JPH0437034A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH0437034A JPH0437034A JP2143154A JP14315490A JPH0437034A JP H0437034 A JPH0437034 A JP H0437034A JP 2143154 A JP2143154 A JP 2143154A JP 14315490 A JP14315490 A JP 14315490A JP H0437034 A JPH0437034 A JP H0437034A
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- 238000010892 electric spark Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はバンプ形成方法に関し、詳しくは、ワイヤボン
ディング手段により、バンプ高のばらつきなく、また作
業性よくバンプを形成するための方法に関する。
ディング手段により、バンプ高のばらつきなく、また作
業性よくバンプを形成するための方法に関する。
（従来の技術）
ワイヤボンディング手段により、チップにバンプを形成
してフリップチップを製造することが知られている。ワ
イヤボンディング手段は、キャピラリに挿通されたワイ
ヤの下端部にトーチ電極を接近させてボールを形成し、
次いでこのボールをキャピラリの下端部によりチップの
電極に押し付けてボンディングし、次いでクランパーに
よりワイヤをクランプして、ワイヤを引き上げることに
より、ボールとワイヤの接合部からワイヤを切断するも
のである。
してフリップチップを製造することが知られている。ワ
イヤボンディング手段は、キャピラリに挿通されたワイ
ヤの下端部にトーチ電極を接近させてボールを形成し、
次いでこのボールをキャピラリの下端部によりチップの
電極に押し付けてボンディングし、次いでクランパーに
よりワイヤをクランプして、ワイヤを引き上げることに
より、ボールとワイヤの接合部からワイヤを切断するも
のである。
（発明が解決しようとする課題）
ところが上記従来のワイヤポンディング手段は、ワイヤ
を引き上げて切断する場合のワイヤの切断箇所が安定せ
ず、ワイヤの切れ残りが長短様々にバンプから残存突出
し、このためバンプ高がばらつきやすい問題があった。
を引き上げて切断する場合のワイヤの切断箇所が安定せ
ず、ワイヤの切れ残りが長短様々にバンプから残存突出
し、このためバンプ高がばらつきやすい問題があった。
（課題を解決するための手段）
本発明は、
（ａ）キャピラリに挿通されたワイヤの下端部にトーチ
電極を接近させて、この下端部にボールを形成する工程
と、 （ｂ）上記ボールを上記キャピラリの下端部によりチッ
プの電極に押し付けて、この電極にボンディングする工
程と、 （ｃ）キャピラリを横方向に動かすことにより、上記ボ
ールとワイヤの接合部にダメージを与える工程と、 （ｄ）クランパーによりワイヤをクランプして、ワイヤ
を引き上げることにより、上記ダメージが与えられた接
合部からワイヤを切断する工程と、 からバンブ形成方法を構成している。
電極を接近させて、この下端部にボールを形成する工程
と、 （ｂ）上記ボールを上記キャピラリの下端部によりチッ
プの電極に押し付けて、この電極にボンディングする工
程と、 （ｃ）キャピラリを横方向に動かすことにより、上記ボ
ールとワイヤの接合部にダメージを与える工程と、 （ｄ）クランパーによりワイヤをクランプして、ワイヤ
を引き上げることにより、上記ダメージが与えられた接
合部からワイヤを切断する工程と、 からバンブ形成方法を構成している。
（作用）
上記構成によれば、ボールを電極にボンディングした後
、ボールとワイヤの接合部にダメージを与えたうえで、
ワイヤを引き上げるようにしているので、この接合部か
ら確実にワイヤを切断することができる。
、ボールとワイヤの接合部にダメージを与えたうえで、
ワイヤを引き上げるようにしているので、この接合部か
ら確実にワイヤを切断することができる。
（実施例）
次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は（ａ）〜（ｆ）はバンプの形成工程を示すもの
である。同図（ａ）において、１はキャピラリであり、
ホーン２の先端部に保持されている。３はワイヤであっ
て、キャピラリ】に挿通されており、その下端部はキャ
ピラリ１の下端部から導出している。４はワイヤ３をク
ランプするクランパー ５はトーチ電極、６は千ノブ、
