JPH04367866A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
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- JPH04367866A JPH04367866A JP17032591A JP17032591A JPH04367866A JP H04367866 A JPH04367866 A JP H04367866A JP 17032591 A JP17032591 A JP 17032591A JP 17032591 A JP17032591 A JP 17032591A JP H04367866 A JPH04367866 A JP H04367866A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 106
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 18
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 20
- 239000011435 rock Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームを用いて試
料表面上に微細なパタン等を描画する電子ビーム描画装
置に関するものである。
料表面上に微細なパタン等を描画する電子ビーム描画装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置では、試料面上に塗
布されたレジスト上の所望の位置に電子ビームを照射し
、照射部分のレジストを現像液に対して可溶または難溶
な物質に変化させることにより微細パタンの形成を行う
。この種の装置では、単位時間当たりの描画枚数を向上
させるために、レジスト感度ならびに装置の稼動率の向
上が要求されている。
布されたレジスト上の所望の位置に電子ビームを照射し
、照射部分のレジストを現像液に対して可溶または難溶
な物質に変化させることにより微細パタンの形成を行う
。この種の装置では、単位時間当たりの描画枚数を向上
させるために、レジスト感度ならびに装置の稼動率の向
上が要求されている。
【０００３】従来、電子ビーム描画装置用のレジストと
しては、ＰＭＭＡ、αＭーＣＭＳ等の分解または架橋型
レジストが用いられてきた。これらのレジストは、レジ
スト感度が８０μＣ／ｃｍ２ 程度と低いものの描画終
了から現像開始までに１週間程度放置しても現像特性に
は何らの変化もない。また、レジスト塗布後、熱処理を
行った後、描画開始までに１週間程度放置しても現像特
性には何らの変化もない。
しては、ＰＭＭＡ、αＭーＣＭＳ等の分解または架橋型
レジストが用いられてきた。これらのレジストは、レジ
スト感度が８０μＣ／ｃｍ２ 程度と低いものの描画終
了から現像開始までに１週間程度放置しても現像特性に
は何らの変化もない。また、レジスト塗布後、熱処理を
行った後、描画開始までに１週間程度放置しても現像特
性には何らの変化もない。
【０００４】近年、レジスト感度の向上を目指して、Ｓ
ＡＬ６０１ーＥＲ７等の化学増幅型レジストが開発され
てきた。これらのレジストは、レジスト感度が１０μＣ
／ｃｍ２ 程度と高い。そのため、化学増幅型レジスト
を用いれば、分解または架橋型レジストを用いる場合に
比べて描画時間を短縮することができる。
ＡＬ６０１ーＥＲ７等の化学増幅型レジストが開発され
てきた。これらのレジストは、レジスト感度が１０μＣ
／ｃｍ２ 程度と高い。そのため、化学増幅型レジスト
を用いれば、分解または架橋型レジストを用いる場合に
比べて描画時間を短縮することができる。
【０００５】図８は従来の電子ビーム描画装置の一例を
示すブロック図である。この図で、１は鏡筒、２は描画
室、３はロードロック室、５はカセットホルダである。 鏡筒１には電子銃および電子光学系があり、真空に排気
されている。描画室２には描画用ステージがあり、真空
に排気されている。ロードロック室３は描画室２を真空
に保ったまま試料を交換するためのものである。
示すブロック図である。この図で、１は鏡筒、２は描画
室、３はロードロック室、５はカセットホルダである。 鏡筒１には電子銃および電子光学系があり、真空に排気
されている。描画室２には描画用ステージがあり、真空
に排気されている。ロードロック室３は描画室２を真空
