JPH04353861A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は電子写真感光体の下引
き層に関し、特に下引き層に用いられる物質に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真法は、既に、カ−ルソンが米国
特許第２，２９７，６９１号明細書に明らかにしたよう
に、光導電性と静電現象とを巧妙に組み合わせたもので
あり、光導電性感光体を暗所にて、コロナ放電等により
表面を一様に帯電させたのち、光導電性を利用して光像
を静電潜像に変え、これに着色した電荷粉体（トナ−）
を付着させて可視像に変える画像形成法の一種である。

【０００３】このような電子写真法における感光体に要
求される基本的な電気的および光電気的特性として、暗
所において適当な電位に帯電できること、さらに、光照
射により速やかに電荷を逸散する事ができることなどが
あげられる。このような電子写真感光体の光導電体素子
として、従来は、　無定型セレン、硫化カドミウム、酸
化亜鉛等の無機光導電性物質が広く使用されてきた。こ
れらの無機物質は上記条件は満足するが、いくつかの欠
点も同時に有する。例えば硫化カドミウムや酸化亜鉛は
結着材としての樹脂に分散させて感光体として用いられ
るが、平滑性、可とう性、硬度、引っ張り強度、耐摩擦
性などの機械的な欠点を有するため、そのままでは反復
使用に耐えることができない。さらに硫化カドミウムに
おいては衛生性の問題にも考慮が必要である。また、無
定型セレンにおいては、製法が蒸着によらなくてはなら
ず、製造コストが高価となるばかりでなく、可とう性が
なく、ベルト状に加工することが困難であるほか、熱や
機械的衝撃に対して鋭敏なため取り扱いには注意を要す
る。

【０００４】近年、これらの無機系感光体の欠点を排除
するために、有機系感光体の研究が進み、有機系感光体
における、製膜の容易性、製造の容易性、軽量、可撓性
、分光感度の多様性等の多く長所を生かして種々の有機
系感光体が考案され実用に供されるようになっている。

【０００５】一般に、有機感光体を感光体の構成より分
類すると、単層型感光体と機能分離型感光体に大別され
る。単層型感光体とは、従来の酸化亜鉛、硫化カドミウ
ムを用いた無機系感光体のように、有機光導電体素子を
結着材樹脂中に分散させたもの、あるいは、　さらに米
国特許第３，７６４，３１５号明細書に記載されている
ように、光により電荷を発生する物質を電荷を輸送する
ことのできる物質中に分散せしめることにより感光体特
性をもたらすものである。　即ち、　同一の感光層中で
電荷の発生と電荷の輸送がなされるという極めて単純な
構成にて理想的なものである。　しかしながら、　この
ような単層型感光体の場合、　増感するするために電荷
発生物質として作用する有色色素を多量に含有させる必
要があり，これは感光体の機械的強度の劣化、帯電性の
低下、電荷保持力の低下、また電荷発生物質の強い分子
吸光度により、有効な光が感光層内部で十分に透過しな
いために感光層内部に十分な電荷を発生することができ
ないため感度の低下を引き起こす等の問題がある。　こ
のように、　同一層内で電荷の発生と輸送を行なうこと
は技術的にはかなり難しい問題を含んでいる。

【０００６】このような理由から、　米国特許第３，４
８４，２３７　号明細書、　米国特許第３，７９１，８
２６号明細書、　米国特許第３，８７１，８８２　号明
細書、　特開昭４９ー１０５５３７　号公報、　特開昭
５１ー９０８２７号公報などに記載されているように電
荷の発生と電荷の輸送をそれぞれ別の層で行なうことに
より高感度を得る機能分離型感光体が現状では主流とな
っている。

【０００７】ところで、　前述の機能分離型構造を感光
層とした電子写真感光体の電荷発生層は、　十分な正孔
と電子からなるフォトキャリアーを発生させるためにで
きるかぎり多くの染料や顔料などからなる光導電体を含
有させ、　さらに発生したフォト・キャリアーを再結合
や捕獲により失活することなくそれぞれ電荷輸送層、　
基体に分離・　注入・　輸送せしめる必要がある。　こ
の時、　電荷発生層中におけるフォトキャリアーの移動
度が小さい事から感度を良くするためには発生したフォ
ト・キャリアーの飛程をできるかぎり短くする事が必要
である。　従って、　通常電荷発生層の厚さは１　μｍ
以下、　好ましくは０．５　μｍ以下にすることが必要
である。

