JPH04349618A - 多結晶シリコン薄膜とその製造方法及びこの薄膜を用いた薄膜トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタや太
陽電池等に利用可能な多結晶シリコン薄膜とその製造方
法に係り、特に、薄膜でかつ結晶粒径が大きくしかも結
晶の連続性に優れた多結晶シリコン薄膜を高温条件に晒
すことなく短い製造時間で求められる多結晶シリコン薄
膜とその製造方法の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多結晶シリコン薄膜は数百オングストロ
ーム〜数μｍの結晶シリコンが多数集合して形成された
結晶シリコンの薄膜で、アモルファスシリコンと較べ電
子の移動度が１〜２桁程大きい優れた特性を有している
上、単結晶シリコンでは困難なガラス等の非晶質基板上
へ成膜可能な利点を有している。

【０００３】そして、この種の薄膜を形成する方法とし
て、従来ガラス等の非晶質基板上に多結晶シリコンを直
接成膜して多結晶シリコン薄膜を求める熱ＣＶＤやプラ
ズマＣＶＤ等の気相成長法、上記非晶質基板上にアモル
ファスシリコンを一旦成膜しこれを加熱炉内で長時間加
熱し結晶成長させて多結晶シリコン薄膜を求める固相成
長法、及び、上記アモルファスシリコン薄膜面へレーザ
ビームを照射しその部位を結晶化させて多結晶シリコン
薄膜を求めるレーザアニール成長法等が利用されている
。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記気相成
長法により多結晶シリコン薄膜を求めた場合、この成膜
法では図１２に示すようにシリコンの結晶成長が非晶質
基板ａとの界面部位から開始するため成膜された多結晶
シリコン薄膜ｂの上記非晶質基板ａとの界面部位に結晶
成長の不十分な未成長領域ｃが形成され易い欠点があり
、結晶の連続性がなくなって電子移動度等の電気的特性
が劣化する問題点があった。

【０００５】このため、上記非晶質基板上に形成する多
結晶シリコン薄膜の膜厚を薄く設定しようとすると膜中
に含まれる未成長領域の割合が相対的に多くなり、この
気相成長法では薄膜でかつ結晶粒径が大きくしかも結晶
の連続性に優れた多結晶シリコン薄膜を求めることが困
難な問題点があった。

【０００６】尚、非晶質基板温度を上げ高温条件下で多
結晶シリコン薄膜を形成することにより上記未成長領域
ｂの低減を図ることは可能であるが、この様な方法を採
った場合、適用できる非晶質基板が高価な耐熱基板に限
定されてしまうため現実的に適用困難な方法であった。

【０００７】他方、上記固相成長法においては長時間の
結晶化アニール処理を必要とするため作業効率が劣る問
題点があり、また、レーザアニール成長法においてはこ
の製法に要する装置が高額でかつその寿命が短いといっ
た欠点があり、しかもレーザの出力が変動した場合に不
均質な結晶領域が生ずる欠点があるため熱ＣＶＤやプラ
ズマＣＶＤ等の気相成長法と同様に薄膜でかつ結晶粒径
が大きくしかも結晶の連続性に優れた多結晶シリコン薄
膜を求めることが困難な問題点があった。

【０００８】本発明はこの様な問題点に着目してなされ
たもので、その課題とするところは、薄膜でかつ結晶粒
径が大きくしかも結晶の連続性に優れた多結晶シリコン
薄膜を高温条件に晒すことなく短い製造時間で求められ
る多結晶シリコン薄膜とその製造方法並びにこの多結晶
シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち請求項１に係る
発明は、非晶質基板上に成膜される多結晶シリコン薄膜
を前提とし、上記非晶質基板との間にチタン酸ストロン
チウムの多結晶膜を備えこの多結晶膜に対しヘテロエピ
タキシャル成長させて形成された多結晶シリコンにより
多結晶シリコン薄膜が構成されていることを特徴とし、
他方、請求項２に係る発明は、請求項１記載の多結晶シ
リコン薄膜の製造方法を前提とし、非晶質基板上にチタ
ン酸ストロンチウムの多結晶膜を一様に成膜し、かつ、
この多結晶膜上にシリコンをヘテロエピタキシャル成長
させて多結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とする
ものである。