に保ったまま試料を交換するためのものである。
【０００６】化学増幅型レジストは、電子ビーム照射に
より発生するプロトンを触媒として描画後熱処理により
照射部分のレジスト中で分解または架橋反応を起こさせ
て、現像液に対して可溶または難溶な物質に変化させる
ことにより微細パタンの形成を行うものである。しかし
、描画後試料を大気中に放置した後に熱処理を行うと、
大気中の水分または酸素の影響によりプロトンが失活す
ることから、現像特性の再現性が悪くなる。描画後、熱
処理、いわゆるポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）
を行ってプロトンによる分解または架橋反応を終結させ
れば、現像開始までに１週間程度放置しても現像特性に
は大きな変化はない。また、レジスト塗布後熱処理を行
った後、描画開始までの時間が異なると、レジスト中に
含まれる溶媒量が微妙に異なるために、現像特性の再現
性が悪くなる。
より発生するプロトンを触媒として描画後熱処理により
照射部分のレジスト中で分解または架橋反応を起こさせ
て、現像液に対して可溶または難溶な物質に変化させる
ことにより微細パタンの形成を行うものである。しかし
、描画後試料を大気中に放置した後に熱処理を行うと、
大気中の水分または酸素の影響によりプロトンが失活す
ることから、現像特性の再現性が悪くなる。描画後、熱
処理、いわゆるポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）
を行ってプロトンによる分解または架橋反応を終結させ
れば、現像開始までに１週間程度放置しても現像特性に
は大きな変化はない。また、レジスト塗布後熱処理を行
った後、描画開始までの時間が異なると、レジスト中に
含まれる溶媒量が微妙に異なるために、現像特性の再現
性が悪くなる。
【０００７】一方、装置の稼動率を向上させるために、
試料を１枚ずつ処理するのではなく、２５枚を単位とし
て一括して自動的に処理を行う方式が用いられている。 描画速度が最も早い電子ビーム描画装置では、描画枚数
は１時間当たり５枚程度であり、２５枚の処理を終了す
るためには５時間程度必要である。分解または架橋型レ
ジストを用いる場合には、一括処理を行っても何ら問題
は生じない。しかし、化学増幅型レジストを用いる場合
には、一括処理を行うと１枚目の試料と２５枚目の試料
とでは塗布から描画および描画から現像までの待ち時間
が異なるため、現像特性が大幅に異なるという問題が生
じる。
試料を１枚ずつ処理するのではなく、２５枚を単位とし
て一括して自動的に処理を行う方式が用いられている。 描画速度が最も早い電子ビーム描画装置では、描画枚数
は１時間当たり５枚程度であり、２５枚の処理を終了す
るためには５時間程度必要である。分解または架橋型レ
ジストを用いる場合には、一括処理を行っても何ら問題
は生じない。しかし、化学増幅型レジストを用いる場合
には、一括処理を行うと１枚目の試料と２５枚目の試料
とでは塗布から描画および描画から現像までの待ち時間
が異なるため、現像特性が大幅に異なるという問題が生
じる。
【０００８】この問題を解決するためには、試料ごとに
レジスト塗布，熱処理，描画，熱処理の各工程を行えば
よい。しかし、このように１枚ずつ処理することは装置
の稼動率を低下させるとともに作業工程を著しく増加さ
せることとなり、描画時間を短縮したとしても単位時間
当たりの描画枚数を向上させることは困難である。
レジスト塗布，熱処理，描画，熱処理の各工程を行えば
よい。しかし、このように１枚ずつ処理することは装置
の稼動率を低下させるとともに作業工程を著しく増加さ
せることとなり、描画時間を短縮したとしても単位時間
当たりの描画枚数を向上させることは困難である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の電子ビーム描画装置では、化学増幅型レジストを使
用することが考慮されておらず、高感度な化学増幅型レ
ジストを用いた場合には、描画時間の短縮と単位時間当
たりの描画枚数の向上を両立させることができなかった
。
来の電子ビーム描画装置では、化学増幅型レジストを使
用することが考慮されておらず、高感度な化学増幅型レ
ジストを用いた場合には、描画時間の短縮と単位時間当
たりの描画枚数の向上を両立させることができなかった
。
【００１０】本発明の目的は、装置の稼動率を低下させ
ることなく、化学増幅型レジストを使用可能とする電子
