JPH0436446B2 - - Google Patents

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JPH0436446B2
JPH0436446B2 JP58186268A JP18626883A JPH0436446B2 JP H0436446 B2 JPH0436446 B2 JP H0436446B2 JP 58186268 A JP58186268 A JP 58186268A JP 18626883 A JP18626883 A JP 18626883A JP H0436446 B2 JPH0436446 B2 JP H0436446B2
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Akira Anzai
Masashi Okada
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Nippon Kogaku KK
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
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    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
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    • GPHYSICS
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は投影光学系の倍率を高精度かつ簡便に
補正するために、感光基板へマスクのパターンを
投影露光するとき以外でも露光用の照明光を投影
光学系へ通すようにした露光装置の改良に関する
ものである。
(発明の背景) 縮小投影型露光装置(以下ステツパと呼ぶ)は
近年超LSIの生産現場に多く導入され、大きな成
果をもたらしているが、その重要な性能の一つに
重ね合せマツチング精度があげられる。このマツ
チング精度に影響を与える要素の中で重要なもの
に投影光学系の倍率誤差がある。超LSIに用いら
れるパターンの大きさは年々微細化の傾向を強
め、それに伴つてマツチング精度の向上に対する
ニーズも強くなつてきている。従つて投影倍率を
所定の値に保つ必要性はきわめて高くなつてきて
いる。現在投影光学系の倍率は装置の設置時に調
整することにより倍率誤差が一応無視できる程度
になつている。しかしながら、ステツパの投影レ
ンズは露光エネルギーの一部を吸収して温度が上
昇する。このため投影レンズに長時間、露光の光
が照射されつづけたり、露光動作が長時間連続し
て行われると倍率が無視し得ない程度に変化する
可能性がある。
このため1枚の感光基板(ウエハ)をステツプ
アンドリピート方式等で露光していく過程で倍率
が所期の値から変動し、1枚のウエハの露光を終
了して次のウエハに交換している間は、投影レン
ズへの露光エネルギーの供給がないために、変動
した倍率が徐々に元に戻ろうとする傾向がある。
そこで1枚のウエハを露光し終わつて次のウエハ
が露光開始されるまでの間に、投影レンズに予め
計算された量の露光エネルギーを供給する(ダミ
ー露光)ようにすると、投影レンズの倍率は所期
の値からはずれるが、ある一定の倍率値に安定す
ることになる。ところがこの種のステツパーでは
ウエハは次々に交換されて露光処理されるので、
次のウエハに対する本来の露光を開始する(例え
ばウエハ交換動作、アライメント中)に、投影レ
ンズへ不用意に露光エネルギーを供給すること
は、そのウエハ上の予期せぬ部分を感光させてし
まうことになる。また仮に投影レンズの直下にウ
エハがないとしても、強い露光エネルギーがウエ
ハを載置するステージ上の数々の精密部品に直接
照射されることになり、それらの部品の温度上昇
を招き、ひいてはステツパーとしての基本精度を
低下させることも考えられる。
(発明の目的) 本発明は、露光エネルギーによる倍率誤差を補
償するために、感光基板への本来の露光とは別に
ダミー露光を行う際、ダミー露光に伴う各種部品
の温度上昇を防止した露光装置を提供することを
目的とする。
(発明の概要) 倍率変化量は投影光学系に入射する露光波長の
エネルギーに依存する。また、単位時間に投影光
学系に入射するエネルギーが一定であれば、この
倍率変化量は一定値になる。従つて、倍率変化量
が一定量になつた状態(以下、便宜上飽和状態と
いう)でステツパを使用すると、倍率変動がない
状態でレチクルのパターンを感光体(ウエハ)に
転写できることになる。本願で前提としている倍
率安定化のためのダミー露光法では、単位時間に
投影光学系に入射するエネルギーを一種のフイー
ドバツク制御によつて一定に保つことにより、倍
率誤差の時間変動をなくし、常に一定倍率でステ
ツパを稼動させることができる。上に述べた単位
時間として実際上は倍率変化の飽和時間と比較し
て十分に短い時間を設定すれば良い。単位時間を
短くとれば、それだけ倍率精度は高くなる傾向に
ある。
飽和時間は装置によつて異なるがおおよそ数分
から数十分であるから、単位時間としては数十秒
から数分の間の値を選べば充分である。上記の方
法は入射エネルギーにより倍率変化が発生し、飽
和状態になつてから使用するので、使用状態にな
いステツパをあらためて稼動させる際には倍率を
飽和させるまで待ち時間が必要になる。この待ち
時間を少なくするために、ウオーミングアツプ時
間として最初は単位時間の入射エネルギーを使用
時より多くあたえ、倍率誤差を短時間に発生させ
るのが便利である。
単位時間に投影光学系に入射するエネルギーは
光源の明るさ、レチクルの透過率、ウエハの反射
率等の影響を受けるが時間的に最も変動するのは
単位時間内にシヤツタが開き、照明光が投影光学
系に入射している時間の割合(以下τで表す)で
ある。従つて、このτ値を一定にすることが倍率
誤差を補償する上で最も大切になる。
ところが、このようなダミー露光法は当然のこ
とながらウエハ交換動作(又はアライメント動
作)の間に行われるので、ウエハを保持するステ
ージ上に搭載された精密部品、特にステージの位
置測定用のレーザ干渉計のための移動鏡等にダミ
ー露光による露光エネルギーが直接照射されるこ
とも起こり得る。そこで本願発明では、それら移
動鏡の上方空間等に遮光板を設け、露光エネルギ
ーが直接照射されるのを防止するようにした。
(実施例) 以下、本発明を実施例例に基づいて説明する。
先ず、本発明の基礎となる考え方を4つ例示す
る。
例 1 単位時間としてステツパ標準稼動時に一枚のウ
エハを処理する時間を使用する。定常的な露光動
作時の前記割合でτの本例における値τ1は(1)式で
与えられる。