【０００８】このような感光体における電荷発生層は膜
厚が非常に薄いので、　その塗膜形成の際には、　基体
表面の粗度や表面汚染、　酸化被膜、　さらには、　基
体材質が合金である場合には合金成分の結晶粒の大きさ
に基づく基体表面の影響を受け易く、　そのため電荷発
生層はこれらの要因に起因する塗布ムラや膜厚ムラの発
生を引き起こす。

【０００９】このようなムラの発生は、　画像欠陥や濃
度ムラなどの原因となるので、　極力避ける必要がある
。　そのため、　従来では基体表面に切削加工や鏡面研
磨などの工程を加えていた。　しかしながら、　このよ
うに表面を平滑に加工された基体を用いた感光体におい
ては電子写真プロセスに用いられるような感光体に高い
電界がかけられたときには感光体表面に向かって基体よ
り感光体表面の電荷と反対の自由電荷が注入されること
により感光体表面の電荷の保持を悪くしたり、　高速使
用時における感光体としての安定性を悪くしたり、　あ
るいはメモリー現象等を引き起こす。

【００１０】このような理由より、　基体上の欠陥の被
覆と基体から電荷の注入を防ぐために基体と電荷発生層
の間に下引き層と称される導電率で制御された障壁層を
設ける事が提案されている。　ところで、　この障壁層
の電気的絶縁性が高い場合には暗時の帯電時における基
体からの自由電荷の注入が防止できるものの露光時にお
ける発生するキャリアーの移動を妨げる。　従って、　
障壁層は適度にキャリアーが流れる必要がある。　その
ために障壁層が完全な絶縁層であることは好ましくない
事から電気的には比較的低抵抗あるいは半導体的物性を
有する素材が用いられる事が必要である。　通常、　用
いられる素材の好ましい体積抵抗率は１０１３Ω・ｃｍ
以下、好ましくは１０１２Ω・ｃｍ以下が適していると
されている。

