JPH04360124A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH04360124A JPH04360124A JP13626791A JP13626791A JPH04360124A JP H04360124 A JPH04360124 A JP H04360124A JP 13626791 A JP13626791 A JP 13626791A JP 13626791 A JP13626791 A JP 13626791A JP H04360124 A JPH04360124 A JP H04360124A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示に必要な光の透過
を殆ど妨げないで、表示に用いる電極の抵抗値を低下さ
せ、表示にむらが発生しないようにした、単純マトリク
ス方式で時分割数が大きい場合に好適な液晶表示素子に
関する。
を殆ど妨げないで、表示に用いる電極の抵抗値を低下さ
せ、表示にむらが発生しないようにした、単純マトリク
ス方式で時分割数が大きい場合に好適な液晶表示素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】いわゆる単純マトリクス方式で駆動され
る液晶表示素子は、大画面で複雑な表示を行なう場合に
は時分割数を多くするが、時分割数が増加するほど駆動
周波数も高くなる。マトリクス方式液晶表示素子では、
透明導電膜で表示用の所謂走査電極と信号電極とを形成
させているが、時分割数が大きくなって、デューティ比
が１／２００とかそれ以上にもなると、抵抗によって表
示用の電極に沿って生じた電圧降下に起因するコントラ
ストむらや表示むらが目立って来る。このようなコント
ラストむらや表示むらを低下させるためには、表示に用
いる電極の抵抗を出来るだけ低くすることが重要である
。透明導電膜にも多くの種類があるが、現在は、比較的
電気抵抗が少なく、透明度も比較的良好なＩｎ２Ｏ３：
Ｓｎ膜（略称ＩＴＯ膜）が良く用いられている。しかし
、この膜でも通常の金属膜に比較すれば遥かに導電率が
低い。
る液晶表示素子は、大画面で複雑な表示を行なう場合に
は時分割数を多くするが、時分割数が増加するほど駆動
周波数も高くなる。マトリクス方式液晶表示素子では、
透明導電膜で表示用の所謂走査電極と信号電極とを形成
させているが、時分割数が大きくなって、デューティ比
が１／２００とかそれ以上にもなると、抵抗によって表
示用の電極に沿って生じた電圧降下に起因するコントラ
ストむらや表示むらが目立って来る。このようなコント
ラストむらや表示むらを低下させるためには、表示に用
いる電極の抵抗を出来るだけ低くすることが重要である
。透明導電膜にも多くの種類があるが、現在は、比較的
電気抵抗が少なく、透明度も比較的良好なＩｎ２Ｏ３：
Ｓｎ膜（略称ＩＴＯ膜）が良く用いられている。しかし
、この膜でも通常の金属膜に比較すれば遥かに導電率が
低い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】表示に用いる電極の抵
抗を下げるために、具体的には、例えば、ＩＴＯ膜の膜
厚を厚くする、ＩＴＯ膜の製膜、処理条件を最適化する
などの工夫がなされているが、必ずしも十分な効果が得
られていない。ＩＴＯ膜の膜厚を厚くすることは、抵抗
を減少させることには有効であるが、余り厚くすると、
ＩＴＯ膜の光の透過率が低下する、ＩＴＯ電極部と非電
極部の段差が液晶表示素子の表示性能に悪影響するなど
の副作用が無視できなくなって来る。
抗を下げるために、具体的には、例えば、ＩＴＯ膜の膜
厚を厚くする、ＩＴＯ膜の製膜、処理条件を最適化する
などの工夫がなされているが、必ずしも十分な効果が得
られていない。ＩＴＯ膜の膜厚を厚くすることは、抵抗
を減少させることには有効であるが、余り厚くすると、
ＩＴＯ膜の光の透過率が低下する、ＩＴＯ電極部と非電
極部の段差が液晶表示素子の表示性能に悪影響するなど
の副作用が無視できなくなって来る。
【０００４】電極の抵抗を下げる他の方法として、ＩＴ
Ｏ膜よりも十分抵抗の低い物質よりなる補助電極を、Ｉ
ＴＯ膜よりなる表示用電極に沿って其の一部分の下また
は上に（液晶基板面と平行に）設ける方法が提案されて
いる（特公昭４９−４２４３７号公報）。この方法の補
助電極は、ＩＴＯ膜電極の形成前または形成後、Ａｌ、
Ｎｉ、Ｃｒ等の金属蒸着膜をフォトリソグラフィ技術に
よりパターニングすることにより設ける。しかし、この
