JPH04352329A

JPH04352329A - 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法

Info

Publication number: JPH04352329A
Application number: JP3124370A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Morishima; 森嶋　浩之; Yasuo Shimamura; 泰夫島村; Nintei Sato; 任廷佐藤; Shunichiro Uchimura; 内村　俊一郎
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 1991-05-29
Filing date: 1991-05-29
Publication date: 1992-12-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は酸化物被膜形成用塗布液
および酸化物被膜の製造法に関し、さらに詳しくは熱的
に安定な被膜が得られ、かつ成膜性の良好な酸化物被膜
形成用塗布液およびこれを用いた酸化物被膜の製造法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層
間絶縁方法として、シラノール化合物の加水分解縮合物
を焼成し、酸化物被膜を形成する方法が知られている。このシラノール化合物としてはテトラエトキシシラン等
の４官能シランが用いられているが、４官能シランのみ
を用いる方法では、焼成してシリカ系被膜を形成する際
に三次元架橋構造が非常に密になり、剛直となるため、
膜が厚くなるとクラックが発生するという問題がある。

【０００３】この問題を解決するため、２官能および３
官能シランを共加水分解する方法が特開昭５７−１９１
２１９号公報等に示されている。しかし、この方法では
、縮合物または膜の中に多量の炭素が含まれるため、そ
の後の半導体製造工程でクラックが発生するという欠点
がある。また膜の中に含まれる炭素を脱離するためには
５００℃以上の高温処理が必要であり、この高温処理に
よって炭素の脱離による膜の収縮が生じたり、脱離後の
膜とシリコン、アルミ等の基体との熱膨張係数の差が大
きいために膜にクラックが発生するという欠点がある。さらに上記に示した酸化物被膜形成用塗布液は、経時的
に縮合物の架橋反応が進行するために液の粘度が増加し
、ゲル化するという欠点がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の欠点を除去し、熱的に安定な被膜を得ること
ができ、かつ成膜性が良好で、経時的安定性に優れた酸
化物被膜形成用塗布液およびこれを用いた酸化物被膜の
製造法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
に鑑み、鋭意検討した結果、シリコン、アルミ等の基体
上でクラックが発生せず、またその後の酸素プラズマ処
理等によってもクラックの発生しない酸化物被膜を形成
するためには、（１）焼成時の硬化収縮歪が小さく、（
２）膜の熱膨張係数が基体の値に近く、かつ（３）膜中
に炭素を含まないか炭素含有量が極めて少ない塗布液を
用いる必要があり、該塗布液は、特定の化合物を溶媒の
存在下に触媒を用いて縮重合させて得られること、およ
び該塗布液が経時安定性に優れることを見い出し、本発
明に到達した。

【０００６】本発明は、（Ａ）一般式（Ｉ）Ｒｍ　Ｓｉ
（ＯＣＯＲ′）４−ｍ　　　　　　　（Ｉ）（式中、Ｒ
およびＲ′は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒおよ
びＲ′は同一でも相違してもよく、ｍは０〜２の整数を
意味する）で表されるアセトキシシラン化合物と、（Ｂ
）一般式（ＩＩ）Ｍ（ＯＲ′）２　　　　　　　　　　　　　　　　　（
ＩＩ）（式中、Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ′は炭素数
１〜４のアルキル基を意味する）または一般式（ＩＩＩ
）Ｍ（ＯＲ″ＯＲ′）２　　　　　　　　　　　（ＩＩ
Ｉ）（式中、Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ′は炭素数１
〜４のアルキル基、Ｒ″は炭素数１〜４のアルキレン基
を意味する）で表される金属アルコキシド化合物および
（Ｃ）一般式（ＩＶ）Ｍ′（ＯＲ′）３　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ
Ｖ）（式中、Ｍ′は原子価３の金属原子、Ｒ′は炭素数
１〜４のアルキル基を意味する）で表される金属アルコ
キシド化合物を、溶媒の存在下に触媒を用いて縮重合さ
せて得られる反応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布
液ならびにこの塗布液を、基体表面上に塗布した後、５
０℃〜２００℃で乾燥し、次いで３００℃〜１０００℃
で焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造方法に関
する。