【００１１】即ち、　下引き層として要求される基本的
役割りは電気的には■暗時において基体からの電荷の注
入を防止すると同時に露光時には感光体中の電荷を基体
に放散させること。　■電荷の蓄積がなく連続使用時に
おける電気特性の変化がないこと。　また、　画像上は
■基体表面上の欠陥を軽減させるものである事。　また
、　製造上、　実用上の機械的耐久性の観点から■基体
との密着性、　さらに下引き層の上に作成される電荷発
生層に対して均一且つ強固な密着性を有することなどが
挙げられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来、　このような目
的から使用されてきた下引き層としては無機化合物では
アルマイトのような金属酸化被膜、　あるいは、有機化
合物においては塗布可能な低抵抗の有機樹脂としてカゼ
イン、ポリビニルアルコール、　ポリビニルメチルエー
テル、　ポリ−Ｎ　−ビニルイミダゾール、　エチルセ
ルロース、　メチルセルロース、エチレン−アクリル酸
コポリマー、、ゼラチン、　ポリアミドなどが知られて
いる。しかし、　酸化被膜のような無機化合物下引き層
は作成する工程も複雑であると同時に基体自身も平滑に
加工しなくてはならないことから、　経済的に十分でな
いという欠点を有する。　また有機樹脂系の下引き層に
おいては形成された下引き層は未だ高抵抗であるために
その膜厚を薄くしなければ感光体からの電荷を露光時に
基体上に逃がすことができない事から残留電位の上昇や
、　感度の低下をもたらす。　そのために、下引き層を
薄膜で作成する必要があり、　この薄膜作成自体が技術
的にも難しいことと、　基体の表面の粗度が粗いときに
は基体表面の欠陥の影響を軽減できないなどの欠点があ
る。　即ち、　基体の表面の粗度が大きく、　形成され
た下引き層の表面が平滑である場合には基体の凸部と凹
部から下引き層表面に至る距離が異なるために体積抵抗
がその距離に比例して変化することにより障壁層として
の特性がこれらの部分で異なって来る。　特に、その障
壁層の平均厚さが薄い場合には当然の事ながらその影響
が顕著となり、　画像特性、　電気特性にも悪影響を及
ぼす。　従って、　下引き層の厚さが薄い場合には基体
の表面粗度をある程度小さくさせることが必要であり、
　基体表面の加工の必要がある。　即ち、　このような
場合、　暗時帯電時における基体からの自由電荷の注入
は阻止できるものの基体の欠陥を軽減することに対して
は十分ではない。　このように導電率で制御された下引
き層において基体の欠陥の影響を低減させるためには下
引き層の厚さを厚くする必要がある。　この為には、　
下引き層の見掛けの抵抗を小さくする必要がある。この
ような事から、　下引き層有機樹脂中に金属粉（　ニッ
ケル、　銅や銀など）　を混入させることにより導電性
を上げることにより上記の問題を解決することも提案さ
れている。　しかし、　金属粉を分散させた下引き層で
は金属粒子が粗いために、下引き層の表面性が低下する
などの欠点がある。　また、　このような粗大な金属粒
子の影響を軽減させるために、　特公昭６２−４２４９
８号公報においては、　基体の上に酸化錫、　酸化イン
ジウム、　酸化亜鉛、酸化アルミニウム等の導電性金属
酸化物あるいはカーボン、　アルミニウム等の導電性微
粉末を分散した樹脂の被覆層を設けたものが開示されて
いる。このような金属粉と較べてより微細な導電性微粉
末を含有せしめた下引き層においては基体の表面状態の
影響をかなり軽減できるが、　これにおいても実用的に
は完全なものではない。　すなわち、　導電性微粉末の
添加量が少ないと比抵抗が低くならず導電性が十分でな
いために下引き層としての機能が十分でなく、　一方、
　添加量が多いと機械的強度や可撓性の低下をもたらし
シートやベルト状の感光体に使用できない等の欠点を有
する。　さらに、　この導電層上に直接感光層を設ける
と、　感光層が導電層の微細孔の中に染み込んだり、　
埋没してしまったりする事により画像上に微細な画像ノ
イズを発生したり、　あるいは、　下引き層の上層であ
る電荷発生層の材料の種類によっては前記層から感光層
に自由電荷が注入されることがある。　そのような現象
があると感光層の電位減衰が大きくなり、　画像形成が
困難になる。　このような場合には導電性微粉体を含む
層上にさらに導電性微粉末を含まない第２　の樹脂層を
付けることによって自由電荷の注入を防がなくてはなら
ない。　この時、　実質的には下引き層が多層構成とな
り生産技術的、　または生産コスト的にも不利である等
の欠点を有する。　このように、　今までに知られた下
引き層は基本的には導電率で制御されたものであること
から上述された種々の欠点の他に低電界時においては感
光層の電荷が基体に逃げにくいという問題があり、　感
度的には不利である。

【００１３】本発明者らは上述の下引き層およびこれを
有する感光体の欠点を解消すべく鋭意研究を重ねた結果
、　ある種のジフェノキノン誘導体ポリマーを下引き層
に含有させることにより基体からの正孔の注入を阻止す
ると同時に露光時において感光層中の電荷を速やかに選
択的に基体に逃すことを見出だした。　その結果、　従
来の導電率によって制御された下引き層の欠点およびこ
れを有する感光体の欠点を完全になくすことを見出だし
、　本発明に至ったものである。

【００１４】本発明は上述の点に鑑みてなされその目的
は、　基体の粗度などの表面欠陥を実質的になくすこと
ができる下引き層を有する電子写真感光体を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、　電荷発生層の材料の
種類によらず該下引き層から電荷の注入を阻止し、　下
引き層と電荷発生層の間に中間層を必要としない単純に
て安価な感光体を提供することにある。本発明のさらに
他の目的は、　可撓性を有し、　シート状、　ベルト状
感光体に使用可能な下引き層を提供することにある。本
発明のさらに異なる他の目的は、　高感度にして安定し
た特性を有する電子写真感光体を得るに適した下引き層
を有する支持体を提供することにある。本発明のまたさ
らに異なる他の目的は、　環境安定性および耐久性に優
れた電子写真感光体を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば基体の上に下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を
順次積層してなり、電荷発生層は電荷発生物質を含む層
であり、電荷輸送層は電荷輸送物質を含む層であり、下
引き層は化学式（Ｉ）のジフェノキノン誘導体を樹脂で
結着してなるものであるとすることにより達成される。

