JPH0437764A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPH0437764A
JPH0437764A JP14466390A JP14466390A JPH0437764A JP H0437764 A JPH0437764 A JP H0437764A JP 14466390 A JP14466390 A JP 14466390A JP 14466390 A JP14466390 A JP 14466390A JP H0437764 A JPH0437764 A JP H0437764A
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JP
Japan
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group
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unsubstituted
substituted
fused polycyclic
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Application number
JP14466390A
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English (en)
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Yoshio Takizawa
喜夫 滝沢
Yoshiaki Takei
武居　良明
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関し、特に有機光導電性電子
写真感光体、更に電子写真感光体構成層の膜物性に関す
る。
〔従来の技術〕
カールソン法の電子写真複写機においては、感光体表面
を一様に帯電させた後、露光によって画像様に電荷を消
去して静電潜像を形成し、その静電潜像をトナーによっ
て現像し、次いでそのトナー像を紙等に転写、定着させ
る。
一方、感光体には付着トナーの除去・や除電、表面の清
浄化が施され、長期に亘って反復使用される。
従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で更に暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論、
加えて繰返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等の物
理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露光時の
紫外線等への耐性（耐環境性）においても良好であるこ
とが要求される。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を感光層主成分とす
る無機感光体が広く用いられていた。
近年電子写真用感光体の感光層としてキャリア発生機能
とキャリア輸送機能とを異なる物質に分担させ、希望す
る特性に照して各機能を発揮する物質を広い範囲から選
択し、感度が高く耐久性の大きい有機感光体を実用化す
る動向にある。
このような機能分担をの有機感光体は従来主として負帯
電用として用いられ、特開昭６０−２４７６４７号に記
載されるように支持体上に薄いキャリア発生層を設け、
この上に比較的厚いキャリア輸送層を設ける構成がとら
れている。
このような感光体に使用されるバインダとしては、帯電
特性、感度、残留電位及び繰返し特性等の面で、下記構
造式で示されるビスフェノールＡ型のポリカーボネート
が良好な特性を発揮することが良く知られている。
しかし本発明者等が検討を加えた結果、上記ビスフェノ
ールＡ型ポリカーボネートは、高分子の結晶性が高いた
めその溶液はゲル化を起しやすく、ｌ〜２日程度で使用
不可能となるという欠点を有している。また塗布により
膜形成を行なうと塗膜形成時に膜表面に結晶性ポリカー
ボネートが析出して凸部が生じやすく、このために塗膜
の尾引きが生じて収率が低下したり、あるいは感光体と
しての使用時に凸部にトナーが付着してクリーニングさ
れずに残り、いわゆるクリーニング不良による画像欠陥
が生じやすい。
また、上記ビスフェノールＡｆｉポリカーボネートをバ
インダ樹脂として用いた電子写真感光体は、電子写真複
写機の感光体として用いると、磁気ブラシやクリーニン
グブレードで擦過され感光層表面に傷が付いたり、感光
層が次第に摩耗するという欠点を有する。
他方、高画質と順調な複写作業性は、感光体の均一な厚
みを有する滑らかで均質な表面性の良否にも依存するの
で、感光体塗布構成層面の構成層を形成する塗料組成或
は塗布、乾燥に起因する柚木肌、ピンホール、塗布筋、
亀裂（ソルベントクラック）等の膜面故障は、複写特性
上及び生産技術上大いに問題にされる所である。
また、表面性或は滑り性の改善には界面活性剤も有用で
あり、而も懸濁系の塗料に於ては懸濁質の分散及び分散
安定性向上に有効であり、溶液系塗料に於ても溶解促進
などに、また塗布性の向上等生産技術上の価値を有する
。しかしながら、その種類の選択を誤ると、層間接着不
良、その変質による故障或は耐湿性に係る支障を往々に
して惹起す。
