JPH0320377A - 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の形成方法 - Google Patents

酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の形成方法

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JPH0320377A
JPH0320377A JP15484389A JP15484389A JPH0320377A JP H0320377 A JPH0320377 A JP H0320377A JP 15484389 A JP15484389 A JP 15484389A JP 15484389 A JP15484389 A JP 15484389A JP H0320377 A JPH0320377 A JP H0320377A
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JP
Japan
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oxide film
coating film
forming
coating solution
forming oxide
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JP15484389A
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English (en)
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Shunichiro Uchimura
内村 俊一郎
Hiroyuki Morishima
森嶋 浩之
Tonobu Sato
佐藤 任延
Yasuo Shimamura
泰夫 島村
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Resonac Corp
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、酸化物被膜形或゛用塗布液および酸化物被膜
の形威方法に関し、さらに詳しくは電子部品等の表面平
坦化、層間絶縁等に有用な酸化物被膜形成用塗布液およ
びそれを用いた酸化物被膜の形威方法に関する. 〔従来の技術〕 従来、アルコキシシラン等の溶液またはその部分加水分
解物の溶液を電子部品等の基体上に塗布し、焼威してシ
リカ系の被膜を形威する方法はよく知られており、特公
昭52−20825号公報、特開昭55−34258号
公報等に提案されている.アルコキシシランとしては、
テトラエトキシシラン等の4官能シランを用いた系が最
もよく検討されているが、これら4官能シランを用いた
系では、焼威してシリカ系被膜を形或する際に、3次元
架橋構造が非常に密になり、剛直になるため、膜厚が厚
くなるとクラックが発生するという欠点を有していた.
そこでこれらの欠点を改良するために種々の試みがなさ
れており、米国特許第4.408.009号明細書、特
開昭58−28850号公報、特開昭63−24107
6号公報等には3官能、2官能シランを共加水分解する
方法が開示されている。さらに、耐クラック性を向上さ
せる目的から、上記共加水分解系でシラン化合物のアル
キル基、アルコキシ基および反応溶媒等を制限する検討
もなされている(特公昭63−46095号公報). このようなアルキルアルコキシシランの共加水分解系で
は、焼成条件が200〜400℃の低温の場合や不活性
ガス中での300〜500℃の場合においては、1μm
以上の厚膜をクランクなしに得ることが可能である.し
かしながら、空気中では400゜C以上、不活性ガス中
でも500℃以上の高温に晒された場合、また酸素プラ
ズマ等の酸化性雰囲気に晒された場合は、アルキル基が
熱分解(または酸化分解)して脱離し、Slot化が起
こり、クランクが発生するという欠点を有していた. 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、耐ク
ラック性に優れた酸化物被膜形成用塗布液およびそれを
用いた酸化物被膜の形或方法を提供することにある. 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、上記課題について鋭意検討の結果、本発
明に到達したや すなわち、本発明は、一般式(]) R,ISi (OR’ )4−(1) (ここで、RおよびRlはそれぞれ炭素数1〜4ノ低級
アルキル基またはアリール基、n ハO〜2の整数を示
す)で表わされるシラン化合物と、一般式(II) R”J!  M (OR’ )−−JL    (If
)(ここで、R2はキレート剤、R3は炭素数1〜4の
低級アルキル基またはアリール基、Mは金属原子、mは
Mで表わされる金属原子の価数、lはO〜3の整数を示