７は電極である。このチップ６は、ダイシングにより分
割される前のウェハー１３中のチップである。
である。同図（ａ）において、１はキャピラリであり、
ホーン２の先端部に保持されている。３はワイヤであっ
て、キャピラリ】に挿通されており、その下端部はキャ
ピラリ１の下端部から導出している。４はワイヤ３をク
ランプするクランパー ５はトーチ電極、６は千ノブ、
７は電極である。このチップ６は、ダイシングにより分
割される前のウェハー１３中のチップである。
次にバンブ形成方法を説明する。
第１図（ａ）に示すように、キャピラリ１の下端部から
導出されたワイヤ３の下端部にトーチ電極５を接近させ
、このトーチ電極５に高電圧を印加することにより、ト
ーチ電極５とワイヤ３の下端部の間に電気スパークを発
生させ、ボール８を形成する。
導出されたワイヤ３の下端部にトーチ電極５を接近させ
、このトーチ電極５に高電圧を印加することにより、ト
ーチ電極５とワイヤ３の下端部の間に電気スパークを発
生させ、ボール８を形成する。
次いで同図（ｂ）に示すように、トーチ電極５を側方に
退去させるとともに、キャピラリ１を下砕させ、ボール
Ｂを電極７に着地させる。
退去させるとともに、キャピラリ１を下砕させ、ボール
Ｂを電極７に着地させる。
次いでキャピラリ１の下端部によりボール８を電極７に
押し付け、ホーン２を超音波振動させながら、ボール８
をボンディングする（同図（Ｃ））。
押し付け、ホーン２を超音波振動させながら、ボール８
をボンディングする（同図（Ｃ））。
次いでキャピラリ１をわずかに上昇させたうえで、キャ
ピラリ１を横方向に動かすことにより、ボール８とワイ
ヤ３の接合部ａにダメージを与える（同図（ｄ）参照）
。次いで同図（ｅ）に示すようにキャピラリ１を上昇さ
せ、クランパー４によりワイヤ３をクランプして、ワイ
ヤ３を引き上げる。するとダメージが与えられた上記接
合部ａから、ワイヤ３は切断し、バンプ８′が形成され
る（同図（ｆ））。
ピラリ１を横方向に動かすことにより、ボール８とワイ
ヤ３の接合部ａにダメージを与える（同図（ｄ）参照）
。次いで同図（ｅ）に示すようにキャピラリ１を上昇さ
せ、クランパー４によりワイヤ３をクランプして、ワイ
ヤ３を引き上げる。するとダメージが与えられた上記接
合部ａから、ワイヤ３は切断し、バンプ８′が形成され
る（同図（ｆ））。
このように本方法によれば、ワイヤ３をボール８との接
合部ａから確実に切断することができ、したがって切断
箇所は一定し、バンプ高にばらつきのないバンプ８゛を
形成することができる。なお本実施例では、キャピラリ
１をわずかに上昇させた後、キャピラリ１を横方向に動
かして、接合部ａにダメージを与えるようにしているが
、キャピラリ１を上昇させることなく、第１図（Ｃ）に
示す状態で、キャピラリ１を横方向に動かすことにより
、接合部ａにダメージを与えてもよい。
合部ａから確実に切断することができ、したがって切断
箇所は一定し、バンプ高にばらつきのないバンプ８゛を
形成することができる。なお本実施例では、キャピラリ
１をわずかに上昇させた後、キャピラリ１を横方向に動
かして、接合部ａにダメージを与えるようにしているが
、キャピラリ１を上昇させることなく、第１図（Ｃ）に
示す状態で、キャピラリ１を横方向に動かすことにより
、接合部ａにダメージを与えてもよい。
ところで、ワイヤが金ワイヤの場合、上記のようにワイ
ヤ３はボール８との接合部ａから切断され、切れ残りは
残らない。ところが半田ワイヤの場合、第２図に示すよ
うに、切れ残り３′（一般にテールと呼ばれる）が生じ
やすい。しかしながら上記のようにキャピラリ１を横方
向に動かせば、切断位置は安定し、テール長ｌは略一定
に保たれる。そこでこのバンブ８を加熱して切れ残り３
′を溶融させれば、バンブ高りが安定したバンブ８゛を
得ることができる（同図鎖線参照）。
ヤ３はボール８との接合部ａから切断され、切れ残りは
残らない。ところが半田ワイヤの場合、第２図に示すよ
うに、切れ残り３′（一般にテールと呼ばれる）が生じ
やすい。しかしながら上記のようにキャピラリ１を横方
向に動かせば、切断位置は安定し、テール長ｌは略一定
に保たれる。そこでこのバンブ８を加熱して切れ残り３
′を溶融させれば、バンブ高りが安定したバンブ８゛を
得ることができる（同図鎖線参照）。
上記のようなバンブ形成は、ダイシングによりチップに
分割される前のウェハーの状態で行うものであるが、次
により有利なバンブ形成方法を説明する。
分割される前のウェハーの状態で行うものであるが、次
により有利なバンブ形成方法を説明する。