τ1=N・t0/t1+t2+N・(t0+tc) ………(1) ここに、 t1はウエハ交換に要する時間 t2はウエハアライメント時間 t0は1シヨツトあたり露光時間 tcはステツピング時間 Nは1ウエハあたりの露光シヨツト数 である。露光時間、つまりシヤツタが開いている
時間だけ、露光エネルギーは投影光学系に入射す
るから、ウエハ1枚当りの入射時間は露光時間t0
と露光シヨツト数との積、すなわちN・t0とな
る。ウエハが連続して次々と処理されているとき
は常に同じ繰り返しであり、τ1は変化しない。し
かし、何らかの理由でウエハの供給が連続して行
われなかつたり、装置が故障したりすると、通常
シヤツターが閉じたままで時間が経過するのでτ1
が小になり、次にウエハ露光を再開した時に倍率
変化が発生する。そのため通常の露光動作が停止
した時点でτ1の減少を防ぐために一定の比率でシ
ヤツターを開け、投影光学系にエネルギーが入射
するようにする。
そこで、シヤツターの開閉動作は(1)式のτ1を保
つために以下のようにシヤツターを作動すれば良
い。すなわち、装置が定常的な露光動作を停止し
たと判断するための時間をt3とし、またτ1の減少
を防ぐためにシヤツタを開放する時間をt4とした
とき、τ1=t4/(t3+t4)だから、 t4=τ1・t3/(1−τ1) ………(2) を満足するようにシヤツタを作動する。従つて、
シヤツタの閉状態が時間t3以上続いたのちに、(2)
式で与えられる時間t4のぶんだけシヤツタを開け
ば良いことになる。
第1図はこのようなシヤツタの開閉の時間変化
の例を示す図である。シヤツタの開状態を高レベ
ルで、またシヤツタ閉状態を低レベルであらわし
ている。ウエハ交換時間t1、ウエハアライメント
時間t2、及びN回繰り返される露光時間t0とステ
ツピング時間tcとで単位時間Tとなるようにした
例である。
t3+t4はτ1を計算するための単位時間Tである
から、前述のように短いほど精度が向上するがウ
エハ1枚の処理時間すなわち(1)式の分母t1+t2
N・(t0+tc)以下にしておけば問題はない。(t3
+t4)時間経過後も定常的な露光動作に復帰しな
いときは(t3+t4)をn回繰り返せればτの減少
を防ぐことができる。この例ではt3、t4、τ1の計
算、定常的な動作が停止したことの判断は電子回
路によつて行つてもよいし、またオペレータが判
断し、各数値を指示入力してもよい。またτ1
t4/(t3+t4)が制御されるべき項なのでt3、t4
i個に分割しても同様の効果があることはいうま
でもない。第1図の下方に示した例は2分割した
場合である。すなわち、各分割部分ごとのシヤツ
タ閉時間をt3i、シヤツタ開時間をt4iとするとき、 τ1=〓t4i/〓t3i+〓t4i を満たせばよい。この分母の値は単位時間Tに等
しい。
ところで、ウエハアライメントのためにウエハ
上のウエハアライメントマークはやはり露光工
程、現像工程を経て形成されるので、そのでき具
合によつてはウエハアライメント時間が変動す
る。ウエハアライメント中はシヤツタを開けるこ
とができないから、ウエハアライメント時間の変
動はτ1の変動を招く。そのためt2又はt1+t2+N
(t0+tc)に応じて時間t4を変えなければならな
い。
例 2 単位時間Tとしてウエハ1枚の処理時間より短
い時間、例えばウエハ1枚当りのステツプアンド
リピート時間よりも短いウエハ交換時間を使用す
る。このときのステツプアンドリピート中の前記
割合τの本例における値τ2は(2)式で与えられる。
τ2=t0/t0+tc ………(3) ウエハ交換に要する時間t1、及びウエハアライ
メントに要する時間t2のあいだシヤツタが閉じて
いると、その間にτ2が減少してしまうので、この
例ではこれを防止する。先ず、ウエハ交換時間t1
のなかでは(4)式で与えられる時間t3のあいだシヤ
ツタを開く。
t5=τ2・t1 ………(4) つまり、時間t5(<t1)のあいだシヤツタを開
き、時間(t1−t5)のあいだシヤツタを閉じる。
次に、ウエハアライメント時間t2のあいだは、シ
ヤツタを開けるとアライメント途中のウエハ(フ
オトレジスト)が露光されてしまう。そのため、
ウエハアライメント時間が経過した後に、別にシ
ヤツタを開けるための時間t6を設けている。この
時間t6は(5)式で与えられる。
t6=τ2・t2/(1−τ2) ………(5) そして、時間(t2+t6)は単位時間Tを越えな
いようにする。このときのシヤツタ開閉状態を第
2図に示す。
さて、この場合にウエハアライメント時間が長
くなつてしまい(t2+t6)>Tになると、スルー
プツト低下を防止するために時間t6を(5)式で与え
られる時間よりも短くしなければならない。従つ
て、そのような場合には次のウエハ交換に際して
入射エネルギーを補つて投影レンズを飽和状態に
近づける必要がある。つまり次のウエハ交換時間
内での時間t5の長さを補正する必要がある。それ
は、ステツプアンドリピート動作中に投影レンズ
に入射する露光々のエネルギーは単位時間当りで
は変化しないから、結果的に投影レンズはウエハ
アライメント時間の延長により非飽和状態となつ
てしまうからである。
例 3 定常的な露光動作時の前記割合τが露光動作以
外の時にも完全に保たれていることが倍率変化を
高精度に補正するために必要である。そこで、露
光々が投影レンズに入射するとウエハに塗布され
たフオトレジストを露光してしまう可能性がある
場合を除いて、ステツプアンドリピート動作中と
同じようにシヤツタを間欠的に開閉することが考
えられる。第3図にこの場合のシヤツタ開閉の状
態を示す。時間t7はシヤツタ開放時間であり、時
間t8はシヤツタ閉成時間である。この場合にも、
ウエハアライメント時間が長くなると、それに応
じて時間t7とt8との比を変えて投影レンズを飽和
状態に引き戻す必要がある。
例 4 露光々が投影レンズに長時間入射していない場
合には、該レンズは冷えている。そこで例1で示
したシヤツタ開閉動作によつて投影レンズに露
光々を入射して、該レンズを冷えた状態から該レ
ンズの倍率変化が飽和する状態に引き込んでみ
る。すると、第4図aの曲線Croで示すように、
露光々を入射してから飽和状態での倍率変化値を
ΔMmとすると、例えば0.9ΔMmに達するのに時
間troを必要とする。この時間troは通常30分以上
なので、シヤツタの開閉を始めてから所定時間
(例えば0.9ΔMm)待たなければステツプアンド
リピート動作に入れないという問題が生ずる。第
4図bはシヤツタ開閉の状態を示す。
そこで、時間troを短縮するために第5図bに
示すように、先ず時間tr1(>t4)のあいだシヤツ
タを開けておき、その後に単位時間Tを設定して
時間t3のあいだシヤツタを閉成し、時間t4のあい
だシヤツタを開放する。こうすると短時間の待ち
時間でステツプアンドリピート動作に入ることが
できる。第5図aにこのときの時間(t)と倍率
変化(ΔMm)との関係を示す。ここで、倍率変
