JPH0320377A - 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の形成方法 - Google Patents
酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化物被膜形或゛用塗布液および酸化物被膜
の形威方法に関し、さらに詳しくは電子部品等の表面平
坦化、層間絶縁等に有用な酸化物被膜形成用塗布液およ
びそれを用いた酸化物被膜の形威方法に関する. 〔従来の技術〕 従来、アルコキシシラン等の溶液またはその部分加水分
解物の溶液を電子部品等の基体上に塗布し、焼威してシ
リカ系の被膜を形威する方法はよく知られており、特公
昭52−20825号公報、特開昭55−34258号
公報等に提案されている.アルコキシシランとしては、
テトラエトキシシラン等の4官能シランを用いた系が最
もよく検討されているが、これら4官能シランを用いた
系では、焼威してシリカ系被膜を形或する際に、3次元
架橋構造が非常に密になり、剛直になるため、膜厚が厚
くなるとクラックが発生するという欠点を有していた.
そこでこれらの欠点を改良するために種々の試みがなさ
れており、米国特許第4.408.009号明細書、特
開昭58−28850号公報、特開昭63−24107
6号公報等には3官能、2官能シランを共加水分解する
方法が開示されている。さらに、耐クラック性を向上さ
せる目的から、上記共加水分解系でシラン化合物のアル
キル基、アルコキシ基および反応溶媒等を制限する検討
もなされている(特公昭63−46095号公報). このようなアルキルアルコキシシランの共加水分解系で
は、焼成条件が200〜400℃の低温の場合や不活性
ガス中での300〜500℃の場合においては、1μm
以上の厚膜をクランクなしに得ることが可能である.し
かしながら、空気中では400゜C以上、不活性ガス中
でも500℃以上の高温に晒された場合、また酸素プラ
ズマ等の酸化性雰囲気に晒された場合は、アルキル基が
熱分解(または酸化分解)して脱離し、Slot化が起
こり、クランクが発生するという欠点を有していた. 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、耐ク
ラック性に優れた酸化物被膜形成用塗布液およびそれを
用いた酸化物被膜の形或方法を提供することにある. 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、上記課題について鋭意検討の結果、本発
明に到達したや すなわち、本発明は、一般式(]) R,ISi (OR’ )4−(1) (ここで、RおよびRlはそれぞれ炭素数1〜4ノ低級
アルキル基またはアリール基、n ハO〜2の整数を示
す)で表わされるシラン化合物と、一般式(II) R”J! M (OR’ )−−JL (If
)(ここで、R2はキレート剤、R3は炭素数1〜4の
低級アルキル基またはアリール基、Mは金属原子、mは
Mで表わされる金属原子の価数、lはO〜3の整数を示
す)で表わされる金属キレート化合物とを有機溶媒の存
在下で加水分解、重合させて得られる酸化物被膜形戒用
塗布液およびこれを用いた酸化物被膜の形戒方法に関す
る.本発明に用いられる前記一般式(1)で表わされる
シラン化合物としては、S i (OCHs )a、
Si (OCz Hs )a、Si (Oi C
m Hq )4等のテトラアルコキシシラン、Si (
QC.H,)4等のテトラアリロキシシラン、CHsS
t(OCH3 )3 % CH3 S i (OCz
Hs )s、Cz H5 Si (03 Cs
H? )s等のモノアルキルトリアルコキシシラン、C
Hs S i (OC&HS )3 、Ct Hs S
i (OC& Hs )s等のモノアルキル゜トリアリ
ロキシシラン、Cb Hs S l(OCRs )s
、Cb Hs S i (OCt Is )s等のモ
ノフェニルトリアルコキシシラン、C. HB Si
(OCh Hs )s等のモノフェニルトリアリロキ
シシラン、(CHs )* S i (OCHs )8
、(CHs L S i (OCt Hs )t、(c
gHs )x S k (QCs Ht ) t等のジ
アルキルジアルコキシシラン、(CH3) t S l
(OCb Hs )* , (Cx Hs )g S
i (OC& HS )1等のジアルキルジアリロキ
シシラン、(C&HS)z S i (O C Hs
) *、(CM Ha )g Si (OCt H
