JPH043494A - 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 - Google Patents
多層セラミック基板のバイヤ形成方法Info
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- JPH043494A JPH043494A JP10431790A JP10431790A JPH043494A JP H043494 A JPH043494 A JP H043494A JP 10431790 A JP10431790 A JP 10431790A JP 10431790 A JP10431790 A JP 10431790A JP H043494 A JPH043494 A JP H043494A
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層セラミック基板のバイヤ形成方法に係り、
特にバイヤ孔に導体を充填することにより各層間の電気
的接続を行うバイヤを形成する多層セラミック基板のバ
イヤ形成方法に関する。
特にバイヤ孔に導体を充填することにより各層間の電気
的接続を行うバイヤを形成する多層セラミック基板のバ
イヤ形成方法に関する。
一般に、半導体素子を搭載する回路基板としてセラミッ
ク基板か広く用いられている。セラミ・ツク基板は耐熱
性、放熱性、電気特性1機械的強度等の面て良好な特性
を有している。このセラミ・ツク基板はグリーンシート
を焼成することにより製造される。
ク基板か広く用いられている。セラミ・ツク基板は耐熱
性、放熱性、電気特性1機械的強度等の面て良好な特性
を有している。このセラミ・ツク基板はグリーンシート
を焼成することにより製造される。
また昨今では、半導体素子の高集積化か急速に行われて
おり、これに対応するため導体ノくターンか形成された
薄いセラミック板を多層形成することにより導体パター
ンの高密度化を図った多層セラミック基板が提供されて
いる。この多層セラミック基板では多層された各セラミ
ック板間の電気的導通を図るためバイヤが形成されてい
る。このバイヤは、セラミック板に形成されたバイヤ孔
(セラミック板を上下に貫通する小径孔)に導体を充填
した構造を有し、各セラミック板間の電気的導通を図る
機能を奏する。よって、バイヤが適正に形成されないと
、各層間の電気的導通が図れなくなりセラミック基板と
して機能しなくなってしまう。
おり、これに対応するため導体ノくターンか形成された
薄いセラミック板を多層形成することにより導体パター
ンの高密度化を図った多層セラミック基板が提供されて
いる。この多層セラミック基板では多層された各セラミ
ック板間の電気的導通を図るためバイヤが形成されてい
る。このバイヤは、セラミック板に形成されたバイヤ孔
(セラミック板を上下に貫通する小径孔)に導体を充填
した構造を有し、各セラミック板間の電気的導通を図る
機能を奏する。よって、バイヤが適正に形成されないと
、各層間の電気的導通が図れなくなりセラミック基板と
して機能しなくなってしまう。
そこで、高い信頼性を有するバイヤを形成し得るバイヤ
形成方法が望まれている。
形成方法が望まれている。
第3図に従来におけるバイヤ(VIA)の形成方法を示
す。
す。
従来バイヤを形成するには、先ず同図(A)に示すよう
にグリーンシートlにマスクフィルム2を配設し、続い
てこの上部よりパンチングによりグリーンシートl及び
マスクフィルム2を共に穿孔し、同図(B)に示すよう
にバイヤ孔3を形成する。
にグリーンシートlにマスクフィルム2を配設し、続い
てこの上部よりパンチングによりグリーンシートl及び
マスクフィルム2を共に穿孔し、同図(B)に示すよう
にバイヤ孔3を形成する。
バイヤ孔3が形成されると、同図(C)に示すようにゴ
ムスキージ7を用いてバイヤ孔3に導体4を充填する。
ムスキージ7を用いてバイヤ孔3に導体4を充填する。
従来ては、この導体4として銅粉と有機バインダとを混
合させた銅ペーストを用いていた。
合させた銅ペーストを用いていた。
上記のようにバイヤ孔3に導体4が充填されると、同図
(D)に示すようにグリーンシート1のマスクフィルム
2の配設面と異なる面にバイヤ孔3を塞ぐようにランド