化値が0.9ΔMmに達するまでの時間tr1は投影レ
ンズの熱的な時間特性に依存する。この時間tr1
はシヤツタが開いて投影レンズに入射する露光々
の強度が時間的に変化しないならば、レチクルの
遮光部と透光部との比や光源の輝度が変化しても
ほとんど変化しない。
以下、これまで述べてきた考え方を具体化して
説明する。
第6図は本発明が応用される縮小投影型露光装
置の光学系の概略図である。超高圧水銀ランプな
どの露光用光源1は回転楕円鏡2の第1焦点上に
配置され、この光源の像は第2焦点5上に形成さ
れる。ころ第2焦点上、またはその近傍に配置さ
れたロータリーシヤツタ3は第7図に示すように
放射状に4つのセクター3a,3b,3c,3d
を有している。これらのセクターはそれぞれ光源
からの光束を遮光するのに充分な大きさを有する
とともに、各セクター間の切欠部は光源からの光
束を通過させるのに充分な大きさである。そし
て、第7図に示すようにロータリーシヤツタ3は
その中心4を回転中心としてモータ5によつて間
欠的に回転される。セクターが光路中に位置する
時には光源からの光束は遮断され、セクターが光
路から退避した時には光源からの光束はコリメー
タレンズ6へ入射する。コリメータレンズ6に入
射した光は平行光束となつて、フライアイレンズ
で構成されたオプテイカルインテグレータ7に入
射する。そして、オプテイカルインテグレータ7
によつて多数の二次光源像が形成され、コンデン
サレンズ8を介して投影原版であるレチクル(ま
たはマスク)9を照明する。そして、レチクル9
に形成されたパターンの光像は、縮小投影レンズ
10によりウエハ11上に結像される。その結
果、ウエハに塗布されたフオトレジストにレチク
ルのパターンが転写される。
第8図は第1図に示した例を実現する回路ブロ
ツク図である。CPU12は、各ウエハ処理ごと
にインターフエース13を介して、ウエハ交換時
間t1ウエハアライメント時間t2、ステツピング時
間tc及び露光時間を読み取る。尚、ステツプアン
ドリピート時間はウエハに塗布されたフオトレジ
ストの感度ステージのステツピング速度が一定な
ら不変であるから、予めキーボード14を介して
CPU12のメモリに入力しておいてもよい。レ
ジスタR1は時間t3を設定するためのものであり、
キーボード14によつて打ち込まれた数値をイン
ターフエース13を介して設定する。フリツプフ
ロツプFF1はステツプアンドリピート動作が終
了すると(ウエハ1枚のN回の露光が終了する
と)セツトされて、出力端子QにHを出力し、ウ
エハ交換が始まるとリセツトされてLを出力す
る。アンドゲートAND1は一方にフリツプフロ
ツプFF1の端子Qの出力を、他方に一定周期の
クロツクパルスCLKを印加される。カウンタCT
1はアンドゲートAND1からのクロツクパルス
を計数する。コンパレータCP1はレジスタR1
とカウンタCT1の内容を比較し、両者の内容が
一致するとHを出力する。フリツプフロツプFF
2はコンパレータCP1のH出力によりセツトさ
れて端子QにHを出力し、ウエハ交換が始まると
リセツトされてLを出力する。フリツプフロツプ
FF2のH出力はt3の経過信号としてCPU12に
読み取られる。アンドゲートAND2は一方にフ
リツプフロツプFF2の端子Qの出力を、他方に
クロツクパルスCLKを印加される。カウンタCT
2はアンドゲートAND2からのクロツクパルス
を計数する。レジスタはシヤツタ開放時間t4を設
定するためのものである。コンパレータCP2は
レジスタR2とカウンタCT2の内容とが一致す
るとHを出力する。このコンパレータCP2のH
出力は時間t4の経過信号としてCPU12に読み取
られる。
レジスタR3は、ウエハに塗布されたフオトレ
ジストに対して適正露光量を与える光量に対応し
た露光量データを予め設定するためのものであ
る。フオトダイオードPD1はロータリーシヤツ
タ3が開いているあいだ光源1から光を受光す
る。フオトダイオードPD1の出力はヘツドアン
プOP1によつて増幅された積分回路へ印加され
る。この積分回路はアンプOP2とコンデンサC
1から構成されており、シヤツタ開放から閉成ま
での光量積分出力はAD変換器AD1によつてデ
ジタル値に変換される。コンパレータCP3はレ
ジスタR3の設定値とAD変換器AD1の積分出
力とを比較し、両者が一致するとHを出力する。
コンパレータCP3のH出力はウエハ露光終了信
号としてCPU12に読み取られる。フリツプフ
ロツプFF3は、セツトされるとQ端子にHを出
力してモータ駆動回路MD1を作動させ、リセツ
トされるとQ端子にLを出力してモータ駆動回路
を不作動にする。フリツプフロツプFF3のセツ
ト、リセツトはインターフエース13を介して
CPU12が指令する。また、モータ駆動回路MD
1はフリツプフロツプFF3がセツトされるとモ
ータ5を介してロータリーシヤツタ3を開き、リ
セツトされるとロータリーシヤツタ3を閉じる。
CPU12は、ステツプアンドリピート動作が終
了すると(2)式から時間t4を計算してレジスタR2
に設定する。
以下、第9図のフローチヤートを参照して動作
を説明する。先ず、キーボード14から露光装置
の動作開始信号を入力する(ステツプP1)。する
とウエハ交換が行われ(ステツプP2)、次にウエ
ハアライメントが行われる(ステツプP3)。これ
が終了すると、レジスタR3に設定された露光量
と、AD変換器AD1の光量積分出力に基づいて
露光してはステージを送るというステツプアンド
リピート動作をN回繰り返す(ステツプP4)。こ
の間、フリツプフロツプFF3はウエハアライメ
ントが終了すると先ずセツトされ、所定量の露光
が終了するとコンパレータCP3のH出力によつ
てリセツトされ、ステージのステツピングが終了
すると再びセツトされ、以後N回の露光が終了す
るまでステージのステツピング終了に応じてセツ
ト、リセツトを繰り返される。そして、N回の露
光が終了すると、t1+t2+N・(t0+tc)を計算し、
次に(2)式に基づいて時間t4を計算する(ステツプ
P5)。次に時間t4をレジスタR2に設定し(ステ
ツプP6)、フリツプフロツプFF1をセツトする
(ステツプP7)。フリツプフロツプFF1がセツト
されると、カウンタCT1はアンドゲートAND1
から入つてくるクロツクパルスを計数する。コン
パレータCP1はカウンタCT1の計数値がレジス
タR1の内容と一致するとフリツプフロツプFF
2をセツトする。このときにフリツプフロツプ
FF2のQ端子から出力されるHは時間t3が経過
した信号としてCPU12に読み取られる。
すると、フリツプフロツプFF3がセツトされ
てシヤツタは開放される(ステツプP8)。これは
時間t4が経過するまで続く。そして時間t4が経過
すると、フリツプフロツプFF3をリセツトして
シヤツタを閉じる(ステツプP9)。
この実施例によれば、ウエハ1枚処理するごと