【００１０】この様な技術的手段において上記チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３　）は極めて結晶化し易
く、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等によりガ
ラス、セラミックス等の非晶質基板上にその多結晶膜を
容易に形成できる化合物で、図５（Ａ）や図６（Ａ）に
示すようにその結晶は格子定数が３．９３オングストロ
ームの立方晶である。そして、成膜時における非晶質基
板の加熱温度や成膜速度（供給ガスの分圧、ヒーター温
度、ＲＦパワー等設定条件による）等を適宜設定するこ
とによりその多結晶膜を（１００）方向（図５Ｂ参照）
又は（１１０）方向（図６Ｂ参照）へ単一配向させるこ
とが可能な化合物である。

【００１１】次に、このチタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ３　）の多結晶膜上に多結晶シリコンを成膜する
には、アモルファスシリコンを成膜した後結晶化アニー
ル処理にてこれを多結晶シリコンにする固相成長法やレ
ーザアニール成長法等が、また、上記多結晶膜上に多結
晶シリコンを直接成膜する熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤ法
等が適用できる。そして、固相成長法を適用した場合に
はチタン酸ストロンチウム結晶を結晶核にしてアモルフ
ァスシリコンがヘテロエピタキシャル成長するため結晶
化アニール時間の短縮が図れ、他方、熱ＣＶＤやプラズ
マＣＶＤ法等の気相成長法を適用した場合には上記チタ
ン酸ストロンチウム結晶を結晶核にしてシリコンのヘテ
ロエピタキシャル成長が行われるため、低温条件下で成
膜処理を行っても成膜された多結晶シリコン薄膜と非晶
質基板との界面部位に結晶の連続性を妨げる未成長領域
が形成されることがない。

【００１２】尚、これ等の成膜手段においてシリコン原
子の供給ガスとしては、ＳｉＨ４　、Ｓｉ２　Ｈ６　、
Ｓｉ３　Ｈ８　等の水素化珪素、ＳｉＨｍ　Ｘ４−ｍ　
（但し、ｍは０〜３、ＸはＣｌ又はＦ原子好ましくはＦ
原子である）、Ｓｉ２　Ｆ６　で示されるハロゲン化シ
ラン等が適用できる。

【００１３】そして、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ
ｉＯ３　）の多結晶膜が（１００）や（１１０）等一定
の方向へ優先配向している場合にはこの多結晶膜に対し
ヘテロエピタキシャル成長させて形成された多結晶シリ
コン薄膜も同じ配向をしているため、ランダム成長した
多結晶シリコン薄膜に較べてその電気特性の向上が図れ
る利点を有している。

【００１４】ところで、シリコンの結晶はその格子定数
が５．４１オングストロームの立方晶でその格子定数が
３．９３オングストロームのチタン酸ストロンチウムと
はそのままでは格子整合はとれない。しかし、（１００
）方向へ成長したチタン酸ストロンチウムの結晶格子を
真上からみると図５（Ｂ）のようになり、この図から明
らかなようにシリコンの格子を４５度回転させて考える
と、３．９３×√２＝５．５６オングストロームとなり
シリコンの格子定数と近似しそのヘテロエピタキシャル
成長が可能なことが理解できる。

【００１５】また、シリコンの結晶が（１１０）方向へ
成長した場合、これを真上からみたときの格子は５．４
１オングストローム×７．６５オングストロームの長方
形となるが、（１１０）方向へ成長したチタン酸ストロ
ンチウムの結晶格子を真上からみた図６（Ｂ）の斜線領
域から明らかなようにこの領域は５．５６オングストロ
ーム×７．８６オングストロームの長方形となり、従っ
て、この場合においてもチタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ３　）の多結晶膜に対しシリコンのヘテロエピタ
キシャル成長が可能なことが理解できる。

【００１６】次に、上記チタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ３　）の多結晶膜はシリコンの結晶成長を助長す
るが、この多結晶膜を非晶質基板の選択された領域に成
膜した場合、その部位に成膜されたシリコンのみを優先
的に結晶成長させることが可能となる。

【００１７】請求項３に係る発明はこの様な技術的根拠
に基づき完成されており、請求項１記載の多結晶シリコ
ン薄膜の製造方法を前提とし、非晶質基板上の選択され
た領域にチタン酸ストロンチウムの多結晶膜を成膜し、
かつ、この多結晶膜が形成された非晶質基板上へシリコ
ンを成膜すると共に、上記多結晶膜上のシリコンをヘテ
ロエピタキシャル成長させて多結晶シリコン薄膜にする
ことを特徴とするものである。

