JPH0438623A - 光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ディスクや光磁気ディスク等に対し情報を
記録、再生する光ディスク装置に関する。

従来の技術 一般に、この種の光ディスク装置は、ディスクの半径方
向に移動可能な光ピツクアップを備え、この光ピツクア
ップは、ビームを出射する半導体レーザや、このビーム
を集光してディスクに照射したり、その反射光を集光す
る対物レンズや、この反射光により再生データ信号であ
るＲＦ倍信号、ビームのフォーカスサーボ制御とトラッ
キングサーボ制御を行うためのサーボ信号を得るための
Ｐｉｎフォトダイオード等の光検出器等を備えている。

第２図は、従来の光ディスク装置の光・電気変換部を示
し、ＤＩＯＩは、ディスクからの反射光のレベルに応じ
た電流を変換するＰｉｎフォトダイオード、ＲＩＯＩは
、ＰｉｎフォトダイオードＤ　１０１により変換された
電流を電圧に変換する抵抗、Ａｌ０Ｉは、抵抗ＲＩＯ＋
により変換された電圧をインピーダンス変換して後段の
信号処理系に出力するバッファアンプである。

ここで、光ピツクアップの小型化、軽量化のために光学
系を兼用してサーボ信号とＲＦ倍信号得る光ディスク装
置では、それぞれの周波数帯域か例えばＤＣ〜数ＫＨｚ
ｓ数１０ＫＩＩＺ〜数ＭＨｚであるために、バッファア
ンプＡＩＱＩは、サーボ信号のための直流精度特性と、
ＲＦ倍信号ための広帯域特性が要求される。

しかしながら、このような特性を有するバッファアンプ
Ａｌ０Ｉは、技術的、コスト的に困難であるために、実
際には第３図に示すような光・電気変換部が用いられて
いる。

第３図において、ＤＩＯＩｌ、Ｒ１０１はそれぞれ、第
２図に示す光・電気変換部と同様なＰｉｎフォトダイオ
ード、抵抗であり、ＡｌＯ２は、サーボ信号のために直
流精度特性に優れたバッファアンプ、Ｃ１０１は、直流
を遮断するためのコンデンサ、ＡｌＯ３は、ＲＦ信号の
ために広帯域特性に優れたバッファアンプである。

上記構成において、バッファアンプＡｌＯ３の入力信号
は、コンデンサ０１０１により直流が遮断されているの
で、バッファアンプＡｌＯ２の直流特性に悪影響を与え
ることがない。

したがって、上記従来例では、直流精度特性に優れたバ
ッファアンプＡｌｏ２と広帯域特性に優れたバッファア
ンプＡｌＯ３の２つのアンプにより、サーボ信号とＲＦ
信号を同一の光検出器（Ｐ団フォトダイオードＤＩＯＩ
　）で得ることができる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、第３図に示すような上記従来の光ディス
ク装置では、ＰｉｎフォトダイオードＤ　１０１の接合
容量ＣｄとバッファアンプＡｌＯ２、ＡｌＯ３の入力容
量Ｏｉｎの和（Ｃｄ　＋　Ｃｉｎ　）と、抵抗ＲＩＯＩ
がロウパスフィルタを形成するために、ＲＦ倍信号この
ロウパスフィルタを通過するようにするために抵抗ＲＩ
ＯＩの上限値が制限されるという問題点がある。

したがって、バッファアンプＡｌＯ２の入力信号レベル
を十分に大きくすることができないために、バッファア
ンプＡｌＯ２は更に高い直流精度特性が要求されるとい
う問題点がある。

尚、この種の光ディスク装置においてサーボ信号に要求
される直流特性は、ＰｉｎフォトダイオードＤ　１０１
の検出電流に換算して１０ｎ　Ａ　／　℃以下に温度ド
リフトを抑える必要があり、また、ＲＦ倍信号帯域ｆＲ
Ｆが１０ＭＩＩｚまで要求される場合には、ｃｄ　＝　
Ｃｉｎ　＝　１０　ｐＨとすると、抵抗ＲＩＯＩの上限
値１％１０１は） Ｒ＋ｏ＋　＜　１　／２πｆＲｐ　ＬＣｄ十〇ｉｎ　）
玉８ｏＯ（Ω） となる。

この場合、バッファアンプＡ４０２に要求される入力換
算電圧ドリフト許容値ＶｏｓＤｒｉｆｔは、ＶｏｓＤｒ
ｉｆｔ　（１０（ｎＡ　／　℃）　Ｘ　８００　（Ω）
８（μＡ／”Ｃ） となり、したがって、現在の半導体プロセス技術により
８（μＡ／℃）以下の入力換算電圧ドリフトを補償する
アンプを製造することは可能であるが、コストの高いも
のとなり、光ディスク装置の低コスト化の障害となる。