にt1+t2+N・(t0+tc)を計算し、それに基づい
て(2)式よりt4を計算するからウエハアライメント
時間が変動しても、τ1を一定に保つことができ
る。
第10図は第2図に示した例の実施回路ブロツ
ク図である。電圧一周波数変換器VF1はインタ
ーフエース13から与えられる電圧に対応した周
波数のパルスを発生する。この変換器VF1の出
力パルスはカウンタCT10に計数パルスとして
入力される。
単位時間計数用カウンタCT11は一定周波数
のクロツクパルスCLKを計数パルスとして入力
され、ウエハアライメント開始時に計数開始し、
単位時間Tを計数するとHを出力する。カウンタ
CT12はウエハアライメント終了時からクロツ
クパルスを計数するもので、ウエハアライメント
開始してから単位時間Tが経過した時点での計数
値がCPU12に読み込まれる。
レジスタR10はウエハ露光時間t0、または露
光時間(投影レンズに露光波長エネルギーは入射
させるがウエハを露光しない時間)t5、t6を設定
するためのものである。時間t5、t6は露光量に換
算してレジスタR10に設定されるものとする。
フオトダイオードPD1、アンプOP1,OP2コ
ンデンサC1及びAD変換器AD1は第5図と同
様に光量積分回路を構成している。コンパレータ
CP10はレジスタR10の設定値とAD変換器
AD1の出力とが一致するとHを出力する。フリ
ツプフロツプFF3は露光開始指令をセツト端子
Sに印加されるとQ端子にHを出力し、露光終了
指令をリセツト端子Rに印加されるとQ端子にL
を出力する。モータ駆動回路MD1は第5図示の
ものと同様フリツプフロツプFF3のQ端子がH
になるとモータ5を所定角度回転してシヤツタ3
を開き、Q端子がLになるとモータ5を更に所定
角度回転してシヤツタを閉じる。
CPU12は、電圧一周波数変換器VF1、カウ
ンタCT10,CT11,CT12、レジスタR1
0、フリツプフロツプFF3とインターフエース
13を介して接続され、後述の如く制御する。キ
ーボード14は必要な指令やデータをインターフ
エース13を介してCPU12に送り込む。
以下、第11図のフローチヤートを参照して動
作を説明する。キーボード14から動作開始を指
令すると、CPU12はメモリ(CPU内蔵のもの)
からカウンタCT12の計数値を読み出す(ステ
ツプP12)。ここでカウンタCT12の計数値とは
(5)式から計算された計算上の露光時間t6と、単位
時間Tの間に実際に露光された時間t6′との差を
計算するためのものである。次に、CPU12は
(4)式に基づいて時間t5を計算する。このときメモ
リから読み出されたカウンタCT12の計算値に
応じた時間を時間t5に加算する(ステツプP13)。
そして、その結果得られた時間t5′(=t5+(t6
t6′))をレジスタR10に設定する(ステツプ
P14)。この時間t5′を計算する理由は後述する。
次にウエハ交換開始指令をウエハ交換手段(不図
示)に送り、ウエハを露光装置に供給し(ステツ
プP15)、フリツプフロツプFF3のセツト端子S
にH出力すなわち露光開始指令を印加する(ステ
ツプP16)。これによつてフリツプフロツプFF3
のQ端子はHとなるからモータ駆動回路MD1が
作動してロータリーシヤツタを開放する。シヤツ
タが開放されるとフオトダイオードPDが露光々
を受光するので光量積分が開始される。そして、
AD変換器AD1の出力がレジスタR10の設定
値と一致するとコンパレータCP10はHを出力
する。コンパレータCP10のH出力は露光開始
から時間t5が経過したことを意味している。CPU
12は露光開始するとコンパレータCP10がH
を出力したかどうかを監視していて(ステツプ
P17)、コンパレータCP10がHを出力するとフ
リツプフロツプFF3のR端子にH、すなわち露
光終了指令を印加する(ステツプP18)。これに
よりモータ駆動回路MD1はシヤツタを閉じる。
一方、CPU12はウエハ供給が終了したかど
うかを監視しており(ステツプP19)、露光装置
へのウエハ供給が終了するとウエハアライメント
を開始させる(ステツプP20)。ウエハアライメ
ント開始を指令すると同時にCPU12は電圧一
周波数変換器VF1の出力パルスの周波数を(5)式
のτ2/(1−τ2)に対応したものに設定し(ステ
ツプP21)、カウンタCT10を計数モードに設定
する(ステツプP22)。そのため、カウンタCT1
0はウエハアライメント開始時点から電圧一周波
数変換器VF1の出力パルスを計数する。また
CPU12はアライメント開始時にカウンタCT1
1を計数モードに設定し、クロツクパルスを計数
させる。ステツプP20〜P23はほぼ同時に行われ
る。CPU12はウエハアライメントが終了した
かどうかを監視しており(ステツプP24)、ウエ
ハアライメントが終了するとカウンタCT10の
計数値を読み込んで、メモリ(CPU12に内蔵
のもの)に格納する(ステツプP25)。
カウンタCT10は変換器VF1からのτ2/(1
−τ2)に対応した周波数のパルスをウエハアライ
メント時間t2のあいだ計数するから、ステツプ
P25で読み取られた計数値は時間t6に対応してい
ることになる。CPU12は、このカウンタTC1
0の計数値から時間t6を計算して(ステツプ
P26)、レジスタR10に設定する(ステツプ
P27)。そして、カウンタCT10の計数値をクリ
アし(ステツプP28)、そしてカウンタCT12を
計数モードに設定し(ステツプP29)、次にフリ
ツプフロツプFF3のS端子にHを印加してシヤ
ツタを開放させる(ステツプP30)。ステツプP27
〜P29はほぼ同時に行われる。
シヤツタを開放するとCPU12はカウンタCT
11の出力とコンパレータCP10の出力を監視
する(ステツプP31、P32)。そしてカウンタCT
11が単位時間Tを計数してHを出力すると、コ
ンパレータCP10がHを出力しているかどうか
は無関係に、フリツプフロツプFF3のR端子に
Hを印加してシヤツタを閉じる。
また、カウンタCT11がHを出力する前にコ
ンパレータCP10がHを出力すると、このコン
パレータの出力によつてフリツプフロツプFF3
のR端子にHを印加してシヤツタを閉じる。これ
は、シヤツタが開いている状態を、ウエハアライ
メント開始時から単位時間Tが経過する時までの
あいだに規制するためのステツプである。フリツ
プフロツプFF3をリセツトすると(ステツプ
33)、CPU12はカウンタCT12の計数値をメ
モリ(CPU12に内蔵のもの)に格納する(ス
テツプP34)。このときのカウンタCT12の計数
値は実際にシヤツタが開放されていた時間t6′に
対応する。
次に、CPU12はウエハに塗布されたフオト
レジストを露光波長で露光すべく、レジスタR1
0に時間t0に対応した露光量を設定する(ステツ
プP35)。引き続いてフリツプフロツプFF3をセ
ツトしてシヤツタを開放し(ステツプP36)、コ