前記したような支障に対して、フェニレン環間の炭素に
弗素を有する置換基の導入（特開昭６３−６５４４４号
）　、７．ニレン環へのアルキル基、ハロゲン原子の置
換（特開昭６３−１４８２６３号）、或は＋１１１７二
二レン環にフェニル基を又はシクロヘキシル基を置換し
た七ツマ−の共重体（特開平１−２６９９４２号、同１
−２６９９４３号）、或はキャリア輸送物質としてジス
チリルをビスフェノールＺ型ポリカーボネートに併用す
ること（特開昭６４−３２２６５号）等が提案されてい
るが、未だ充分な表面強度、表面平滑性がなく、摩耗、
傷に弱く、反復使用において画質の低下が起り、また摩
耗による膜厚減少による感度低下等の問題点を残してい
る。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、高感度で、かつ電子写真感光体感光層
の機械的耐久性が高く、表面平滑性が良好であり、耐オ
ゾン性が良好で、画質低下、感度減退の少い感光体の提
供にあり、また他の目的は感光層塗料のポットライフ（
保存性）の良好な感光体の提供にある。
〔発明の１１１ＦＲ〕 前記本発明の目的は、導電性基体上に電荷発生層、電荷
輸送層を順次積層した感光層を有する電子写真感光体に
おいて、前記感光層のバインダに、主要繰返し単位とし
て下記一般式〔Ｂ１〕からなる重合体、又は主要繰返し
単位として前記一般式〔Ｂ１〕及び下記一般式〔Ｂ２〕
を構造組成に含む共重合体を含有し、かつ下記一般式〔
Ｔ〕で表される化合物を含有することを特徴とする電子
写真感光体によって達成される。
一般式〔Ｂ１〕 一般式〔Ｂ、〕 式中、ＸＩ、Ｘ２ハ、Ｒｒ　　ＣＲｚ　　（但シＲ＋。
Ｒ２は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６
〜１２のアリール基を表す。）　、＞Ｃ−（ＣＨｚ）ｓ
　（但しｍは４−１０の整数）、（ＣＨ２）Ｔ（但しｎ
は２−１０整数）、単結合、−０−＋−５−＋−５ｏ−
＋−５Ｃｈ−を表す。
又、Ｒ、、ＲｌＲｓ、Ｒ＊及びＲ、、Ｒ、、Ｒ、、Ｒ、
。は各々水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアル
キル基、炭素数６〜１２のアリール基を表し、その少な
くとも１つはンクロヘキシル基又はアリール基をとる。
Ｒｌｌ＋Ｒ１２は各々ハロゲン原子、炭素数１〜６のア
ルキル基を表し、ｐ、ｑは０〜４の整数である。
前記重合体又は共重合体の重合度は１０〜５０００、好
ましくは５０〜１０００である。
本発明において、前記一般式〔Ｂ、〕を主要繰返し単位
とする重合体、又は主要繰返し単位として前記一般式〔
Ｂ１〕及び一般式〔Ｂ２〕を構造組成に含む共重合体を
バインダ樹脂として用いることにより皮膜物性に優れ、
２電荷保持力、感度残留電位等の電子写真特性に優れ、
かつ繰返し使用に供した時にも疲労劣化が少ない安定し
た特性を発揮する電子写真感光体を作成することができ
る。
更に必要に応じ目的とする作用効果に支障を来さぬ範囲
で他の七ツマ−を混合して用いることができる。この際
の混入比率は５０ｖｔ／％以下が好ましい。
本発明のポリカーボネート樹脂は、下記（１）及び（Ｉ
Ｉ）から選ばれるフェノール系化合物を用いて常法に従
い容易に合成される。
Ｒ３は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６
〜１２のアリール基を表す。）　、＞Ｃ（ＣＴｏ）鵬（
但しｍは４−１０の整数）　、（ＣＨｚ）Ｔ（但しｎは
２−１０整数）、単結合、−ｏ−、−ｓ−、−５ｏ−、
−ｓｏ、−を表す。
又、Ｒｓ　、Ｒ４Ｒｓ　、　Ｒｓ及びＲ７，Ｒａ＋Ｒ、
、Ｒ、。は各々水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６
のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を表し、そ
の少なくとも１つはシクロヘキシル基又ｌボアリール基
をとる。
Ｒ１□、Ｒ、！は各々ハロゲン原子、炭素数１〜６のア
ルキル基を表し、ｐ、ｑは０〜４の整数である。
本発明のポリカーボネート樹脂を製造する方法は、具体
的には塩化メチレン、１．２−ジクロルエタン等の不活
性溶媒存在下、前記フェノール系化合物に、酸受容体と
してアルカリ水溶液或はピリジン等を入れ、ホスゲンを
導入しながら反応させる方法が挙げられる。
酸受容体としてアルカリ水溶液を使う時は、触媒として
トリメチルアミン、トリエチルアミン等の第３級アミン
、あるいはテトラブチルアンモニウムクロリド、ベンジ
ルトリブチルアンモニウムプロミド等の第４級アンモニ
ウム化合物を用いると、反応速度が増大する。
また必要に応じて分子量調節剤としてフェノール、ｐ−
ｔ−ブチルフェノール等１価の７エノールを共存させて
もよい。触媒は最初から入れてもよいし、オリゴマーを
造った後に入れて高分子量化する等任意の方法がとれる
。
尚、本発明において２種以上のフェノール系化合物を用
いて共重合する方法としては、（イ）２種以上の７工ノ
ール系化合物を最初に同時にホスゲンと反応させて共重
合する方法（ロ）一方をまずホスゲンと反応させ、ある
程度反応を行った後他方を入れて重合する方法（ハ）別
々にホスゲンと反応させて重合する方法等の任意の方法
がとれる。
次に一般式ＣＢ＋）、ＣＢりで示される構造の一般式〔