【００１６】

【化２】

【００１７】（ここにＲ１　、Ｒ２　、Ｒ３　、Ｒ４　
、Ｒ５　、Ｒ６　、Ｒ７　、Ｒ８　は水素原子、炭素数
が１ないし２０の直鎖または分岐アルキル基、アラルキ
ル基、ハロゲン原子、フェニル基、アルコキシ基または
フェノキシ基を表す。ただしＲ１　、Ｒ３　、Ｒ６　、
Ｒ８　がそれぞれｔ−ブチル基で、Ｒ２　、Ｒ４　、Ｒ
５　、Ｒ７　がそれぞれ水素原子である場合を除く。）

【００１８】

【作用】本発明に係るジフェノキノン誘導体は基体から
の正孔の注入を阻止すると同時に露光時において速やか
に感光層中の電荷を基体に逃がす。

【００１９】

【実施例】これらのジフェノキノン誘導体は酸化剤の存
在下で対応するフェノール誘導体の酸化カップリング反
応により簡単に且つ高収率で合成することができる。　
次に、　本発明で用いるジフェノキノン誘導体のうち、
　代表的な化合物について、　その合成法を示す。５０
０ｍｌの四口フラスコ中にトリクロロメタン２００ｍｌ
と２，６−ジイソプロピル−フェノール３０．０ｇと過
マンガン酸カリウム９５ｇとを仕込み、還流下３時間反
応を行った。つぎにメタノールを加え冷却して沈殿を形
成させた。この沈殿を瀘別したのち、さらに水洗を行っ
た。つぎにメチルエチルケトンとエタノールからなる溶
液で再結晶したところ黄橙色結晶を有する３，３’，５
，５’−テトラ−ｉプロピル−４，４’−ジフェノキノ
ン２８．５ｇ（収率９３．５％）を得た得られた試料の
元素分析値は以下の通りであり目的とする物質とほぼ同
等であった。分子式はＣ２８Ｈ４０Ｏ２　である。

【００２０】

【表１】

【００２１】本発明に用いられる他のジフェノキノン誘
導体も同様に容易に合成することができる。

【００２２】本発明におけるポリマーは通常それ自身で
は皮膜形成能を有しないので、下引き層として用いるた
めには結着材樹脂中に本発明に基づくポリマーを溶解若
しくは分散させて用いる必要がある。本発明において好
ましく用いられる結着材樹脂は、フィルム形成性高分子
重合体、あるいは共重合体である。

【００２３】具体的にはゼラチン、カゼイン、ロジン、
　セルロース、　フェノ−ル樹脂、ポリエステル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、ポリカ−ボネ−ト樹脂、ポリペプチド
樹脂、セルロ−ス系樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリ
エチレンオキサイド、ポリ塩化ビニル樹脂、でん粉類、
ポリビニルアルコ−ル、アクリル系共重合体樹脂、メタ
クリル系共重合体樹脂、シリコ−ン樹脂、メタアクリロ
ニトリル系共重合樹脂、ポリビニルブチラ−ル、ポリ塩
化ビニリデン樹脂、　ポリマレイン酸樹脂、ポリアリレ
ート樹脂、　ポリスチレン樹脂、　ポリエチレン樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂、　ポリアミド樹脂、　ポリスチレ
ン−マレイン酸共重合体樹脂、　ポリスチレン−メチル
メタアクリレート共重合体樹脂、　ナイロン樹脂、　ポ
リメチルメタクリレート樹脂、ポリアミド樹脂、　塩化
ゴム、　ポリ塩化ビニル、　エチルセルロース、　ポリ
ビニルピリジン樹脂等が挙げられる。これらの高分子バ
インダ−は、単独で用いられても良くまた２種以上混合
物として用いられても差しつかえない。　好ましくは、
　下引き層を塗布した後、　電荷発生層を塗布する際に
その使用する溶剤によって下引き層が溶けだすことによ
り電荷発生層が形成できない様な状態にならないような
ものであれば差し支えなく、　本発明に使用できる結着
材は、上記に示したものに限定されるものではない。

【００２４】これらの樹脂に溶解させるジフェキノン誘
導体は、１重量％以上好ましくは５重量％ないし６０重
量％で用いることができる。これらの量は下引き層の樹
脂の種類、膜厚によって適宜選択される。