【０００７】本発明には上記の一般式（Ｉ）で表される
アセトキシシラン化合物（Ａ）が用いられる。該化合物
としては、例えばＳｉ（ＯＣＯＣＨ３）４　、Ｓｉ（Ｏ
ＣＯＣ２　Ｈ５）４　、Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）４　
、Ｓｉ（ＯＣＯＣ４　Ｈ９）４　、等のテトラアセトキ
シシラン、ＣＨ３　Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）３　、Ｃ２　
Ｈ５　Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）３　、Ｃ３　Ｈ７　Ｓｉ（
ＯＣＯＣＨ３）３　、Ｃ４　Ｈ９　Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３
）３、ＣＨ３　Ｓｉ（ＯＣＯＣ２　Ｈ５）３　、Ｃ２　
Ｈ５　Ｓｉ（ＯＣＯＣ２　Ｈ５）３　、Ｃ３　Ｈ７　Ｓ
ｉ（ＯＣＯＣ２　Ｈ５）３　、Ｃ４　Ｈ９　Ｓｉ（ＯＣ
ＯＣ２　Ｈ５）３　、ＣＨ３　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７
）３　、Ｃ２　Ｈ５　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）３　、
Ｃ３　Ｈ７　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）３　、Ｃ４　Ｈ
９　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）３　、ＣＨ３　Ｓｉ（Ｏ
ＣＯＣ４　Ｈ９）３　、Ｃ２　Ｈ５　Ｓｉ（ＯＣＯＣ４
　Ｈ９）３　、Ｃ３　Ｈ７　Ｓｉ（ＯＣＯＣ４　Ｈ９）
３　、Ｃ４　Ｈ９　Ｓｉ（ＯＣＯＣ４　Ｈ９）３　等の
モノアルキルトリアセトキシシラン、（ＣＨ３）２　Ｓ
ｉ（ＯＣＯＣＨ３）２　、（Ｃ２　Ｈ５）２　Ｓｉ（Ｏ
ＣＯＣＨ３）２　、（Ｃ３　Ｈ７）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ
Ｈ３）２　、（Ｃ４　Ｈ９）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）
２　、（ＣＨ３）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ２　Ｈ５）２　、
（Ｃ２　Ｈ５）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ２　Ｈ５）２　、（
Ｃ３　Ｈ７）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ２　Ｈ５）２　、（Ｃ
４　Ｈ９）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ２　Ｈ５）２　、（ＣＨ
３）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）２　、（Ｃ２　Ｈ５
）２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）２　、（Ｃ３　Ｈ７）
２　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）２　、（Ｃ４　Ｈ９）２
　Ｓｉ（ＯＣＯＣ３　Ｈ７）２　、（ＣＨ３）２　Ｓｉ
（ＯＣＯＣ４　Ｈ９）２　、（Ｃ２　Ｈ５）２　Ｓｉ（
ＯＣＯＣ４　Ｈ９）２　、（Ｃ３　Ｈ７）２　Ｓｉ（Ｏ
ＣＯＣ４　Ｈ９）２　、（Ｃ４　Ｈ９）２　Ｓｉ（ＯＣ
ＯＣ４　Ｈ９）２　等のジアルキルジアセトキシシラン
が挙げられる。これらの化合物は２種以上を併用してもよい。

【０００８】本発明には上記の一般式（ＩＩ）または一
般式（ＩＩＩ）　で表される金属アルコキシド化合物（
Ｂ）が用いられる。該一般式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）
　のＭは原子価２の金属原子であり、該金属原子として
は、例えばＭｇ（マグネシウム）、Ｂａ（バリウム）、
Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）などが挙
げられる。一般式（ＩＩ）中の（ＯＲ′）２　としては
、（ＯＣＨ３）２　、（ＯＣ２　Ｈ５）２　、（ＯＣ３
　Ｈ７）２　、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ３　Ｈ７）２　、（Ｏ
Ｃ４　Ｈ９）２　、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ４　Ｈ９）２　な
どが挙げられ、一般式（ＩＩＩ）　の（ＯＲ″ＯＲ′）
２　としては、（ＯＣＨ２　ＯＣＨ３）２　、（ＯＣ２
　Ｈ４　ＯＣＨ３）２　、（ＯＣ３　Ｈ６　ＯＣＨ３）
２　、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ３　Ｈ６ＯＣＨ３）２　、（Ｏ
Ｃ４　Ｈ８　ＯＣＨ３）２　、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ４　Ｈ
８　ＯＣＨ３）２　、（ＯＣＨ２　ＯＣ２　Ｈ５）２　
、（ＯＣ２　Ｈ４　ＯＣ２　Ｈ５）２　、（ＯＣ３　Ｈ
６　ＯＣ２　Ｈ５）２　、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ３　Ｈ６　
ＯＣ２　Ｈ５）２　、（ＯＣ４　Ｈ８　ＯＣ２　Ｈ５）
２　、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ４　Ｈ８　ＯＣ２　Ｈ５）２　
、（ＯＣＨ２　ＯＣ３　Ｈ７）２　、（ＯＣ２　Ｈ４　
ＯＣ３　Ｈ７）２　、（ＯＣ３　Ｈ６　ＯＣ３　Ｈ７）
２　、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ３　Ｈ６　ＯＣ３　Ｈ７）２　
、（ＯＣ４　Ｈ８　ＯＣ３　Ｈ７）２　、（Ｏｉｓｏ　
−Ｃ４　Ｈ８　ＯＣ３　Ｈ７）２　などが挙げられる。これらの化合物は２種以上を併用してもよい。