5か形成され、続いて同図(E)に示すようにマスクフ
ィルム2をグリーンシートlから剥離させる。
(D)に示すようにグリーンシート1のマスクフィルム
2の配設面と異なる面にバイヤ孔3を塞ぐようにランド
5か形成され、続いて同図(E)に示すようにマスクフ
ィルム2をグリーンシートlから剥離させる。
上記のようにバイヤ孔3に導体4か充填されたグリーン
シート1は同図(F)に示されるように積層された上で
焼成処理され、多層セラミック基板が形成されていた。
シート1は同図(F)に示されるように積層された上で
焼成処理され、多層セラミック基板が形成されていた。
しかるに上記従来のバイヤ形成方法では、導体4として
銅粉と有機バインダとを混合させた銅ペーストを用いて
いたため、焼成時に有機バインダかガス化してこれがガ
ス状の残渣としてバイヤ孔3内に残ってしまう。このガ
ス状残渣によりバイヤ孔3に充填された導体4に空隙8
が発生し、導体4か断線したり抵抗値が増大してしまい
、バイヤの電気的接続性が低下してしまうという問題点
があった。
銅粉と有機バインダとを混合させた銅ペーストを用いて
いたため、焼成時に有機バインダかガス化してこれがガ
ス状の残渣としてバイヤ孔3内に残ってしまう。このガ
ス状残渣によりバイヤ孔3に充填された導体4に空隙8
が発生し、導体4か断線したり抵抗値が増大してしまい
、バイヤの電気的接続性が低下してしまうという問題点
があった。
そこで、ガス状残渣の原因となる有機バインダを取り除
き、導体4として銅粉のみをバイヤ孔3に充填する方法
が考えられる。この構成とした場合、焼成処理時にバイ
ヤ孔3内にガス状残渣か残ることはなくなり、バイヤの
電気的接続性を向上させることかできる。
き、導体4として銅粉のみをバイヤ孔3に充填する方法
が考えられる。この構成とした場合、焼成処理時にバイ
ヤ孔3内にガス状残渣か残ることはなくなり、バイヤの
電気的接続性を向上させることかできる。
上記のように、銅粉のみから構成される導体4を用いる
ことにより、銅ペーストを用いる場合に比べてガス状残
渣の発生を防止することかできる。
ことにより、銅ペーストを用いる場合に比べてガス状残
渣の発生を防止することかできる。
しかるに、グリーンシートlにも有機バインダが含まれ
ており、このグリーンシート1内の有機バインダも焼成
時にガス化する。このガス化した有機バインダがバイヤ
孔3内に侵入した場合、導体4に有機バインダか含有さ
れていなくてもグリーンシート1内に含まれる有機バイ
ンダに起因してバイヤ孔3内にガス状残渣が発生してし
まい、バイヤ電気的接続性が低下してしまうという課題
があった。
ており、このグリーンシート1内の有機バインダも焼成
時にガス化する。このガス化した有機バインダがバイヤ
孔3内に侵入した場合、導体4に有機バインダか含有さ
れていなくてもグリーンシート1内に含まれる有機バイ
ンダに起因してバイヤ孔3内にガス状残渣が発生してし
まい、バイヤ電気的接続性が低下してしまうという課題
があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、バイヤ
の電気的接続性を向上しうる多層セラミック基板のバイ
ヤ形成方法を提供することを目的とする。
の電気的接続性を向上しうる多層セラミック基板のバイ
ヤ形成方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明では、グリーンシー
ト(1)に孔空は加工を行いバイヤ孔(3)を形成した
後、このバイヤ孔(3)に導体(4)を充填し、続いて
上記グリーンシート(1)を複数枚積層して焼成するこ
とにより上記導体(4)をも焼成し各層間における電気
的接続を行うバイヤ(9)を形成する多層セラミック基
板のバイヤ形成方法において、 上記導体(4)として酸化銅を添加してなる銅粉を用い
たことを特徴とするものである。
ト(1)に孔空は加工を行いバイヤ孔(3)を形成した
後、このバイヤ孔(3)に導体(4)を充填し、続いて
上記グリーンシート(1)を複数枚積層して焼成するこ
とにより上記導体(4)をも焼成し各層間における電気
的接続を行うバイヤ(9)を形成する多層セラミック基
板のバイヤ形成方法において、 上記導体(4)として酸化銅を添加してなる銅粉を用い
