JPH04362915A - 画像形成方法、記録媒体、及び可視化像の再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高分子液晶化合物を含
有する記録層を有する記録媒体を用いた画像形成方法、
特に配向変化による画像形成を行う方法、及び該画像形
成方法に用いうる記録媒体、さらには該画像形成方法に
より形成された画像を再生する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、デジタル型電子写真方式において
は、情報信号を感光体に記録するために、半導体レーザ
ー光をポリゴンミラーにて感光体上を走査させながら情
報信号に応じてｏｎ−ｏｆｆしていた。しかし、この方
式では高精細な画像或いは高速に画像を記録、特に同一
画像を多数枚記録する場合にレーザーの出力を高くした
り長時間出力したりする必要があるため、レーザー自体
の耐久性に問題が生じ易かった。又、連続して画像の読
み込み記録を行なう場合には同一画像を繰返し読み込む
ため、光学スキャナーに大きな負荷がかかっていた。

【０００３】更に、カラー画像に対応するＲ，Ｇ，Ｂレ
ーザー光源は半導体レーザーでは困難であり、装置の大
型化・複雑化を招いている。

【０００４】一方、アナログ記録方式では、例えば電子
写真方式においてスクリーンプロセスと呼ばれる中間転
写体にイオン記録の形で中間像を得る方式がある。しか
し、この方式においてはイオンの帯電に起因する不安定
性があり、長期のメモリー性を得ることができなかった
。

【０００５】しかもランニングコストが低いため、需要
の大きいジアゾ記録方式においては、従来立体物のコピ
ーができないという欠点があり、カラー画像への対応も
できない欠点があった。

【０００６】他方、中間像保持体として利用しうる可能
性のある可逆的に消去可能で繰返し使用できる像形成物
質としてフォトクロミック物質、サーモクロミック物質
、或いは磁気記録物質、又はガラス等にサンドイッチさ
れた液晶等が考えられる。

【０００７】だが、フォトクロミック物質を中間像保持
体として用いようとすると、フォトクロミック物質への
記録或いは消去手段が光であり感光層へ光学的に記録す
るためにフォトクロミック層に光照射をする必要がある
ことから、フォトクロミック層に変化が生じ易かったり
、耐久的に問題があったりする。

【０００８】又サーモクロミック物質として熱下逆なＡ
ｇ２ＨｇＩ４が報告されているが、この種の材料はメモ
リー性がないので像を保持するためにヒーターを常時作
動させておかなければならず、装置が大型、複雑化する
ばかりでなく、電力の消費も大きい。

【０００９】更に、液晶ライトバルブを用いたものは、
通常、低分子のスメクチック液晶をガラス基体に挟持し
た構成でセル内にレーザー吸収層等を設け、外部からの
レーザー照射によりホメオトロピック配向を散乱状態に
熱的に散乱させることでコントラストを得ているが、構
成上大面積にすることが難しいことや消去に電界配向を
用いているために中間像保持体として複雑な構成となっ
ている。又発熱体ヘッド等で直接熱書き込みすることは
素子の構成上、困難である。大面積化できないことから
、高輝度光源を照射し、拡大投影することが行なわれる
が、熱安定性が低いため照射光により中間像が劣化する
欠点等がある。

【００１０】このような問題点に対して優れた特性を示
すものとして高分子液晶化合物が提案されている。

【００１１】高分子液晶化合物を用いた記録媒体の例と
しては、ブィ・シバエフ（Ｖ．Ｓｈｉｂａｅｖ）、エス
・コストロミン（Ｓ．Ｋｏｓｔｒｏｍｉｎ）、エヌ・プ
ラーテ（Ｎ．Ｐｌａｔｅ）、エス・イワノフ（Ｓ．Ｉｖ
ａ　　ｏｖ）、ブィ・ヴェストロフ（Ｖ．Ｖｅｓｔｒｏ
ｖ）、アイ・ヤコブレフ（Ｉ．Ｙａｋｏｖｌｅｖ）著の
“ポリマー・コミュニケーションズ”（“Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ　　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ”）第２４巻、第
３６４頁〜３６５頁の“サーモトロピック・リキッドク
リスタリン・ポリマーズ．１４”（“Ｔｈｅｒｍｏｔｒ
ｏｐｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　　
Ｐｏｌｙｍｅｒｓ．１４”）に示される熱書き込み高分
子液晶記録素子を挙げることができる。

【００１２】しかしながら、これらのものは高分化に伴
なう応答速度の遅れや、記録感度の点で実用に至ってい
ない。これに対して光導電層を用いて高速化を図る提案
がなされている。（特開昭６４−７０２２号）しかしな
がら上記従来例では、記録層ならびに光導電層を、一対
の電極基板間に挟持した素子構成になっており、光を書
き込み手段として使用するには、出力量や光導電層への
光の到達度並びに該素子を用いて可視化像を再生するこ
とを考慮すると満足のいくものではなかった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、記
録の安定性、メモリー性が良い画像形成方法であって、
感度を高めるため、光を利用し、かつ該光が低出力でも
高感度に画像形成が行なえる方法を提供することを目的
とする。

【００１４】また、該画像形成方法に好適に利用できる
記録媒体、並びに該画像形成方法を有することによりコ
ントラストの高い可視化像を得ることができる再生方法
を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段及び作用】そこで、本発明
は、導電性基板上に光導電層、次いで高分子液晶化合物
を有する記録層を積層した記録媒体を用意する工程、帯
電により該記録層上に電荷を形成する工程、該帯電工程
の後に、画像情報に対応した光を照射することにより、
該光導電層に電荷が移動する工程、該電荷の移動により
記録層における分子配向を変化させて書き込みを行なう
工程、とを有することを特徴とする画像形成方法を提供
するものである。