本発明は上記問題点に鑑み、安価な光ディスク装置を提
供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、光検出器の検出電
流をサーボ信号帯域で電圧に変換するための比較的高い
値の第１の抵抗と、光検出器の検出電流なＲＦ信号帯域
で電圧に変換するための比較的低い値の第２の抵抗を備
えたものである。

作用 本発明は上記構成により、サーボ信号帯域では比較的高
い値の第１の抵抗により、サーボ信号用バッファアンプ
に要求される入力換算電圧ドリフト許容値を大きく設定
することができるために、安価なバッファアンプをサー
ボ信号用に用いることができる。

また、比較的低い値の第２の抵抗によりＲＦ信号帯域を
十分通過させることができる。

実施例 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図
は、本発明に係る光ディスク装置の光・電気変換部の一
実施例を示す回路図である。

第１図において、光検出器Ｄ１のアノードは、サーボ信
号検出用のバッファアンプＡ１の入力端子と電流検出用
の第１の抵抗Ｒ１の一端に接続され、抵抗Ｒ１の他端は
接地されている。

また、抵抗Ｒ１の一端は、直流阻止用のコンデンサＣ１
の一端に接続され、コンデンサＣ１の他端は、ＲＦ信号
検出用のバッファアンプＡ２の入力端子と電流検出用の
第２の抵抗Ｒ２の一端に接続され、抵抗Ｒ２の他端は接
地されている。

尚、コンデンサＣ１と第２の抵抗Ｒ２は、そのフィルタ
の遮断周波数がサーボ信号帯域の上限値とＲＦ信号帯域
の下限値の中間値になるように選択され、第１の抵抗Ｒ
１は、サーボ信号帯域では光検出器Ｄ１の出力電流が抵
抗Ｒ１のみにより終端されるために、バッファアンプＡ
１の入力換算電圧ドリフトの許容値が技術的、コスト的
に実用的になるように選択される。

また、第２の抵抗Ｒ２は、ＲＦ信号帯域では光検出器Ｄ
１の出力電流が抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の並列抵抗値で終端
されるために、光検出器Ｄ１の容量ｃｄとバッファアン
プＡ１、Ａ２の入力容量Ｃｉｎに対してＲＦ信号の帯域
ｆＲＦが遮断されないように選択される。

ト記構成において、例えば サーボ信号帯域：ＤＣ〜１０　ＫＨｚ ＲＦ信号帯域：１ｏＯＫＨ２〜１０ＭＨ２光検出器Ｄ１
の検出電流換算の温度 ドリフト許容値：　１ｏ　ｎＡ　／　”Ｃ以下ｃｄ　：
　Ｃｉｎ　＝　１０　ｐＨ とし、また、 Ｒ１＝１０にΩ Ｒ２井８７２Ω を選択すると、バッファアンプＡ１に要求される入力換
算電圧ドリフト許容値ＶｏｓＤｒｉｆｔは、ＶｏｓＤｒ
ｉｆｔ　（１０（ｎＡ　／　’Ｃ）　Ｘ　１０　（ＫΩ
）０、１　（ｍＶ　／’Ｃ） となり、したがって、バッファアンプＡ１は、現在の汎
用モノリシックのオペアンプで十分実現可能である。

また、容量（Ｏｄ＋Ｃ１ｎ）に対する抵抗Ｒｌ／／　Ｒ
２の遮断周波数は１０ＭＨｚとなり、ＲＦ信号帯域を十
分通過させることができる。

発明の詳細 な説明したように、本発明は、光検出器の検出電流をサ
ーボ信号帯域で電圧に変換するための比較的高い値の第
１の抵抗と、光検出器の検出室９．７ 流をＲＦ信号帯域で電圧に変換するための比較的低い値
の第２の抵抗を（ｉｉｉｉえたので、サーボ信号帯域で
は比較的高い値の第１の抵抗によりサーボ信号用バッフ
ァアンプに要求される入力換算電圧ドリフト許容値を大
きく設定することができるために、安価なバッファアン
プをサーボ信号用に用いることができ、したがって、安
価な光ディスク装置を実現することができる。

また、比較的低い値の第２の抵抗によりＲＦ信号帯域を
十分通過させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る光ディスク装置の光・電気変換
部を示す回路図、第２図は、従来の光ディスク装置の光
・電気変換部を示す回路図、第３図は、他の従来の光デ
ィスク装置の光・電気変換部を示す回路図である。 Ｄ、・・・光検出器、Ｒ１・・・第１の抵抗、Ｒ２・・
・第２の抵抗、Ｃ１・・・コンデンサ、Ａ１・・・サー
ボ信号用バッファアンプ、Ａ２・・・ＲＦ信号用バッフ
ァアンプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 記録媒体からの反射光によりサーボ信号とＲＦ信号を得
   るための光検出器と、前記光検出器の検出電流をサーボ
   信号帯域で電圧に変換するための比較的高い値の第１の
   抵抗と、前記光検出器の検出電流をＲＦ信号帯域で電圧
   に変換するための比較的低い値の第２の抵抗とを有する
   光ディスク装置。