【００１８】この場合、非晶質基板のある領域へチタン
酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３　）の多結晶膜を選択
的に形成する手段としては、非晶質基板上へチタン酸ス
トロンチウムを一様に成膜しかつこれをウエットエッチ
ング法やドライエッチング法により選択的にエッチング
して選択形成する方法、あるいは非晶質基板上にマスク
を設置しこのマスクから露出した非晶質基板上へチタン
酸ストロンチウムを選択的に成膜する方法等が適用でき
る。

【００１９】尚、これ等請求項１〜３に係る発明におい
ては、真性の多結晶シリコン薄膜を形成するだけでなく
、例えば、成膜時における適用ガス中に元素周期率表第
ＩＩＩ族又は第Ｖ族のドーパントガスを混入することに
より求めた多結晶シリコン薄膜をｐ型又はｎ型にするこ
とができる。この場合のドーパントガスとしてはジボラ
ン、ホスフィン、アルシン等の水素化物が挙げられる。

【００２０】次に、請求項１〜３に係る発明において適
用されているチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３　
）の多結晶膜は１０１５Ω・ｃｍ以上の高い絶縁性を示
すため、この多結晶膜上に形成された多結晶シリコン薄
膜を電子素子等に適用した際に上記チタン酸ストロンチ
ウムの多結晶膜が弊害を及ぼすことはない。

【００２１】請求項４に係る発明はこの様な技術的背景
から完成されており、その活性層が多結晶シリコン薄膜
にて構成され液晶ディスプレイ装置やイメージセンサ等
に適用される薄膜トランジスタを前提とし、非晶質基板
と、この非晶質基板上に成膜されたチタン酸ストロンチ
ウムの多結晶膜と、この多結晶膜上にヘテロエピタキシ
ャル成長させて形成した多結晶シリコン薄膜と、この多
結晶シリコン薄膜に形成されたソース電極・ドレイン電
極と、絶縁膜を介し上記多結晶シリコン薄膜に対向して
設けられたゲート電極、とを備えることを特徴とするも
のである。

【００２２】そして、この請求項４に係る薄膜トランジ
スタにおいてはその活性層が薄膜でかつ結晶粒径が大き
くしかも結晶の連続性に優れた多結晶シリコン薄膜によ
り構成されているため、電子移動度の向上並びに漏れ電
流の低減等電気特性が改良される利点を有している。

【００２３】

【作用】請求項１に係る発明によれば、非晶質基板との
間にチタン酸ストロンチウムの多結晶膜を備えこの多結
晶膜に対しヘテロエピタキシャル成長させて形成された
多結晶シリコンにより多結晶シリコン薄膜が構成されて
いるため、この多結晶シリコン薄膜における結晶の大粒
径化と結晶の連続性とを図ることが可能となる。

【００２４】また、請求項２に係る発明によれば、非晶
質基板上にチタン酸ストロンチウムの多結晶膜を一様に
成膜し、かつ、この多結晶膜上にシリコンをヘテロエピ
タキシャル成長させて多結晶シリコン薄膜を形成してお
り、上記チタン酸ストロンチウム多結晶膜の作用により
シリコンの結晶成長が助長されるため、薄膜でかつ結晶
粒径が大きくしかも結晶の連続性に優れた多結晶シリコ
ン薄膜を低温、短時間の条件で形成することが可能とな
り、他方、請求項３に係る発明によれば、非晶質基板上
の選択された領域にチタン酸ストロンチウムの多結晶膜
を成膜し、かつ、この多結晶膜が形成された非晶質基板
上へシリコンを成膜すると共に、上記多結晶膜上のシリ
コンをヘテロエピタキシャル成長させて多結晶シリコン
薄膜にしており、上記チタン酸ストロンチウム多結晶膜
の作用によりその部位のシリコンの結晶成長が選択的に
助長されるため、薄膜でかつ結晶粒径が大きくしかも結
晶の連続性に優れた結晶領域と非結晶領域とを有する多
結晶シリコン薄膜を低温、短時間の条件で形成すること
が可能となる。

