JPH04363076A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体装置に関し、
特に、伝送容量の大きい光通信用光半導体装置に関する
。
特に、伝送容量の大きい光通信用光半導体装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】Ｐ側電極とＮ側電極が同一平面内にない
構造の発光素子を有し、この発光素子のＮ側電極が絶縁
体の一平面に接合、載置された構造の光半導体装置は、
従来から知られている。以下、従来のこの種光半導体装
置を図３及び図４に基づいて説明する。
構造の発光素子を有し、この発光素子のＮ側電極が絶縁
体の一平面に接合、載置された構造の光半導体装置は、
従来から知られている。以下、従来のこの種光半導体装
置を図３及び図４に基づいて説明する。
【０００３】図３は、従来のこの種光半導体装置の１例
を示す図であって、この光半導体装置は、相対する二平
面が金などでメタライズされて金メタライズ部（ａ）２
及び金メタライズ部（ｂ）３を形成し、この二平面以外
にメタライズが施されていず、かつ、この二平面が電気
的に絶縁された絶縁体９と、Ｎ側電極とメタライズの施
された上記絶縁体９の一平面「金メタライズ部（ａ）２
」とを金属ソルダーにより接合された発光素子１とから
成る。 そして、発光素子１が載置された面「金メタライズ部（
ａ）２」と相対する面「金メタライズ部（ｂ）３」は、
この光半導体装置を保護する筐体７内の電気的に接地さ
れた一平面上に金属ソルダーにより固着され、また、発
光素子１のＰ側電極８と筐体７内の上記一平面とが金属
細線（ａ）１１で結線されている。
を示す図であって、この光半導体装置は、相対する二平
面が金などでメタライズされて金メタライズ部（ａ）２
及び金メタライズ部（ｂ）３を形成し、この二平面以外
にメタライズが施されていず、かつ、この二平面が電気
的に絶縁された絶縁体９と、Ｎ側電極とメタライズの施
された上記絶縁体９の一平面「金メタライズ部（ａ）２
」とを金属ソルダーにより接合された発光素子１とから
成る。 そして、発光素子１が載置された面「金メタライズ部（
ａ）２」と相対する面「金メタライズ部（ｂ）３」は、
この光半導体装置を保護する筐体７内の電気的に接地さ
れた一平面上に金属ソルダーにより固着され、また、発
光素子１のＰ側電極８と筐体７内の上記一平面とが金属
細線（ａ）１１で結線されている。
【０００４】また、図４は、従来の光半導体装置の他の
例を示す図であって、従来の光半導体装置の中には、図
４に示すように、絶縁体９のメタライズが施された相対
する二平面のうち、発光素子１が接合、載置される平面
のメタライズが、絶縁溝１０により電気的に絶縁された
２箇所のメタライズ部「金メタライズ部（ｃ）４及び金
メタライズ部（ｄ）５」から構成され、そして、発光素
子１のＰ側電極８と金メタライズ部（ｄ）５（発光素子
１が載置される面内のメタライズのうち発光素子１が接
合されないメタライズ部）とを金属細線（ｂ）１２で結
線し、更に、この金メタライズ部（ｄ）５と本光半導体
装置を保護する筐体７内の電気的に接地された一平面と
を金属細線（ｃ）１３で結線した構造を有するものも存
在する 。なお、図３、図４に示すこの種光半導体装置
において、絶縁体９としては、ダイヤモンドや炭化ケイ
素などの使用が一般的であり、また、金属ソルダーとし
ては、鉛一錫合金、金一錫合金が一般的である。
例を示す図であって、従来の光半導体装置の中には、図
４に示すように、絶縁体９のメタライズが施された相対
する二平面のうち、発光素子１が接合、載置される平面
のメタライズが、絶縁溝１０により電気的に絶縁された
２箇所のメタライズ部「金メタライズ部（ｃ）４及び金
メタライズ部（ｄ）５」から構成され、そして、発光素
子１のＰ側電極８と金メタライズ部（ｄ）５（発光素子
１が載置される面内のメタライズのうち発光素子１が接
合されないメタライズ部）とを金属細線（ｂ）１２で結
線し、更に、この金メタライズ部（ｄ）５と本光半導体
装置を保護する筐体７内の電気的に接地された一平面と
を金属細線（ｃ）１３で結線した構造を有するものも存
在する 。なお、図３、図４に示すこの種光半導体装置
において、絶縁体９としては、ダイヤモンドや炭化ケイ
素などの使用が一般的であり、また、金属ソルダーとし
ては、鉛一錫合金、金一錫合金が一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の図３に示す上記
光半導体装置では、発光素子１のＰ側電極８と絶縁体９
が固着された筐体７内の一平面とを結線するための金属
細線（ａ）１１は、その長さが長くなり、その結果 、
金属細線（ａ）１１の自己インダクタンスが大きくなる
という問題点が存在する。また、図４に示すように、Ｐ