【００２５】本発明に係る下引き層は導電性が付与され
たアルミニウム、バナジウム、　ニッケル、　銅、　亜
鉛、　パラジウム、インジウム、　スズ、、　白金、　
ステンレス、　クロム、　真鋳等の金属ドラムや金属シ
ートあるいは金属を蒸着あるいはラミネートしたプラス
チックシートなどの基体上にディップコート、　スプレ
ーコート、　ワイアーバーコート等の通常知られている
塗布法によって塗布し、　下引き層が形成される。　こ
の際、　下引き層の膜厚は基体の表面状態や結着材の導
電率やジフェノキノンの含有率によって適宜選ばれるが
、実質的には０．１μｍ以上好ましくは１μｍから２０
μｍが好ましい。

【００２６】本発明の電子写真感光体は、　前述の下引
き層を形成した基体の上に電荷発生層と電荷輸送層を積
層した構造の感光層を用いることによって作成される。 電荷発生層は用いる電荷発生材料の種類により塗布のみ
ならず真空蒸着、　スパッタリング、　ないしはグロー
放電などの手段によって設けることができる。　塗布に
際しては、　電荷発生材料をバインダーフリーで設ける
場合や樹脂分散液として設ける場合や、　バインダーと
電荷発生剤の均一溶液として設ける場合などがある。

【００２７】電荷発生層に用いる電荷発生材料としては
光を吸収し電荷坦体を発生する材料であればいずれの材
料であっても使用することができ、　好ましい材料とし
てはセレン、　セレン・　テルル、　セレン・　砒素、
　硫化カドミウム、　アモルファスシリコン等の無機物
質やピリリウム系染顔料、　チオピリリウム系染顔料、
　トリアリールメタン系染顔料、　チアジン系染顔料、
　アズレニウム系染顔料、　シアニン系染顔料、フタロ
シアニン顔料、　ペリレン顔料、　インジゴ系顔料、　
チオインジゴ系顔料、　キナクリドン系顔料、　スクア
リック酸顔料、　スーダンレッド、ダイアンブルー、　
ジナスグリーンＢ　等のアゾ系顔料、　アルゴールイエ
ロー、　ピレンキノン、　インダンスレンブリリアント
バイオレットＲＲＰ等の多環キノン系顔料等の有機物質
が挙げられる。　これらの顔料は、　一種または二種以
上組み合わせて用いることができる。　また、　これら
の顔料の結晶型に多形が存在するときには電荷発生機能
を向上させるものであればいずれのものであっても良い
。

【００２８】また、　前述の電荷発生物質を分散、　溶
解させた電荷発生層を用いる場合には、結着材としては
、　下引き層に用いられる前述の樹脂などが用いられる
。電荷発生層より上層の電荷輸送層は正孔輸送能を有す
る物質から形成される。　本発明に用いられる正孔輸送
性物質としては従来より知られている種々の物質を用い
ることが可能である。　正孔輸送能を有する物質として
は米国特許第４，１５０，９８７号明細書、同第４，２
７８，７４７号明細書、西ドイツ特許出願公開明細書第
２，９３９，４８３号、英国特許出願公開明細書第２，
０３４，４９３号、ヨーロッパ特許出願公開明細書第１
３，１７２号等に記載されている様なヒドラゾン系化合
物、特開昭４９−１０５５３６号に記載されているよう
なピラゾリン系化合物、特開昭５４−１１２６３７号公
報、特開昭５０−３１７７３号公報に参照されているよ
うなスチリル化合物、　米国特許第３，５６７，４５０
号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、西ドイツ特
許第１，１１０，５１８号、米国特許第３，１８０，７
０３号、米国特許第３，２４０，５９７号、米国特許第
３，６５８，５２０号、米国特許第３，６５８，５２０
　号、　米国特許第４，２３２，１０３　号、　米国特
許第４，１７５，　９６１号、米国特許第４，０１２，
３７６号各明細書、特開昭５５−１４４２５０号公報、
特開昭５６−１１９１３２号公報、特公昭３９−２７５
７７号公報に記載されているようなアリールアミン化合
物、　米国特許第３，５４２，５４６号明細書、に記載
されているようなオキサゾール系化合物、米国特許第３
，１８０，７２９号明細書、特開昭４９−１０５５３６
号公報、に記載されているようなピラゾリン、ピラゾロ
ン系化合物、　米国特許第３１５，４０２号明細書、米
国特許第３，８２０，９８９号、米国特許第３，５４２
，５４４号各明細書、特公昭４５−５５５号公報、特公
昭５１−１０９８３号公報、に記載されているようなポ
リアリールアルカン系化合物、　特公昭３４−１０９６
６号公報に記載されているようなポリビニルカルバゾー
ルおよびその誘導体、特開昭５０−８５３３７号公報、
に記載されているようなＮ−アクリルアミドメチルカル
バゾールの重合体、特開昭５０−９３４３２号公報に記
載されているようなキノキサリンポリマー、特公昭４３
−１８６７４号公報、特公昭４３−１９１９２号公報に
記載されているようなビニル重合体、特開昭５６−９０
８８３号公報、特開昭５６−１６１５５０号公報に記載
されているようなトリフェニルメタンポリマー、特公昭
４３−１９１９３号公報に記載されているようなスチレ
ン共重合体、ポリアセナフテン、ポリインデン、アセナ
フチレンとスチレンの共重合体、　特公昭５６−１３９
４０号公報に記載されているようなホルムアルデヒド系
縮合樹脂等の化合物を挙げることができる。　これらの
正孔輸送物質はそれ自身が被膜形成能を有する場合には
それ自身で用いても良いが、　低分子化合物でそれ自身
が被膜形成能を有しない場合には成膜性のある樹脂に溶
解させて電荷輸送層が形成される。　電荷輸送層の厚さ
は５　〜４０μｍ程度で用いられる。