ビーム描画装置を提供することにある。
ることなく、化学増幅型レジストを使用可能とする電子
ビーム描画装置を提供することにある。
【００１１】本発明は、従来は他の装置で行っていた化
学増幅型レジストの描画前熱処理または描画後熱処理を
、電子ビーム描画装置において試料搬送中に行うことを
最も主要な特徴とする。
学増幅型レジストの描画前熱処理または描画後熱処理を
、電子ビーム描画装置において試料搬送中に行うことを
最も主要な特徴とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる電子ビー
ム描画装置は、試料搬送機構中に描画後の試料を所定の
雰囲気中で所定の温度に加熱する熱処理をする熱処理機
構を設けたものである。
ム描画装置は、試料搬送機構中に描画後の試料を所定の
雰囲気中で所定の温度に加熱する熱処理をする熱処理機
構を設けたものである。
【００１３】また、描画前の試料を熱処理する熱処理機
構を設けたものである。
構を設けたものである。
【００１４】
【作用】本発明においては、描画後、あるいは描画前の
試料が試料搬送中に熱処理を受けるので、各試料に対す
る条件が同じとなり、レジストに化学増幅型レジストを
用いても作業工程を増加せずに特性の揃った処理を行う
ことができる。
試料が試料搬送中に熱処理を受けるので、各試料に対す
る条件が同じとなり、レジストに化学増幅型レジストを
用いても作業工程を増加せずに特性の揃った処理を行う
ことができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の第１実施例を説明する電子ビ
ーム描画装置の模式図であって、乾燥窒素ガス雰囲気、
大気圧下で熱処理を実施するものである。この図で、４
は熱処理室であり、その他は図７と同じである。
ーム描画装置の模式図であって、乾燥窒素ガス雰囲気、
大気圧下で熱処理を実施するものである。この図で、４
は熱処理室であり、その他は図７と同じである。
【００１６】熱処理室４には、図２に示すように、第１
熱処理用ステージ１０，第２熱処理用ステージ１１およ
び冷却用ステージ１２があり、第１熱処理用ステージ１
０および第２熱処理用ステージ１１にはそれぞれステー
ジ加熱用のヒータ１３およびヒータ１４があり、冷却用
ステージ１２には冷却水循環用パイプ１５があり、これ
らで熱処理機構が構成される。また、熱処理室４にはガ
ス導入管１６から導入される乾燥窒素ガスが充満してい
る。なお、カセットホルダ５と描画室２の間を試料を搬
入，排出する試料搬送機構としては、ベルト，チェーン
、アームその他を用いうる。
熱処理用ステージ１０，第２熱処理用ステージ１１およ
び冷却用ステージ１２があり、第１熱処理用ステージ１
０および第２熱処理用ステージ１１にはそれぞれステー
ジ加熱用のヒータ１３およびヒータ１４があり、冷却用
ステージ１２には冷却水循環用パイプ１５があり、これ
らで熱処理機構が構成される。また、熱処理室４にはガ
ス導入管１６から導入される乾燥窒素ガスが充満してい
る。なお、カセットホルダ５と描画室２の間を試料を搬
入，排出する試料搬送機構としては、ベルト，チェーン
、アームその他を用いうる。
【００１７】レジストに化学増幅型レジストＳＡＬ７０
１ーＥＲ７を用いた場合の試料の搬送例を図１および図
２を用いて説明する。レジストを塗布した試料を、まず
、カセットホルダ５から熱処理室４にある第１熱処理用
ステージ１０に搬送する。試料搬送終了後、第１熱処理
用ステージ１０をヒータ１３を用いて９５℃に加熱して
、試料を１分間熱処理する。熱処理終了後、試料を冷却
用ステージ１２に搬送し冷却する。冷却用ステージ１２
は、冷却水循環用パイプ１５を流れる冷却水により２３
℃に設定されている。冷却後、試料をロードロック室３
を経て描画室２にある描画用ステージに搬送し描画を行
う。描画終了後、試料を描画室２からロードロック室３
を経て熱処理室４にある第２熱処理用ステージ１１に搬
送する。試料搬送終了後、第２熱処理ステージ１１をヒ
ータ１４を用いて１０５℃に加熱して、試料を２分間熱
処理する。熱処理終了後、試料をカセットホルダ５に搬
送して搬送が終了する。
１ーＥＲ７を用いた場合の試料の搬送例を図１および図
２を用いて説明する。レジストを塗布した試料を、まず
、カセットホルダ５から熱処理室４にある第１熱処理用
ステージ１０に搬送する。試料搬送終了後、第１熱処理
用ステージ１０をヒータ１３を用いて９５℃に加熱して