側電極８と金メタライズ部（ｄ）５とを金属細線（ｂ）
１２で結線した場合においても、更に、この金メタライ
ズ部（ｄ）５と筐体７内の接地された平面とを結線する
ための金属細線（ｃ）１３を必要とし、結線に用いた２
箇所の金属細線（ｂ）１２及び同（ｃ）１３は、その長
さが長くなり、同様に自己インダクタンスが大きくなる
。そして、自己インダクタンスが大きくなると、発光素
子１を高速で変調することが困難になり、その結果、光
通信における伝送容量を大きくすることが困難になる。
光半導体装置では、発光素子１のＰ側電極８と絶縁体９
が固着された筐体７内の一平面とを結線するための金属
細線（ａ）１１は、その長さが長くなり、その結果 、
金属細線（ａ）１１の自己インダクタンスが大きくなる
という問題点が存在する。また、図４に示すように、Ｐ
側電極８と金メタライズ部（ｄ）５とを金属細線（ｂ）
１２で結線した場合においても、更に、この金メタライ
ズ部（ｄ）５と筐体７内の接地された平面とを結線する
ための金属細線（ｃ）１３を必要とし、結線に用いた２
箇所の金属細線（ｂ）１２及び同（ｃ）１３は、その長
さが長くなり、同様に自己インダクタンスが大きくなる
。そして、自己インダクタンスが大きくなると、発光素
子１を高速で変調することが困難になり、その結果、光
通信における伝送容量を大きくすることが困難になる。
【０００６】本発明は、上記問題点を解消する光半導体
装置を提供することを目的とし、特に、上記インダクタ
ンスを低減し、発光素子の高速変調が実現でき、伝送容
量の大きい光通信用光半導体装置を提供することを目的
とる。
装置を提供することを目的とし、特に、上記インダクタ
ンスを低減し、発光素子の高速変調が実現でき、伝送容
量の大きい光通信用光半導体装置を提供することを目的
とる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
問題点を解消する手段として、図３、図４に示す上述し
た従来の光半導体装置において、金属細線（ｂ）１２以
外に金属細線（ａ）１１及び金属細線（ｃ）１３ によ
る結線を施さないようにする点にあり、また、絶縁体９
の側面に側面メタライズ部を設ける点にある。
問題点を解消する手段として、図３、図４に示す上述し
た従来の光半導体装置において、金属細線（ｂ）１２以
外に金属細線（ａ）１１及び金属細線（ｃ）１３ によ
る結線を施さないようにする点にあり、また、絶縁体９
の側面に側面メタライズ部を設ける点にある。
【０００８】即ち、本発明は、（１） Ｐ側電極とＮ側
電極が同一平面内にない構造を有する発光素子と、発光
素子の発する熱を放散するための絶縁体とを備え、Ｎ側
電極と絶縁体の一平面とが金属ソルダーを介して接合さ
れた構造を有し、更に、発光素子が接合、載置された絶
縁体の上記平面と同一平面内に形成された、そして、Ｎ
側電極とは電気的に絶縁された導体部と、Ｐ側電極とを
結線した光半導体装置において、上記結線以外に上記平
面に金属細線による結線が施されていないことを特徴と
する光半導体装置であり、また、（２） 上記導体部を
有する箇所の絶縁体の側面に側面メタライズ部を備えて
なることを特徴とする光半導体装置である。
電極が同一平面内にない構造を有する発光素子と、発光
素子の発する熱を放散するための絶縁体とを備え、Ｎ側
電極と絶縁体の一平面とが金属ソルダーを介して接合さ
れた構造を有し、更に、発光素子が接合、載置された絶
縁体の上記平面と同一平面内に形成された、そして、Ｎ
側電極とは電気的に絶縁された導体部と、Ｐ側電極とを
結線した光半導体装置において、上記結線以外に上記平
面に金属細線による結線が施されていないことを特徴と
する光半導体装置であり、また、（２） 上記導体部を
有する箇所の絶縁体の側面に側面メタライズ部を備えて
なることを特徴とする光半導体装置である。
【０００９】本発明の光半導体装置をより詳しく説明す
ると、本発明は、従来の図４に示す前記光半導体装置に
おいて、絶縁体９のメタライズを施された相対する二平
面のうち発光素子が載置される平面内の発光素子が接合
されないメタライズ部「金メタライズ部（ｄ）５」と、
筐体７と金属ソルダーにより固着される下のメタライズ
面「金メタライズ部（ｂ）３」とを導通させるため、側
面メタライズ部を備えた構造のものであり、これによっ
て、図４に示す金属細線（ｃ）１３による結線を省略し
たものである。
ると、本発明は、従来の図４に示す前記光半導体装置に
おいて、絶縁体９のメタライズを施された相対する二平
面のうち発光素子が載置される平面内の発光素子が接合
されないメタライズ部「金メタライズ部（ｄ）５」と、
筐体７と金属ソルダーにより固着される下のメタライズ
面「金メタライズ部（ｂ）３」とを導通させるため、側
面メタライズ部を備えた構造のものであり、これによっ