ンパレータCP10がHを出力したかどうかを監
視する(ステツプP37)。そしてコンパレータCP
10がHを出力するとフリツプフロツプFF3を
リセツトしてシヤツタを閉じて(ステツプP38)、
ウエハを載置したステージをステツプさせる(ス
テツプP39)。ステツプアンドリピート動作をN
回繰り返すと(ステツプP40)、ステツプP12に戻
り、次に供給されてくるウエハについて同様の動
作を繰り返す。そして所定枚数処理したなら動作
を終了する(ステツプP41)。なお、第2図の時
間t5及びt6のあいだはステージはウエハが露光さ
れない位置(例えばウエハが投影レンズを通過し
た露光波長を受けない位置)へ退避させるものと
する。
以上のように、時系列上先行するウエハに関し
ての計算上の露光時間t6と実際の露光時間t6′の差
を時系列上後続するウエハに関する露光時間t5
反映させている。つまりt6>t6′の場合でも次のウ
エハの交換に際してその差に応じて時間t5を変え
るので投影レンズを飽和状態に維持することが可
能になる。
第3図に示した例の場合には、標準的なウエハ
アライメント時間t2′を予め決めておいてこの標
準時間に対する実際のウエハアライメント時間t2
の比(時系列上先行するウエハに関して得られた
もの)に応じて、次のウエハ交換時での時間t7
t8の比を変える。
このようにすると、ウエハアライメント時間が
変動しても投影レンズを飽和状態に保つことがで
きるようになる。
第12図において、カウンターCT15はウエ
ハアライメント開始時点からウエハアライメント
終了までの時間を計時する。鋸歯状波発生器CX
1は鋸歯状波をアナログ比較器OP10の一方端
子に入力する。基準電圧発生器CX2は所定の基
準電圧を比較器OP10の他方端子に入力する。
比較器OP10の出力端子には基準電圧のレベル
に応じたデユーテイー比のパルス出力が得られ
る。
次に、第13図のフローチヤートを参照して主
要な動作のみを説明する。ある単位時間において
ウエハアライメントが開始されると、カウンタ
CT15が計時開始してウエハアライメント終了
までの時間を測定する(ステツプP42)。次にこ
のウエハアライメント時間t2をCPU12のメモリ
のM1番地に格納する(ステツプP43)。次にCPU
12のROMに記憶された標準時間t2′を読み出し
(ステツプP44)、時間t2′と時間t2との差を計算す
る(ステツプP45)。次にこの計算結果に応じて
基準電圧レベルを変えて比較器OP1の出力パル
スのデユーテイ比を設定する(ステツプP46)。
その後ステツプアンドリピート動作の終了を確認
すると(ステツプP47)ウエハ交換中のシヤツタ
開閉を比較器OP15の出力パルスのデユーテイ
比に応じて制御する(ステツプP48)。これによ
つて投影レンズを飽和状態に維持することが可能
になる。尚、ステツプアンドリピート動作中にお
けるシヤツタの開閉は第8図に示した光量積分回
路、レジスタR3、コンパレータCP3を作動し
て行う。尚、このデユーテイ比は単位時間内での
シヤツタ開放時間とシヤツタ閉成時間の比に応じ
て制御してもよい。
第5図に示した例は、第8図にタイマー回路
TMを追加することによつて達成される。即ち、
露光装置の作動開始指令が入ると先ずシヤツタを
開放し、同時にタイマー回路TMで時間tr1の計
時を開始する。そして時間tr1が経過したなら第
9図のステツプP2へ移動する。第14図にはこ
の動作のフローチヤートを示してある。第9図の
ステツプP1とP2との間に、シヤツタを時間tr1
あいだ開放するためのステツプP1−1〜P1−4
が追加されている。
尚、ウエハアライメント時間以外にも、例えば
ウエハ交換時間が変動したときにも同様の処理に
よつて投影レンズを飽和状態に維持できる。
次に、以上に述べた具体例が応用される縮小投
影型露光装置の構成と動作を説明する。
第15図は縮小投影型露光装置の機械的構成の
概略図である。互いに直交する2方向(X軸方
向、Y軸方向)に移動可能なステージ20には、
ウエハ11を載置するためのウエハホルダ21が
設けられている。ウエハホルダ21はステージ2
0に対して微小回転可能であるとともに、ウエハ
の真空チヤツクとなつている。ステージ20のX
軸、Y軸方向の座標位置はレーザ干渉計によつて
計測される。第1のレーザ干渉計ユニツト22は
ステージ20のY軸方向端辺に固着された第1の
ミラー23と、露光装置本体の所定位置に固定さ
れた第1の固定ミラー(不図示)を備え、第1の
ミラーと第2のミラーとにそれぞれレーザ光線を
照射し(第15図では第1のミラーに照射するレ
ーザL1が示されている)、それら反射レーザ光線
の干渉からステージ20のX軸の座標位置を測定
する。第2のレーザ干渉計ユニツト24はステー
ジ20のY軸方向端辺に固着された第2のミラー
25と露光装置本体の所定位置に固定された第2
の固定ミラー(不図示)を備え、第2のミラー2
5と第2の固定ミラーとにそれぞれレーザ光線を
照射し(第15図では第2のミラーに照射するレ
ーザL2が示されている)、それら反射レーザ光線
の干渉からステージ20のY軸の座標位置を測定
する。ステージ20はウエハ11の受渡し時には
所定のウエハ受渡し位置へ移動する。ベルト搬送
装置26は未露光ウエハを露光装置内へと搬入
し、または露光済ウエハを露光装置外へと搬出す
るために作用する。ウエハ搬送アーム27は軸2
8を中心に回転可能であり、先端27aはウエハ
吸着するための真空チヤツクとなつている。この
搬送アーム27はウエハ受渡し位置にあるステー
ジ20のウエハホルダ21と、搬送装置26との
間を回転可能であり、両者間でのウエハ受渡しを
行う。レチクル9のパターン像は投影レンズ10
によつてウエハ上に結像される。投影レンズ10
の光軸はレーザ光線L1とL2との交点を通つてい
る。ウエハのX軸方向のアライメントを検出する
ための光電顕微鏡WXの光軸はレーザ光線L1の光
軸と直交する。ウエハのY軸方向のアライメント
を検出するための光電顕微鏡WYの光軸はレーザ
光線L2の光軸と直交する。光電顕微鏡Wθはウエ
ハの回転方向(θ方向)のアライメントを検出す
るためのものである。
以下、第16図及び第17図を使つてウエハア
ライメント動作を説明する。第16図は投影レン
ズ10、ステージ20、及び光電顕微鏡WX,
WY,Wθの配置関係を示す。第17図はウエハ
11のチツプパターンとアライメントマークの様
子を表わしたものである。ウエハ11には第1回
目の露光によつて第17図に示すような矩形のチ
ツプパターン(代表的に2個示してある)と、ウ
エハアライメントパターンが形成される。尚、直
交座標系ξ−ηはチツプパターンの配列座標を表
わす。そして、ξ−η座標の中心Pはチツプパタ
ーン全域の中心点を表わす。また、第11図に示
した光電顕微鏡WY,Wθ,WXによつて検出さ
れるアライメントマーク33,34,36をそれ