、試料を１分間熱処理する。熱処理終了後、試料を冷却
用ステージ１２に搬送し冷却する。冷却用ステージ１２
は、冷却水循環用パイプ１５を流れる冷却水により２３
℃に設定されている。冷却後、試料をロードロック室３
を経て描画室２にある描画用ステージに搬送し描画を行
う。描画終了後、試料を描画室２からロードロック室３
を経て熱処理室４にある第２熱処理用ステージ１１に搬
送する。試料搬送終了後、第２熱処理ステージ１１をヒ
ータ１４を用いて１０５℃に加熱して、試料を２分間熱
処理する。熱処理終了後、試料をカセットホルダ５に搬
送して搬送が終了する。
【００１８】図３は本発明の第２実施例を説明する電子
ビーム描画装置の模式図であって、真空中で熱処理を実
施するものである。２１は鏡筒であり、２２は描画室で
あり、２４は熱処理室であり、２３はロードロック室で
あり、２５はカセットホルダである。鏡筒２１には電子
銃および電子光学系があり、真空に排気されている。描
画室２２には描画用ステージがあり、真空に排気されて
いる。ロードロック室２３は、熱処理室２４を真空に保
ったまま試料を交換するためのものである。熱処理室２
４には図４に示すように、第１熱処理用ステージ３０，
第２熱処理用ステージ３１および冷却用ステージ３２が
あり、第１熱処理用ステージ３０および第２熱処理用ス
テージ３１にはそれぞれステージ加熱用のヒータ３３お
よびヒータ３４があり、冷却用ステージ３２には冷却水
循環用パイプ３５がある。また、熱処理室２４は真空ポ
ンプ３６により真空排気されている。
ビーム描画装置の模式図であって、真空中で熱処理を実
施するものである。２１は鏡筒であり、２２は描画室で
あり、２４は熱処理室であり、２３はロードロック室で
あり、２５はカセットホルダである。鏡筒２１には電子
銃および電子光学系があり、真空に排気されている。描
画室２２には描画用ステージがあり、真空に排気されて
いる。ロードロック室２３は、熱処理室２４を真空に保
ったまま試料を交換するためのものである。熱処理室２
４には図４に示すように、第１熱処理用ステージ３０，
第２熱処理用ステージ３１および冷却用ステージ３２が
あり、第１熱処理用ステージ３０および第２熱処理用ス
テージ３１にはそれぞれステージ加熱用のヒータ３３お
よびヒータ３４があり、冷却用ステージ３２には冷却水
循環用パイプ３５がある。また、熱処理室２４は真空ポ
ンプ３６により真空排気されている。
【００１９】レジストに化学増幅型レジストＳＡＬ７０
１ーＥＲ７を用いて試料を搬送する例を図３および図４
を用いて説明する。レジストを塗布した試料を、まず、
カセットホルダ２５からロードロック室２３を経て熱処
理室２４にある第１熱処理用ステージ３０に搬送する。 試料搬送終了後、第１熱処理用ステージ３０をヒータ３
３を用いて９５℃に加熱して、試料を１分間熱処理する
。熱処理終了後、試料を冷却用ステージ３２に搬送し冷
却する。冷却用ステージ３２は、冷却水循環用パイプ３
５を流れる冷却水により２３℃に設定されている。冷却
後、試料を描画室２２にある描画用ステージに搬送し描
画を行う。描画終了後、試料を描画室２２から熱処理室
２４にある第２熱処理用ステージ３１に搬送する。試料
搬送終了後、第２熱処理ステージ３１をヒータ３４を用
いて１０５℃に加熱して、試料を２分間熱処理する。 熱処理終了後、試料をロードロック室２３を経てカセッ
トホルダ２５に搬送して搬送が終了する。
１ーＥＲ７を用いて試料を搬送する例を図３および図４
を用いて説明する。レジストを塗布した試料を、まず、
カセットホルダ２５からロードロック室２３を経て熱処
理室２４にある第１熱処理用ステージ３０に搬送する。 試料搬送終了後、第１熱処理用ステージ３０をヒータ３
３を用いて９５℃に加熱して、試料を１分間熱処理する
。熱処理終了後、試料を冷却用ステージ３２に搬送し冷
却する。冷却用ステージ３２は、冷却水循環用パイプ３
５を流れる冷却水により２３℃に設定されている。冷却
後、試料を描画室２２にある描画用ステージに搬送し描
画を行う。描画終了後、試料を描画室２２から熱処理室
２４にある第２熱処理用ステージ３１に搬送する。試料
搬送終了後、第２熱処理ステージ３１をヒータ３４を用
いて１０５℃に加熱して、試料を２分間熱処理する。 熱処理終了後、試料をロードロック室２３を経てカセッ
トホルダ２５に搬送して搬送が終了する。
【００２０】図５は本発明の第３実施例を説明する電子
ビーム描画装置の模式図であって、描画前熱処理を真空