第３図において、１０はボンディングツール本体であり
、その前面から上記ホーン２が突出している。１１はカ
メラ、工２は鏡筒である。
、その前面から上記ホーン２が突出している。１１はカ
メラ、工２は鏡筒である。
このカメラ１１は本体１０に取り付けられており、キャ
ピラリ１とカメラ１１は一体的に移動する。１３はウェ
ハーである。
ピラリ１とカメラ１１は一体的に移動する。１３はウェ
ハーである。
第４図はウェハー１３の平面図である。破線すは後工程
におけるダイシングの切断線、６１６２．６３・・・は
ダイシングにより分割されるチップである。
におけるダイシングの切断線、６１６２．６３・・・は
ダイシングにより分割されるチップである。
バンプ８′を形成するにあたっては、これに先立って、
チップ６１の電極７ａ〜７ｊをカメラ１１により先行観
察する。このカメラＩＩによる観察の第１の目的は、チ
ップの有無やチップ形状の良否の判断のためである。ま
た第２の目的は、ボール８を着地させる電極７の位置の
検出のためである。このチップ有無や良否の判断は、所
定位置に電極７やチップ上の回路の特徴部があるか否か
を確認することにより行う。
チップ６１の電極７ａ〜７ｊをカメラ１１により先行観
察する。このカメラＩＩによる観察の第１の目的は、チ
ップの有無やチップ形状の良否の判断のためである。ま
た第２の目的は、ボール８を着地させる電極７の位置の
検出のためである。このチップ有無や良否の判断は、所
定位置に電極７やチップ上の回路の特徴部があるか否か
を確認することにより行う。
具体的には、例えばチップ６の４隅に、特徴部である電
極７ａ、７ｄ、７ｆ、７ｉが存在するた否かを検出する
ことにより行う。Ａはカメラ１１の視野である。
極７ａ、７ｄ、７ｆ、７ｉが存在するた否かを検出する
ことにより行う。Ａはカメラ１１の視野である。
チ、７プ６にバンブ８゛を形成するにあたっては、カメ
ラ１１を矢印Ｎ方向に走らせて、まず最上列の第１番目
のチップ６１をカメラ１１の視野Ａに入れてチップ６１
の存在を確認、シ、このチップ６１を観察する。このチ
ップ６１は、その上部は欠損していることから、電極７
ｆは存在するが、電極７ａ、７ｄ、？ｉは存在せず、カ
メラ１１により観察できない。したがってこのチップ６
１は、形状不良と判断され、ボール８によるバンブ８゛
の形成は行わない。同様にして、チップ６２〜６４も、
４隅に電極７ａ７ｄ、７ｆ、７Ｋを具備していないこと
から不良と判断され、バンブ形成は行われない。なおチ
ップ６３の右隣にはチップは存在せず、カメラ１１によ
りチップを検出できないことから、最上列のチップは品
切れになったものと判断され、カメラ１１は次列のチッ
プ６４上へ移動する。
ラ１１を矢印Ｎ方向に走らせて、まず最上列の第１番目
のチップ６１をカメラ１１の視野Ａに入れてチップ６１
の存在を確認、シ、このチップ６１を観察する。このチ
ップ６１は、その上部は欠損していることから、電極７
ｆは存在するが、電極７ａ、７ｄ、？ｉは存在せず、カ
メラ１１により観察できない。したがってこのチップ６
１は、形状不良と判断され、ボール８によるバンブ８゛
の形成は行わない。同様にして、チップ６２〜６４も、
４隅に電極７ａ７ｄ、７ｆ、７Ｋを具備していないこと
から不良と判断され、バンブ形成は行われない。なおチ
ップ６３の右隣にはチップは存在せず、カメラ１１によ
りチップを検出できないことから、最上列のチップは品
切れになったものと判断され、カメラ１１は次列のチッ
プ６４上へ移動する。
次いでカメラ１１はチップ６５を観察する。
このチップ６５は４隅に電極７ａ、７ｄ、７ｆ。
７１を正しく有していることから、その形状は良と判断
される。またこれと同時に、各電極７ａ、７ｄ、７ｆ、
７ｉの位置を検出し、各電極７ａ〜７ｊ上にバンブ８゛
を形成してい（。なおりメラ１１は、すべての電極７ａ
〜７ｊを観察してもよく、あるいは本実施例のように、
選択されたいくつかの電極７ａ、７ｄ、７ｆ、７１のみ
を観察してもよい。
される。またこれと同時に、各電極７ａ、７ｄ、７ｆ、
７ｉの位置を検出し、各電極７ａ〜７ｊ上にバンブ８゛
を形成してい（。なおりメラ１１は、すべての電極７ａ
〜７ｊを観察してもよく、あるいは本実施例のように、
選択されたいくつかの電極７ａ、７ｄ、７ｆ、７１のみ
を観察してもよい。
このように、カメラ１１をキャピラリ１と一体移動可能
に設け、カメラ１１がキャピラリ１に先行して移動しな
がら、バンプ形成に先立って、チップ形状の良否や電極
７ａ〜７ｊの位置を先行観察するようにすれば、形状不
良のチップにバンプ８゛を形成する無駄がなくなる。ま