Ｂ１〕で示される構造： −大穴 〔Ｂ、〕 で示される構造： 前記両構造の共重合体としては下記のものが挙げられる
。
Ｂ５　　・・・　　（Ｂ＋　　　１）／（Ｂｔ　　　１
）Ｂ６　　・・・　　（Ｂ、−１）／　　（Ｂ２−３）
Ｂ７　　・・・　　ＣＢ、−４）／　　（Ｂ２−３）Ｂ
８　　・・・　　（Ｂ、−５）／　　（Ｂ２−２）前記
したバインダとして用いられるポリカーボネートもしく
はカーボネートコポリマーに併用して用いてもよいバイ
ンダとしては、例えば次のものを挙げることができる。
（１）　　ポリエステル （２）　メタクリル樹脂 （３）アクリル樹脂 （４）ポリ塩化ビニル （５）ポリ塩化ビニリデン （６）ポリスチレン （７）ポリビニルアセテート （８）　スチレン共重合樹脂（例えば、スチレン−ブタ
ヂエン共重合体、スチレン−メタクリル酸メチル共重合
体、等） （９）アクリロニトリル系共重合体樹脂（例えば、塩化
ビニリデン−アクリトロニトリル共重合体、等） （１０）塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（１１）　　
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 （１２）　　ンリコーン樹脂 （１３）　　７リコーンーアルキツド樹脂（１４）　　
フェノール樹脂（例えば、フェノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、等） （１５）　　スチレン−アルキノド樹脂（１６）ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール（１７）ポリビニルブチラール （１８）ポリビニルホルマール （１９）　　ポリヒドロキシスチレン これらのバインダは、単独であるいは２種以上の混合物
として本発明に係るカーボネートに併用することができ
る。
次に一般式〔Ｔ）で表されるキャリア輸送物質（ＣＴＭ
）について説明する。
一般式〔Ｔ〕 Ａｒ＋ 式中、Ａｒ、は、　−く二ＹＲ３）’、置換もしくは無
置換の銃把３つの基：縮合多環系炭化水素基、複素環基
、縮合多環系複素環基を表す。
素環基、縮合多環系複素環基を表す。
Ａｒ、及びＡｒ６は、−（コｒＲ５）ｋ、置換もしくは
無置換の銃把３つの基：縮合多環系炭化水素基、複素環
基、縮合多環系複素環基を表す。
Ｒ１及びＲ７は−８Ｒａ　）Ｑ、　、換もしくは無置換
の銃把３つの基：縮合多環系炭化水素基、複素環基、縮
合多環系複素環基を表し、又Ａｒ、及びＡｒｃと共同し
て環を形成してもよい。
Ｒ３は置換もしくは無置換アルキル基、フェニル基、ア
ルフキ７基、フェノキＶ基及びンアノ基、ハロゲン原子
、カルボキシル基、アンル基、ヒドロキシル基、ニトロ
基、アミノ基、更に置換もしくは無置換の銃把６つの基
：アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルア
ミノ基、環状炭化水素基、縮合多環系炭化水素基、複素
環基を表す。
Ｒ、、Ｒ、及びＲ，は、置換もしくは無置換の銃把４つ
の基；アルキル基、フニニル基、アルコキシ基、フェノ
キシ基及びシアン基、ハロゲン原子、カルボキシル基、
アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、更に
置換もしくは無置換の銃把６つの基；アルキルアミノ基
、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、環状炭化水
素基、縮合多環系水素基、複素環基を表す。
ｉ、に、ｌは、０〜５の整数を表し、Ｊは、０〜Ｔ−１
０ Ｔ−１３ 本発明において併用して使用可能なＣＴＭとしては、特
に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミ
ダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾ
リジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピ
ラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１ビニルピレン、
ポリ−９−ビニルアントラセン等である。
本発明において用いられるＣＴＭとしては光照射時発生
するホールの支持体側への輸送能力が優れている外、前
記本発明に用いられる有機系顔料との組合せに好適なも
のが好ましい。
本発明の感光体においては、キャリア発生物質（ＣＧＭ
）として次の代表例で示される様な有機顔料が用いられ
る。
（１）　　モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリアゾ顔料
、金属錯塩アゾ顔料等のアゾ顔料 （２）ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレ
ン顔料 （３）アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
多環キノン顔料（４）インジゴ誘導体及びチオインジゴ
誘導体等のインジゴイド顔料 特に本発明の電子写真感光体においては、ＣＧＭとして
フルオレノン系ジスアゾ顔料、フルオレニリデン系ジス
アゾ顔料、多環キノン顔料等の有機系顔料が用いられる
ことが好ましい。特に次に示すフルオレノン系ジスアゾ
顔料、フルオレニリデン系ジスアゾ顔料、多環キノン顔