中、描画後熱処理を乾燥窒素ガス雰囲気、大気圧下で実
施するものである。４１は鏡筒であり、４２は描画室で
あり、４４はロードロック室兼熱処理室であり、４５は
カセットホルダである。鏡筒４１には電子銃および電子
光学系があり、真空に排気されている。描画室４２には
描画用ステージがあり、真空に排気されている。ロード
ロック室兼熱処理室４４には、図６に示すように、第１
熱処理用ステージ５０，第２熱処理用ステージ５１およ
び冷却用ステージ５２があり、第１熱処理用ステージ５
０および第２熱処理用ステージ５１にはそれぞれステー
ジ加熱用のヒータ５３およびヒータ５４があり、冷却用
ステージ５２には冷却水循環用パイプ５５がある。また
、ロードロック室兼熱処理室４４にはリーク用ガス導入
管５６および真空ポンプ５７がある。
ビーム描画装置の模式図であって、描画前熱処理を真空
中、描画後熱処理を乾燥窒素ガス雰囲気、大気圧下で実
施するものである。４１は鏡筒であり、４２は描画室で
あり、４４はロードロック室兼熱処理室であり、４５は
カセットホルダである。鏡筒４１には電子銃および電子
光学系があり、真空に排気されている。描画室４２には
描画用ステージがあり、真空に排気されている。ロード
ロック室兼熱処理室４４には、図６に示すように、第１
熱処理用ステージ５０，第２熱処理用ステージ５１およ
び冷却用ステージ５２があり、第１熱処理用ステージ５
０および第２熱処理用ステージ５１にはそれぞれステー
ジ加熱用のヒータ５３およびヒータ５４があり、冷却用
ステージ５２には冷却水循環用パイプ５５がある。また
、ロードロック室兼熱処理室４４にはリーク用ガス導入
管５６および真空ポンプ５７がある。
【００２１】レジストに化学増幅型レジストＳＡＬ７０
１ーＥＲ７を用いて試料を搬送する例を図５および図６
を用いて説明する。ロードロック室兼熱処理室４４をリ
ーク用ガス導入管５６から導入される乾燥窒素ガスを用
いて大気圧とした後、レジストを塗布された試料をカセ
ットホルダ４５からロードロック室兼熱処理室４４にあ
る第１熱処理用ステージ５０に搬送する。ロードロック
室兼熱処理室４４を真空ポンプ５７を用いて真空に排気
した後、第１熱処理用ステージ５０をヒータ５３を用い
て９５℃に加熱して、試料を１分間熱処理する。熱処理
終了後、試料を冷却用ステージ５２に搬送し冷却する。 冷却用ステージ５２は、冷却水循環用パイプ５５を流れ
る冷却水により２３℃に設定されている。冷却後、試料
を描画室４２にある描画用ステージに搬送し描画を行う
。描画終了後、試料を描画室４２からロードロック室兼
熱処理室４４にある第２熱処理用ステージ５１に搬送す
る。ロードロック室兼熱処理室４４をリーク用ガス導入
管５６から導入される乾燥窒素ガスを用いて大気圧にし
た後、第２熱処理ステージ５１をヒータ５４を用いて１
０５℃に加熱して、試料を２分間熱処理する。熱処理終
了後、試料をカセットホルダ４５に搬送して搬送が終了
する。
１ーＥＲ７を用いて試料を搬送する例を図５および図６
を用いて説明する。ロードロック室兼熱処理室４４をリ
ーク用ガス導入管５６から導入される乾燥窒素ガスを用
いて大気圧とした後、レジストを塗布された試料をカセ
ットホルダ４５からロードロック室兼熱処理室４４にあ
る第１熱処理用ステージ５０に搬送する。ロードロック
室兼熱処理室４４を真空ポンプ５７を用いて真空に排気
した後、第１熱処理用ステージ５０をヒータ５３を用い
て９５℃に加熱して、試料を１分間熱処理する。熱処理
終了後、試料を冷却用ステージ５２に搬送し冷却する。 冷却用ステージ５２は、冷却水循環用パイプ５５を流れ
る冷却水により２３℃に設定されている。冷却後、試料
を描画室４２にある描画用ステージに搬送し描画を行う
。描画終了後、試料を描画室４２からロードロック室兼
熱処理室４４にある第２熱処理用ステージ５１に搬送す
る。ロードロック室兼熱処理室４４をリーク用ガス導入
管５６から導入される乾燥窒素ガスを用いて大気圧にし
た後、第２熱処理ステージ５１をヒータ５４を用いて１
０５℃に加熱して、試料を２分間熱処理する。熱処理終
了後、試料をカセットホルダ４５に搬送して搬送が終了
する。
【００２２】これらの実施例では、熱処理用ステージを
ヒータにより加熱したが、加熱源として恒温の液体の循
環または赤外線またはハロゲンランプを用いる方式を用
いても差し支えない。また、これらの実施例では、試料
を熱処理用ステージにおいた状態でステージを昇温した