【０００９】本発明には上記の一般式（ＩＶ）で表され
る金属アルコキシド化合物（Ｃ）が用いられる。該一般
式（ＩＶ）のＭは原子価３の金属原子であり、該金属原
子としては、例えばＢ（ホウ素）、Ｐ（リン）、Ｙ（イ
ットリウム）、Ｔｌ（タリウム）、Ａｌ（アルミニウム
）、Ｉｎ（インジウム）などが挙げられる。また一般式
（ＩＶ）中の（ＯＲ′）３　としては、（ＯＣＨ３）３
　、（ＯＣ２　Ｈ５）３　、（ＯＣ３　Ｈ７）３　、（
Ｏｉｓｏ　−Ｃ３　Ｈ７）３　、（ＯＣ４　Ｈ９）３　
、（Ｏｉｓｏ　−Ｃ４　Ｈ９）３　などが挙げられる。これらは２種以上を併用してもよい。

【００１０】本発明の酸化物被膜形成用塗布液は、上記
アセトキシシラン化合物（Ａ）、上記の２価の金属原子
を有する金属アルコキシド化合物（Ｂ）および３価の金
属原子を有する金属アルコキシド化合物（Ｃ）を溶媒の
存在下に触媒を用い、必要に応じて加熱し、縮重合させ
て得られる。これらの化合物（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ
）の使用割合に特に制限はないが、酸化物被膜の耐クラ
ック性の点から、アセトキシシラン化合物（Ａ）を５０
〜８０モル％、２価の金属原子を有する金属アルコキシ
ド化合物（Ｂ）を１０〜２０モル％および３価の金属原
子を有する金属アルコキシド化合物（Ｃ）を１０〜４０
モル％の範囲とするのが好ましい。

【００１１】溶媒としては、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系、エチレ
ングリコールモノメチルアセテート、エチレングリコー
ルジアセテート等のグリコールアセテート系溶媒、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、
グリコールエーテル系溶媒など種々の溶媒が用いられ、
これらは２種以上を併用してもよい。触媒としては、塩
酸、硫酸、燐酸、硼酸、フッ酸、硝酸等の無機酸、シュ
ウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸などが
用いられる。

【００１２】本発明の酸化物被膜形成用塗布液を、ガラ
ス、セラミックス、シリコンウエハー、回路の形成され
たシリコンウエハー等の基体表面上に、浸漬法、回転塗
布法等の方法で塗布した後、通常５０〜２００℃、好ま
しくは１００〜１５０℃で乾燥し、次いで通常４００〜
１０００℃、好ましくは３００〜４５０℃で焼成するこ
とにより酸化物被膜が製造される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明する
。実施例１Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）４　１３０．０ｇ、Ｂ（Ｏｉｓｏ
　−Ｃ３　Ｈ７）３　７５．０ｇおよびＢａ（ＯＣ２　
Ｈ５）２　１０．０ｇを酢酸メチル１０００ｇに溶解し
、この溶液にマレイン酸４．０ｇを添加して５０℃で３
時間加熱を行った後、メチルアルコール１００．０ｇを
加えてさらに５０℃で１時間加熱を行い、反応物溶液を
作製した。反応物溶液をガスクロマトグラフ（日立２６
３−５０型）で分析した結果、添加した酢酸メチル、メ
チルアルコールのほか酢酸エチル、酢酸イソプロピルの
ピークが観察された。また反応物溶液の分子量を高速液体クロマトグラフ（日
立２６３−５０型）で測定した結果、重量平均分子量は
３０００であった。