【００１６】また、本発明は、導電性基板上に光導電層
を有した媒体Ａを用意する工程、帯電により光導電層上
に電荷を形成する工程、該帯電工程の後に画像情報に対
応した光を照射する工程、導電性基板上に高分子液晶化
合物を有する記録層を有した媒体Ｂを用意する工程、該
照射工程の後に、媒体Ａの光導電層上の電荷を媒体Ｂの
記録層上に転写する工程、該電荷の転写により記録層に
おける分子配向を変化させて書き込みを行なう工程、と
を有することを特徴とする画像形成方法を提供するもの
である。

【００１７】また、本発明は導電性基板上に光導電層、
誘電体ミラー、次いで、高分子液晶化合物を有する記録
層を積層した記録媒体を提供するものである。

【００１８】また、本発明は上記画像形成方法により形
成された記録媒体に光を照射し、画像情報をスクリーン
上に表示又は感光体に転写することにより可視化像を得
る再生方法を提供するものである。以下、本発明を詳細
に説明する。

【００１９】先ず本願発明の画像形成方法に好ましく適
用されうる記録媒体から説明する。

【００２０】図１から図４は本発明の記録媒体の断面図
である。

【００２１】図中の基板１０１が不導体の場合には導電
層を設けて下部電極１０２を形成するが、基板１０１に
金属等の導電体を用いた場合には基板１０１が下部電極
１０２を兼ねるので下部電極１０２を別に設ける必要は
ない。

【００２２】本発明においてこの基板１０１の厚みは１
０μｍ〜２ｍｍで用いるのが好ましい。１０μｍ未満で
は基板の強度が不足し、取扱いが困難で耐久性に欠け、
２ｍｍを超えると重量等が増加し、コストも上昇するの
で好ましくない。より好ましい範囲は２０μｍ〜１．５
ｍｍである。

【００２３】基板に用いる材料としては、金属の場合は
アルミニウム、銅、黄銅、ステンレス等が好ましく用い
られる。

【００２４】又、大面積でフレキシブルな記録媒体を提
供する点でポリマーフィルムを使用するのが好ましく、
その具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート等のポリエステルフィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
イミドフィルム、ポリメタクリル酸メチルフィルム、メ
タクリル酸メチル−スチレン共重合体フィルム、ポリス
チレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリビニル
アルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ塩
化ビニリデンフィルム、ポリフッ化ビニリデンフィルム
、ポリアリレートフィルム等の透明フィルムが挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。

【００２５】これらのフィルムは、一軸延伸、二軸延伸
等の処理を行なった配向フィルム或いは無配向フィルム
の何れでも使用可能である。延伸処理を行なったフィル
ムは、引張り強度を２〜４倍程度（例えば、ポリエチレ
ンテレフタレートの場合）に向上させることができるの
で好ましい処理の一つである。

【００２６】このようなプラスチックフィルムを用いた
場合には、下部電極１０２を蒸着等によって形成する。 例えば、アルミニウム、金等を１００〜５０００Å程度
蒸着することで十分に良好な導通が得られる。

【００２７】次に基板１０１上に光導電層１０３が形成
されている。本発明で用いる光導電層としてはアモルフ
ァスシリコン、ＢＳＯの無機材料やＣｄＳ等をバインダ
ーポリマー中へ分散したものや有機光導電体をバインダ
ーポリマー中へ分散したものが用いられる。有機光導電
体を用いるときは、電荷輸送層と電荷発生層の２層構成
も可能である。

【００２８】本発明において、望ましい光導電層の厚み
は、０．１〜１００μｍである。０．１μｍ未満では、
電荷が移動した時の静電容量が十分でなく、１００μｍ
を超えると感度、解像度、応答速度の点で十分でない。 より望ましい厚みは１〜５０μｍである。

【００２９】本発明においては、画像形成後、ガラス転
移点等によって像を固定化できるため、感光体へ複写す
る場合に用いられる波長に対して光導電層を透過性にし
て透過タイプとして用いることができるが、誘電体ミラ
ー１０４を蒸着多層膜等で形成すれば該波長を反射する
こともできる。

【００３０】なお、該誘電体ミラー１０４は形成しなく
てもよいが、書き込み波長と読みとり波長が近い場合、
該誘電体ミラーを形成し、例えば図１で示す基板側から
書き込み光を照射し、記録層側から読みとり光を照射し
て画像形成及び再生を行なうとより好ましい実施例を得
ることができる。

【００３１】本発明の記録媒体は記録層１０５が高分子
液晶化合物を含有していることに特徴を有している。

【００３２】この高分子液晶化合物は、下記の配向状態
を選択することにより、その表面状態を変化させること
が可能であり、更にガラス転移点を室温以上とすること
でその配向状態を固定して用いることができる。

【００３３】配向状態 ■　　等方相 ■　　ネマチック相垂直配向 ■　　ネマチック相水平配向 ■　　スメクチック相垂直配向 ■　　スメクチック相水平配向 本発明の記録媒体に用いる高分子液晶化合物としては次
のようなものがある。

【００３４】尚下記式（１）〜（１３）中Ｐ＝５〜１０
００、１≦ｎ１＜１５である。

【００３５】

【化１】

【００３６】

【化２】 下記、式（１４）〜（１７）において、ｐ＝５〜１００
０，ｐ１＋ｐ２＝５〜１０００，ｑ＝１〜１６，ｑ１＝
１〜１６及びｑ２＝１〜１６である。

【００３７】

【化３】 下記式（１８）〜（５３）において、＊は光学活性炭素
原子を示す。又、ｎ２＝５〜１０００である。

【００３８】

【化４】

【００３９】

【化５】

【００４０】

【化６】

【００４１】

【化７】

【００４２】

【化８】 前記高分子液晶化合物は単独で用いることも、２種以上
を混合もしくは共重合して使用することも可能である。 また、記憶安定性をそこなわない範囲で低分子液晶化合
物と混合することも可能である。なお、本発明では、高
分子液晶化合物はメソゲン基を含む鎖のくり返し単位が
５以上であり、低分子液晶化合物はくり返し単位が１の
ものをいう。