が、予めステージ温度を所望の温度にしておくことも可
能である。また、これらの実施例では熱処理用ステージ
を２つ用いたが、１つの熱処理用ステージを用いてステ
ージ温度を所望の温度に上下させて用いてもよい。また
、これらの実施例では熱処理を描画前および描画後のど
ちらも行ったが、必ずしも両方必要というわけではなく
、どちらを行うかは使用する化学増幅型レジストの特性
による。また、乾燥窒素ガス雰囲気中での加熱または真
空中での加熱も化学増幅型レジストの特性により使い分
けるとよい。
ヒータにより加熱したが、加熱源として恒温の液体の循
環または赤外線またはハロゲンランプを用いる方式を用
いても差し支えない。また、これらの実施例では、試料
を熱処理用ステージにおいた状態でステージを昇温した
が、予めステージ温度を所望の温度にしておくことも可
能である。また、これらの実施例では熱処理用ステージ
を２つ用いたが、１つの熱処理用ステージを用いてステ
ージ温度を所望の温度に上下させて用いてもよい。また
、これらの実施例では熱処理を描画前および描画後のど
ちらも行ったが、必ずしも両方必要というわけではなく
、どちらを行うかは使用する化学増幅型レジストの特性
による。また、乾燥窒素ガス雰囲気中での加熱または真
空中での加熱も化学増幅型レジストの特性により使い分
けるとよい。
【００２３】このように、本発明によれば、化学増幅型
レジストを用いる際に必要な描画前または描画後熱処理
を試料搬送中に行うことができ、描画時間の短縮と単位
時間当たりの描画枚数の向上を両立させることができる
。
レジストを用いる際に必要な描画前または描画後熱処理
を試料搬送中に行うことができ、描画時間の短縮と単位
時間当たりの描画枚数の向上を両立させることができる
。
【００２４】図７（ａ）〜（ｃ）は試料搬送機構の一例
を説明するための図である。図７（ａ）はアーム６０を
示し、図７（ｂ）は第１，第２熱処理ステージ５０，５
１の平面図で、透孔５８がそれぞれ形成され、この透孔
５８に押し上げ部６１の押し上げ杆６２が挿入されるよ
うになっている。
を説明するための図である。図７（ａ）はアーム６０を
示し、図７（ｂ）は第１，第２熱処理ステージ５０，５
１の平面図で、透孔５８がそれぞれ形成され、この透孔
５８に押し上げ部６１の押し上げ杆６２が挿入されるよ
うになっている。
【００２５】図７（ｃ）により、第１熱処理ステージ５
０から第２熱処理ステージ５１へ試料７０を搬送する場
合について説明する。押し上げ部６１を上昇させ、杆６
２を第１熱処理ステージ５１の透孔５８に通して試料７
０を持上げ、その状態でアーム６０を試料７０の下側に
層入する。アームには空間になった部分があるので、押
し上げ杆６２が邪魔になることはない。次いで、押し上
げ部６１を下げて復旧させ、アーム６０に試料７０を載
せたまま第２熱処理ステージ５１の上まで運ぶ。次に、
押し上げ部６１を上昇させ、試料７０を下方から支承し
、継いで、アーム６０を引き抜き、押し上げ部６１を下
げると試料７０は第２熱処理ステージ５１上に載置され
る。これで、第１熱処理ステージ５０から第２熱処理ス
テージ５１への搬送が完了する。
０から第２熱処理ステージ５１へ試料７０を搬送する場
合について説明する。押し上げ部６１を上昇させ、杆６
２を第１熱処理ステージ５１の透孔５８に通して試料７
０を持上げ、その状態でアーム６０を試料７０の下側に
層入する。アームには空間になった部分があるので、押
し上げ杆６２が邪魔になることはない。次いで、押し上
げ部６１を下げて復旧させ、アーム６０に試料７０を載
せたまま第２熱処理ステージ５１の上まで運ぶ。次に、
押し上げ部６１を上昇させ、試料７０を下方から支承し
、継いで、アーム６０を引き抜き、押し上げ部６１を下
げると試料７０は第２熱処理ステージ５１上に載置され
る。これで、第１熱処理ステージ５０から第２熱処理ス
テージ５１への搬送が完了する。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、化学増
幅型レジストの描画前または描画後の熱処理を試料搬送
中に行うようにしたので、装置の稼動率を低下させるこ
となく、単位時間当たりの描画処理枚数を向上させるこ
とができるという利点がある。
幅型レジストの描画前または描画後の熱処理を試料搬送
中に行うようにしたので、装置の稼動率を低下させるこ
となく、単位時間当たりの描画処理枚数を向上させるこ
とができるという利点がある。