【００１４】この反応物溶液をスピナーを用いて２００
０ｒｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃
のホットプレート上で１分間乾燥し、次いで電気炉中４
００℃で１時間焼成したところ、無色透明でクラックの
ない被膜が得られた。該被膜の膜厚は０．３μｍであっ
た。該被膜の赤外吸収スペクトルを測定したところ、Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｂ−Ｏ、Ｂａ−Ｏ結合に基ずく吸収が観
察され、完全な酸化物被膜であることが確認された。ま
たこの酸化物被膜をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤ
マト科学社製ＰＲ−５０１Ａ型）を用いて４００Ｗで２
０分間処理したが、膜にクラックは認められなかった。さらに反応物溶液を用いて厚さ１．０μｍ、ラインとス
ペース幅が０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成され
たシリコンウエハー上に、前記と同様な条件で成膜した
ところ、無色透明でクラックのない酸化物被膜が得られ
た。さらに反応物溶液を４０℃の恒温槽内で３０日保管
した後、この溶液の粘度を測定したが合成直後の粘度と
同じであった。

【００１５】実施例２Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）４　２１１．０ｇ、Ｐ（Ｏｉｓｏ
　−Ｃ３　Ｈ７）３　２１．０ｇおよびＭｇ（ＯＣ２　
Ｈ４　ＯＣ２　Ｈ５）２　２０．０ｇを酢酸ブチル１０
００ｇに溶解し、この溶液にｐ−トルエンスルホン酸５
．０ｇを添加して５０℃で３時間加熱を行った後、メチ
ルアルコール１００．０ｇを加えてさらに５０℃で１時
間加熱を行い、反応物溶液を作製した。反応物溶液をガ
スクロマトグラフ（日立２６３−５０型）で分析した結
果、添加した酢酸ブチル、メチルアルコールのほか酢酸
イソプロピルのピークが観察された。また反応物溶液の
分子量を高速液体クロマトグラフ（日立２６３−５０型
）で測定した結果、重量平均分子量は３０００であった
。

【００１６】この反応物溶液をスピナーを用いて２００
０ｒｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃
のホットプレート上で１分間乾燥し、次いで電気炉中４
００℃で１時間焼成したところ、無色透明でクラックの
ない被膜が得られた。該被膜の膜厚は０．２５μｍであ
った。また該被膜の赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｐ−Ｏ、Ｍｇ−Ｏ結合に基ずく吸
収が観察され、完全な酸化物被膜であることが確認され
た。またこの酸化物被膜をバレル型酸素プラズマ灰化装
置（ヤマト科学社製ＰＲ−５０１Ａ型）を用いて４００
Ｗで２０分間処理したが、膜にクラックは認められなか
った。さらに反応物溶液を、厚さ１．０μｍ、ラインと
スペース幅が０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成さ
れたシリコンウエハー上に前記と同様な条件で成膜した
ところ、無色透明でクラックのない酸化物被膜が得られ
た。さらに反応物溶液を４０℃の恒温槽内で３０日保管
した後、溶液の粘度を測定したが合成直後の粘度と同じ
であった。

【００１７】実施例３Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）４　１０６．０ｇ、ＣＨ３　Ｓｉ
（ＯＣＯＣＨ３）３　６６．０ｇ、Ａｌ（Ｏｉｓｏ　−
Ｃ３　Ｈ７）３　２８．０ｇおよびＭｇ（ＯＣ２　Ｈ５
）２　１７．０ｇを酢酸メチル１０００ｇに溶解し、こ
の溶液にマレイン酸４．０ｇを添加して５０℃で３時間
加熱を行った後、メチルアルコール１００．０ｇを加え
てさらに５０℃で１時間加熱を行い、反応物溶液を作製
した。この反応物溶液を実施例１と同様な条件でシリコ
ンウエハーおよびアルミ配線が形成されたシリコンウエ
ハー上に成膜したところ、膜厚０．３５μｍの無色透明
でクラックのない酸化物被膜が得られた。

【００１８】比較例１Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５）４　１３０．０ｇ、Ｂ（Ｏｉｓｏ
−Ｃ３　Ｈ７）３　７５．０ｇおよびＢａ（ＯＣ２　Ｈ
５）２　１０．０ｇを酢酸メチル１０００ｇに溶解し、
この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解させた水７０ｇに
添加し、加水分解縮合を行い、反応物溶液を作製した。この反応物溶液をスピナーを用いて２０００ｒｐｍでシ
リコンウエハー上に塗布した後、１５０℃のホットプレ
ート上で１分間乾燥し、次いで電気炉中４００℃で１時
間焼成したところ、０．３μｍでクラックのない被膜が
得られたが、膜は白濁しており、析出物が観察された。またこの溶液を４０℃の恒温槽内で保管したところ３日
でゲル化した。

