JPH043681B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の対象 本発明は、マイクロ波帯における集積化技術に
係り、特に高出力用マイクロ波集回路（以下、
MICと略記する）において高熱伝導特性を有し、
もつて小形、高信頼化に好適なマイクロ波ダミー
ロードに関する。

(2) 公知技術 従来、ストリツプ線路などで構成されたMIC
において、電波を吸収するために設けるダミーロ
ードとしては、第１図、第２図に示すような構成
となつていた。

図において、１はアルミナ基板、２はストリツ
プ線路、３は抵抗体、４はボンデインググパツ
ド、５は金リボンである。

上記構成において、ストリツプ線路を伝播して
きたマイクロ波は、抵抗体で損失となり熱に変
る。第１図は、抵抗体の後をアースに落した場合
であり、一般に抵抗体の抵抗値は、ストリツプ線
路の特性性インピーダンスと同じにしてこの部分
からの電波の反射を無くしている。

第２図は、抵抗体の部分をテーパとし、マイク
ロ波を徐々に吸収し、電波の反射を無くしてい
る。

上記の従来構成は、いずれも抵抗体の部分をア
ルミナ基板上に設けている。MICに用いる誘電
体基板は、マイクロ波に対する損失を少なくする
ため一般には、アルミナ、石英、テフロン（登録
商標）ガラスなどである。これらの基板は、いず
れも熱に対して不良導体であり、このため、マイ
クロ波が抵抗体で熱に変つた場合の温度上昇が大
きくなり、これをさけるために抵抗体の面積を大
きくする必要が生ずる。

以上説明したごとく従来構成では、高出力のマ
イクロ波回路において、寸法も大きくなり、また
熱的な信頼性にもとぼしいという欠点があつた。

(3) 発明の目的 本発明の目的は、マイクロ波を吸収する抵抗体
の温度上昇を少なくし、もつて高出力のマイクロ
波回路において、小形かつ高信頼性を有するマイ
クロ波ダミーロードを提供することにある。

(4) 発明の総括的説明 上記目的を達成するために、本発明では、抵抗
体を、電気絶縁性を有すると同時に高熱伝導性を
有するシリコンカーバイト（以下SiCと略記す
る。）基板上に形成し、SiC基板をMICの一端に
接続する構造とすることにより、抵抗体からの放
熱を良くし、もつてダミーロードの小形、高信頼
化を計つた。

(5) 発明の実施例とその効果 以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明す
る。

第３図は本発明を適用した一実施例である。同
図において、１はアルミナ基板であり、その上に
ストリツプ線路２が形成されている。抵抗体３
は、SiC基板８の上に形成され、その両端にボン
デイングパツド４，６が設けられている。ボンデ
イングパツド４とストリツプ線路２とは金リボン
５によつて接続されている。この場合、ボンデイ
ングパツドの長さは、使用するマイクロ波の波長
に対して出来るだけ小さくするのが良い。ボンデ
イングパツド６は、金リボン７によりアース導体
９に接続されている。

上記構成において、ストリツプ線路２を伝播し
てきたマイクロ波は、抵抗体により熱に変り、こ
の熱は、SiC基板を介してアース導体９に逃が
す。SiC基板の熱伝導率は2.7w／cm・Ｋで、アル
ミニユームと同等以上であり、一般の誘電体基
板、たとえば、アルミナ基板などに比較して一桁
以上良い。このため、抵抗体での温度上昇は極め
て少なくなる。