て、図４に示す金属細線（ｃ）１３による結線を省略し
たものである。
【００１０】
【作用】本発明は、上記したとおり、金属細線（ｃ）１
３による結線を施さないものであり、これを不要とする
ものであるから、この金属細線（ｃ）１３の使用による
自己インダクタンスの増大という問題が生せず、また、
絶縁体９上のメタライズ部は、その大きさを自由に制御
できるので、自己インダクタンスが金属細線より小さい
メタライズ部を形成することも可能である。そして、本
発明において、前記した側面メタライズ部を備えたこと
により、光半導体装置の寄生インダクタンスを低減し、
発光素子の高速変調を実現する作用を奏するものである
。
３による結線を施さないものであり、これを不要とする
ものであるから、この金属細線（ｃ）１３の使用による
自己インダクタンスの増大という問題が生せず、また、
絶縁体９上のメタライズ部は、その大きさを自由に制御
できるので、自己インダクタンスが金属細線より小さい
メタライズ部を形成することも可能である。そして、本
発明において、前記した側面メタライズ部を備えたこと
により、光半導体装置の寄生インダクタンスを低減し、
発光素子の高速変調を実現する作用を奏するものである
。
【００１１】
【実施例】以下、図１及び図２に基づいて、本発明をよ
り詳細に説明する。図１は、本発明の１実施例（実施例
１）を示す光半導体装置の斜視図であり、図２は、本発
明の他の実施例（実施例２）を示す光半導体装置の斜視
図である。
り詳細に説明する。図１は、本発明の１実施例（実施例
１）を示す光半導体装置の斜視図であり、図２は、本発
明の他の実施例（実施例２）を示す光半導体装置の斜視
図である。
【００１２】（実施例１）半導体レーザーなどの発光素
子１のＮ側電極は、図１に示すように、絶縁体９上に施
された金メタライズ部（ｃ）４と金一錫合金などの金属
ソルダーを介して接合され、金メタラ イズ部（ｃ）４
と同一平面内に形成され、かつ、この金メタライズ部（
ｃ）４と絶縁溝１０により電気的に絶縁された金メタラ
イズ部（ｄ）５は、発光素子１のＰ側電極４とアルミニ
ウムや金などの金属細線（ｂ）１２で結線されている。 そして、金メタライズ部（ｃ）４及び同（ｄ）５と相対
する一平面上には、金メタライズ部（ｂ）３が電気的に
接地された平面と鉛一錫合金からなる金属ソルダーによ
り接合されている 。また、金メタライズ部（ｄ）５は
、金メタライズ部（ｂ）３と側面メタライズ部６により
電気的に導通している。
子１のＮ側電極は、図１に示すように、絶縁体９上に施
された金メタライズ部（ｃ）４と金一錫合金などの金属
ソルダーを介して接合され、金メタラ イズ部（ｃ）４
と同一平面内に形成され、かつ、この金メタライズ部（
ｃ）４と絶縁溝１０により電気的に絶縁された金メタラ
イズ部（ｄ）５は、発光素子１のＰ側電極４とアルミニ
ウムや金などの金属細線（ｂ）１２で結線されている。 そして、金メタライズ部（ｃ）４及び同（ｄ）５と相対
する一平面上には、金メタライズ部（ｂ）３が電気的に
接地された平面と鉛一錫合金からなる金属ソルダーによ
り接合されている 。また、金メタライズ部（ｄ）５は
、金メタライズ部（ｂ）３と側面メタライズ部６により
電気的に導通している。
【００１３】図１中のＷ及びＬをＷ＝０．３ｍｍ及びＬ
＝０．３ｍｍとし、そして、側面メタライズ部６のメタ
ライズ厚さを０．１μｍとしたものでは、変調周波数が
４ＧＨＺから６ＧＨＺへと向上した。
＝０．３ｍｍとし、そして、側面メタライズ部６のメタ
ライズ厚さを０．１μｍとしたものでは、変調周波数が
４ＧＨＺから６ＧＨＺへと向上した。
【００１４】（実施例２）この実施例では、側面メタラ
イズ部６を実施例１の場合に比べて大きくした構造のも
のであり、この点を除いて実施例１と同一である。発光
素子１を動作させる電流が大きい場合、従来の図４の例
では、金属細線（ｃ）１３を流れる電流密度が大きくな
り、発熱が増大する。その結果、発光素子１の信頼性を
悪化させる恐れがある。しかし、実施例２では、側面メ
タライズ部６の面積を拡大するだけで電流密度の増大を
抑制することができ、発光素子１の信頼性の悪化を抑制
することができるという利点が生ずる。
イズ部６を実施例１の場合に比べて大きくした構造のも
のであり、この点を除いて実施例１と同一である。発光
素子１を動作させる電流が大きい場合、従来の図４の例
では、金属細線（ｃ）１３を流れる電流密度が大きくな
り、発熱が増大する。その結果、発光素子１の信頼性を
悪化させる恐れがある。しかし、実施例２では、側面メ
タライズ部６の面積を拡大するだけで電流密度の増大を
抑制することができ、発光素子１の信頼性の悪化を抑制
することができるという利点が生ずる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、絶縁体