s )t等のジフェニルジアルコキシシラン、CCh
Hs )冨S i (OCi Hs )g等のジフエニ
ルジアリロキシシランなどが挙げられ、これらは1種ま
たは2種以上が用いられる.厚膜形或時の耐クラック性
を改善するためには、特にSl(OCH! )4 、C
Hs St (OCHs )!、(CHs )g S
i (OCHs )tの組合わせが好ましい. 本発明に用いられる一般式(II)で表わされる金属キ
レート化合物としては、 等のチタンキレート化合物、 等のマグネシウムキレート化合物、 等のホウ素キレート化合物、その他種々の金属キレート
化合物が挙げられ、これ、らは1種または2種以上が用
いられる. 本発明に用いられる前記シラン化合物と金属キレート化
合物の割合は、特に制限はないが、得ら等のアルミニウ
ムキレート化合物、 れる酸化物被膜の耐クラック性を改善するためには、シ
ラン化合物のアルキルまたはアリール基の総数と、キレ
ート化された金属原子の価数がほぼ当量となるよう用い
ることが好ましい。
の形威方法に関し、さらに詳しくは電子部品等の表面平
坦化、層間絶縁等に有用な酸化物被膜形成用塗布液およ
びそれを用いた酸化物被膜の形威方法に関する. 〔従来の技術〕 従来、アルコキシシラン等の溶液またはその部分加水分
解物の溶液を電子部品等の基体上に塗布し、焼威してシ
リカ系の被膜を形威する方法はよく知られており、特公
昭52−20825号公報、特開昭55−34258号
公報等に提案されている.アルコキシシランとしては、
テトラエトキシシラン等の4官能シランを用いた系が最
もよく検討されているが、これら4官能シランを用いた
系では、焼威してシリカ系被膜を形或する際に、3次元
架橋構造が非常に密になり、剛直になるため、膜厚が厚
くなるとクラックが発生するという欠点を有していた.
そこでこれらの欠点を改良するために種々の試みがなさ
れており、米国特許第4.408.009号明細書、特
開昭58−28850号公報、特開昭63−24107
6号公報等には3官能、2官能シランを共加水分解する
方法が開示されている。さらに、耐クラック性を向上さ
せる目的から、上記共加水分解系でシラン化合物のアル
キル基、アルコキシ基および反応溶媒等を制限する検討
もなされている(特公昭63−46095号公報). このようなアルキルアルコキシシランの共加水分解系で
は、焼成条件が200〜400℃の低温の場合や不活性
ガス中での300〜500℃の場合においては、1μm
以上の厚膜をクランクなしに得ることが可能である.し
かしながら、空気中では400゜C以上、不活性ガス中
でも500℃以上の高温に晒された場合、また酸素プラ
ズマ等の酸化性雰囲気に晒された場合は、アルキル基が
熱分解(または酸化分解)して脱離し、Slot化が起
こり、クランクが発生するという欠点を有していた. 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、耐ク
ラック性に優れた酸化物被膜形成用塗布液およびそれを
用いた酸化物被膜の形或方法を提供することにある. 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、上記課題について鋭意検討の結果、本発
明に到達したや すなわち、本発明は、一般式(]) R,ISi (OR’ )4−(1) (ここで、RおよびRlはそれぞれ炭素数1〜4ノ低級
アルキル基またはアリール基、n ハO〜2の整数を示
す)で表わされるシラン化合物と、一般式(II) R”J! M (OR’ )−−JL (If
)(ここで、R2はキレート剤、R3は炭素数1〜4の
低級アルキル基またはアリール基、Mは金属原子、mは
Mで表わされる金属原子の価数、lはO〜3の整数を示
す)で表わされる金属キレート化合物とを有機溶媒の存
在下で加水分解、重合させて得られる酸化物被膜形戒用
塗布液およびこれを用いた酸化物被膜の形戒方法に関す
る.本発明に用いられる前記一般式(1)で表わされる
シラン化合物としては、S i (OCHs )a、
Si (OCz Hs )a、Si (Oi C
m Hq )4等のテトラアルコキシシラン、Si (
QC.H,)4等のテトラアリロキシシラン、CHsS
t(OCH3 )3 % CH3 S i (OCz
Hs )s、Cz H5 Si (03 Cs
H? )s等のモノアルキルトリアルコキシシラン、C
Hs S i (OC&HS )3 、Ct Hs S
i (OC& Hs )s等のモノアルキル゜トリアリ