たことを特徴とするものである。
上記のバイヤ形成方法によれば、導体4として酸化銅を
含有してなる銅粉を用いているため、グリーンシート1
に含有される有機バインダか焼成時に気化したガスは、
酸化銅により酸化分解され円滑にバイヤ孔から抜けてい
く。よって、焼成時にグリーンシートlから発生したガ
スによりバイヤ孔3内にガス状残清か発生することはな
く、バイヤ9の電気的導通性を向上させることかできる
。
含有してなる銅粉を用いているため、グリーンシート1
に含有される有機バインダか焼成時に気化したガスは、
酸化銅により酸化分解され円滑にバイヤ孔から抜けてい
く。よって、焼成時にグリーンシートlから発生したガ
スによりバイヤ孔3内にガス状残清か発生することはな
く、バイヤ9の電気的導通性を向上させることかできる
。
次に本発明方法の一実施例について図面と共に説明する
。第1図は本発明の一実施例である多層セラミック基板
のバイヤ形成方法を示す工程図である。尚、同図(A)
、(B)、(E)〜(G)に示す工程は従来におけるバ
イヤの形成方法と全く同一である。このため、各図に示
される工程は簡単に説明する。
。第1図は本発明の一実施例である多層セラミック基板
のバイヤ形成方法を示す工程図である。尚、同図(A)
、(B)、(E)〜(G)に示す工程は従来におけるバ
イヤの形成方法と全く同一である。このため、各図に示
される工程は簡単に説明する。
バイヤを形成するには、先ずグリーンシート1にマスク
フィルム2を配設しく同図(A)に示す)、続いてこの
上部よりパンチングによりグリーンシート1及びマスク
フィルム2を共に穿孔してバイヤ孔3を形成する(同図
(B)に示す)。
フィルム2を配設しく同図(A)に示す)、続いてこの
上部よりパンチングによりグリーンシート1及びマスク
フィルム2を共に穿孔してバイヤ孔3を形成する(同図
(B)に示す)。
この、グリーンシートlはガラス粉とアルミナ粉を混合
したものに有機バインダを含有させたものであり、また
バイヤ孔3の径寸法は50〜200μm程度とされてい
る。
したものに有機バインダを含有させたものであり、また
バイヤ孔3の径寸法は50〜200μm程度とされてい
る。
バイヤ孔3が形成された後に行われる、同図(C)、(
D)に示される工程は本発明方法の特徴となる工程であ
る。各図に示される工程はバイヤ孔3に導体4を充填す
る工程である。
D)に示される工程は本発明方法の特徴となる工程であ
る。各図に示される工程はバイヤ孔3に導体4を充填す
る工程である。
本発明では、バイヤ孔3に充填する導体4として、有機
バインダを用いず銅粉に酸化銅を添加させたものを用い
たことを特徴とする。この銅粉の粒径は特定の流動分布
を有するように、例えば平均1.1μm程度に選定され
ている。また、酸化銅の充填量は10〜20wt%に選
定されている。更に、上記構成とされた導体4をバイヤ
孔3に充填する際、合わせてアルミナ粉も充填される。
バインダを用いず銅粉に酸化銅を添加させたものを用い
たことを特徴とする。この銅粉の粒径は特定の流動分布
を有するように、例えば平均1.1μm程度に選定され
ている。また、酸化銅の充填量は10〜20wt%に選
定されている。更に、上記構成とされた導体4をバイヤ
孔3に充填する際、合わせてアルミナ粉も充填される。
このアルミナ粉はその粒径を0.3〜3μmに選定され
ており、またその充填量は5〜10vo1%とされてい
る。
ており、またその充填量は5〜10vo1%とされてい
る。
上記酸化銅は後に行われる焼成工程において還元材とし
て機能するものであり、グリーンシート1に含有される
有機バインダが気化したガスを分解する。また、アルミ
ナ粉は異常粒成長を抑制するために充填される。尚、こ
れについては後に詳述する。
て機能するものであり、グリーンシート1に含有される
有機バインダが気化したガスを分解する。また、アルミ
ナ粉は異常粒成長を抑制するために充填される。尚、こ
れについては後に詳述する。
この銅粉及び酸化銅から構成される導体4をバイヤ孔3
に充填する方法は、従来と変わるところはなく、同図(
C)に示すように、グリーンシートlの背面側に負圧を
かけつつ上記混合導体4をゴムスキージ7にて充填する
。