料を本発明に用いると、感度、耐久性及び画質等の点で
著しく改良された効果を示す。
本発明に用いられるフルオレノン系ジスアゾ顔料は、下
記−大計〔Ｆ１〕で表される。
−大計〔Ｆ１〕 Ｘｌ及びＸ２は、それぞれ、ハロゲン原子、アルキル基
、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又
は置換若しくは無置換のアミノ基を表す。ｐ及びｑはそ
れぞれ０．１又は２の整数を表し、ｐ及びｑが２のとき
は、Ｘｌ及びＸ２はそれぞれ同−又は異なる基であって
もよい。
Ａは下記−大計ＣＦ、−１）で表される基を示す。
−大計（ｐ＋ ■　〕 Ｚ゛ 式中、Ａｒは弗素化炭化水素基又は置換基を有する芳香
族炭素環基又は芳香族複素環基を表す。
Ｚは置換若しくは無置換の芳香族炭素環又は置換若しく
は無置換の芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原
子群を表す。
ｍ及びｎはそれぞれ０．１又は２の整数を表す。
但し、ｍ及びｎが同時に０となることはない。
下記に本発明に用いられるフルオレノン系ジスアゾ顔料
の具体例を挙げるが、これによって限定されるものでは
ない。
試料Ｎｏ。
本発明に用いられる前記一般式〔Ｆ１ａで表されるフル
オレノン系ジスアゾ顔料は、公知の方法により容易に合
成され、例えば特願昭６２−３０４８６２号等の方法に
より合成される。
本発明に用いられるフルオレニリデン系ジスアゾ顔料は
下記一般式〔Ｆ２ａで表される。
一般式〔Ｆ２ａ ＣＮ　　　　ＣＮ 式中、 Ａは ２　：置換、無置換の次記２つの基：芳香族炭素環、芳
香族複素環を構成するに必要な原子群 Ｙ　：水素原子、ヒドロキシ基、カルボキン基、若しく
はそのエステル基、スルホ基、置換無置換の次記２つの
基；カルバモイル基、スルファモイル基 Ｒ１：水素原子、置換、無置換の統記４つの基：アルキ
ル基、アミノ基、カルバモイル基、カルボキシ基若しく
はそのエステル基またはンアノ基 Ａｒ：置換、無置換のアリール基 Ｒ２＝置換、無置換の銃把３つの基；アルキル基アラル
キル基、アリール基 を表す。
前記一般式〔Ｆ、〕で示される本発明に有効なジスアゾ
顔料の具体例としては、例えば次の構造式で示されるも
のを挙げることができるが、これによって本発明に用い
られるべきジスアゾ顔料が限定されるものではない。
Ｆ、−５ 本発明に用いられる多環キノン顔料は、下記−大計〔Ｑ
１〕〜〔Ｑ、〕で表される。
−大計（Ｑ＋）： 一般式（Ｑり： 一般式（Ｑｓ）： 各式中、Ｘはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ア／
ル基、又はカルボキシ基を表し、ｎは０〜４の整数を、
ｍは０〜６の整数を表す。
前記−大計〔Ｑ１〕〜〔Ｑ、〕で示される本発明に用い
られる多環キノン顔料の具体例を下記に示すが、これに
限定されるものではない。
−大計〔Ｑ１〕で示されるアントアントロン顔料の具体
的化合物例を挙げると次の通りである。
Ｑ、−Ｉ　　　　　　　　　Ｑ、−２ Ｑ、−６ 大計〔Ｑ２〕で示されるジベンズピレンキノン顔料の具
体的化合物例を挙げると次の通りである。
Ｑ、−４ Ｑ２−３ Ｑ２−５ 一般式〔Ｑ、〕で示されるピラントロン顔料の具体的化
合物例を挙げると次の通りである。
本発明に用いられる前記−大計〔Ｑ１〕〜〔Ｑ、〕で表
される多環キノン顔料は、公知の方法により容易に合成
できる。
本発明に使用できる無金属フタロ／アニン系顔料として
は、光導電性を有する無金属フタロンアニン及びその誘
導体すべてが使用可能であるが、例えはａ型、β型、τ
、τ′型、η、ワ′型、Ｘ型、及び特開昭６２１０３６
５１号で述べた結晶形及びその誘導体等を使用できる。
特にτ、Ｘ、に／Ｒ−Ｘ型を使用することが望ましい。
Ｘ型無金属フタロシアニンについては米国特許３，３５
７，９８９号に記載があり、τ型無金属フタロシアニン
については特開昭５８−１８２６３９号に記載がある。
Ｋ／Ｒ−Ｘ型は特開昭６２−１０３６５１号にあるよう
に、ＣｕＫ　ｇ、１．５４１人のＸ線に対するブラッグ
角度（２θ±０．２度）において、７．７．９．２．１
６．８．１７．５．２２．４．２８．８度に主要なピー
クを有し、且つ９．２度のピーク強度に対して１６．８
度のピーク強度比が０．８〜１．０であり、また２２．
４度に対する２８．８度のピーク強度比が０．４以上で
ある事を特徴とするフタロシアニンである。
本発明で用いられるオキ／チタニルフタロンアニンは、
下記−大計（ＴＰ’ｌで表される。
−大計ＣＴＰ） 式中、Ｘ　＋　、　Ｘ　２．　Ｘ　！、　Ｘ　ｔハ各々
独立にＨ，ＣＱ又はＢｒを表し、ｎ　＋　ｍ　＋　１２
　、には各々独立にＯ〜４の数字を表す。
本発明に用いられるオキシチタニル７タロンアニンのう
ち、特に好適なものは、オキ／チタニルフタロンアニン
（Ｔ＋０Ｐｃ）、チタニルクロロフタロンアニン（Ｔｉ
０ＰｃＣＱ）及びそれらの混合物である。
これらのオキシチタニル７タロンアニンとしては以下で
示す特許で公開された結晶型の異なるものが知られてい
る。例えば特開昭６１−２３９２４８号、同６２−６７
０９４３号、同６２−２７２２７２号、同６３−１１６
１５８号又は同６４−１７０６６号等が挙げられる。
本発明に用いられる有機系顔料の分散媒としては、例え
ばヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水