【００４３】この際、高分子液晶組成物中の低分子液晶
化合物の割合は１０〜８０重量％が好ましい。

【００４４】１０重量％以下では低分子液晶を添加する
ことによる粘性低下や配向の改善が十分でなく、８０重
量％以上では、抵抗が低下して応答が好ましくない場合
がある。

【００４５】また低分子液晶化合物を２種以上混合して
いてもよい。

【００４６】次に、具体的に用いられる低分子液晶化合
物の例を以下に示すが、これに限定されるものではない
。

【００４７】

【化９】

【００４８】

【化１０】

【００４９】

【化１１】

【００５０】

【化１２】

【００５１】

【化１３】 更に本発明の記録層に用いられる高分子液晶化合物とし
ては強誘電性高分子液晶化合物が、応答速度が速く、相
安定性，メモリー性の点から好ましい。

【００５２】本発明において用いることのできる強誘電
性高分子液晶化合物としては、カイラルスメクチック相
を有していることが好ましい。更に好ましくはＳｍＣ＊
相，ＳｍＨ＊相，ＳｍＩ＊相，ＳｍＪ＊相，ＳｍＧ＊相
を有しているものである。

【００５３】又、強誘電性高分子液晶化合物としては、
主鎖型，側鎖型，主鎖−側鎖型の構造を有しているもの
が用いられ、主鎖型強誘電性高分子液晶化合物としては
、ポリエステル系，ポリエーテル系，ポリアゾメチン系
，ポリチオエステル系，ポリチオエーテル系，ポリシロ
キサン系，ポリアミド系，ポリイミド系等を用いること
ができる。側鎖型強誘電性高分子液晶化合物としては、
ポリメタクリル系，ポリアクリル系，ポリクロロアクリ
ル系，ポリエーテル系等を用いることができる。

【００５４】前記、主鎖型，側鎖型，主鎖−側鎖型強誘
電性高分子液晶化合物は単独で用い、又はそれらの同種
或いは異種の型の高分子液晶化合物の２種以上を混合し
ても、もしくは共重合したものを用いてもよい。

【００５５】次に、本発明において用いることができる
強誘電性高分子液晶化合物のいくつかの具体例を下記に
示すが、これらに限定されるものではない。

【００５６】

【化１４】

【００５７】

【化１５】 又、ブレンド等によって強誘電性を発現することが可能
な光学活性高分子液晶化合物も用いることができる。

【００５８】具体的には下記のようなものが挙げられる
。

【００５９】

【化１６】

【００６０】

【化１７】

【００６１】

【化１８】 本発明においては、前記強誘電性高分子液晶化合物を単
独もしくは組み合わせることによって用いることができ
る。

【００６２】本発明においては、強誘電性高分子液晶層
に強誘電性高分子液晶化合物と低分子液晶化合物を含有
する液晶組成物を用いることができるが、低分子液晶化
合物としては、好ましくは強誘電性液晶化合物が用いら
れるか、又強誘電性高分子液晶化合物の特性を損わない
範囲であれば強誘電性液晶化合物でなくてもよい。

【００６３】なお、特に低分子液晶化合物が強誘電性を
示す場合の化合物例も以下に挙げておく。

【００６４】

【化１９】

【００６５】

【化２０】

【００６６】

【化２１】

【００６７】

【化２２】 強誘電性高分子液晶化合物と低分子液晶化合物の混合物
中の低分子液晶化合物の含有量は４０重量％以下であり
、４０重量％を超えると膜強度や成膜性が損われるため
に好ましくない。更に好ましくは２０重量％以下である
。

【００６８】又、高分子液晶化合物の配向において界面
の効果を用いることも可能である。

【００６９】例えば、一酸化珪素、二酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質を
用いて被膜形成した配向制御膜を設けることができる。

【００７０】この配向制御膜は、前述の如き無機絶縁物
質又は有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビ
ロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）することに
よって得られる。

【００７１】本発明においては、ＳｉＯやＳｉＯ２など
の無機絶縁物質を斜め蒸着法によって被膜形成すること
によって配向制御膜を得ることができる。

【００７２】前述した無機絶縁物質や有機絶縁物質を被
膜形成した後に、該被膜の表面を斜方エッチング法によ
りエッチングすることにより、その表面に配向制御効果
を付与することができる。

【００７３】前述の配向制御膜は、同時に絶縁膜として
も機能させることが好ましく、このためにこの配向制御
膜の膜厚は一般に１００Å〜１μｍ、好ましくは５００
Å〜５０００Åの範囲に設定することができる。この絶
縁層は微量に含有される不純物等のために生ずる電流の
発生を防止できる利点をも有しており、従って動作を繰
り返し行っても高分子液晶化合物を劣化させることがな
い。また該配向制御膜は記録層１０５と接して形成すれ
ばよく、例えば図４の１０７に形成してもよい。

【００７４】前記、高分子液晶化合物及びその組成物は
配向膜を用いた配向法のみでなく、下記のような配向法
によっても良好な配向が得られる。分子配列を確実に行
うものとしては、一軸延伸、二軸延伸、インフレーショ
ン延伸等の延伸法やシエアリングによる再配列が好まし
い。単独ではフィルム性がなく延伸が困難なものはフィ
ルムにサンドイッチすることで共延伸し、望ましい配向
を得ることができる。

【００７５】本発明において記録層１０５の体積抵抗が
低い場合、図１の表面保護層１０６を設けて記録層１０
５へのイオンの注入等による劣化を防止する。そのため
に体積抵抗は１０１２Ωｃｍ以上、望ましくは１０１４
Ωｃｍ以上で、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリスチ
レン、ポリメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリテト
ラフルオロエチレン等が好ましく用いられる。