に充填する方法は、従来と変わるところはなく、同図(
C)に示すように、グリーンシートlの背面側に負圧を
かけつつ上記混合導体4をゴムスキージ7にて充填する
。
導体4か充填されると、続いて同図(D)に示されるよ
うに、グリーンシートlのマスクフィルム2の配設面と
異なる面にバイヤ孔3を塞ぐように保護フィルム10が
配設される。この保護フィルム10は、バイヤ孔3に充
填された導体4の飛散を防止すると共に、後述する導体
パターンが形成される面を保護する機能を奏するもので
ある。
うに、グリーンシートlのマスクフィルム2の配設面と
異なる面にバイヤ孔3を塞ぐように保護フィルム10が
配設される。この保護フィルム10は、バイヤ孔3に充
填された導体4の飛散を防止すると共に、後述する導体
パターンが形成される面を保護する機能を奏するもので
ある。
保護膜10が配設されると、続いて導体4の上部に銅ペ
ースト4aか充填される。この銅ペース)4aはマスク
フィルム2の厚さ(約38μm)の約半分の厚さで充填
される。この銅ペースト4aは、銅粉の充填と同様にゴ
ムスキージ7を用いて行われる。このように形成される
銅ペースト4aは、充填された導体4か飛散するのを防
止する機能を奏すると共に、導体4の充填時にバイヤ孔
3の上部に空隙か形成されたような場合に、この空隙を
埋める作用を奏する。よって、銅ペースト4aを充填す
ることにより、バイヤ孔3に対する導体4の充填密度を
向上させることかでき、形成されるバイヤ9の電気的接
続性の向上を図ることがてきる。
ースト4aか充填される。この銅ペース)4aはマスク
フィルム2の厚さ(約38μm)の約半分の厚さで充填
される。この銅ペースト4aは、銅粉の充填と同様にゴ
ムスキージ7を用いて行われる。このように形成される
銅ペースト4aは、充填された導体4か飛散するのを防
止する機能を奏すると共に、導体4の充填時にバイヤ孔
3の上部に空隙か形成されたような場合に、この空隙を
埋める作用を奏する。よって、銅ペースト4aを充填す
ることにより、バイヤ孔3に対する導体4の充填密度を
向上させることかでき、形成されるバイヤ9の電気的接
続性の向上を図ることがてきる。
上記のように導体4(銅粉及び酸化銅からなる)がバイ
ヤ孔3に充填されると、保護フィルム10は剥がされ、
この保護フィルム10が剥離された面に銅パターン11
がスクリーン印刷されると共に、バイヤ9の下端部にラ
ンド5が形成される(同図(E)に示す)。続いて、こ
のように形成されたセラミック板12は同図 (F)に
示されるようにマスクフィルム2が剥がされた上で、同
図(G)に示されるように複数枚積層され焼成処理が行
われる。
ヤ孔3に充填されると、保護フィルム10は剥がされ、
この保護フィルム10が剥離された面に銅パターン11
がスクリーン印刷されると共に、バイヤ9の下端部にラ
ンド5が形成される(同図(E)に示す)。続いて、こ
のように形成されたセラミック板12は同図 (F)に
示されるようにマスクフィルム2が剥がされた上で、同
図(G)に示されるように複数枚積層され焼成処理が行
われる。
焼成処理の際、上記のように導体4は銅粉及び酸化銅か
ら構成されているため導体からガスか発生するようなこ
とはないが、グリーンシート1には有機バインダか含有
されているため、グリーンシートlから有機バインダの
気化によるガス(以下、バインダガスという)か発生す
る。このバインダガスかバイヤ孔3に侵入した場合、バ
イヤ孔3内に充填された導体4に空泡(以下、ボアとい
う)か発生する虞がある。
ら構成されているため導体からガスか発生するようなこ
とはないが、グリーンシート1には有機バインダか含有
されているため、グリーンシートlから有機バインダの
気化によるガス(以下、バインダガスという)か発生す
る。このバインダガスかバイヤ孔3に侵入した場合、バ
イヤ孔3内に充填された導体4に空泡(以下、ボアとい
う)か発生する虞がある。
しかるに、導体4には銅粉に加えて酸化銅か添加されて
いるため、焼成による高温雰囲気下においてバイヤガス
は還元剤として機能する酸化銅により酸化分解され円滑
にバイヤ孔3から抜けていく。このため、バインダガス
により導体4内にボアが発生することはなくなり、バイ
ンダガスかバイヤ孔3内にガス状残渣として残留する事