【００２９】このようにして作成された感光体の静電特
性は川口電機製静電複写紙試験装置ＳＰ４２８にて測定
した。　また、　画像特性は市販の複写機、　レーザー
プリンターを感光体の形状に合うように改造した機械に
よって試験を行なった。以下、実施例により本発明を説
明する。実施例中、部とは重量部を、％とは重量％をそ
れぞれ表す。

【００３０】実施例１ 最大表面あらさ１．２ミクロンおよび平均表面あらさ１
．０μｍの表面粗さを持つアルミニウム管の表面にポリ
ビニルブチラール１０部、３，３’，５，５’−テトラ
イソプロピル−４，４’−ジフェノキノン３部、シクロ
ヘキサノン１００部から成る組成の塗布液を乾燥膜厚が
４μｍとなるように塗布した。

【００３１】次いで、　ビスアゾ顔料（クロロダイアン
ブルー）５ｇと、ブチラール樹脂（　ブチラール化度６
３モル％）２ｇをエタノール１００ｍｌに溶解、分散し
て電荷発生用塗布液を調製して下引き層の上に塗布し乾
燥膜厚が０．２μｍとなるようにした。次に、　Ｎ−エ
チルカルバゾール−３−アルデヒドジフェニルヒドラゾ
ン５０部とポリカーボネート樹脂（　三菱化成製、　商
標ノバレックス７０３０Ａ）５０部をトルエン５５０部
に溶解した溶液を乾燥膜厚が２５μｍとなるように塗布
し、　電荷輸送層を設けて電子写真感光体を作成した。 　これを試料１とした。次に、　比較例１として、　下
引き層の使用を省略したほかは、　同様の方法によって
電子写真感光体を作成した。

【００３２】比較例２ 実施例１に用いたジフェノキノン誘導体を使用しないで
ポリカーボネート樹脂バインダーのみで下引き層を作製
した。各試料について静電複写機試験装置（　川口電機
製ＳＰ４２８）にて各試料の電子写真初期特性、　耐久
性および環境安定性を測定した。結果を表２、表３に示
す。

【００３３】

【表２】

【００３４】

【表３】

【００３５】表２、表３　が示す静電特性における初期
特性と耐久性試験の結果からは、　本発明による実施例
１　は電位的に安定したものであるが、　比較例１　は
繰り返しにより表面電位の低下が著しかった。　また、
　比較例２　は初期特性において感度が悪く、　また、
　繰り返し特性においては残留電位の増加と感度の低下
が著しいものであり実用特性としては極めて悪いもので
あった。

【００３６】次に、　このようにして作成した感光体を
複写機に装填し画像試験を行なった。本発明の電子写真
感光体は、　高精度の表面加工した導電性支持体を用い
たものと同等、　あるいはそれ以上の画像ノイズの少な
い良質の画像が得られた。　さらに、３００００枚の連
続コピー後の画像を評価すると本発明に基づく感光体は
画像の変化が全く認められないのに対して比較例１　の
ものは画像ノイズが著しく増大した。　また比較例２は
帯電電位の増加と残留電位の増加の為にコピー画像は全
面が黒くかぶり、実用的には不適のものであった。