たチップ形状の良否と、ボール８を着地させる電極７３
〜７ｊの位置の確認を同時に行えるので、きわめて作業
性よく且つ精度よくウェハー１３上の電極にバンプ８゛
を次々に連続形成していくことができる。
に設け、カメラ１１がキャピラリ１に先行して移動しな
がら、バンプ形成に先立って、チップ形状の良否や電極
７ａ〜７ｊの位置を先行観察するようにすれば、形状不
良のチップにバンプ８゛を形成する無駄がなくなる。ま
たチップ形状の良否と、ボール８を着地させる電極７３
〜７ｊの位置の確認を同時に行えるので、きわめて作業
性よく且つ精度よくウェハー１３上の電極にバンプ８゛
を次々に連続形成していくことができる。
またウェハー１３の製造後に行われる製品検査において
、不良チップにバッドマークが付される場合がある。し
たがって上記カメラ１１によりこのバンドマークが検出
されたならば、チップ形状の良否や電極を確認すること
な（、バンブ８′の形成を中止してもよい。更には、ウ
ェハー１３は破線矢印すに示すようにダイシングされて
、一般に１０００個若しくは数１０００個以上の各チッ
プ６に細かく分割されるが、分割後に上記作業を行うと
、電極７ａ〜７ｊの位置ずれが生じていることから、カ
メラ１］による観察やバンブ形成作業が面倒となる。し
たがって上記のような作業は、ダイシング前の一体的な
ウェハーの状態で行うことが望ましい。
、不良チップにバッドマークが付される場合がある。し
たがって上記カメラ１１によりこのバンドマークが検出
されたならば、チップ形状の良否や電極を確認すること
な（、バンブ８′の形成を中止してもよい。更には、ウ
ェハー１３は破線矢印すに示すようにダイシングされて
、一般に１０００個若しくは数１０００個以上の各チッ
プ６に細かく分割されるが、分割後に上記作業を行うと
、電極７ａ〜７ｊの位置ずれが生じていることから、カ
メラ１］による観察やバンブ形成作業が面倒となる。し
たがって上記のような作業は、ダイシング前の一体的な
ウェハーの状態で行うことが望ましい。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、
（ａ）キャピラリに挿通されたワイヤの下端部にトーチ
電極を接近させて、この下端部にボールを形成する工程
と、 （ｂ）上記ボールを上記キャピラリの下端部によリチッ
プの電極に押し付けて、この電極にボンディングする工
程と、 （ｃ）キャピラリを横方向に動かすことにより、上記ボ
ールとワイヤの接合部にダメージを与える工程と、 （ｄ）クランパーによりワイヤをクランプして、ワイヤ
を引き上げることにより、上記ダメージが与えられた接
合部からワイヤを切断する工程と、 からバンブ形成方法を構成しているので、ワイヤを確実
にボールとの接合部から切断し、バンプ高のばらつきの
ないバンプをフォーミングよく形成することができる。
電極を接近させて、この下端部にボールを形成する工程
と、 （ｂ）上記ボールを上記キャピラリの下端部によリチッ
プの電極に押し付けて、この電極にボンディングする工
程と、 （ｃ）キャピラリを横方向に動かすことにより、上記ボ
ールとワイヤの接合部にダメージを与える工程と、 （ｄ）クランパーによりワイヤをクランプして、ワイヤ
を引き上げることにより、上記ダメージが与えられた接
合部からワイヤを切断する工程と、 からバンブ形成方法を構成しているので、ワイヤを確実
にボールとの接合部から切断し、バンプ高のばらつきの
ないバンプをフォーミングよく形成することができる。
またダイシングにより分割される前のウェハーの状態に
おいて、カメラにより先行観察することにより、チップ
形状の良否や電極の位置を検出して、無駄なバンブ形成
を解消し、多数の電極に作業性よくバンブを連続形成す
ることができる。
おいて、カメラにより先行観察することにより、チップ
形状の良否や電極の位置を検出して、無駄なバンブ形成
を解消し、多数の電極に作業性よくバンブを連続形成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はバン
プ形成工程の斜視図、第２図は半田バンプの側面図、第
３図はボンディングツールの斜視図、第４図はウェハー
の平面図である。 １・・・キャピラリ ３・・・ワイヤ ４・・・クランパー ６・・・チップ ７・・・電極 ８・・・ボール ８ ・・・バンブ １１・・・カメラ １３・・・ウェハー 第２図 第３図
プ形成工程の斜視図、第２図は半田バンプの側面図、第
３図はボンディングツールの斜視図、第４図はウェハー