はなく、導体4の充填密度は向上する。これにより、バ
イヤ9の断線、抵抗値の増大を防止でき、バイヤ9の電
気的接続性を向上することができ、ひいては多層セラミ
ック基板13の信頼性を向上させることができる。
いるため、焼成による高温雰囲気下においてバイヤガス
は還元剤として機能する酸化銅により酸化分解され円滑
にバイヤ孔3から抜けていく。このため、バインダガス
により導体4内にボアが発生することはなくなり、バイ
ンダガスかバイヤ孔3内にガス状残渣として残留する事
はなく、導体4の充填密度は向上する。これにより、バ
イヤ9の断線、抵抗値の増大を防止でき、バイヤ9の電
気的接続性を向上することができ、ひいては多層セラミ
ック基板13の信頼性を向上させることができる。
第2図は本発明者が実験により求めた酸化銅の添加量と
バイヤ孔内に発生するボアの最大ボア径との関係を示し
ている。同図に示されるように、酸化銅の含有量を増大
させるほど最大ボア径は小さくなっており、10wt%
以上では発生する最大ボア径はほぼ同じ値となっている
。また、酸化銅の添加量が20wt%以上となると酸化
銅が充分に還元されず酸化銅がバイヤ孔3内に残留して
しまう。
バイヤ孔内に発生するボアの最大ボア径との関係を示し
ている。同図に示されるように、酸化銅の含有量を増大
させるほど最大ボア径は小さくなっており、10wt%
以上では発生する最大ボア径はほぼ同じ値となっている
。また、酸化銅の添加量が20wt%以上となると酸化
銅が充分に還元されず酸化銅がバイヤ孔3内に残留して
しまう。
酸化銅は銅に比べて導電性が不良であるため、酸化銅か
多く残留するとバイヤ9の抵抗値が増大してしまう。よ
って、以上の点より酸化銅の添加量は10〜20wt%
に設定すると良い。
多く残留するとバイヤ9の抵抗値が増大してしまう。よ
って、以上の点より酸化銅の添加量は10〜20wt%
に設定すると良い。
一方、上記したように導体4をバイヤ孔3に充填する際
、導体4に合わせてアルミナ粉を充填するが、これは次
の理由による。即ち、グリーンシート1及び導体4は共
に焼成時に焼結されるか、この際グリーンシート1の焼
結温度が約1008°Cであるのに対して、導体4(銅
)の焼結温度は約400〜600℃であり、両者の焼結
温度に大きな差を有している。このため、グリーンシー
ト1を充分に焼結させると、導体4は所謂焼き過ぎの状
態となる。導体4は、上記のように微細な粉体てあり、
焼結過多になると銅粉等か凝集して異常粒成長か発生す
る。この異常粒成長か発生すると、バイヤ孔3内にボア
が発生してしまい、バイヤ9の電気的接続性が低下して
しまう。
、導体4に合わせてアルミナ粉を充填するが、これは次
の理由による。即ち、グリーンシート1及び導体4は共
に焼成時に焼結されるか、この際グリーンシート1の焼
結温度が約1008°Cであるのに対して、導体4(銅
)の焼結温度は約400〜600℃であり、両者の焼結
温度に大きな差を有している。このため、グリーンシー
ト1を充分に焼結させると、導体4は所謂焼き過ぎの状
態となる。導体4は、上記のように微細な粉体てあり、
焼結過多になると銅粉等か凝集して異常粒成長か発生す
る。この異常粒成長か発生すると、バイヤ孔3内にボア
が発生してしまい、バイヤ9の電気的接続性が低下して
しまう。
しかるに、導体4と共に融点の高いアルミナ粉をバイヤ
孔3内に充填することにより、銅粉等の凝集が抑制され
、また銅粉が焼結する温度か上昇するため異常粒成長の
発生を防止することができる。これにより、ボアの発生
を抑制てきバイヤ9の電気的接続性を向上させることが
できる。
孔3内に充填することにより、銅粉等の凝集が抑制され
、また銅粉が焼結する温度か上昇するため異常粒成長の
発生を防止することができる。これにより、ボアの発生
を抑制てきバイヤ9の電気的接続性を向上させることが
できる。
尚、上記した実施例では、導体4として銅粉に酸化銅を
添加した例を示したが、酸化銅に代えて他の還元性をゆ
うする導電性金属酸化物を用いることも可能である。し
かるに、周知のようにバイヤに充填する導体としては、
銅が最も優れた特性を有しており、還元後はこの銅とな
る酸化銅が銅粉に添加する物質としては最も適している
と考えられる。