ぞれYマーク33、θマーク34、Xマーク36
と呼ぶ。このYマーク33とθマーク34とを結
ぶ線分はξ軸と平行であり、またXマーク36の
延長線分はη軸と平行である。そして、ウエハの
中心付近に位置するチツプパターンのYマーク3
3とθマーク34を結ぶ線分と、Xマーク36の
延長線分とは中心Pで交差するものをする。
さて、このようなウエハ11をウエハホルダ2
1に載置し、ウエハのオリエンテーシヨンフラツ
トによつてウエハ11をステージ20に対して粗
く位置決めした後、ウエハ11を真空吸着する。
その後ステージ20を駆動して、光電顕微鏡
WY,WθによつてYマーク33、θマーク34
が検出可能な位置へとウエハを移動させる。この
とき、光電顕微鏡WY,WθのY軸方向の間隔は
機械的に所定値に固定されているので、光電顕微
鏡WYはξ軸上の最も左側に位置するチツプパタ
ーンのYマーク33′を検出し、光電顕微鏡Wθは
ξ軸上の最も右側に位置するチツプパターンのθ
マーク34を検出するものとする。
ウエハ11は2回目以後の露光を行う場合には
ステージ20のX−Y座標とウエハ11のξ−η
座標の回転ずれが生じないように回転補正を行
う。
この回転補正は光電顕微鏡WY,Wθによつて
行われる。即ち、光電顕微鏡WYでウエハの最も
左側のYマーク33′を検出しつつ、光電顕微鏡
Wθがウエハの最も右側のθマーク34を検出で
きるようにウエハホルダ21を介してウエハ11
を回転させる。そして、光電顕微鏡WY,Wθが
それぞれYマーク33′、θマーク34のアライ
メントを検出すると、ステージ20のX軸とウエ
ハのξ軸とが平行になる。このときY座標計測用
レジスタ(不図示)にX軸とY軸の交点から光電
顕微鏡WYの光軸までの距離(露光装置に固有の
値)をプリセツトし、ウエハホルダ21をその回
転位置に保持する。以下この動作をY−θアライ
メントという。次にステージ20を駆動して光電
顕微鏡WXによつてウエハ11の中心付近のチツ
プパターン内のXマークを検出する。するとステ
ージ20のY軸とウエハ11のη軸とが平行にな
るから、このときX座標計測用レジスタ(不図
示)にX軸とY軸との交点から光電顕微鏡WXの
光軸までの距離(露光装置に固有の値)をプリセ
ツトする。以下、この動作をXアライメントとい
う。これまで述べてきたY−θアライメント及び
Xアライメントによつてステージ20のX−Y軸
とウエハのξ−η軸とを回転ずれなしで対応づけ
ることができる。以後、レーザ干渉計によつてス
テージ20のX−Y座標値を計測すればウエハ1
1の位置を知ることができ、ステツプアンドリピ
ート動作を容易に行うことができる。
第18図はウエハアライメントに使用する光電
顕微鏡の具体例である。ウエハ11のアライメン
トマーク(例えばYマーク33)はフオトレジス
トを露光しない波長の光で照明され、その光像は
対物レンズ40によつて、スリツト41aを有す
るスリツト板41に結像される。発振器42は一
定周波数の正弦波信号を発生し、振動手段43を
作動させる。振動手段43はスリツト板41と結
合し、アライメントマークに対してスリツト41
aを正弦的に振動走査させる。この振動方向はア
ライメントマークの長手方向に直交する方向であ
る。光電変換素子44はスリツト41aを通過し
た光を受光して、電気信号に変換する。同期整流
回路45は、光電変換素子44からの電気信号を
前記正弦波信号を参照信号として同期整流し、平
滑回路46はこの同期正流信号を直流信号に平滑
して端子47に出力する。この直流信号はスリツ
ト41aの振動中心Oとアライメントマークとの
位置関係に応じて第19図aのように変化する。
アライメント動作中はこの直流信号が零レベルに
なるようにステージ20またはウエハホルダ21
をサーボ制御する。
一方、光電変換素子44からの電気信号は発振
器42の出力信号の2倍の周波数に同調周波数を
もつた同調増幅器48に入力される。この同調増
幅器48の出力は整流回路49で整流された後、
平滑回路51によつて直流信号に平滑される。平
滑回路51からの直流信号はスリツト41aの振
動中心Oと、アライメントマークの中心との位置
関係に応じて第19図bに示すように変化する。
レベル判定回路51は平滑回路50の直流信号が
第19図bの直流レベルI1とI2との間にあるとき
のみアンドゲート52の一方入力端子に信号を印
加する。ウインドコンパレータ53は平滑回路4
6からの直流信号のレベルが零のときにアンドゲ
ート52の他方入力端子へ信号を印加する。従つ
て、アンドゲート52はスリツト41aの振動中
心とアライメントマークの中心とが一致したとき
に出力を端子54に出力することになる。このア
ンドゲート52から出力が得られたときが光電顕
微鏡がアライメントコークのアライメントを検出
したときである。
尚、第19図において縦軸は直流信号レベル
を、また横軸はスリツト41aの振動中心Oに対
するアライメントマークの位置ずれ量を表わして
いる。
第20図は縮小投影型露光装置の制御系を示す
ブロツク図である。この制御系はプログラムによ
る露光装置のシーケンス制御及び各種演算処理を
可能とするために、メモリ等を含むマイクロコン
ピユータ(CPU)60を使用している。CPU6
0は、インターフエース61を介して各光電顕微
鏡、各駆動部及びレーザ干渉計からの測定(検
出)データの取り込み、及び指令の伝達を行う。
ベルト搬送装置駆動部62は、CPU60の指
令により未露光ウエハ及び露光済ウエハを露光装
置内外へそれぞれ搬入、搬出するよう、ベルト搬
送装置26を駆動する。未露光ウエハが搬送アー
ム27との受け渡し位置まで搬入されてきたかど
うか及び露光済ウエハが露光装置外へ搬出された
かどうかの情報はインターフエース61を介して
CPU60に取り込まれる。ウエハ搬送アーム駆
動部63は、CPU60の指令によりウエハホル
ダ21とベルト搬送装置26との間のウエハ受け
渡しのために、アーム27の回転及び真空吸着を
制御する。アーム27がベルト搬送装置26との
ウエハ受け渡しのための第1位置にあるのが、ウ
エハホルダ21とのウエハ受け渡しのための第2
位置にあるのかの情報、及びウエハを真空吸着し
たかどうかの情報はインターフエース61を介し
てCPU60に取り込まれる。ステージ20は、
X軸駆動部64によつてX軸方向に駆動され、Y
軸駆動部65によつてY軸方向に駆動される。レ
ーザ干渉計22,24はステージ20のX軸方向
及びY軸方向の移動情報をインターフエース61
を介してCPU60に送る。CPU60はステージ
20のX座標計測用レジスタとY座標計測用レジ
スタを備えている。CPU60のROMには前述の
X、Y軸の交点と光電顕微鏡WY,WXの光軸と
のそれぞれの距離情報が格納されている。そし
て、光電顕微鏡WX,WY,Wθを使つたウエハ
アライメント動作によりこれらレジスタにROM
の距離情報をそれぞれプリセツトする。以後ステ