素類、メチレンクロライド、メチレンブロマイド、ｌ、
２−ジクロルエタン、５ｙｎ−テトラクロルエタン、　
ｃｉｓ−１，２−ジクロルエチレン、■。
１．２−トリクロルエタン、１，１．１−トリクロルエ
タン、１．２−、；クロルプロパン、クロロホルム、ブ
ロモホルム、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、メ
タノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、シ
クロヘキサノール、ヘプタツル、エチレングリコール、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸セロソルブ
等のアルコール及びこの誘導体、テトラヒドロフラン、
■、４−ジオキサン、７ラン、フルフラール等のエーテ
ル、アセタール類、ピリジンやブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、インプロパツールアミン等
のアミン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド
類等の窒素化合物能に脂肪酸及びフェノール類、二硫化
炭素や燐酸トリエチル等の硫黄、燐化合物等か挙げられ
る。
本発明において感光層には感度の向上、残留電位〜反復
使用時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の
電子受容性物質を含有せしめることができる。
ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水７タル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、
１．３．５−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニ
トリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、ジクロルジシアノバラベンゾキ
ノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、　２
．７−シクロヘキサノン、２，４．７−）リニトロフル
オレノン、　２，４，５．７−テトラニトロフルオレノ
ン、９−フルオレニリデン［ジンアノメチレンマロノジ
ニトリル１、ポリニトロ−９−フルオレニリデン−［几
４ノメチレンマロノジニトリル］、ヒフリン酸、０−ニ
トロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３．５−ジニトロ
安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチ
ル酸、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリッ
ト酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げること
ができる。又、電子受容性物質の添加割合は、重量比で
本発明に用いられる有機系顔料、電子受容性物質−１０
０：　０．０１〜２００、好ましくは１００：０．１〜
１００である。
かかる層への電子受容性物質の添加割合は重量比で全Ｃ
ＴＭ　：電子受容性物質−１００：　０．０１〜１００
、好ましくは１００　：　０．１〜５０である。
又、本発明の感光層中にはＣＧＭの電荷発生機能を改善
する目的で有機アミン類を添加することができ、特に２
級アミンを添加するのが好ましい。
これらの化合物は特開昭５９−２１８４４７号、同６２
−８１６０号に記載されている。
又、本発明の感光層においては、オゾン劣化防止の目的
で酸化防止剤を添加することができる。
かかる酸化防止剤の代表的具体例を以下に示すか、これ
に限定されるものではない。
１−群；ヒンダードフェノールＭ、Ｉ［−群；バラフェ
ニレンジアミン類、■−群：ハイドロキノン類、■−群
：有Ｗ１硫黄化合物類、■−群：有機燐化合物類が挙げ
られる。
これらの化合物は例えば特開昭６３−１８３５４号に開
示されている。
これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。
酸化防止剤の添加量はＣＴＭ　１００重量部に対して０
．１〜１００重量部、好ましくは１〜５０重量部、特に
好ましくは５〜２５重量部である。
又、本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。
また本発明に係る保護層中には加工性及び物性の改良（
亀裂防止、柔軟性付与等）を目的として必要により熱可
塑性樹脂を５Ｑｖｔ％未満含有せしめることができる。
又、前記中間層は接着層又はブロッキング層等として機
能するもので、上記バインダ樹脂の外に、例えばポリビ
ニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメチル
セルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン
、Ｎ−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられ
る。
本発明の電子写真感光体の構成に用いられる導電性支持