方法には、ＩＴＯ電極の開口率（光透過率）を低下させ
る、補助電極の形成工程が複雑で製造原価が大幅に上昇
するなどの問題がある。
Ｏ膜よりも十分抵抗の低い物質よりなる補助電極を、Ｉ
ＴＯ膜よりなる表示用電極に沿って其の一部分の下また
は上に（液晶基板面と平行に）設ける方法が提案されて
いる（特公昭４９−４２４３７号公報）。この方法の補
助電極は、ＩＴＯ膜電極の形成前または形成後、Ａｌ、
Ｎｉ、Ｃｒ等の金属蒸着膜をフォトリソグラフィ技術に
よりパターニングすることにより設ける。しかし、この
方法には、ＩＴＯ電極の開口率（光透過率）を低下させ
る、補助電極の形成工程が複雑で製造原価が大幅に上昇
するなどの問題がある。
【０００５】本発明は、透明導電膜による表示用電極の
透過率や開口率を低下させることなく、電極抵抗を効果
的に低下させることができ、また、比較的低原価で製造
可能な表示用電極を備えた液晶表示素子を提供すること
を目的とする。
透過率や開口率を低下させることなく、電極抵抗を効果
的に低下させることができ、また、比較的低原価で製造
可能な表示用電極を備えた液晶表示素子を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、表示用電極の主要部を透明導電膜
によって形成させた液晶表示素子において、上記透明導
電膜よりも高い導電率を有する物質の膜よりなる補助電
極を、上記透明導電膜よりなる表示電極の厚さ方向側面
部に形成させることにした。上記補助電極の具体的製造
方法として、現在ＩＴＯ膜による表示用電極を形成させ
るのにフォトリソグラフィ技術を用いているが、その際
、液晶表示素子の基板面に一面に形成させたＩＴＯ膜を
フォトリソグラフィ技術により所望の電極パターンにエ
ッチングするために使用したフォトレジスト膜をそのま
ま残留させて保護膜として使用し、上記ＩＴＯ膜による
電極パターンの厚さ方向側面部に、メッキ法により、本
発明に係る金属膜よりなる補助電極を形成させることに
した。
に本発明においては、表示用電極の主要部を透明導電膜
によって形成させた液晶表示素子において、上記透明導
電膜よりも高い導電率を有する物質の膜よりなる補助電
極を、上記透明導電膜よりなる表示電極の厚さ方向側面
部に形成させることにした。上記補助電極の具体的製造
方法として、現在ＩＴＯ膜による表示用電極を形成させ
るのにフォトリソグラフィ技術を用いているが、その際
、液晶表示素子の基板面に一面に形成させたＩＴＯ膜を
フォトリソグラフィ技術により所望の電極パターンにエ
ッチングするために使用したフォトレジスト膜をそのま
ま残留させて保護膜として使用し、上記ＩＴＯ膜による
電極パターンの厚さ方向側面部に、メッキ法により、本
発明に係る金属膜よりなる補助電極を形成させることに
した。
【０００７】
【作用】現在、大形で複雑な表示を行なう液晶表示素子
の透明導電膜たとえばＩＴＯ膜による表示電極パターン
の形成作業は、液晶表示素子のガラス基板面にＩＴＯ膜
を一面に形成させた後、その上に更にフォトレジスト膜
を形成させ、このフォトレジスト膜に電極パターンを投
影露光させ、現像して、先ずフォトレジスト膜の不要部
分を除去してフォトレジスト膜による電極パターンを形
成させたのち、フォトレジスト膜に覆われていないＩＴ
Ｏ膜の不要部分をエッチングして除去している。従って
、ＩＴＯ膜により電極パターンを形成させる作業の直後
には、ＩＴＯ膜上に電極パターン形成に必要だったフォ
トレジスト膜が、そのまま残留しているから、これを保
護膜として利用してＩＴＯ膜による表示用電極の厚さ方
向側面にメッキ法により補助電極を形成させるようにす
れば、従来、導電率の高い金属膜でＩＴＯ膜よりなる表
示用電極に沿って其の一部分の下または上に（液晶基板
面と平行に）補助電極を設ける方法の場合に必要だった
補助電極形成のためのフォトレジストのパターニング工
程が省略でき、補助電極形成のための価格上昇は僅かで
済む。また、本発明に係る補助電極は表示用透明電極の
側面に形成されるのであるから、表示用電極の開口率を
低下させるという問題は生じない。
の透明導電膜たとえばＩＴＯ膜による表示電極パターン
の形成作業は、液晶表示素子のガラス基板面にＩＴＯ膜
を一面に形成させた後、その上に更にフォトレジスト膜
を形成させ、このフォトレジスト膜に電極パターンを投
影露光させ、現像して、先ずフォトレジスト膜の不要部
分を除去してフォトレジスト膜による電極パターンを形
成させたのち、フォトレジスト膜に覆われていないＩＴ
Ｏ膜の不要部分をエッチングして除去している。従って