ージ20のX,Y軸方向の移動量及びX,Y各軸
における移動方向に応じてこれらレジスタの計数
値は増減し、常にステージ20の座標を計測する
ことになる。
θ駆動部66はウエハホルダ21を回転させる
ためのものである。
シヤツタ駆動部67は第4図のモータ5を介し
てロータリーシヤツタ3を開閉するためのもので
ある。CPU60は、ウエハ11に塗布されたフ
オトレジストの感度に応じてフオトレジストを適
正露光するための適正露光量を演算してシヤツタ
駆動部67へ送る。フオトレジストの感度はキー
ボード68からインターフエース61を介して
CPU60に送られる。また、第1図ないし第5
図に示した4例の中からどれを採用するかによつ
て異なるが、CPU60は投影レンズに入射する
露光波長エネルギーを一定にするためのシヤツタ
開放時間(t4 t5,t6′ t7 tr1)を演算してシヤツタ駆動部へ送る。レチ
クルアライメント部69は投影レンズ10の光軸
に対してレチクル9を所定位置にアライメントす
るようにレチクルを動かすものである。
タイマー回路70は、ウエハアライメント開始
時点から計時を開始し、所定時間Tmax(ウエハ
アライメント不能と判断するに充分な時間)経過
するとタイマー出力を発生する。
次に、第15図ないし第20図に示した縮小投
影型露光装置の動作を説明する。第21図a,b
には動作ステツプのフローチヤートを示してあ
る。なお、動作説明は、第1回目の露光及び現像
により第12図に示したアライメントマークが形
成されたウエハについて第2回目の露光を行うも
のとする。さて、オペレーターがキーボード68
から露光装置の作動開始指令を入力する(ステツ
プP51)。すると、露光装置にはレチクル9が装
填される(ステツプP52)。レチクル装填が完了
するとCPU60はレチクルアライメント系69
にレチクルアライメントを開始させる。レチクル
アライメント系はレチクルアライメントが完了す
るとレチクルアライメント完了信号をインターフ
エース61を介してCPU60に送り、これでレ
チクル9をアライメント完了位置に固定してレチ
クルアライメントを終了する(ステツプP53)。
次に、CPU60はレーザ干渉計22,24の出
力からステージ20の現在位置…この座標値を
XA、YAとする…を読み取り(ステツプP54)、そ
してCPU60のROMに記憶されたステージのウ
エハ受渡し位置…この座標値をXL、YLとする…
との偏差を計算する(ステツプP55)。CPU60
は偏差計算の結果から、ステージ20をウエハ受
渡し位置へもたらすX軸方向及びY軸方向の駆動
情報をX軸駆動部64及びY軸駆動部65へとそ
れぞれ転送する。X軸、Y軸駆動部64,65は
この駆動情報に応じてステージ20を駆動して、
ウエハ受渡し位置で停止させる(ステツプP56)。
CPU60はレーザ干渉計22,24の出力から
ステージ20がウエハ受渡し位置まで移動したこ
とを確認すると、ベルト搬送装置26上のウエハ
がウエハ搬送アーム27によつて真空吸着可能な
位置まで送られてきたかどうかを確認する…その
ためにはベルト上のウエハを光電的に検出するフ
オトカプラ等の出力をインターフエース61を介
してCPU60に入力してやればよい…(ステツ
プP57)。この確認ができないときはベルト搬送
装置26を駆動してウエハを搬入させ、これを確
認するとベルト搬送装置26の搬送動作を停止さ
せる(ステツプP57)。引き続いてウエハ搬送ア
ーム27はベルト上のウエハを真空吸着してウエ
ハホルダ21上へ搬送して、ウエハホルダへ渡す
(ステツプP58)。その後、アーム27は所定の待
機位置へ戻る。またウエハホルダ21はウエハの
オリエンテーシヨンフラツトを使つてウエハとス
テージ20との粗い位置決めを行つておく(ステ
ツプP59)。この粗い位置決めは、ステージ20
のX−Y座標系とウエハのη−ξ座標系との回転
ずれを予め小さくしておくためのものである。ス
テツプP58、P59に要する時間がこれまでに述べ
てきたウエハ交換時間である。ステージ20がウ
エハ受け渡し位置にある間、ウエハは投影レンズ
10の下側から外れた位置に退避しているので、
この間にシヤツタ駆動部67は第1図ないし第5
図に示した例のうちひとつの例に応じてシヤツタ
を開閉する(ステツプP60)。
ウエハの粗アライメントが終了すると、CPU
60は装置定数としてROM(CPU60に内蔵)
に記憶された光電顕微鏡WY,Wθの位置情報に
基づいて、第12図示のアライメントマーク3
3′,34がこの光電顕微鏡WY,Wθに対向する
ようにステージ20を介してウエハを移動する
(ステツプP61)。
このときウエハの位置をY−θアライメント位
置という。CPU60はレーザ干渉計22,24
の出力からステージ20がY−θアライメント位
置へ達したことを確認するとステージ20を停止
させ、光電顕微鏡WY,WθによるY−θアライ
メントを開始する(ステツプP62)。Y−θアラ
イメント開始と同時にタイマー回路70は計時を
開始し(ステツプP63)、所定時間Tmaxを経過
してもY−θアライメントが完了しないときには
ステージ20をウエハ受渡し位置へ戻す(ステツ
プP65)。するとシヤツタ駆動部67はシヤツタ
を開閉して投影レンズが飽和状態となるように露
光波長エネルギーを入射させる(ステツプP66)。
この場合、オペレータがキーボード68からステ
ツプP61へのリターン指令を入力すればY−θア
ライメントが再び始まり、また終了指令を入力す
れば露光動作は終了する(ステツプP67)。
一方、所定時間TmaxのあいだにY−θアライ
メントが完了したかどうかは監視されており(ス
テツプP69)、これが完了するとタイマー回路7
0はクリアされる(ステツプP70)。引き続いて、
ステージ20は第12図のアライメントマーク3
6が光電顕微鏡WXに対向する位置、即ちXアラ
イメント位置へ移動する(ステツプP71)。
次に、Xアライメントを開始させ(ステツプ
P72)、それと同時にタイマー回路70に計時を
開始させる(ステツプP73)。以下Xアライメン
ト開始から所定時間TmaxのあいだにXアライメ
ントが完了しないことを確認すると(ステツプ
P74)、ステツプP65〜P67と同様のステツプへ進
み、時間TmaxのあいだにXアライメントが完了
したことを確認すると(ステツプP75)、次にス
テツプP76へ進む。
ステツプP76はウエハの局所領域にレチクルパ
ターンを転写すると、次に局所領域へとウエハを
移動しそこで再びレチクルパターンを転写すると
いう動作を繰り返す、いわゆるステツプアンドリ
ピート動作である。そして、1枚のウエハにつき
N回の露光が終了するとステージ20をウエハ受
渡し位置へ移動させ(ステツプP77)、次にアー
ム27を待機位置からウエハホルダ21上へ回転
してウエハを受取つてベルト上へ搬送する(ステ
ツプP78)。そしてベルト搬送装置26によつて