す)で表わされる金属キレート化合物とを有機溶媒の存
在下で加水分解、重合させて得られる酸化物被膜形戒用
塗布液およびこれを用いた酸化物被膜の形戒方法に関す
る.本発明に用いられる前記一般式(1)で表わされる
シラン化合物としては、S i  (OCHs )a、
Si  (OCz Hs )a、Si  (Oi  C
m Hq )4等のテトラアルコキシシラン、Si (
QC.H,)4等のテトラアリロキシシラン、CHsS
t(OCH3 )3 % CH3 S i  (OCz
 Hs )s、Cz H5 Si  (03  Cs 
H? )s等のモノアルキルトリアルコキシシラン、C
Hs S i (OC&HS )3 、Ct Hs S
i (OC& Hs )s等のモノアルキル゜トリアリ
ロキシシラン、Cb Hs S l(OCRs )s 
、Cb Hs S i  (OCt Is )s等のモ
ノフェニルトリアルコキシシラン、C. HB Si 
 (OCh Hs )s等のモノフェニルトリアリロキ
シシラン、(CHs )* S i (OCHs )8
、(CHs L S i (OCt Hs )t、(c
gHs )x S k (QCs Ht ) t等のジ
アルキルジアルコキシシラン、(CH3) t S l
 (OCb Hs )* , (Cx Hs )g S
 i (OC& HS )1等のジアルキルジアリロキ
シシラン、(C&HS)z S i  (O C Hs
 ) *、(CM Ha )g Si  (OCt H
s )t等のジフェニルジアルコキシシラン、CCh 
Hs )冨S i (OCi Hs )g等のジフエニ
ルジアリロキシシランなどが挙げられ、これらは1種ま
たは2種以上が用いられる.厚膜形或時の耐クラック性
を改善するためには、特にSl(OCH! )4 、C
Hs St (OCHs )!、(CHs )g S 
i  (OCHs )tの組合わせが好ましい. 本発明に用いられる一般式(II)で表わされる金属キ
レート化合物としては、 等のチタンキレート化合物、 等のマグネシウムキレート化合物、 等のホウ素キレート化合物、その他種々の金属キレート
化合物が挙げられ、これ、らは1種または2種以上が用
いられる. 本発明に用いられる前記シラン化合物と金属キレート化
合物の割合は、特に制限はないが、得ら等のアルミニウ
ムキレート化合物、 れる酸化物被膜の耐クラック性を改善するためには、シ
ラン化合物のアルキルまたはアリール基の総数と、キレ
ート化された金属原子の価数がほぼ当量となるよう用い
ることが好ましい。
本発明に用いられる有機溶媒としては、メタノール、エ
タノール、イソプロビルアルコール等のアルコール系溶
媒、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノプロビルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル等のグリコ
ールエーテル系溶媒、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、ジエチレン.グリコールモノブチル
エーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート
等のグリコールアセテート系溶媒、N,N−ジメチルア
セトアξド、N,N−ジメチルホルムアξド、N−メチ
ル−2−ピロリドン等のアξド系溶媒など種々の溶媒が
挙げられ、これらはl種または2種以上が用いられる。
本発明の酸化物被膜形或用塗布液は、前記の有機溶媒の
存在下で、シラン化合物と金属キレート化合物を混合し
、次に必要に応じて無機酸、有機酸等の触媒を添加した
後、水を、またはこれら触媒とともに水を添加して加水
分解を行い、次にこの加水分解物を含む液を必要に応じ
て加熱し、重合させることによって得られる。なお、用
いるシラン化合物、キレート化合物の反応性によっては
、触媒の添加は不要である. 次に、このようにして得られた塗布液を用いて酸化物被
膜を形威するには、該塗布液をガラス、セラミック、シ
リコンウェーハ、回路の形威されたシリコンウエー八等
の基体上に、浸漬法、回転塗布法等の方法で塗布した後
、100〜200℃、好ましくは120〜150℃の温
度で乾燥し、次いで300〜800℃、好ましくは40
0〜700゜Cの温度で焼戒する. 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により説明する.実施例l 撹拌機、コンデンサ、滴下ロート付の四つ口フラスコに
テトラエトキシシラン68.74g,メチルトリメトキ
シシラン34.05g,ジイソプロボキシアルミニウム
エチルアセテートキレート(上記(8)の化合物)68
.58gを仕込み、エタノール380gに溶解した後、
イオン交換水4 6. 3 g、リン酸0.1gの混合
物を滴下ロートから滴下し、加水分解を行った.次いで
、この加水分解液を60℃で約5時間反応させて酸化膜
形威用塗布液を得た.得られた塗布液を150℃で30
分乾燥した後、600゜Cで30分焼威して塗布液の焼