ロキシシラン、Cb Hs S l(OCRs )s
、Cb Hs S i (OCt Is )s等のモ
ノフェニルトリアルコキシシラン、C. HB Si
(OCh Hs )s等のモノフェニルトリアリロキ
シシラン、(CHs )* S i (OCHs )8
、(CHs L S i (OCt Hs )t、(c
gHs )x S k (QCs Ht ) t等のジ
アルキルジアルコキシシラン、(CH3) t S l
(OCb Hs )* , (Cx Hs )g S
i (OC& HS )1等のジアルキルジアリロキ
シシラン、(C&HS)z S i (O C Hs
) *、(CM Ha )g Si (OCt H
s )t等のジフェニルジアルコキシシラン、CCh
Hs )冨S i (OCi Hs )g等のジフエニ
ルジアリロキシシランなどが挙げられ、これらは1種ま
たは2種以上が用いられる.厚膜形或時の耐クラック性
を改善するためには、特にSl(OCH! )4 、C
Hs St (OCHs )!、(CHs )g S
i (OCHs )tの組合わせが好ましい. 本発明に用いられる一般式(II)で表わされる金属キ
レート化合物としては、 等のチタンキレート化合物、 等のマグネシウムキレート化合物、 等のホウ素キレート化合物、その他種々の金属キレート
化合物が挙げられ、これ、らは1種または2種以上が用
いられる. 本発明に用いられる前記シラン化合物と金属キレート化
合物の割合は、特に制限はないが、得ら等のアルミニウ
ムキレート化合物、 れる酸化物被膜の耐クラック性を改善するためには、シ
ラン化合物のアルキルまたはアリール基の総数と、キレ
ート化された金属原子の価数がほぼ当量となるよう用い
ることが好ましい。
本発明に用いられる有機溶媒としては、メタノール、エ
タノール、イソプロビルアルコール等のアルコール系溶
媒、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノプロビルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル等のグリコ
ールエーテル系溶媒、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、ジエチレン.グリコールモノブチル
エーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート
等のグリコールアセテート系溶媒、N,N−ジメチルア
セトアξド、N,N−ジメチルホルムアξド、N−メチ
ル−2−ピロリドン等のアξド系溶媒など種々の溶媒が
挙げられ、これらはl種または2種以上が用いられる。
タノール、イソプロビルアルコール等のアルコール系溶
媒、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノプロビルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル等のグリコ
ールエーテル系溶媒、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、ジエチレン.グリコールモノブチル
エーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート
等のグリコールアセテート系溶媒、N,N−ジメチルア
セトアξド、N,N−ジメチルホルムアξド、N−メチ
ル−2−ピロリドン等のアξド系溶媒など種々の溶媒が
挙げられ、これらはl種または2種以上が用いられる。
本発明の酸化物被膜形或用塗布液は、前記の有機溶媒の
存在下で、シラン化合物と金属キレート化合物を混合し
、次に必要に応じて無機酸、有機酸等の触媒を添加した
後、水を、またはこれら触媒とともに水を添加して加水
分解を行い、次にこの加水分解物を含む液を必要に応じ
て加熱し、重合させることによって得られる。なお、用
いるシラン化合物、キレート化合物の反応性によっては
、触媒の添加は不要である. 次に、このようにして得られた塗布液を用いて酸化物被
膜を形威するには、該塗布液をガラス、セラミック、シ
リコンウェーハ、回路の形威されたシリコンウエー八等
の基体上に、浸漬法、回転塗布法等の方法で塗布した後
、100〜200℃、好ましくは120〜150℃の温
度で乾燥し、次いで300〜800℃、好ましくは40
0〜700゜Cの温度で焼戒する. 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により説明する.実施例l 撹拌機、コンデンサ、滴下ロート付の四つ口フラスコに