添加した例を示したが、酸化銅に代えて他の還元性をゆ
うする導電性金属酸化物を用いることも可能である。し
かるに、周知のようにバイヤに充填する導体としては、
銅が最も優れた特性を有しており、還元後はこの銅とな
る酸化銅が銅粉に添加する物質としては最も適している
と考えられる。
上述の如く、本発明によれば、グリーンシートから発生
するバインダガスは酸化銅により酸化分解されバイヤ孔
内にガス状残渣か発生することかなくなるため、バイヤ
孔内における導体の充填密度を向上させることができ、
バイヤの断線、抵抗値の増加を確実に防止することかて
き、ひいては多層セラミック基板の信頼性を向上させる
ことができる等の特長を有する。
するバインダガスは酸化銅により酸化分解されバイヤ孔
内にガス状残渣か発生することかなくなるため、バイヤ
孔内における導体の充填密度を向上させることができ、
バイヤの断線、抵抗値の増加を確実に防止することかて
き、ひいては多層セラミック基板の信頼性を向上させる
ことができる等の特長を有する。
図において、
lはグリーンシート、
2はバイヤ孔、
4は導体、
9はバイヤ、
IOは保護フィルム、
12はセラミック板、
13は多層セラミック基板
を示す。
第1図は本発明の一実施例である多層セラミック基板の
バイヤ形成方法を工程順に示す工程図、第2図は酸化銅
の添加量と最大ボア径の関係を示す図、 第3図は従来における多層セラミック基板のバイヤ形成
方法の一例を説明するための工程図である。
バイヤ形成方法を工程順に示す工程図、第2図は酸化銅
の添加量と最大ボア径の関係を示す図、 第3図は従来における多層セラミック基板のバイヤ形成
方法の一例を説明するための工程図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 グリーンシート(1)に孔空け加工を行いバイヤ孔(
3)を形成した後、該バイヤ孔(3)に導体(4)を充
填し、続いて該グリーンシート(1)を複数枚積層して
焼成することにより該導体(4)をも焼成し各層間にお
ける電気的接続を行うバイヤ(9)を形成する多層セラ
ミック基板のバイヤ形成方法において、 該導体(4)として酸化銅を添加してなる銅粉を用いる
ことを特徴とする多層セラミック基板のバイヤ形成方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10431790A JPH043494A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10431790A JPH043494A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH043494A true JPH043494A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14377562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10431790A Pending JPH043494A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH043494A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010274424A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Kyocera Corp | セラミックグリーンシートおよびセラミック多層基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10431790A patent/JPH043494A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010274424A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Kyocera Corp | セラミックグリーンシートおよびセラミック多層基板の製造方法 |
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