・IC12・・・電極、3・・・パッケージ、4
・・・導電回路、5・・・ボンディングワイヤ。 7−
Claims (1)
- fl) SiO,8〜1.5%を含有し、残部AIと合
計で0.01% 以下の不純物とから成るポンチ゛イン
グワイヤを、製造工程の冷間加工工程中、200〜40
0℃の温度での中間焼鈍を1回以上施すことを特徴とす
るボンディングワイヤの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58114974A JPS607163A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ボンデイングワイヤの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58114974A JPS607163A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ボンデイングワイヤの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607163A true JPS607163A (ja) | 1985-01-14 |
JPH04386B2 JPH04386B2 (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14651231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58114974A Granted JPS607163A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ボンデイングワイヤの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607163A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100873758B1 (ko) * | 2001-02-19 | 2008-12-15 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 본딩 와이어 |
JP2017039979A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | Kmアルミニウム株式会社 | アルミニウム合金 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101149066B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2012-05-24 | 한국세라믹기술원 | 포름알데히드 분해용 수열합성 패널의 제조방법 및 그로부터 제조된 패널 |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58114974A patent/JPS607163A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100873758B1 (ko) * | 2001-02-19 | 2008-12-15 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 본딩 와이어 |
JP2017039979A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | Kmアルミニウム株式会社 | アルミニウム合金 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04386B2 (ja) | 1992-01-07 |
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