威残渣を求めたところ10.1%であった。
次に、このようにして得られた酸化膜形威用塗布液をス
ピナーを用いてシリコンウェーハ上に200Orpmの
回転数で塗布し、150゜Cで30分乾燥した後、空気
中で600゜C130分の焼或を行った.得られた酸化
膜の厚みをクリステップ(ランクテーラホブソン社製膜
厚計)で測定したところ0. 8 a mであった.ま
た得られた膜を顕微鏡を用いて、100倍の倍率で観察
したが、クラックの発生は見られなかった. 次に、得られた酸化膜をバレル型の酸素プラズマ灰化装
置(ヤマト科学製)に入れ、400Wで10分アッシン
グを行った後、上記同様にクランクの観察を行ったが、
同じく全くクラックの発生は見られなかった. 実施例2 実施例1と同様の反応容器に、テトラメトキシシラン5
0.2g,メチルトリメトキシシラン77.6g1ジメ
チルジメトキシシラン12.0g,ジフェノキシチタン
ビスメチルアセテートキレート(上記(2)の化合物)
46.4g、フェノキシボロンビスアセチルアセトンキ
レート(上記(12)の化合物)27.0gを仕込み、
ジエチレングリコールジメチルエーテル480gに溶解
した後、マレイン酸0. 1 5 gを添加し溶解した
。次いで、イオン交換水6 3. 5 gを撹拌下に滴
下し、加水分解を行った後、この加水分解液を80℃で
約4時間反応させて酸化膜形或用塗布液を得た.得られ
た塗布液の焼戒残渣を、実施例1と同様にルで測定した
ところl0.0%であった. 次に、この塗布液を用いて実施例1と同様にして酸化膜
を形威し評価したところ、膜厚が1.0μmで、実施例
lと同様にクランクの発生は見られず、威膜性、耐クラ
ック性、耐酸素プラズマ性ともに良好な結果が得られた
実施例3 テトラエトキシシラン208.3g,フエノキシボロン
ビスアセチルアセトンキレート(上記(12)の化合物
)135.1g、イソブロボキシマグネシウムメチルア
セテートキレート(上記(9)の化合物)33.7g、
プロピレングリコールモノブロビルエーテル540g,
リン酸0.2g,イオン交換水8 4. 1 gを用い
て実施例1と同様に処理して酸化膜形戒用塗布液を得た
.得られた塗布液の焼成残渣を、実施例1と同様にして
測定したところ10.2%であった. 次に、この塗布液を用いて実施例1と同様にして酸化膜
を形戒し評価したところ、膜厚が0.7μmで、実施例
1と同様にクラックの発生は見られず、成膜性、耐クラ
ック性、耐酸素プラズマ性ともに良好な結果が得られた
比較例1 テトラエトキシシラン68.74g,メチルトリメトキ
シシラン68.1g,エタノール3 1 0 g,リン
酸0.1g,イオン交換水5 0. 7 6 gを用い
、実施例1と同様にして酸化物形成用塗布液を得た.得
られた塗布液の焼成残渣を、実施例1と同様に測定した
ところ10.0%であった。また、この塗布液を用いて
実施例lと同様にして酸化膜を形威し評価したところ、
膜厚が0. 8μmで、450℃の焼戒までは良好な或
膜性が得られたが、600℃の焼或および酸素プラズマ
処理により、クランクの発生が見られた。
比較例2 テトラエトキシシラン208.3g,}リイソプロボキ
シボロン94.0g,ジイソブロポキシマグネシウム2
4.2g,プロピレングリコールモノブロビルエーテル
5 7 0 g,リン酸0.2g,イオン交換水1 0
 5. 1 gを用いて実施例lと同様にして加水分解
を行った。その結果、イオン交換水滴下につれて析出物
が発生した。またこの加水分解液を60℃でさらに反応
を行ったところ、1時間後にゲル状物が発生し、均一な
塗布液が得られなかった・ 〔発明の効果〕 本発明の酸化物被膜形或用塗布液は、キレート化合物に
より金属化合物の反応性が抑えられているので、ゲル状
物の発生のない均一な塗布液とすることができ、この塗
布液を用いることにより、高温での硬化、酸素プラズマ
による処理を行っても、クランクのない良好な酸化物被
膜を得ることができる.

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) R_nSi(OR^1)_4_−_n( I )(ここで
    、RおよびR^1はそれぞれ炭素数1〜4の低級アルキ
    ル基またはアリール基、nは0〜2の整数を示す)で表
    わされるシラン化合物と、一般式(II) R^2_lM(OR^3)_m_−_l(II)(ここで
    、R^2はキレート剤、R^3は炭素数1〜4の低級ア
    ルキル基またはアリール基、Mは金属原子、mはMで表
    わされる金属原子の価数、lは0〜3の整数を示す)で
    表わされる金属キレート化合物とを有機溶媒の存在下で
    加水分解、重合させて得られる酸化物被膜形成用塗布液
    。 2、請求項1記載の酸化物被膜形成用塗布液を基材上に
    塗布した後、焼成することを特徴とする酸化物被膜の形
    成方法。
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