体としては、主として下記のものが用いられるが、これ
らにより限定されるものではない。
■）アルミニウム板、ステンレス板などの金属板。
２）紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上に
、アルミニウム、パラジウム、金などの金属薄層をラミ
ネートもしくは蒸着によって設けたもの。
３）紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上に
、導電性ポリマ、酸化インジウム、酸化錫などの導電性
化合物の層を塗布もしくは蒸着によって設けたもの。
本発明の感光体は、第１図及び第２図に示すように導電
性支持体ｌ上にＣＧＭを主成分とするＣＧＬ　２と本発
明に係るＣＴＭを主成分として含有するＣＴＬ　３との
積層体より成る感光層４を設ける。第３図及び第４図に
示すようにこの感光層４は、導電性支持体ｌ上に設けた
中間層５を介して設けてもよい。
このように感光層４を二層構成としたときに最も優れた
電子写真特性を有する電子写真感光体が得られる。又、
本発明においては、！５図及び第６図に示すように前記
ＣＴＭを主成分とする層６中に微粒子状のＣＧＭ　７を
分散してなる感光層４を導電性支持体ｌ上に直接あるい
は、中間層５を介して設けてもよい。
更に前記感光層４の上には必要に応じ保護層８を設けて
もよい。
ここで感光層４を二層構成としたときにＣＧＬ　２とＣ
ＴＬ　３のいずれを上層とするかは、帯電極性を正、負
のいずれに選ぶかによって決定される。すなわち負帯電
型感光層とする場合は、ＣＴＬ　３を上層とするのか有
利であり、これは該ＣＴＬ３中のＣＴｊＪが、正孔に対
して高い輸送能を有する物質であるからである。
又、二層構成の感光層４を構成するＣＧＬ　２は、導電
性支持体ｌもしくはＣＴＬ　３上に直接あるいは必要に
応じて接着層もしくはブロッキング層などの中間層を設
けた上に、次の方法によって形成することができる。
（１）真空蒸着法 （２）　　ＣＧ）Ｊを適当な溶剤に溶解した溶液を塗布
する方法 （３）　　ＣＧＭをボールミル、サンドグラインダ等に
よって分散媒中で微細粒子状とし必要に応じて、バイン
ダと混合分散して得られる分散液を塗布する方法。
即ち具体的には、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等
の気相堆積法あるいはディッピング、スプレィ、ブレー
ド、ロール法等の塗布方法か任意に用いられる。
このようにして形成されるＣＧＬ　２の厚さは、０．０
１μｍ〜５μｍであることが好しく、更に好しくは０．
０５μｍ〜３μｍである。
またＣＴＬ　３の厚さは、必要に応して変更し得るが通
常５μｍ〜３０μｍであることが好ましい。このＣＴＬ
　３における組成割合は、本発明のＣＴＭＩＩＩ量部に
対してバインダ１１〜５重量部とするのか好ましいが、
微粒子状のＣＧＭを分散せしめた感光層４を形成する場
合は、ＣＧＭ　１重量部に対してバインダを５重量部以
下の範囲で用いることが好ましい。
またＣＧＬをバインダ中分散型のものとして構成する場
合には、ＣＧＭ　１重量部に対してバインダを５重量部
以下の範囲で用いることが好ましい。
本発明の感光体は以上のような構成であって、後述する
ような実施例からも明らかなように帯電特性、感度特性
、画像形成特性に優れたものである。特に反復転写式電
子写真方式に供したときにも疲労劣化が少なく耐久性が
優れたものである。
〔実施例〕
以下本発明の実施例を具体的に説明するが、これにより
本発明の実施態様が限定されるものではない。
実施例１ ε−アミノ−カプロン酸、アジピン酸及びＮ−（β−ア
ミノエチル）ピペラジンの比率がｌ：ｌ：ｌのモノマー
組成で共重合されたポリアミド３０ｇを５０００に加熱
した８００ｍ１２のメタノールＥＬ規格（関東化学社製
）へ撹拌しながら投入し、溶解させた。室温迄冷却後、
Ｉ−ブタノール特級（関東化学社製）２００ｍ（ｌを加
えた。その後、直径８０ｍｍのアルミニウムドラム上へ
浸漬塗布し、０．５μｍ厚の中間層を形成した。
次にＣＧＭとしてフルオレノン系ジスアゾ顔料（例示化
合物Ｆ　＋　　２３）　２０ｇ及びバインダとしてポリ
ビニルブチラール樹脂エスレックＢＸ−１（覆水化学社
製）ｌＯｇをメチルエチルケトン（関東化学社製ＥＬ規
格）　ｌｏｏｏｍ（２へ溶解し、サンドミルにて２４時
間ミリングを行い、ＣＧＬ塗工液を得た。これを上記中
間層上に浸漬塗布して０．３μ■厚のＣＧＬを形成した
。
その後、前記（例示ＣＴＭ；　Ｔ　−２）　１２０ｇと
重合体Ｂ　＋　　１１６５ｇを１．２−ジクロルエタン
特級（関東化学社製）　１０００＋ｉ（２へ溶解させ、
ＣＴＬ塗工液を得た。
これを上記ＣＧＬ上に浸漬塗布後、１００℃で１時間乾
燥し、２０μ■厚のＣＴＬを形成したシュのようにして
、中間層−ＣＧＬ−ＣＴＬを順次積層して成る感光体を
作成した。
実施例２ ＣＴＭを例示；Ｔ−３、ＣＴＬバインダを重合体Ｂ。
−４とした以外は実施例１と同様にして感光体を作成し
た。
実施例３ 中間層の形成は実施例１と同様に行った。
ＣＧＭとして、多環牛ノン系顔料（例示化合物；Ｑ、−
３）２０ｇ及びバインダとしてポリカーボネート樹脂Ｌ
　−１２５０（奇人化成社製）１０ｇを１．２−ジクロ
ルエタン特級（関東化学社製）へ溶解し、ボールミルに
て２４時間ミリングを行いＣＧＬ塗工液を得た。これを
上記中間層上に浸漬塗布とて０．３μ■厚のＣＧＬを形