抵抗体の抵抗値は、ストリツプ線路の特性イン
ピーダンスと同じにして、この部分からの電波の
反射を無くするようにすることは言うまでもな
い。

また抵抗体としては、一般にNiCrやカーボン
などマイクロ波に対して損失の大きなものであれ
ば良く、特に限定されるものではない。

第４図は、本発明を適用した他の実施例であ
り、抵抗体の部分をテーパとし、マイクロ波を
徐々に吸収し、電波の反射を無くすようにした場
合のものである。

第５図は、本発明を適用した他の実施例であ
り、ａは正面図を、ｂはＡ−A′断面図を示す。

本実施例は、ストリツプ線路２とボンデイング
パツド４とを接続するのに金リボンを使わず、直
接熱圧着やハンダ付けを行うのに適した構造であ
る。図において、抵抗体３が設けられているSiC
基板８は、アルミナ基板の上にボンデイングパツ
ド４とストリツプ線路２とが重なるように取り付
けられ、他端は蒸着又は塗布により形成された周
囲導体１０によりアース導体９に熱圧着またはハ
ンダ付けされる。抵抗体の下面は、アース導体が
接触しないように取り除かれている。

上記構成において、抵抗体で発生した熱は、
SiC基板を介してアース導体９に逃される。

第６図は、本発明を適用した他の実施例であ
り、ａは正面図をｂはＡ−A′断面図を示す。

本実施例は、前記第５図とほぼ同じ構造であ
り、抵抗体をテーパ状とした場合である。

第７図は、本発明を適用した他の実施例であ
り、ａは正面図をｂはＡ−A′断面図を示す。

本実施例は、MICを構成しているアルミナ基
板１に孔を開け、その孔内にSiC基板８を落とし
込み、アルミナ基板上のストリツプ線路２と、
SiC基板上の抵抗体３を金リボン７で接続したも
のである。第７図は、抵抗体がテーパ状の場合を
示すが、同様な構造で第３図に示すような抵抗体
の形状でも良い。

上記の実施例では、MIC用誘電体基板として
アルミナ基板を用いたが、誘電体基板としては、
石英、サフアイヤ、テフロンガス基板などマイク
ロ波に対して損失の少ないものであれば良く、特
に限定されるものではない。

(6) 発明の効果 以上説明したごとく、本発明によれば、MIC
特に高出力用MICにおいて、マイクロ波を吸収
する抵抗体を、従来のアルミナ基板に比較して１
桁以上熱電導率の良いSiC基板上に設けるため、
抵抗体の温度上昇が極めて少なくでき、もつて小
形かつ高信頼性を有するマイクロ波ダミーロード
を実現できる

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、従来の構造を示す図、第３
図〜第７図は、いずれも本発明の実施例を示し、
第３図、第４図は、ストリツプ線路と抵抗体を金
リボンで接続した場合の構造を示し、第５図、第
６図は、ストリツプ線路と抵抗体を直接、熱圧着
やハンダ付け行う場合の構造を示し、第７図は、
MICを構成しているアルミナ基板１に孔を開け、
その孔内にSiC基板を落とし込む構造を示す。 １……アルミナ基板、２……ストリツプ線路、
３……抵抗体、４……ボンデイングパツド、５…
…金リボン、６……ボンデイングパツド、７……
金リボン、８……SiC基板、９……アース導体、
１０……周囲導体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 誘電体および磁性体のいずれかよりなる誘電
   体等基板上に形成されたマイクロ波集積回路にお
   いて、該マイクロ波集積回路の一端にシリコンカ
   ーバイト基板を接続し、該シリコンカーバイト基
   板上にマイクロ波に対して損失の大きな物体を形
   成することを特徴とするマイクロ波ダミーロー
   ド。 ２ 特許請求範囲第１項記載のマイクロ波ダミー
   ロードにおいて、上記シリコンカーバイト基板上
   に形成された導体の一端が上記誘電体等基板上に
   形成された導体と直接接続するよう構成し、前記
   シリコンカーバイト基板の他端を接地金属に直接
   接続することを特徴とするマイクロ波ダミーロー
   ド。 ３ 特許請求範囲第１項記載のマイクロ波ダミー
   ロードにおいて、上記誘電体等基板の一部に孔を
   あけ、該孔中に上記シリコンカーバイト基板を形
   成したことを特徴とするマイクロ波ダミーロー
   ド。