【００７６】望ましい保護層の厚みは、０．１〜１０μ
ｍであり、０．１μｍ未満では、抵抗が十分でなく１０
μｍを超えると表面電荷による電場がひろがるために好
ましくない。

【００７７】また、本発明の記録媒体において、光吸収
層を別途設けるか、もしくは記録層中にレーザー光吸収
化合物を分散・溶解させたものを用いてもよい。

【００７８】つまり、本発明の画像形成段階において、
記録層を加熱する工程時に、レーザー光を用いる場合に
は上記構成とすることが望ましい。

【００７９】なお、表示面に光吸収層もしくは光吸収化
合物の影響が出る場合は、可視光域に吸収のないものを
用いるとよい。

【００８０】表示層へ添加するレーザー光吸収化合物の
例としては、アゾ系化合物、ビスアゾ系化合物、トリス
アゾ系化合物、アンスラキノン系化合物、ナフトキノン
系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン
系化合物、テトラベンゾポルフィリン系化合物、アルミ
ニウム塩系化合物、ジイモニウム塩系化合物、金属キレ
ート系化合物等がある。

【００８１】前記のレーザー光吸収化合物のうち半導体
レーザー用化合物は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸
収色素として有用であり、かつ記録層に対して相溶性も
しくは分散性がよい。また、中には二色性を有するもの
もあり、これら二色性を有する化合物を記録層中に混合
すれば、熱的に安定なホスト−ゲスト型の記録媒体を得
ることもできる。

【００８２】また、記録層中には上記の化合物が二種類
以上含有されていてもよい。

【００８３】また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や
２色性色素を組み合せてもよい。好適に組み合せられる
近赤外吸収色素の代表的な例としては、シアニン、メロ
シアニン、フタロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオ
キサジン、アントラキノン、トリフェノジチアジン、キ
サンテン、トリフェニルメタン、ピリリウム、クロコニ
ウム、アズレンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙
げられる。

【００８４】なお、記録層に対する上記化合物の添加量
は重量％で、０．１〜２０％程度、好ましくは、０．５
〜１０％がよい。

【００８５】次に図５，図６を用いて本願発明の画像形
成方法について説明する。

【００８６】図５（ａ）は光導電層２０３を有する記録
媒体の断面図を示す。高分子液晶化合物を含有する記録
層２０４は、Δε＞０のものであれば水平配向処理、Δ
ε＜０のものであれば垂直配向処理していることが望ま
しい。

【００８７】次に図５（ｂ）に示すように帯電器２０５
によって全面に帯電すると、下部電極２０２と記録層２
０４表面に電荷が発生する。この時の望ましい帯電電圧
は１００〜８０００Ｖである。

【００８８】次に図５（ｃ）に示すように画像情報を露
光器２０６により露光する。この露光波長は、光導電層
２０３が感度を有するものでマスクを用いて全面露光し
てもよいし、レーザー光を走査してもよい。この露光に
より露光部２０８では、下部電極２０３にあった電荷が
移動し、光導電層２０３と記録層２０４の界面に生じる
。このことにより露光部分の静電容量は増大する。

【００８９】該光導電層に電荷が移動することにより、
記録層における分子配向を変化させて書き込みを行なう
ことができる。

【００９０】しかし、記録層の種類によっては、液晶温
度範囲とガラス転移点の選択等により加熱を施した状態
において書き込みを行なった方がよいものもある。また
、書き込みスピード、書き込み条件の制御のしやすさの
点からも、好ましくは、図５（ｅ）で示すように加熱を
施して分子配向を変化させる。

【００９１】なお、図５（ｅ）で示す加熱は、液晶温度
範囲内に設定される。

【００９２】さらに好ましくは、図５（ｃ）の工程の後
に、図５（ｄ）に示すように再度、帯電を行なうと静電
容量の増大に応じて、露光部分の荷電が増加する。

【００９３】このような状態にして分子の配向を変化さ
せてもよいし、このような状態で図５（ｅ）に示すよう
に加熱装置２０７でガラス転移温度以上に加熱して、分
子配向を変化させて書き込みを行なってもよい。

【００９４】該加熱手段としては、図５（ｅ）で示すよ
うなサーマルヘッドでも、あるいはレーザー光（不図示
）を用いてもよい。

【００９５】レーザー光としては、Ｈｅ−Ｎｅガスレー
ザー、Ａｒ２＋ガスレーザー、Ｎ２ガスレーザー等のガ
スレーザーや、ルビーレーザー、ガラスレーザー、ＹＡ
Ｇレーザー等の固体レーザーや、半導体レーザー等を用
いることが望ましい。また、６００ｎｍ〜１６００ｎｍ
の波長範囲の半導体レーザーが好ましく用いられる。特
に好ましくは７００〜９００ｎｍの波長範囲の赤外半導
体レーザーが用いられる。

【００９６】レーザー光を用いる場合は、光吸収層を別
途設けるか、もしくは表示層中にレーザー光吸収化合物
を分散・溶解して用いられる。

【００９７】図６に光導電層の表面静電荷像を高分子液
晶化合物を含有する記録層へ接触転写する方法を述べる
。これは一般にＴＥＳＩ法（Ｔｒａｎｓ　　ｆｅｒｏｆ
　　Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ　　Ｉｍａｇｅ法）
と呼ばれているものである。

【００９８】図６（ａ），（ｂ）に示す方法による表面
静電荷像を形成し、図６（ｃ）に示すように光導電層を
有する基板の下部電極３０２と記録層３０６を有する基
板の下部電極９０２’間に５００〜５０００Ｖの電圧を
印加して接解分離することで図６（ｄ）に示すように記
録層３０６を有する基板へ表面静電荷像を転写できる。