成した。
次いでＣＴＭを例示、Ｔ−１，バインダを共重合体Ｂ−
３とした以外は実施例Ｉと同様にＣＴＬを積層し、感光
体を作成した。
実施例４ ＣＴＭを例示、Ｔ−１３、ＣＴＬバインダを重合体Ｂ−
３とした以外は実施例１と同様にして感光体を作成いこ
。
実施例５ ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＸ−１゜覆水
化学社製）１２ｇをメチルエチルケトン１０００ｍ１１
に溶解しさせた後、ＣＧＭとして例示化合物Ｑ１−３；
５．７ｇ、例示化合物Ｆ　１−２３；　０．３ｇを混合
し、サンドグラインダで１０時間分散した。
これを実施例１で記した中間層上に浸漬塗布し、ＣＧＬ
を形成、更に実施例２と同様にしてＣＴＬを形成し、感
光体を作成した。
実施例６ 実施例１で用いたポリアミド５０ｇを５０°Ｃに加熱し
た８００ｍｎのメタノールＥＬ規格（関東化学社製）へ
撹拌しながら投入し、溶解させた。室温迄冷却後、■−
ブタノール特級（関東化学社製）　２００ｍ（ｌを加え
た。その後、直径８０＋ａａ＋のアルミニウムドラム上
へ浸漬塗布し、０．５μ■厚の中間層を形成した。
次にＣＧＭとしてτ型無金属フタロンアニン（τ−Ｐｃ
）　４０ｇをンリコーン樹脂ｒ　ＫＲ−５２４０Ｊ　（
固形分２０％）（信越化学社製）２００ｇを溶解しｔ；
メチルエチルケトンＥＬ規格（関東化学社製）　２００
０ｍｆ２に加えて、サンドグラインダにて４時間分散さ
せ、ＣＧＬ塗工液を得た。これを上記中間層上に浸漬塗
布して０．５μ−厚のＣＧＬを形成した。
その後、前記（例示ｃＴＭ；　Ｔ　−７）　１２０ｇと
重合体Ｂ　ｌ−４１６５ｇを１．２−ジクロルエタン特
級（関東化学社製）　１０１００Ｏ＋へ溶解させ、ＣＴ
Ｌ塗工液を得た。
これを上記ＣＧＬ上に浸漬塗布後、１００℃で１時間乾
燥を行い、２０μ■厚のＣＴＬを得た。中間層、ＣＧＬ
及びＣＴＬの順に積層して成る感光体を作成しｔこ。
実施例７ ＣＧＭｉ：ＸＩ！無金異金属フタロシアニン−Ｐｃ）を
ＣＴＬバインダとして共重合体Ｂ−２を用いた以外は、
実施例６と同様にして中間層−ＣＧＬ　−ＣＴＬを順次
積層して成る感光体を作成した。
実施例８ ＣＧＭｉｍＹ型オキシチタニウム７タロシアニン（Ｙ　
４ｉ０Ｐｃ）をＣＴＬバインダとして共重合体Ｂ−５を
用いた以外は、実施例６と同様にして中間層−ＣＧＬ−
ＣＴＬを順次積層して成る感光体を作成した。
又、ＣＴＬ塗布液はいずれも１ケ月放置しても安定であ
った。
比較例１ 実施例１でＣＴＬバインダとしてビスフェノールＡポリ
カーボネート（音大化成パンライト　Ｋ−１３００）を
用いた以外は同様にして感光体を作成した。
比較例２ 実施例４でＣＴＬバインダとしてビスフェノールＡポリ
カーボネートを用いた以外は同様にして感光体を作成し
た。
しかしながら、塗布液の安定性が悪く放置による大幅な
粘度上昇が見られ、ｌケ月後には完全にゲル状になり、
例えは超音波処理等の再分散処理を施しても元に戻らず
、不安定な液しか得られなかった。
比較例３ 実施例１でＣＴＭとして下記ヒドラゾン化合物を用いた
以外は同様にして感光体を作成した。
繰返し特性の測定 実施例１〜５及び比較例１〜３の感光体を各々ｒ　Ｕ　
−Ｂｉｘ　２０２５Ｊ　（コニカ社製）に搭載し、１０
万回コピーの実写を行うと共に、実写前後での表面電位
を測定した。
黒紙電位二反射濃度１．３の原稿に対する表面電位白紙
電位二反射濃度０．０の原稿に対する表面電位残留電位
：除電後の表面電位 又、実施例６〜８の本発明に係る感光体をｒＵ−Ｂｉｘ
　２０２５」（コニカ社製）（半導体レーザ光源搭載）
改造機に搭載し、ＶＭが一７００±ＩＯ［Ｖ］になるよ
うにグリッド電圧を調節し、０．７＋ｉＷの照射時の露
光面の電位をｖＬとし、現像バイアス−６００［Ｖ］で
反転現像を行い、同様に実写前後での表面電位を測定し
た。
表面の摩擦による膜減耗については、ｌＯ万ココピー終
了後感光体膜厚を測定し、初期と比較した。
画質については、逐次画像サンプルをチエツクし、ドラ
ム周方向のキズに基づくスジ（反転現像の場合はモアレ
）、クリーニング不良の発生コピー数を比較した。
〔発明の効果〕
本発明感光体は、優れた電子写真性能を有し、繰返し使
用によっても特性変化が少ない上に、耐摩耗性にも優れ
るので、極めて高い耐刷性能を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第６図はそれぞれ本発明の感光体の機械的構成
例について示す断面図である。 ｌ・・・導電性支持体 ２・・・キャリア発生層 ３・・・キャリア輸送層 ４・・・感光層 ５・・・中間層 ６・・・キャリア輸送物資を含有する層７・・・キャリ
ア発生物資 ８・・・保護層 第１図 第２図 第３図 第４図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 導電性基体上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
    感光層を有する電子写真感光体において前記感光層のバ
    インダに、主要繰返し単位として下記一般式〔Ｂ＿１〕
    からなる重合体、又は主要繰返し単位として前記一般式
    〔Ｂ＿１〕及び下記一般式〔Ｂ＿２〕を構造組成に含む
    共重合体を含有し、かつ下記一般式〔Ｔ〕で表される化