露光済ウエハを露光装置本体外へ搬出する(ステ
ツプP79)。次に、新しいウエハがベルトに供給
されたならステツプP57に戻り、以下同様の動作
を所定ロツト数ぶん繰り返す(ステツプP80)。
第22図は本発明が応用される縮小投影型露光
装置の別の機械的構成を示す概略図である。第1
5図と同じものには同一符号を付してある。この
例はウエハ露光時以外に投影レンズを通過した光
がステージ20や第1、第2のミラー23,25
に悪影響を与えないようにしたものである。L字
形の遮蔽板80はステージ20に固定されてい
て、第1及び第2のミラー23,25の上方を被
つている。この遮蔽板80とステージ20との間
には断熱材がはさみ込まれており、遮蔽板80の
熱がステージ20やミラー23,25に伝わらな
いようになつている。遮蔽板80の張り出し部8
0aは、ステージ20がウエハ受渡し位置に位置
したときに投影レンズ通過光が投射される位置に
設けられているものである。
この張り出し部80aの大きさは投影レンズ通
過光がステージ20に至るのを防ぐ大きさであれ
ばよい。このようにしておくと、投影レンズ通過
光は遮蔽板80によつて遮蔽されるので、ステー
ジ20や第1及び第2のミラー23,25が熱的
な影響を受けることを防止できる。
なお、遮蔽板80は光吸収体であつても構わな
いが、ウエハ又はウエハに塗布されたフオトレジ
ストの反射率と同じに反射率を付与しておくと次
の点で効果的である。つまり、ステツプアンドリ
ピート動作中にはウエハ又はフオトレジストで反
射した露光々が投影レンズへ反射されて、投影レ
ンズはウエハ側からも熱的要因を受け取ることに
なる。従つて遮蔽板80の反射率を上記のように
定めるとステツプアンドリピート動作中と、それ
以外の時のシヤツタ開放中に投影レンズに加えら
れる熱的要因はほぼ等しくなるので前記割合τを
一定に維持しやすくなる。
また、投影レンズ10とステージ20との間に
シヤツターを設けて、ステツプアンドリピート動
作中及びウエハアライメント動作中以外は両者間
を遮断しておいてもよい。
(発明の効果) 以上のような本発明によれば、投影光学系の倍
率誤差の時間変動をなくすためにダミー露光を行
つたとしても、感光基板を載置するステージ、及
び干渉計用の移動鏡等に露光エネルギーが直接照
射されることがなくなり、熱的な影響による各種
の誤差要因が取り除かれることになるので、高い
重ね合せ精度の露光装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第5図は本発明の基本となる考え
方を示すための説明図である。第6図は本発明が
応用される縮小投影型露光装置の光学系の概略図
である。第7図は第6図示のロータリーシヤツタ
の平面図である。第8図は本発明の第1実施例に
よる回路ブロツク図であり、第9図は該実施例の
動作のフローチヤートである。第10図は本発明
の第2実施例による回路ブロツク図であり、第1
1図は該実施例の動作のフローチヤートである。
第12図は本発明の第3実施例による回路ブロツ
ク図であり、第13図は該実施例の動作のフロー
チヤートである。第14図は本発明の第4実施例
の動作のフローチヤートである。第15図は本発
明が応用される縮小投影型露光装置の機械的構成
の概略図である。第16図は投影レンズ、ステー
ジ及び光電顕微鏡の配置の概略平面図である。第
17図はウエハのアライメントマークの説明図で
ある。第18図は光電顕微鏡の電気系のブロツク
図であり、第19図a,bはその出力信号の波形
図である。第20図は縮小投影型露光装置の制御
系のブロツク図であり、第21図a,bはその動
作のフローチヤートである。第22図は本発明が
応用される縮小投影型露光装置の別の機械的構成
の概略図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 原画パターンが形成されたマスクを照明する
    照明系と、該原画パターンの像を投影する投影光
    学系と、該投影光学系の投影像面内に感光基板を
    保持して2次元移動させる2次元移動ステージ
    と、該2次元移動ステージの座標位置を計測する
    ために、該移動ステージの一部に固設された移動
    鏡に測長ビームを投射するとともに、その反射ビ
    ームを受光する干渉計とを備えた露光装置におい
    て、前記2次元移動ステージの移動範囲に応じ
    て、前記移動鏡及び前記2次元移動ステージが前
    記投影光学系からの投影光にさらされるのを防止
    するために、前記移動鏡及び前記2次元移動ステ
    ージの一部の上方空間を覆う遮光板を前記2次元
    移動ステージと一体に設けたことを特徴とする露
    光装置。 2 前記2次元移動ステージが前記感光基板の受
    け渡し位置に移動したとき、前記投影光学系から
    の投影光が前記遮光板の一部に投射されるように
    配置されるとともに、少なくとも該投影光が照射
    される前記遮光板の部分を、前記感光基板とほぼ
    同程度の反射率に加工したことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載の装置。
JP58186268A 1983-09-17 1983-10-05 露光装置 Granted JPS6078455A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58186268A JPS6078455A (ja) 1983-10-05 1983-10-05 露光装置
US06/793,474 US4624551A (en) 1983-09-17 1985-10-28 Light irradiation control method for projection exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

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JP58186268A JPS6078455A (ja) 1983-10-05 1983-10-05 露光装置

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JPS6078455A JPS6078455A (ja) 1985-05-04
JPH0436446B2 true JPH0436446B2 (ja) 1992-06-16

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JP3762323B2 (ja) 2002-04-02 2006-04-05 キヤノン株式会社 露光装置

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