【００２５】また、請求項４に係る発明によれば、非晶
質基板と、この非晶質基板上に成膜されたチタン酸スト
ロンチウムの多結晶膜と、この多結晶膜上にヘテロエピ
タキシャル成長させて形成した多結晶シリコン薄膜と、
この多結晶シリコン薄膜に形成されたソース電極・ドレ
イン電極と、絶縁膜を介し上記多結晶シリコン薄膜に対
向して設けられたゲート電極、とを備え、その活性層が
薄膜でかつ結晶粒径が大きくしかも結晶の連続性に優れ
た多結晶シリコン薄膜により構成されているため、電子
移動度の向上並びに漏れ電流の低減等電気特性の改良を
図ることが可能となる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。

【００２７】［実施例１］この実施例に係る多結晶シリ
コン薄膜は、図１に示すようにガラス基板１上に形成さ
れた厚さ５０〜１０００オングストロームのチタン酸ス
トロンチウム多結晶膜２上にヘテロエピタキシャル成長
により成膜された多結晶シリコン薄膜３にて構成されて
いるものである。

【００２８】そして、この多結晶シリコン薄膜３は以下
のような工程を経て形成されたものである。

【００２９】まず、図２（Ａ）に示すようにガラス基板
１上へ真空蒸着法にて厚さ５０〜１０００オングストロ
ームのチタン酸ストロンチウムの多結晶膜２を成膜する
。

【００３０】図３はこの成膜に適用された真空蒸着装置
の概略を示したもので、真空チャンバ２０内に設置され
た容器２３へチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３　
）原料２４を収容し、これをヒータ２２で加熱すること
により同じくヒータ２１で加熱されたガラス基板１上に
このＳｒＴｉＯ３　が堆積される。このＳｒＴｉＯ３　
はシリコンと格子整合可能な化合物で極めて結晶化し易
く、ガラス基板１上に容易に多結晶膜を形成することが
できる。この場合、成膜時におけるガラス基板１の加熱
温度や成膜速度（ヒータ２２の設定温度条件等）等を適
宜設定することによりその多結晶膜を、例えば（１００
）方向に単一配向させることができる。

【００３１】次に、このチタン酸ストロンチウムの多結
晶膜２上へ図２（Ｂ）に示すように多結晶シリコン薄膜
３を成膜する。

【００３２】この実施例においてはこの成膜手段として
固相成長法が適用されており図４は固相成長法で併用さ
れるプラズマＣＶＤ法を説明するものである。図中、１
１は真空チャンバ、１２は電極、１３はヒータが内蔵さ
れた電極、１５は高周波電源、１６はシランガス（Ｓｉ
Ｈ４　）、１７はポンプである。

【００３３】そして、上記ポンプ１７で排気した真空チ
ャンバ１１内へシランガス１６を導入し、かつ、高周波
電源１５により電極１２、１３間でプラズマ放電を生じ
させてシランガス１６を分解させると共に、このガスを
電極１３内のヒータにて加熱されたガラス基板１上へ成
膜させて厚さ５００〜１００００オングストロームのア
モルファスシリコン層を形成する。尚、このプラズマＣ
ＶＤは２００〜３００℃程度の条件で行われる。この様
にしてアモルファスシリコン層が形成されたガラス基板
１をほぼ５８０℃に設定された加熱炉の中で１時間放置
することによりアモルファスシリコン層が結晶化して多
結晶シリコン薄膜３となる。

【００３４】このとき、チタン酸ストロンチウムとシリ
コンとは格子整合が可能で上記チタン酸ストロンチウム
の多結晶膜２の作用によりアモルファスシリコンの結晶
成長が助長されるため、上述したような低温、短時間の
条件で薄膜かつ結晶粒径が大きくしかも結晶の連続性に
優れた多結晶シリコン薄膜の形成が可能となる。

【００３５】尚、この固相成長法に限らず、例えばＭＢ
Ｅ法を用いても低温プロセスで通常のガラス基板上への
多結晶シリコン薄膜の形成は可能である。また、上記チ
タン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３　）の多結晶膜２
が一定の方位へ優先配向している場合にはヘテロエピタ
キシャル成長させた多結晶シリコンも同じ配向を持ち、
そのため電気的特性の向上を図ることができ、かつ、Ｓ
ｒＴｉＯ３　は１０１５Ω・ｃｍ以上の高い絶縁性を示
すため、この多結晶シリコン薄膜を電子素子に応用する
場合に妨げとなることがない。