のメタライズを施された相対する二平面のうち発光素子
が載置される平面内の、発光素子が接合されないメタラ
イズ部と、筐体と金属ソルダーにより固着される絶縁体
のメタライズ面とを導通させるメタライズ部を具備して
いるので、金属細線による結線箇所を少なくすることが
でき、同時に、金属細線の長さを小さくすることができ
るため、金属細線による自己インダクタンスを低減でき
、その結果、発光素子を高速で変調することができると
いう顕著な効果が生じ、伝送容量の大きい光通信用光半
導体装置を提供できる効果が生ずる。
のメタライズを施された相対する二平面のうち発光素子
が載置される平面内の、発光素子が接合されないメタラ
イズ部と、筐体と金属ソルダーにより固着される絶縁体
のメタライズ面とを導通させるメタライズ部を具備して
いるので、金属細線による結線箇所を少なくすることが
でき、同時に、金属細線の長さを小さくすることができ
るため、金属細線による自己インダクタンスを低減でき
、その結果、発光素子を高速で変調することができると
いう顕著な効果が生じ、伝送容量の大きい光通信用光半
導体装置を提供できる効果が生ずる。
【図１】図１は、本発明の実施例１の斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施例２の斜視図である。
【図３】図３は、従来の光半導体装置の１例を示す斜視
図図である。
図図である。
【図４】図４は、従来の光半導体装置の他の例を示す斜
視図図である。
視図図である。
１ 発光素子
２ 金メタライズ部（ａ）
３ 金メタライズ部（ｂ）
４ 金メタライズ部（ｃ）
５ 金メタライズ部（ｄ）
６ 側面メタライズ部
７ 筐体
８ Ｐ側電極
９ 絶縁体
１０ 絶縁溝
１１ 金属細線（ａ）
１２ 金属細線（ｂ）
１３ 金属細線（ｃ）
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｐ側電極とＮ側電極が同一平面内にな
い構造を有する発光素子と、発光素子の発する熱を放散
するための絶縁体とを備え、Ｎ側電極と絶縁体の一平面
とが金属ソルダーを介して接合された構造を有し、更に
、発光素子が接合、載置された絶縁体の上記平面と同一
平面内に形成された、そして、Ｎ側電極とは電気的に絶
縁された導体部と、Ｐ側電極とを結線した光半導体装置
において、上記結線以外に上記平面に金属細線による結
線が施されていないことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 Ｐ側電極とＮ側電極が同一平面内にな
い構造を有する発光素子と、発光素子の発する熱を放散
するための絶縁体とを備え、Ｎ側電極と絶縁体の一平面
とが金属ソルダーを介して接合された構造を有し、更に
、発光素子が接合、載置された絶縁体の上記平面と同一
平面内に形成された、そして、Ｎ側電極とは電気的に絶
縁された導体部と、Ｐ側電極とを結線した光半導体装置
において、上記結線以外に上記平面に金属細線による結
線を施さず、上記導体部を有する箇所の絶縁体の側面に
側面メタライズ部を備えててなることを特徴とする光半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039024A JPH04363076A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039024A JPH04363076A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363076A true JPH04363076A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=12541544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039024A Pending JPH04363076A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04363076A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH034554Y2 (ja) * | 1985-03-23 | 1991-02-06 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3039024A patent/JPH04363076A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH034554Y2 (ja) * | 1985-03-23 | 1991-02-06 |
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