【００９９】該電荷の転写により記録層における、分子
配向を変化させて書き込みを行なうことができる。

【０１００】より好ましくは、この基板を加熱装置３０
８により記録層３０６を加熱し、高分子液晶化合物の配
向を変化させ、図６（ｅ）に示すように配向変化部３０
９を形成する。

【０１０１】本発明の画像形成方法により画像を形成し
た記録媒体を中間画像媒体として用い、スクリーン上に
表示又は感光体に転写することにより可視化像を得るこ
とができる。

【０１０２】転写することに適した感光体としては次の
ようなものがある。 （イ）電子写真感光体 （ロ）ジアゾ （ハ）銀塩 （ニ）特開昭５９−３０５３７号に代表される、光硬化
性樹脂と無色染料を封入してマイクロカプセルを塗布し
たカプセルシート感光体 （ホ）フォトレジスト （ヘ）光熱反応性の材料を用い、熱エネルギーと光エネ
ルギーを与えたとき、その材料の反応が急激に進んで転
写特性が、不可逆的に変化し画像信号に応じた前記特性
の違いによる像を形成する感光体（特願昭６０−１２０
０８０号、特願昭６０−１２００８１号、特願昭６０−
１３１４１１号、特願昭６０−１３４８３１号、特願昭
６０−１５０５９７号、特願昭６０−１９９２６号、特
願昭６２−１７４１９５号等）

【０１０３】

【実施例】以下、本発明の画像形成方法及び記録媒体を
実施例により具体的に示すと共に可視化像の再生方法に
ついて説明する。

【０１０４】実施例１ 本実施例は、本発明の画像形成方法及び記録媒体を電子
写真画像形成プロセスの中間像保持体に適用した例を示
す。

【０１０５】本実施例によれば、初期中間像を読み込む
際には光学スキャナーを低速に走査して高精細画像を読
み込み、この像情報或いはメモリーからの像情報により
高分子液晶上に熱的に中間像を取り込んだ後、レーザー
、ポリゴンミラーの精密光学系なしに高速複数枚記録を
行なうことが可能となる。

【０１０６】以下、図７に示された装置図をもとにして
説明する。

【０１０７】図中、４０１は記録媒体であって、ガラス
等の透明基板上に透明電極（下部電極）を５００Åの厚
みに形成したものの上にアモルファスシリコンからなる
光導電層を２０μｍ形成した。次に誘電体ミラーを蒸着
し、５５０ｎｍの光を反射するようにした。更にポリイ
ミド配向膜を焼成により形成したものへ、下記構造式で
表わした高分子液晶化合物

【０１０８】

【化２２】 をジクロロエタンに溶解して２０％溶液とし、これに前
記基板をディッピング（コーティングでも良い）してオ
ーブン中に９５℃で６０分間放置し、水平配向した高分
子液晶化合物からなる記録層を形成した。

【０１０９】次に紫外線硬化タイプのシリコン樹脂を表
面に１μｍ塗布し、紫外線によって硬化した。

【０１１０】記録媒体４０１は、図７下部の電子写真シ
ステムと同期して駆動される照射光学系４０２によって
読み取られる。

【０１１１】また、均一加熱徐冷装置４０３はハロゲン
ヒーター及び面ヒーターよりなり、記録媒体４０１上で
ハロゲンヒーターはほぼ１２０℃に、面ヒーターはほぼ
８５℃に設定されている。

【０１１２】記録層上を均一加熱徐冷装置４０３が移動
することにより、ハロゲンヒーターにより１１５℃に加
熱され、ほぼ全面透明となり、長さ５０ｍｍの面ヒータ
ー上通過時に再び全面が再配向していき画像消去が行な
われる。

【０１１３】ここで画像記録は、図５に示すプロセスに
よって行なった。

【０１１４】次に、作像プロセスを説明する。 （イ）初期状態 高分子液晶化合物からなる記録層は水平配向状態を示し
ている。感光体５は非帯電状態である。 （ロ）図５（ｂ）に示すように帯電器２０５によって全
面帯電し、図７　　４０４、図５　　２０６に示すよう
に露光光学系によって像を露光し、露光部２０８におい
て電荷を輸送する。

【０１１５】次に再帯電し、均一加熱徐冷装置４０３に
より前記と同様に加熱冷却したところ、露光部は垂直配
向し、読み出し可能な像となる。

【０１１６】一方、感光体４０５はコロナ帯電装置４１
０により、一次帯電が行なわれ均一にマイナス（プロセ
スによってはプラスとなる）の電荷が印加される。 （ハ）照射光学系４０２により、記録媒体４０１を直線
偏光によって照射する。この反射光はセルホックレンズ
４１２へ検光子４１３を通して集光され、感光体４０５
へ露光される。 （ニ）感光体４０５は表面の帯電状態に対応して現像器
４０６によりトナーが現像される。 （ホ）転写装置４０７により感光体４０５上のトナーは
紙等の被転写材４１１に転写される。被転写材４１１上
のトナーはその後、定着装置（図示せず）により定着が
行なわれる。 （ヘ）記録媒体４０１は、均一加熱徐冷装置４０３によ
り全面が水平配向となり初期状態へ復帰する。

【０１１７】感光体４０５は表面在留トナーがクリーナ
ー４０８により除去された後、全面露光装置４０９によ
り全面露光され、感光体４０５表面の電荷が除去されて
初期状態へ復帰する。

【０１１８】このようにして記録層に露光されなかった
部分に対応して転写材上にトナーが付着することになり
、ネガ像が得られる。本実施例においては転写紙上に、
白地濃度１．１のはっきりとした画像を得ることが出来
た。