    合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式〔Ｂ＿１〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔Ｂ＿２〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘ＿１、Ｘ＿２は、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼（但しＲ＿１、Ｒ＿２は水素原子、炭素数１〜
    ６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を表す。 ）、▲数式、化学式、表等があります▼（但しｍは４〜
    １０の整数）、▲数式、化学式、表等があります▼（但
    しｎは２〜１０整数）、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ
    Ｏ−、−ＳＯ＿２−を表す。 又、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６及びＲ＿７、Ｒ＿
    ８、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０は各々水素原子、ハロゲン原子
    、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリー
    ル基を表し、その少なくとも１つはシクロヘキシル基又
    はアリール基をとる。Ｒ＿１＿１、Ｒ＿１＿２は各々ハ
    ロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｐ、ｑ
    は０〜４の整数である。〕 一般式〔Ｔ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒ＿１は、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、置換もしくは無置換の続記３つの基；縮合多環系炭
    化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表す。 Ａｒ＿２及びＡｒ＿３は、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、置換もしくは無置換の続記３つの基：縮合多環
    系炭化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表す。 Ａｒ＿４及びＡｒ＿５は、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、置換もしくは無置換の続記３つの基；縮合多環
    系炭化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表す。 Ｒ＿１及びＲ＿２は、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、置換もしくは無置換の続記３つの基：縮合多環系炭
    化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表し、又Ａ
    ｒ＿４及びＡｒ＿５と共同して環を形成してもよい。 Ｒ＿３は置換もしくは無置換アルキル基、フェニル基、
    アルコキシ基、フェノキシ基及びシアノ基、ハロゲン原
    子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニト
    ロ基、アミノ基、更に置換もしくは無置換の続記６つの
    基；アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキル
    アミノ基、環状炭化水素基、縮合多環系炭化水素基、複
    素環基を表す。 Ｒ＿４、Ｒ＿５及びＲ＿６は、置換もしくは無置換の続
    記４つの基；アルキル基、フェニル基、アルコキシ基、
    フェノキシ基及びシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシ
    ル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基
    、更に置換もしくは無置換の続記６つの基；アルキルア
    ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、環状
    炭化水素基、縮合多環系水素基、複素環基を表す。 ｉ、ｋ、ｌは、０〜５の整数を表し、ｊは、０〜４の整
    数を表す。〕
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07175081A (ja) * 1993-01-27 1995-07-14 Dainippon Printing Co Ltd 光センサー、情報記録装置および情報記録方法
JP2010128170A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Kyocera Mita Corp 電子写真感光体、およびこれを備えた画像形成装置

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