【００３７】実施例２ 実施例１におけるジフェノキノン誘導体の代わりに、　
３、　５−ジｔ−ブチル−３’，５’−ジメチル−４，
４’−ジフェノキノン用いて実施例１と同様に試験を行
なった。　静電特性および画像試験は実施例１　と同様
にジフェノキノン誘導体を用いたものは静電特性的にも
安定し、　また、画像的にもノイズの極めて少ないもの
であった。

【００３８】実施例３ 実施例１におけるジフェノキノン誘導体の代わりに、　
３，５−ジイソプロピル−３’，５’−ジクロロ−４，
４’−ジフェノキノン用いて実施例１と同様に試験を行
なった。　静電特性および画像試験は実施例１　と同様
にジフェノキノンポリマー誘導体を用いたものは静電特
性的にも安定し、　また、　画像的にもノイズの極めて
少ないものであった。

【００３９】実施例４ 実施例１におけるジフェノキノン誘導体の代わりに、　
３，６−ジクロロ−３’，５’−ジイソプロピル−４，
４’−ジフェノキノンを用いて実施例１と同様に試験を
行なった。　静電特性および画像試験は実施例１　と同
様にジフェノキノンを用いたものは静電特性的にも安定
し、　また、　画像的にもノイズの極めて少ないもので
あった。

【００４０】

【発明の効果】この発明によれば、基体の上に下引き層
、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層してなり、電荷発
生層は電荷発生物質を含む層であり、電荷輸送層は電荷
輸送物質を含む層であり、下引き層は化学式（Ｉ）のジ
フェノキノン誘導体を樹脂で結着してなるものであるの
で

【００４１】

【化３】

【００４２】（ここにＲ１　、Ｒ２　、Ｒ３　、Ｒ４　
、Ｒ５　、Ｒ６　、Ｒ７　、Ｒ８　は水素原子、炭素数
が１ないし２０の直鎖または分岐アルキル基、アラルキ
ル基、ハロゲン原子、フェニル基、アルコキシ基または
フェノキシ基を表す。ただしＲ１　、Ｒ３　、Ｒ６　、
Ｒ８　がそれぞれｔ−ブチル基で、Ｒ２　、Ｒ４　、Ｒ
５　、Ｒ７　がそれぞれ水素原子である場合を除く。）

【００４３】ジフェノキノン誘導体は基体からの正孔の
注入を阻止すると同時に露光時において速やかに感光層
中の電荷を基体に逃がし、その結果本発明による下引き
層を有する電子写真感光体は基体の表面加工をしない導
電性支持体においても下引き層を基体の粗度以上の厚さ
に塗布する事により下地の影響のない、画像ノイズやム
ラのない美しい画像が得られ、　基体加工にかけるコス
トを大幅に低下させることができた。　さらに静電特性
的にも従来の下引き層を用いた電子写真感光体に較べて
、　初期電位が高く、　しかも暗減衰が小さく、　極め
て好ましいものであった。また、　繰り返し時の静電特
性、　画像特性においても変化の無い優れたものが得ら
れ実用上有効なものであった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体の上に下引き層、電荷発生層、電荷輸
   送層を順次積層してなり、電荷発生層は電荷発生物質を
   含む層であり、電荷輸送層は電荷輸送物質を含む層であ
   り、下引き層は化学式（Ｉ）のジフェノキノン誘導体を
   樹脂で結着してなるものであることを特徴とする電子写
   真感光体。 【化１】 （ここにＲ１　、Ｒ２　、Ｒ３　、Ｒ４　、Ｒ５　、Ｒ
   ６　、Ｒ７　、Ｒ８　は水素原子、炭素数が１ないし２
   ０の直鎖または分岐アルキル基、アラルキル基、ハロゲ
   ン原子、フェニル基、アルコキシ基またはフェノキシ基
   を表す。ただしＲ１　、Ｒ３　、Ｒ６　、Ｒ８　がそれ
   ぞれｔ−ブチル基で、Ｒ２　、Ｒ４　、Ｒ５　、Ｒ７　
   がそれぞれ水素原子である場合を除く。）