【０１１９】実施例２ 図８をもとに本発明の画像形成方法及び記録媒体をジア
ゾ感光材料を使用した画像形成プロセスの中間像保持体
に適用した例を示す。

【０１２０】本実施例によればジアゾ感光材料を使用し
た画像形成装置において、本のような立体物から直接コ
ピーをすることが可能となる。

【０１２１】ここで示す光像転写装置の記録媒体５０１
、露光光学系５１５、均一加熱徐冷装置５０３は実施例
１と同じであるが照明装置５０９は紫外光発生装置とな
っている。この照明はＡ４版全体を一度にフラッシュ露
光して面状に転写を行なっても良いし、スリット露光に
より全面転写を行なっても良い。

【０１２２】中間像保持体である記録媒体５０１、搬送
ベルト５１６，５１７は同期された状態で駆動装置（図
示せず）により矢印の方向へ駆動される。５０２は帯電
器で図５（ｂ）に示すものと対応している。露光光学系
５１５によって情報が記録された記録媒体５０１は、５
０４で示す帯電器の場所を通過後（図５（ｄ）に対応）
Ａ部においてベルト５１６によって搬送されてきたジア
ゾ感光シート５１８と密着され照明装置５０９により露
光される。

【０１２３】ジアゾ感光シート５１８は市販されている
一般のものが使用可能であるが、ここではジアゾニウム
塩とカップラーを混合塗布したシートを利用した。この
ようにしてコントラストの高い画像が得られた。

【０１２４】実施例３ 図９をもとに、本発明の記録媒体を用いて特開昭５９−
３０５３７号に代表される、光硬化性樹脂と無色染料を
封入したマイクロカプセルを塗布したカプセルシートを
露光することにより選択的にマイクロカプセルを硬化さ
せたのち、圧力等によりカプセルを破壊し、レジンが塗
布されたレシーバーシート上に像を形成する方式に適用
した例を示す。（図９中、符号６２０はレーザー変調信
号発生器、６２１は半導体レーザー、６２２，６２２’
はｆ−θレンズ、６２３はＸ軸走査ミラー、６２４はＹ
軸走査ミラー、６２５はＹ軸走査レンズ駆動、６２６は
Ｙ軸走査駆動信号発生器、６２７は対物レンズ、６２８
は投影レンズ、６２９はレシーバーシート、６３０は加
圧転写ユニット、６３１はＢ（ブルー）対応光源ユニッ
ト、６３２はＲ（レッド）対応光源ユニット、６３３は
Ｇ（グリーン）対応光源ユニット、６３４はダイクロイ
ックプリズム、６３５は光源選択信号発生器を示す。）
ここでは、半導体レーザー６２１を変調し、ポリゴン６
２３、ガルバノミラー６２４を用いて像担持媒体である
記録媒体６０１へＲ，Ｇ，Ｂ対応中間像の書き込みを行
なった。記録媒体６０１に書き込まれた中間像に光源ユ
ニットよりダイクロイックプリズム６３４を通してＲ対
応波長、Ｇ対応波長、Ｂ対応波長を順次、感光体シート
５へ投影レンズ６２８により投写露光する。露光された
感光体シートはレシーバーシート６２９と重ね合わされ
、加圧転写ユニット６３０を通すことでレシーバーシー
ト６２９へ像形成が行なわれる。

【０１２５】図１０は、本発明の記録媒体を用いて特開
昭６２−１７４１９５号に代表される光−熱硬化性樹脂
と染料を封入したマイクロカプセルを光−熱印加により
選択的にマイクロカプセルを硬化させた後、熱及び圧力
等によりカプセルを破壊し、レシーバーシート上に像を
形成する方式に適用した例を示す（図１０中、符号６２
０〜６３５は図９と同様、６３６ａは面状発熱駆動ユニ
ット、６３６ｂは面状発熱体、６３７は加圧加熱転写ユ
ニットを示す。）。中間像の書き込み、光源ユニットよ
りの光照射は、前記図９と同様である。Ｒ対応波長、Ｇ
対応波長、Ｂ対応波長を照射するタイミングに合わせて
面状発熱体６３６により感光体を加熱し、記録媒体６０
１に形成された中間像を加熱部分へ投写露光する。露光
された感光体シートはレシーバーシート６２９と重ね合
わされ、加圧加熱転写ユニット６３７を通すことで像形
成が行なわれる。

【０１２６】実施例４ 図１１，図１２は、それぞれ実施例３図９，図１０で用
いた感光体を用い、Ｒ，Ｇ，Ｂ対応波長を一括露光する
装置を示す。

【０１２７】図１１，図１２中符号７０１，７０５，７
２８，７２９，７３０，７３６（ａ），（ｂ），７３７
はそれぞれ図９及び１０の６０１，６０５，６２８，６
２９，６３０，６３６（ａ），（ｂ），６３７に対応す
る。符号７３８は光源ユニット、７３９（ａ），（ｂ）
，（ｃ）はダイクロイックミラー、７４０はダイクロイ
ックプリズムを示す。

【０１２８】実施例５ 図１３は、投写光学系に偏光子８１と検光子８２を組み
合わせたものを示す。図１３は透過型の記録媒体８３を
用いた例を示し、図１３は反射型の記録媒体８４を用い
た例を示した。どちらも、シート（感光体）８５上のコ
ントラストとしてそれぞれ、実施例３よりも高い値が得
られた。またシート８５は単なるスクリーンでもよく、
スクリーンに投写すると、コントラストの高い表示が可
能となった。

【０１２９】実施例６ 図１４（ａ），（ｂ）は、シュリーレン光学系を用いた
記録媒体の投写装置の概略図を示す。図１４（ａ）は透
過型記録媒体９３を用いた例を示し、図１４（ｂ）は反
射型記録媒体９４を用いた例を示した。図中符号９１シ
ュリーレンレンズ、９２光源、９６マスク、９７投写レ
ンズである。どちらもシート（感光体）９５上のコント
ラストとしてそれぞれ、実施例３よりも高い値が得られ
た。また、前記シュリーレン光学系に偏光子、検光子を
用いることで更に高いコントラストを得ることが出来る
。またシート９５は単なるスクリーンでもよくスクリー
ンに投写すると、コントラストの高い表示が可能となっ
た。