、ＩＴＯ膜により電極パターンを形成させる作業の直後
には、ＩＴＯ膜上に電極パターン形成に必要だったフォ
トレジスト膜が、そのまま残留しているから、これを保
護膜として利用してＩＴＯ膜による表示用電極の厚さ方
向側面にメッキ法により補助電極を形成させるようにす
れば、従来、導電率の高い金属膜でＩＴＯ膜よりなる表
示用電極に沿って其の一部分の下または上に（液晶基板
面と平行に）補助電極を設ける方法の場合に必要だった
補助電極形成のためのフォトレジストのパターニング工
程が省略でき、補助電極形成のための価格上昇は僅かで
済む。また、本発明に係る補助電極は表示用透明電極の
側面に形成されるのであるから、表示用電極の開口率を
低下させるという問題は生じない。
【０００８】
【実施例】以下、実施例について、本発明を更に詳細に
説明する。図１は本発明一実施例について補助電極を形
成させる工程を説明する図である。図１（ａ）は、液晶
表示素子のガラス基板１の上に一面に透明導電膜たとえ
ばＩＴＯ膜２が形成され、その上に形成されたフォトレ
ジスト膜３は電極パターンの露光、現像等の処理を終了
してフォトレジスト膜３がパターニングされた状態を示
す図である。これを適当なエッチング液たとえば薄い塩
酸等で処理すると、フォトレジスト膜３の無い部分のＩ
ＴＯ膜２が除去されて図１（ｂ）に示すようになる。従
来、補助電極を設けない場合には、ＩＴＯ膜２の上のフ
ォトレジスト膜３が電極パターンの通りに除去され、次
いでエッチングにより、ＩＴＯ膜２が所望の電極パター
ンの通りにパターニングされた図１（ｂ）に示す状態か
ら、フォトレジスト膜３を除去して図１（ｃ）に示すよ
うにしていた。しかし、本発明では、図１（ｂ）に示す
状態にフォトレジスト膜３を残留させたまま、ＩＴＯ表
面へのメッキ処理を行ない、図１（ｄ）に示すような状
態にする。メッキの方法は、電解メッキ、無電解メッキ
、いずれの方法でも可能である。電解メッキを行なう場
合は、図１（ａ）、（ｂ）に示すパターニング時、各電
極を基板の端面で接続しておき、メッキ完了後、端面を
切り落すのが有効である。メッキの材質は、Ｎｉ、Ｃｒ
等が良好な結果が得られるが、ＩＴＯの抵抗より十分低
い材料であれば、何でも構わない。図１（ｄ）はメッキ
完了後、液晶表示素子のガラス基板１の面に平行なＩＴ
Ｏ膜２による表示電極の上の面にフォトレジスト膜３が
残留し、ＩＴＯ膜２による表示電極の側面の厚さ方向に
導電率の高い金属による補助電極４が形成されている状
態を示す。図１（ｅ）は其の後、上記フォトレジスト膜
３を剥離させて、ＩＴＯ膜２により形成された表示電極
の表面が露出して使用状態となり、一方、表示電極のＩ
ＴＯ膜の側面厚さ方向に補助電極４が形成されて、ＩＴ
Ｏ膜と其の側面の金属膜による補助電極とで、表示電極
全体として電気抵抗が十分に低下した状態を示す図であ
る。
説明する。図１は本発明一実施例について補助電極を形
成させる工程を説明する図である。図１（ａ）は、液晶
表示素子のガラス基板１の上に一面に透明導電膜たとえ
ばＩＴＯ膜２が形成され、その上に形成されたフォトレ
ジスト膜３は電極パターンの露光、現像等の処理を終了
してフォトレジスト膜３がパターニングされた状態を示
す図である。これを適当なエッチング液たとえば薄い塩
酸等で処理すると、フォトレジスト膜３の無い部分のＩ
ＴＯ膜２が除去されて図１（ｂ）に示すようになる。従
来、補助電極を設けない場合には、ＩＴＯ膜２の上のフ
ォトレジスト膜３が電極パターンの通りに除去され、次
いでエッチングにより、ＩＴＯ膜２が所望の電極パター
ンの通りにパターニングされた図１（ｂ）に示す状態か
ら、フォトレジスト膜３を除去して図１（ｃ）に示すよ
うにしていた。しかし、本発明では、図１（ｂ）に示す
状態にフォトレジスト膜３を残留させたまま、ＩＴＯ表
面へのメッキ処理を行ない、図１（ｄ）に示すような状
態にする。メッキの方法は、電解メッキ、無電解メッキ
、いずれの方法でも可能である。電解メッキを行なう場
合は、図１（ａ）、（ｂ）に示すパターニング時、各電
極を基板の端面で接続しておき、メッキ完了後、端面を
切り落すのが有効である。メッキの材質は、Ｎｉ、Ｃｒ
等が良好な結果が得られるが、ＩＴＯの抵抗より十分低
い材料であれば、何でも構わない。図１（ｄ）はメッキ
完了後、液晶表示素子のガラス基板１の面に平行なＩＴ
Ｏ膜２による表示電極の上の面にフォトレジスト膜３が
残留し、ＩＴＯ膜２による表示電極の側面の厚さ方向に
導電率の高い金属による補助電極４が形成されている状
態を示す。図１（ｅ）は其の後、上記フォトレジスト膜