の平面図である。 １・・・キャピラリ ３・・・ワイヤ ４・・・クランパー ６・・・チップ ７・・・電極 ８・・・ボール ８ ・・・バンブ １１・・・カメラ １３・・・ウェハー 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）（ａ）キャピラリに挿通されたワイヤの下端部に
トーチ電極を接近させて、この下端部にボールを形成す
る工程と、 （ｂ）上記ボールを上記キャピラリの下端部によりチッ
プの電極に押し付けて、この電極にボンディングする工
程と、 （ｃ）キャピラリを横方向に動かすことにより、上記ボ
ールとワイヤの接合部にダメージを与える工程と、 （ｄ）クランパーによりワイヤをクランプして、ワイヤ
を引き上げることにより、上記ダメージが与えられた接
合部からワイヤを切断する工程と、 から成ることを特徴とするバンプ形成方法。 - （２）キャピラリに挿通されたワイヤの下端部にトーチ
電極を接近させて、この下端部にボールを形成した後、
このボールをキャピラリの下端部によりウェハーの電極
に押し付けてボンディングし、次いでこのワイヤを引き
上げて切断するようにしたバンプ形成方法において、 バンプを形成するに先立って、キャピラリに一体的に設
けられたカメラにより、ウェハーの電極を先行観察して
、チップの良否と、電極の位置とを検出し、チップが良
と判断されたチップについて、バンプを形成するように
したことを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143154A JP2921037B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143154A JP2921037B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437034A true JPH0437034A (ja) | 1992-02-07 |
| JP2921037B2 JP2921037B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=15332179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143154A Expired - Fee Related JP2921037B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2921037B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7052984B2 (en) | 2000-11-21 | 2006-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bump formation method and bump forming apparatus for semiconductor wafer |
| US8792319B2 (en) | 2012-05-29 | 2014-07-29 | Pioneer Corporation | Recording medium |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2143154A patent/JP2921037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7052984B2 (en) | 2000-11-21 | 2006-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bump formation method and bump forming apparatus for semiconductor wafer |
| US7516878B2 (en) | 2000-11-21 | 2009-04-14 | Panasonic Corporation | Bump formation method and bump forming apparatus for semiconductor wafer |
| US8792319B2 (en) | 2012-05-29 | 2014-07-29 | Pioneer Corporation | Recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2921037B2 (ja) | 1999-07-19 |
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