【０１３０】実施例７ 　　熱拡散性染料　　Ｏｐｌａｓ　　ｒｅｄ　　３３０
　　　　　　　　　　　　　　１．８重量部　　　　（
オリエント化学社製） 　　メチルメタクリレート／ブチルメタクリレート共重
合体　　　　１．０重量部　　メチルエチルケトン　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　１０重量部　　３，３’−カル
ボニルビス（７−メトキシクマリン）　　　　０．１６
重量部　　ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　０．０４重量部　　
ペンタエリスリトールテトラアクリレート　　　　　　
　　　　　　　　　　２．０重量部上記配合を秤取し、
ペイントシェーカーを用い溶解し塗工液を得た。

【０１３１】６μｍのポリエステルフィルム上に、乾燥
膜厚が２μｍとなるように、前記塗工液をアプリケータ
を用いて塗工し、重合層を設け、更に該層状に３μｍ厚
のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）層を設けた。

【０１３２】こうして作製した感光体に本発明の記録媒
体に画像を保持させた中間像保持体を重ね、露光し、潜
像形成を行なった。

【０１３３】光源としては３９０ｎｍに蛍光ピークを持
つ蛍光灯を用い、記録材料層から光源を５ｃｍ離して１
秒露光した。

【０１３４】その後中間像保持体を外し、１１０℃に調
節した熱現像機に８秒間で上記感光体を通過させた。さ
らにそれを６０℃に加熱したホットプレート上にのせ、
これに３９０ｎｍに蛍光ピークを持つ蛍光灯の光を５ｃ
ｍ離して６０秒照射した。

【０１３５】次いで、ＰＶＡ膜を除去し、ポリエステル
樹脂で受像層を形成した合成紙を受像体とし、重合層と
受像層とを対接するように重ねあわせ、１２０℃、１０
秒の条件で感光体側から加熱し、重合層から染料を受像
層に拡散転写させ、受像紙上に像露光部に対応し、鮮明
な赤色の色素画像を得た。尚、上記処理はすべて暗室下
で行なった。

【０１３６】実施例８ メチルエチルケトン１０重量部にポリメチルメタクリレ
ート１．０重量部、ユニデック１６−８２４（大日本イ
ンク社製）２．０重量部、カンファーキノン０．２重量
部、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル０．１重量部、
フォロンブリリアントスカーレットＳＲＧ（サイド社製
）０．２重量部を加えペイントシェーカーを用い分散し
塗工液を得た。

【０１３７】上記乳剤をアルミ蒸着ポリエチレンナフタ
レートフィルム（パナック工業社製）にアプリケーター
を用いて乾燥膜厚が２μｍになるようにして塗布した。 これに透明ポリエチレンテレフタレートフィルムをラミ
ネートし感光体を得た。

【０１３８】〈画像形成〉こうして作成した感光体上に
本発明の記録媒体を用いた中間像保持体を重ねて露光し
、潜像形成を行なった。

【０１３９】光源としては３９０ｎｍに蛍光ピークをも
つ１５Ｗの蛍光灯を用い、画像形成体から光源を５ｃｍ
離して１０秒露光した。

【０１４０】その後中間像保持体をはずし、１００℃に
調節した。さらに画像形成体を６０℃に加熱したホット
プレート上にのせ、３８０ｎｍ、１５Ｗの蛍光灯を５ｃ
ｍ離して２０秒間照射した。

【０１４１】これを６０℃、２５ｋｇ／ｃｍ２に加熱加
圧されたローラを通しながら、透明ポリエチレンテレフ
タレートフィルムをはがしたところ、赤色のネガ画像が
フィルム上に形成できた。

【０１４２】以上説明した実施例においては記録媒体の
記録層への記録手段が熱エネルギーであり、感光体への
像転写エネルギーが光であるため繰返し耐久性には優れ
ている。また、紫外線吸収剤を含有することによってよ
り耐光性を増すことができる。

【０１４３】その他、同様の方法で銀塩、乾式銀塩、フ
ォトレジスト等のフォトポリマーへの光像転写も可能で
ある。これにより版下作成等へ適用することもできる。

【０１４４】又、記録媒体を、マイクロフィルムとして
用いれば電子写真方式でコピーアウトすることも可能で
ある。

【０１４５】本実施例においては記録媒体への記録手段
、消去手段等を一装置にまとめた場合を示したが、本発
明の思想にはこれに限ることなく、カートリッジ状にし
たり、２行程に分離することも含まれる。

【０１４６】また、記録媒体への記録エネルギーが熱で
ある場合についてのみ説明をしたが、これに限ることな
く熱と電界により記録すること等も勿論可能である。

【０１４７】本発明による記録媒体上の情報は実施例で
具体的に示したように、検光子を介して投映し、スクリ
ーン上に表示もしくは感光体に複写することにより、速
やかに可視化され、しかも元の画像に比べて劣化するこ
となく忠実に再現される。

【０１４８】実施例９ 実施例１に示す記録層を以下のものにかえた他は同様の
記録媒体を用い、実施例１と同様の実験を行なった。

【０１４９】鮮明な画像が再生により得られた。 ・記録媒体 　　実施例１記載の高分子液晶化合物　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　８０重量％　　例示化合物Ｎ
ｏ．（Ｉ−２０）の低分子液晶化合物　　　　２０重量
％実施例１０ 実施例１と同様のアモルファスシリコンからなる光導電
層、誘電体ミラーを有する基板に低温焼成ポリイミド（
ＨＬ−１１１０　　日立化成（株））をスピンコートし
て焼成後５００Åの配向膜を形成し、ラビングにより一
軸処理を行なった。