３を剥離させて、ＩＴＯ膜２により形成された表示電極
の表面が露出して使用状態となり、一方、表示電極のＩ
ＴＯ膜の側面厚さ方向に補助電極４が形成されて、ＩＴ
Ｏ膜と其の側面の金属膜による補助電極とで、表示電極
全体として電気抵抗が十分に低下した状態を示す図であ
る。
【０００９】なお、上記実施例では、ＩＴＯ膜のエッチ
ングのレジスト膜として、フォトレジスト膜を用いたが
、これに限定されるものではなく、スクリーン印刷法等
で形成する一般のレジスト膜を使用する場合でも、本発
明は全く同様に実施可能である。
ングのレジスト膜として、フォトレジスト膜を用いたが
、これに限定されるものではなく、スクリーン印刷法等
で形成する一般のレジスト膜を使用する場合でも、本発
明は全く同様に実施可能である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
明導電膜材料より導電率の高い金属材料を用いた補助電
極が、透明導電膜で形成された表示電極の側面部だけに
設置されるため、表示電極の開口率を殆ど低下させるこ
となく表示電極の抵抗を十分に低下させることが出来る
。また透明導電膜を所望の電極パターンに加工する工程
の途中に、簡単なメッキ工程を追加するだけであるから
、極めて経済的に低抵抗の補助電極を形成させることが
出来る。
明導電膜材料より導電率の高い金属材料を用いた補助電
極が、透明導電膜で形成された表示電極の側面部だけに
設置されるため、表示電極の開口率を殆ど低下させるこ
となく表示電極の抵抗を十分に低下させることが出来る
。また透明導電膜を所望の電極パターンに加工する工程
の途中に、簡単なメッキ工程を追加するだけであるから
、極めて経済的に低抵抗の補助電極を形成させることが
出来る。
【図１】本発明一実施例において補助電極を形成させる
工程を説明する図である。
工程を説明する図である。
１…ガラス基板
２…ＩＴＯ膜
３…フォトレジスト膜
４…補助電極
Claims (3)
- 【請求項１】表示用電極の主要部を透明導電膜によって
形成させた液晶表示素子において、上記透明導電膜より
も高い導電率を有する物質の膜よりなる補助電極を、上
記透明導電膜よりなる表示電極の厚さ方向側面部に形成
させたことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】透明導電膜としてＩＴＯ膜を使用し、この
ＩＴＯ膜を所望の電極パターンにエッチングする作業の
ために設けたレジスト膜をそのまま保護膜として使用し
て、上記ＩＴＯ膜による電極パターンの厚さ方向側面部
に金属膜よりなる補助電極を形成させたことを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】補助電極をメッキ法により形成したことを
特徴とする請求項２記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13626791A JPH04360124A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13626791A JPH04360124A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360124A true JPH04360124A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15171196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13626791A Pending JPH04360124A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04360124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037005A (en) * | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP13626791A patent/JPH04360124A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037005A (en) * | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
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