テトラエトキシシラン68.74g,メチルトリメトキ
シシラン34.05g,ジイソプロボキシアルミニウム
エチルアセテートキレート(上記(8)の化合物)68
.58gを仕込み、エタノール380gに溶解した後、
イオン交換水4 6. 3 g、リン酸0.1gの混合
物を滴下ロートから滴下し、加水分解を行った.次いで
、この加水分解液を60℃で約5時間反応させて酸化膜
形威用塗布液を得た.得られた塗布液を150℃で30
分乾燥した後、600゜Cで30分焼威して塗布液の焼
威残渣を求めたところ10.1%であった。
存在下で、シラン化合物と金属キレート化合物を混合し
、次に必要に応じて無機酸、有機酸等の触媒を添加した
後、水を、またはこれら触媒とともに水を添加して加水
分解を行い、次にこの加水分解物を含む液を必要に応じ
て加熱し、重合させることによって得られる。なお、用
いるシラン化合物、キレート化合物の反応性によっては
、触媒の添加は不要である. 次に、このようにして得られた塗布液を用いて酸化物被
膜を形威するには、該塗布液をガラス、セラミック、シ
リコンウェーハ、回路の形威されたシリコンウエー八等
の基体上に、浸漬法、回転塗布法等の方法で塗布した後
、100〜200℃、好ましくは120〜150℃の温
度で乾燥し、次いで300〜800℃、好ましくは40
0〜700゜Cの温度で焼戒する. 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により説明する.実施例l 撹拌機、コンデンサ、滴下ロート付の四つ口フラスコに
テトラエトキシシラン68.74g,メチルトリメトキ
シシラン34.05g,ジイソプロボキシアルミニウム
エチルアセテートキレート(上記(8)の化合物)68
.58gを仕込み、エタノール380gに溶解した後、
イオン交換水4 6. 3 g、リン酸0.1gの混合
物を滴下ロートから滴下し、加水分解を行った.次いで
、この加水分解液を60℃で約5時間反応させて酸化膜
形威用塗布液を得た.得られた塗布液を150℃で30
分乾燥した後、600゜Cで30分焼威して塗布液の焼
威残渣を求めたところ10.1%であった。
次に、このようにして得られた酸化膜形威用塗布液をス
ピナーを用いてシリコンウェーハ上に200Orpmの
回転数で塗布し、150゜Cで30分乾燥した後、空気
中で600゜C130分の焼或を行った.得られた酸化
膜の厚みをクリステップ(ランクテーラホブソン社製膜
厚計)で測定したところ0. 8 a mであった.ま
た得られた膜を顕微鏡を用いて、100倍の倍率で観察
したが、クラックの発生は見られなかった. 次に、得られた酸化膜をバレル型の酸素プラズマ灰化装
置(ヤマト科学製)に入れ、400Wで10分アッシン
グを行った後、上記同様にクランクの観察を行ったが、
同じく全くクラックの発生は見られなかった. 実施例2 実施例1と同様の反応容器に、テトラメトキシシラン5
0.2g,メチルトリメトキシシラン77.6g1ジメ
チルジメトキシシラン12.0g,ジフェノキシチタン
ビスメチルアセテートキレート(上記(2)の化合物)
46.4g、フェノキシボロンビスアセチルアセトンキ
レート(上記(12)の化合物)27.0gを仕込み、
ジエチレングリコールジメチルエーテル480gに溶解
した後、マレイン酸0. 1 5 gを添加し溶解した
。次いで、イオン交換水6 3. 5 gを撹拌下に滴
下し、加水分解を行った後、この加水分解液を80℃で
約4時間反応させて酸化膜形或用塗布液を得た.得られ
た塗布液の焼戒残渣を、実施例1と同様にルで測定した
ところl0.0%であった. 次に、この塗布液を用いて実施例1と同様にして酸化膜
を形威し評価したところ、膜厚が1.0μmで、実施例
lと同様にクランクの発生は見られず、威膜性、耐クラ
ック性、耐酸素プラズマ性ともに良好な結果が得られた
。
ピナーを用いてシリコンウェーハ上に200Orpmの
回転数で塗布し、150゜Cで30分乾燥した後、空気
中で600゜C130分の焼或を行った.得られた酸化
膜の厚みをクリステップ(ランクテーラホブソン社製膜
厚計)で測定したところ0. 8 a mであった.ま
た得られた膜を顕微鏡を用いて、100倍の倍率で観察
したが、クラックの発生は見られなかった. 次に、得られた酸化膜をバレル型の酸素プラズマ灰化装
置(ヤマト科学製)に入れ、400Wで10分アッシン
グを行った後、上記同様にクランクの観察を行ったが、