【図１】本発明の第１実施例の電子ビーム描画装置の模
式図である。
式図である。
【図２】熱処理室の詳細説明図である。
【図３】本発明の第２実施例の電子ビーム描画装置の模
式図である。
式図である。
【図４】熱処理室の詳細説明図である。
【図５】本発明の第３実施例の電子ビーム描画装置の模
式図である。
式図である。
【図６】ロードロック室兼熱処理室の詳細説明図である
。
。
【図７】本発明の試料搬送機構としてアームを用いた場
合の説明図である。
合の説明図である。
【図８】従来の電子ビーム描画装置の模式図である。
１ 鏡筒
２ 描画室
２ ロードロック室
４ 熱処理室
５ カセットホルダ
１０ 第１熱処理用ステージ
１１ 第２熱処理用ステージ
１２ 冷却用ステージ
１３ ヒータ
１４ ヒータ
１５ 冷却水循環用パイプ
１６ ガス導入管
２１ 鏡筒
２２ 描画室
２３ ロードロック室
２４ 熱処理室
２５ カセットホルダ
３０ 第１熱処理用ステージ
３１ 第２熱処理用ステージ
３２ 冷却用ステージ
３３ ヒータ
３４ ヒータ
３５ 冷却水循環用パイプ
３６ 真空ポンプ
４１ 鏡筒
４２ 描画室
４４ ロードロック室兼熱処理室
４５ カセットホルダ
５０ 第１熱処理用ステージ
５１ 第２熱処理用ステージ
５２ 冷却用ステージ
５３ ヒータ
５４ ヒータ
５５ 冷却水循環用パイプ
５６ リーク用ガス導入管
５７ 真空ポンプ
５８ 透孔
６０ アーム
６１ 押し上げ部
６２ 押し上げ杆
７０ 試料
Claims (2)
- 【請求項１】描画室へ試料搬送機構を介してレジストが
塗布された試料を搬入し、描画後に前記試料搬送機構を
介して排出する電子ビーム描画装置において、前記試料
搬送機構中に描画後の試料を熱処理する熱処理機構を有
することを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項２】描画室へ試料搬送機構を介してレジストが
塗布された試料を搬入し、描画後に前記試料搬送機構を
介して排出する電子ビーム描画装置において、前記試料
搬送機構中に描画前の試料を熱処理する熱処理機構を有
することを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17032591A JPH04367866A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17032591A JPH04367866A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04367866A true JPH04367866A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15902864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17032591A Pending JPH04367866A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04367866A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041135A1 (fr) * | 2001-11-07 | 2003-05-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif d'exposition a faisceau d'electrons |
| JP2006228776A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP17032591A patent/JPH04367866A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041135A1 (fr) * | 2001-11-07 | 2003-05-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif d'exposition a faisceau d'electrons |
| JP2006228776A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
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