【００３６】［実施例２］この実施例は請求項３に係る
発明を適用したものである。

【００３７】まず、図７に示すようにガラス基板１上に
マスク８０を設置しこの状態で実施例１と同一の条件で
真空蒸着法により厚さ５０〜１０００オングストローム
のチタン酸ストロンチウムの多結晶膜を成膜し、かつ、
上記マスク８０をガラス基板１から取除いてガラス基板
１の特定領域に帯状のチタン酸ストロンチウム多結晶膜
２を形成する（図８参照）。

【００３８】次に、このチタン酸ストロンチウム多結晶
膜２が形成されたガラス基板１の全面に実施例１と同一
の条件でシランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により厚
さ５００〜１００００オングストロームのアモルファス
シリコン層３０を成膜する（図９参照）。

【００３９】そして、このアモルファスシリコン層３０
が形成されたガラス基板１をほぼ５８０℃に設定された
加熱炉の中で１時間放置することにより上記アモルファ
スシリコン層３０を結晶化させて図１０に示すように多
結晶シリコン薄膜３を形成した。

【００４０】このとき、チタン酸ストロンチウムとシリ
コンとは格子整合が可能で上記チタン酸ストロンチウム
の多結晶膜２の作用によりその部位のアモルファスシリ
コン層３０の結晶成長が助長されるため、上述したよう
な低温、短時間の条件で薄膜かつ結晶粒径が大きくしか
も結晶の連続性に優れた結晶領域３１と非結晶領域３２
を有する多結晶シリコン薄膜３の形成が可能となる。

【００４１】尚、この多結晶シリコン薄膜３においては
その結晶領域３１と非結晶領域３２とで電子移動度等の
電気的特性が相違するため、同一基板上に特性が相違す
る薄膜トランジスタを形成するような場合に適用するこ
とができる。例えば、アクティブマトリックス型液晶デ
ィスプレイにおいてその液晶ディスプレイのスイッチン
グ素子用トランジスタとドライブ回路用トランジスタと
を同一のガラス基板上に形成するような場合、上記ドラ
イブ回路用トランジスタを多結晶シリコン薄膜３の結晶
領域３１で形成し他方のスイッチング素子用トランジス
タを非結晶領域３２で形成することにより特性の優れた
アクティブマトリックス型液晶ディスプレイを簡単に求
めることが可能となる。

【００４２】［実施例３］この実施例は請求項４に係る
発明が適用されており実施例１により求められた多結晶
シリコン薄膜３を用いて薄膜トランジスタを構成したも
のである。

【００４３】すなわち、この実施例に係る薄膜トランジ
スタは、図１１に示すようにガラス基板１と、このガラ
ス基板１上に一様に成膜されたチタン酸ストロンチウム
の多結晶膜２と、この多結晶膜２上にヘテロエピタキシ
ャル成長させて形成され適宜形状にパターニングされた
活性層を構成する多結晶シリコン薄膜３と、この多結晶
シリコン薄膜３の両端側にそれぞれ形成されたソース電
極５並びにドレイン電極６と、上記多結晶シリコン薄膜
３上にスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等にて形成
されたＳｉＯ２　膜あるいはＳｉＮｘ　膜のような厚さ
１０００〜２０００オングストロームのゲート絶縁膜４
と、このゲート絶縁膜４上に形成されたゲート電極７と
でその主要部が構成されているものである。

【００４４】尚、ＳｉＯ２　膜あるいはＳｉＮｘ　膜の
形成は、スパッタリング法によれば１５０℃程度、プラ
ズマＣＶＤ法によれば３００〜３５０℃程度で形成でき
る。

【００４５】そしてこの薄膜トランジスタにおいてその
活性層が薄膜でかつ結晶粒径が大きくしかも結晶の連続
性に優れた多結晶シリコン薄膜３により構成されている
ため、電子移動度の向上並びに漏れ電流（ＯＦＦ電流）
の低減が図れその電気的特性を飛躍的に改善できる利点
を有している。

【００４６】

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、多結晶シ
リコン薄膜における結晶の大粒径化と結晶の連続性とを
図ることが可能になるため電子移動度等の電気的特性の
向上が図れる効果を有している。