同じく全くクラックの発生は見られなかった. 実施例2 実施例1と同様の反応容器に、テトラメトキシシラン5
0.2g,メチルトリメトキシシラン77.6g1ジメ
チルジメトキシシラン12.0g,ジフェノキシチタン
ビスメチルアセテートキレート(上記(2)の化合物)
46.4g、フェノキシボロンビスアセチルアセトンキ
レート(上記(12)の化合物)27.0gを仕込み、
ジエチレングリコールジメチルエーテル480gに溶解
した後、マレイン酸0. 1 5 gを添加し溶解した
。次いで、イオン交換水6 3. 5 gを撹拌下に滴
下し、加水分解を行った後、この加水分解液を80℃で
約4時間反応させて酸化膜形或用塗布液を得た.得られ
た塗布液の焼戒残渣を、実施例1と同様にルで測定した
ところl0.0%であった. 次に、この塗布液を用いて実施例1と同様にして酸化膜
を形威し評価したところ、膜厚が1.0μmで、実施例
lと同様にクランクの発生は見られず、威膜性、耐クラ
ック性、耐酸素プラズマ性ともに良好な結果が得られた
。
実施例3
テトラエトキシシラン208.3g,フエノキシボロン
ビスアセチルアセトンキレート(上記(12)の化合物
)135.1g、イソブロボキシマグネシウムメチルア
セテートキレート(上記(9)の化合物)33.7g、
プロピレングリコールモノブロビルエーテル540g,
リン酸0.2g,イオン交換水8 4. 1 gを用い
て実施例1と同様に処理して酸化膜形戒用塗布液を得た
.得られた塗布液の焼成残渣を、実施例1と同様にして
測定したところ10.2%であった. 次に、この塗布液を用いて実施例1と同様にして酸化膜
を形戒し評価したところ、膜厚が0.7μmで、実施例
1と同様にクラックの発生は見られず、成膜性、耐クラ
ック性、耐酸素プラズマ性ともに良好な結果が得られた
。
ビスアセチルアセトンキレート(上記(12)の化合物
)135.1g、イソブロボキシマグネシウムメチルア
セテートキレート(上記(9)の化合物)33.7g、
プロピレングリコールモノブロビルエーテル540g,
リン酸0.2g,イオン交換水8 4. 1 gを用い
て実施例1と同様に処理して酸化膜形戒用塗布液を得た
.得られた塗布液の焼成残渣を、実施例1と同様にして
測定したところ10.2%であった. 次に、この塗布液を用いて実施例1と同様にして酸化膜
を形戒し評価したところ、膜厚が0.7μmで、実施例
1と同様にクラックの発生は見られず、成膜性、耐クラ
ック性、耐酸素プラズマ性ともに良好な結果が得られた
。
比較例1
テトラエトキシシラン68.74g,メチルトリメトキ
シシラン68.1g,エタノール3 1 0 g,リン
酸0.1g,イオン交換水5 0. 7 6 gを用い
、実施例1と同様にして酸化物形成用塗布液を得た.得
られた塗布液の焼成残渣を、実施例1と同様に測定した
ところ10.0%であった。また、この塗布液を用いて
実施例lと同様にして酸化膜を形威し評価したところ、
膜厚が0. 8μmで、450℃の焼戒までは良好な或
膜性が得られたが、600℃の焼或および酸素プラズマ
処理により、クランクの発生が見られた。
シシラン68.1g,エタノール3 1 0 g,リン
酸0.1g,イオン交換水5 0. 7 6 gを用い
、実施例1と同様にして酸化物形成用塗布液を得た.得
られた塗布液の焼成残渣を、実施例1と同様に測定した
ところ10.0%であった。また、この塗布液を用いて
実施例lと同様にして酸化膜を形威し評価したところ、
膜厚が0. 8μmで、450℃の焼戒までは良好な或
膜性が得られたが、600℃の焼或および酸素プラズマ
処理により、クランクの発生が見られた。
比較例2
テトラエトキシシラン208.3g,}リイソプロボキ
シボロン94.0g,ジイソブロポキシマグネシウム2
4.2g,プロピレングリコールモノブロビルエーテル
5 7 0 g,リン酸0.2g,イオン交換水1 0
5. 1 gを用いて実施例lと同様にして加水分解
を行った。その結果、イオン交換水滴下につれて析出物
が発生した。またこの加水分解液を60℃でさらに反応
を行ったところ、1時間後にゲル状物が発生し、均一な
塗布液が得られなかった・ 〔発明の効果〕 本発明の酸化物被膜形或用塗布液は、キレート化合物に
より金属化合物の反応性が抑えられているので、ゲル状
物の発生のない均一な塗布液とすることができ、この塗
布液を用いることにより、高温での硬化、酸素プラズマ
による処理を行っても、クランクのない良好な酸化物被
膜を得ることができる.