【００１９】比較例２Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ３）４　２６４．０ｇをエチルアルコ
ール６００ｇに溶解し、この溶液にマレイン酸４．０ｇ
を溶解させた水８０ｇを添加し、加水分解縮合を行い反
応物溶液を作製した。この反応物溶液をスピナーを用い
て２０００ｒｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、
１５０℃のホットプレート上で１分間乾燥し、次いで電
気炉中４００℃で１時間焼成したところ、無色透明でク
ラックのない被膜が得られた。１またこの溶液を、厚さ
１．０μｍ、ラインとスペース幅が０．５〜５．０μｍ
のアルミ配線が形成されたシリコンウエハー上に前記と
同様な条件で成膜したところ、膜全面にクラックが発生
した。この溶液を４０℃の恒温槽内で保管したところ１
０日でゲル化した。

【００２０】比較例３Ｓｉ（ＯＣＨ３）４　１５２．０ｇおよびＣＨ３　Ｓｉ
（ＯＣＨ３）３　１３６．０ｇをプロピレングリコール
モノプロピルエーテル１２００ｇに溶解し、この溶液に
マレイン酸２．０ｇを溶解させた水６３．０ｇを添加し
、加水分解縮合を行い、反応物溶液を作製した。反応物
溶液の分子量を高速液体クロマトグラフ（日立２６３−
５０型）で測定した結果、重量平均分子量は３０００で
あった。この反応物溶液をスピナーを用いて２０００ｒ
ｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃のホ
ットプレート上で１分間乾燥し、次いで電気炉中４００
℃で１時間焼成したところ、無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚は０．２５μｍであった
。この酸化物被膜をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤ
マト科学社製ＰＲ−５０１Ａ型）を用いて４００Ｗで２
０分間処理したが、膜全体にクラックが発生した。また
この溶液を、厚さ１．０μｍ、ラインとスペース幅が０
．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成されたシリコンウ
エハー上に前記と同様な条件で成膜したところ、膜には
多数クラックが存在していた。この溶液を４０℃の恒温
槽内で３０日保管した後、溶液の粘度を測定したが合成
直後の３倍の粘度になっていた。

【００２１】

【発明の効果】本発明の酸化物被膜形成用塗布液は、縮
合物の架橋反応が進行しないため、貯蔵安定性が良好で
、かつ成膜性に優れるため、基体表面上に１．０μｍ程
度の厚さに酸化物被膜を形成してもクラックの発生がな
い。また本発明の塗布液を用いて得られる酸化物被膜は
、従来のアルコキシシランの加水分解縮合物を用いて得
られる酸化物被膜等と比較して炭素含有量が少なく、ま
たＭｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐ、Ｂ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｙ、
Ａｌなどの酸化物がＳｉＯ２　と共重合体を形成するた
め、熱的に安定である。本発明の酸化物被膜形成用塗布
液は、電子部品、特に半導体の多層配線における層間断
差の被膜、磁気バブルメモリー等の素子表面平坦化等の
酸化物被膜形成に特に有用である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　（Ａ）一般式（Ｉ）Ｒｍ　Ｓｉ（ＯＣＯＲ′）４−ｍ　　　　　　　（Ｉ）
（式中、ＲおよびＲ′は炭素数１〜４のアルキル基であ
り、ＲおよびＲ′は同一でも相違してもよく、ｍは０〜
２の整数を意味する）で表されるアセトキシシラン化合
物と、（Ｂ）一般式（ＩＩ）Ｍ（ＯＲ′）２　　　　　　　　　　　　　　　　　（
ＩＩ）（式中、Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ′は炭素数
１〜４のアルキル基を意味する）または一般式（ＩＩＩ
）Ｍ（ＯＲ″ＯＲ′）２　　　　　　　　　　　（ＩＩ
Ｉ）（式中、Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ′は炭素数１
〜４のアルキル基、Ｒ″は炭素数１〜４のアルキレン基
を意味する）で表される金属アルコキシド化合物および
（Ｃ）一般式（ＩＶ）Ｍ′（ＯＲ′）３　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ
Ｖ）（式中、Ｍ′は原子価３の金属原子、Ｒ′は炭素数
１〜４のアルキル基を意味する）で表される金属アルコ
キシド化合物を、溶媒の存在下に触媒を用いて縮重合さ
せて得られる反応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布
液。
【請求項２】　　請求項１記載の塗布液を、基体表面上
に塗布した後、５０℃〜２００℃で乾燥し、次いで３０
０℃〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被
膜の製造法。