【００４７】また、請求項２に係る発明によれば、チタ
ン酸ストロンチウム多結晶膜の作用によりシリコンの結
晶成長が助長され、薄膜でかつ結晶粒径が大きくしかも
結晶の連続性に優れた多結晶シリコン薄膜を低温、短時
間の条件で形成できるため、電子移動度等の電気的特性
に優れた多結晶シリコン薄膜を簡便に提供できる効果を
有しており、他方、請求項３に係る発明によれば、非晶
質基板上の選択された領域に形成されたチタン酸ストロ
ンチウム多結晶膜の作用によりその部位のシリコンの結
晶成長が選択的に助長され、薄膜でかつ結晶粒径が大き
くしかも結晶の連続性に優れた結晶領域と非結晶領域と
を有する多結晶シリコン薄膜を低温、短時間の条件で形
成できるため、部分的にその電子移動度等の電気的特性
が相違する多結晶シリコン薄膜を簡便に提供できる効果
を有している。

【００４８】また、請求項４に係る発明によれば、その
活性層が薄膜でかつ結晶粒径が大きくしかも結晶の連続
性に優れた多結晶シリコン薄膜により構成されているた
め、電子移動度の向上並びに漏れ電流の低減が図れその
電気的特性を飛躍的に改善できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る多結晶シリコン薄膜の断面図。

【図２】（Ａ）と（Ｂ）は実施例１に係る多結晶シリコ
ン薄膜の形成工程図。

【図３】実施例１において適用した真空蒸着装置の構成
説明図。

【図４】実施例１において適用したプラズマＣＶＤ装置
の構成説明図。

【図５】（Ａ）はチタン酸ストロンチウムの結晶格子を
示すモデル図、（Ｂ）はその結晶格子の（１００）面を
真上からみた平面図。

【図６】（Ａ）はチタン酸ストロンチウムの結晶格子を
示すモデル図、（Ｂ）はその結晶格子の（１１０）面を
真上からみた平面図。

【図７】実施例２に係る多結晶シリコン薄膜の形成工程
図。

【図８】実施例２に係る多結晶シリコン薄膜の形成工程
図。

【図９】実施例２に係る多結晶シリコン薄膜の形成工程
図。

【図１０】実施例２に係る多結晶シリコン薄膜の形成工
程図。

【図１１】実施例３に係る薄膜トランジスタの構成説明
図。

【図１２】従来法により形成された多結晶シリコン薄膜
の断面図。

【符号の説明】

１　　　　ガラス基板 ２　　　　ＳｒＴｉＯ３　多結晶膜 ３　　　　多結晶シリコン薄膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　非晶質基板上に成膜される多結晶シリ
   コン薄膜において、上記非晶質基板との間にチタン酸ス
   トロンチウムの多結晶膜を備えこの多結晶膜に対しヘテ
   ロエピタキシャル成長させて形成された多結晶シリコン
   により多結晶シリコン薄膜が構成されていることを特徴
   とする多結晶シリコン薄膜。
2. 【請求項２】　　請求項１記載の多結晶シリコン薄膜の
   製造方法において、非晶質基板上にチタン酸ストロンチ
   ウムの多結晶膜を一様に成膜し、かつ、この多結晶膜上
   にシリコンをヘテロエピタキシャル成長させて多結晶シ
   リコン薄膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン
   薄膜の製造方法。
3. 【請求項３】　　請求項１記載の多結晶シリコン薄膜の
   製造方法において、非晶質基板上の選択された領域にチ
   タン酸ストロンチウムの多結晶膜を成膜し、かつ、この
   多結晶膜が形成された非晶質基板上へシリコンを成膜す
   ると共に、上記多結晶膜上のシリコンをヘテロエピタキ
   シャル成長させて多結晶シリコン薄膜にすることを特徴
   とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。
4. 【請求項４】　　その活性層が多結晶シリコン薄膜にて
   構成される薄膜トランジスタにおいて、非晶質基板と、
   この非晶質基板上に成膜されたチタン酸ストロンチウム
   の多結晶膜と、この多結晶膜上にヘテロエピタキシャル
   成長させて形成した多結晶シリコン薄膜と、この多結晶
   シリコン薄膜に形成されたソース電極・ドレイン電極と
   、絶縁膜を介し上記多結晶シリコン薄膜に対向して設け
   られたゲート電極、とを備えることを特徴といる薄膜ト
   ランジスタ。