シボロン94.0g,ジイソブロポキシマグネシウム2
4.2g,プロピレングリコールモノブロビルエーテル
5 7 0 g,リン酸0.2g,イオン交換水1 0
5. 1 gを用いて実施例lと同様にして加水分解
を行った。その結果、イオン交換水滴下につれて析出物
が発生した。またこの加水分解液を60℃でさらに反応
を行ったところ、1時間後にゲル状物が発生し、均一な
塗布液が得られなかった・ 〔発明の効果〕 本発明の酸化物被膜形或用塗布液は、キレート化合物に
より金属化合物の反応性が抑えられているので、ゲル状
物の発生のない均一な塗布液とすることができ、この塗
布液を用いることにより、高温での硬化、酸素プラズマ
による処理を行っても、クランクのない良好な酸化物被
膜を得ることができる.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) R_nSi(OR^1)_4_−_n( I )(ここで
、RおよびR^1はそれぞれ炭素数1〜4の低級アルキ
ル基またはアリール基、nは0〜2の整数を示す)で表
わされるシラン化合物と、一般式(II) R^2_lM(OR^3)_m_−_l(II)(ここで
、R^2はキレート剤、R^3は炭素数1〜4の低級ア
ルキル基またはアリール基、Mは金属原子、mはMで表
わされる金属原子の価数、lは0〜3の整数を示す)で
表わされる金属キレート化合物とを有機溶媒の存在下で
加水分解、重合させて得られる酸化物被膜形成用塗布液
。 2、請求項1記載の酸化物被膜形成用塗布液を基材上に
塗布した後、焼成することを特徴とする酸化物被膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15484389A JPH0320377A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15484389A JPH0320377A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0320377A true JPH0320377A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15593110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15484389A Pending JPH0320377A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0320377A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000336267A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
EP1058274A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-06 | JSR Corporation | Composition for film formation and material for insulating film formation |
JP2004277502A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
WO2007119812A1 (ja) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | 亜鉛表面を有する金属部材用非クロム防錆表面処理剤とその防錆皮膜で被覆した亜鉛表面を有する金属部材 |
JP2011242448A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Nippon Coating Industry Co Ltd | 機能性透明膜及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15484389A patent/JPH0320377A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000336267A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
EP1058274A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-06 | JSR Corporation | Composition for film formation and material for insulating film formation |
US6376634B1 (en) | 1999-06-04 | 2002-04-23 | Jsr Corporation | Composition for film formation and material for insulating film formation |
KR100685333B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2007-02-23 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 막형성용 조성물 및 절연막 형성용 재료 |
JP2004277502A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
WO2007119812A1 (ja) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | 亜鉛表面を有する金属部材用非クロム防錆表面処理剤とその防錆皮膜で被覆した亜鉛表面を有する金属部材 |
EP2009073A1 (en) * | 2006-04-18 | 2008-12-31 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | Non-chromate rust-preventive surface treating agent for metallic member having zinc surface, and metallic member having zinc surface coated with the rust-preventive coating film |
EP2009073A4 (en) * | 2006-04-18 | 2011-08-31 | Inst Tech Precision Elect | CHROMATE FREE ROSE PROTECTION SURFACE TREATMENT FOR METAL ELEMENT WITH ZINC SURFACE AND METAL ELEMENT WITH ZINC SURFACE WITH ANTIFREEZE COATING FILM |
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US8623503B2 (en) | 2006-04-18 | 2014-01-07 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | Chromium-free rust-inhibitive surface treatment agent for metal parts with zinc surfaces and metal parts with zinc surfaces coated with rust-inhibitive surface coated film |
JP5566024B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2014-08-06 | 株式会社放電精密加工研究所 | 亜鉛表面を有する金属部材用非クロム防錆表面処理剤とその防錆皮膜で被覆した亜鉛表面を有する金属部材 |
JP2011242448A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Nippon Coating Industry Co Ltd | 機能性透明膜及びその製造方法 |
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