【０１５０】前述の化合物例（５２）の高分子液晶（ｘ
＝ｙ＝０．５，ＧＰＣによるＭｎ＝８４３０，Ｍｗ＝１
８５６０

【０１５１】

【化２３】 へ前述の化合物例（Ｉ−２７）の低分子液晶を１５ｗｔ
％添加した記録層を形成した。

【０１５２】以上の記録媒体を用いた。

【０１５３】以下、実施例１と同様の実験を行ない、鮮
明な画像が得られることを確認した。

【０１５４】なお、本実施例においては、消去は書き込
みとは逆電界を印加して行なう。

【０１５５】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、記録の安定性、メモリー性が良く、コントラストの
高い記録層を有する光像記録装置を得ることが可能で、
半導体レーザー、光学スキャナー等への負担の軽い感光
装置の製造が容易になるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の記録媒体の断面図である。

【図２】本発明の記録媒体の断面図である。

【図３】本発明の記録媒体の断面図である。

【図４】本発明の記録媒体の断面図である。

【図５】本発明の画像形成方法の工程図である。

【図６】本発明の画像形成方法の工程図である。

【図７】本発明の実施例１を示す図である。

【図８】本発明の実施例２を示す図である。

【図９】本発明の実施例３を示す図である。

【図１０】本発明の実施例３を示す図である。

【図１１】本発明の実施例４を示す図である。

【図１２】本発明の実施例４を示す図である。

【図１３】本発明の実施例５を示す図である。

【図１４】本発明の実施例６を示す図である。

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　導電性基板上に光導電層、次いで高分
   子液晶化合物を有する記録層を積層した記録媒体を用意
   する工程、帯電により該記録層上に電荷を形成する工程
   、該帯電工程の後に、画像情報に対応した光を照射する
   ことにより、該光導電層に電荷が移動する工程、該電荷
   の移動により記録層における分子配向を変化させて書き
   込みを行なう工程、とを有することを特徴とする画像形
   成方法。
2. 【請求項２】　　前記書き込み工程時に加熱を行なう請
   求項１記載の画像形成方法。
3. 【請求項３】　　前記画像情報に対応した光を照射し、
   該光導電層に電荷が移動する工程の後、再び帯電を行な
   い、該再帯電の後、該記録層における分子配向を変化さ
   せる請求項１又は２記載の画像形成方法。
4. 【請求項４】　　記録層上にさらに表面保護層を有して
   いる前記記録媒体である請求項１記載の画像形成方法。
5. 【請求項５】　　前記記録媒体がさらに誘電体ミラーを
   有している請求項１記載の画像形成方法。
6. 【請求項６】　　前記記録層が高分子液晶化合物と低分
   子液晶化合物とを含有している記録層である請求項１記
   載の画像形成方法。
7. 【請求項７】　　請求項１記載の画像形成方法により形
   成された記録媒体に光を照射し、画像情報をスクリーン
   上に表示又は感光体に転写することにより可視化像を得
   る再生方法。
8. 【請求項８】　　前記書き込み工程時に加熱を行なう請
   求項７記載の再生方法。
9. 【請求項９】　　前記画像情報に対応した光を照射し、
   該光導電層に電荷が移動する工程の後、再び帯電を行な
   い、該再帯電の後、該記録層における分子配向を変化さ
   せる請求項７又は８記載の再生方法。
10. 【請求項１０】　　記録層上にさらに表面保護層を有し
    ている前記記録媒体である請求項７記載の再生方法。
11. 【請求項１１】　　前記記録媒体がさらに誘電体ミラー
    を有している請求項７記載の再生方法。
12. 【請求項１２】　　前記記録層が高分子液晶化合物と低
    分子液晶化合物とを含有している記録層である請求項７
    記載の再生方法。
13. 【請求項１３】　　導電性基板上に光導電層を有した媒
    体Ａを用意する工程、帯電により光導電層上に電荷を形
    成する工程、該帯電工程の後に画像情報に対応した光を
    照射する工程、導電性基板上に高分子液晶化合物を有す
    る記録層を有した媒体Ｂを用意する工程、該照射工程の
    後に、媒体Ａの光導電層上の電荷を媒体Ｂの記録層上に
    転写する工程、該電荷の転写により記録層における分子
    配向を変化させて書き込みを行なう工程、とを有するこ
    とを特徴とする画像形成方法。
14. 【請求項１４】　　前記転写工程において、媒体Ａの光
    導電層と媒体Ｂの記録層を対向して配置し、両媒体間に
    電圧を印加して記録層上に電荷を形成させる請求項１３
    記載の画像形成方法。
15. 【請求項１５】　　前記書き込み工程時に加熱を行なう
    請求項１３又は１４記載の画像形成方法。
16. 【請求項１６】　　前記記録層が高分子液晶化合物と低
    分子液晶化合物とを含有している記録層である請求項１
    ３記載の画像形成方法。
17. 【請求項１７】　　請求項１３記載の画像形成方法によ
    り形成された記録媒体に光を照射し、画像情報をスクリ
    ーン上に表示又は感光体に転写することにより可視化像
    を得る再生方法。
18. 【請求項１８】　　前記書き込み工程時に加熱を行なう
    請求項１７記載の再生方法。
19. 【請求項１９】　　前記記録層が高分子液晶化合物と低
    分子液晶化合物とを含有している記録層である請求項１
    ７記載の再生方法。
20. 【請求項２０】　　導電性基板上に光導電層、誘電体ミ
    ラー、次いで高分子液晶化合物を有する記録層を積層し
    た記録媒体。
21. 【請求項２１】　　該記録層上にさらに表面保護層を有
    している請求項２０記載の記録媒体。
22. 【請求項２２】　　前記記録層が高分子液晶化合物と低
    分子液晶化合物とを含有している記録層である請求項２
    ０記載の記録媒体。