JPH04346508A - 差動増幅器及びそれを用いたアクティブフィルター - Google Patents
差動増幅器及びそれを用いたアクティブフィルターInfo
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- JPH04346508A JPH04346508A JP3120046A JP12004691A JPH04346508A JP H04346508 A JPH04346508 A JP H04346508A JP 3120046 A JP3120046 A JP 3120046A JP 12004691 A JP12004691 A JP 12004691A JP H04346508 A JPH04346508 A JP H04346508A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 101100112673 Rattus norvegicus Ccnd2 gene Proteins 0.000 claims abstract description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 2
- 101000582320 Homo sapiens Neurogenic differentiation factor 6 Proteins 0.000 description 1
- 102100030589 Neurogenic differentiation factor 6 Human genes 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
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- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
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- Networks Using Active Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は差動増幅器及びそれを用
いたアクティブフィルターに関する。近年の半導体集積
回路では、音声品質を向上させるため、アクティブフィ
ルターを内蔵することが多い。しかし、今までのアクテ
ィブフィルターでは容量、抵抗等を外付けしたディスク
リート構成としなければならず、システムでの部品点数
が多くなる。
いたアクティブフィルターに関する。近年の半導体集積
回路では、音声品質を向上させるため、アクティブフィ
ルターを内蔵することが多い。しかし、今までのアクテ
ィブフィルターでは容量、抵抗等を外付けしたディスク
リート構成としなければならず、システムでの部品点数
が多くなる。
【0002】そのため、アクティブフィルターを集積化
し、内蔵させる必要がある。
し、内蔵させる必要がある。
【0003】
【従来の技術】従来の3次RCフィルターを図7に示す
。抵抗R1,R2,R3は直列に接続され、抵抗R3は
演算増幅器2の非反転入力端子21に接続されている。 抵抗R1,R2間の節点aと電源GNDとの間、演算増
幅器2の非反転入力端子21と電源GNDとの間にはコ
ンデンサC1,C2が設けられるとともに、演算増幅器
2の反転入力端子22はその出力端子23に接続され、
出力信号Voが負帰還されている。又、演算増幅器2の
出力端子23と抵抗R2,R3間の節点bとの間にはコ
ンデンサC3が設けられ、このコンデンサC3及び抵抗
R3を介して出力信号Voが正帰還されている。抵抗R
2,R3、コンデンサC2,C3及び演算増幅器2にて
基本形の2次RCフィルターが構成され、この2次RC
フィルターに抵抗R1及びコンデンサC1を接続するこ
とによって3次RCフィルターが構成されている。 そして、この3次RCフィルターは抵抗R1を介して入
力されるアナログ入力信号Vinにおける低域周波数成
分を出力信号Vout として通過させるようになって
いる。
。抵抗R1,R2,R3は直列に接続され、抵抗R3は
演算増幅器2の非反転入力端子21に接続されている。 抵抗R1,R2間の節点aと電源GNDとの間、演算増
幅器2の非反転入力端子21と電源GNDとの間にはコ
ンデンサC1,C2が設けられるとともに、演算増幅器
2の反転入力端子22はその出力端子23に接続され、
出力信号Voが負帰還されている。又、演算増幅器2の
出力端子23と抵抗R2,R3間の節点bとの間にはコ
ンデンサC3が設けられ、このコンデンサC3及び抵抗
R3を介して出力信号Voが正帰還されている。抵抗R
2,R3、コンデンサC2,C3及び演算増幅器2にて
基本形の2次RCフィルターが構成され、この2次RC
フィルターに抵抗R1及びコンデンサC1を接続するこ
とによって3次RCフィルターが構成されている。 そして、この3次RCフィルターは抵抗R1を介して入
力されるアナログ入力信号Vinにおける低域周波数成
分を出力信号Vout として通過させるようになって
いる。
【0004】ところが、図7に示す3次RCフィルター
では抵抗R1〜R3及びコンデンサC1〜C3が外付け
のディスクリート構成であるため、システムの部品点数
が多くなり、かつ、大型化するという問題点があった。 上記問題を解決するため、従来、前記各抵抗R1〜R3
を図5(a)に示すように増幅器30に置き換えたアク
ティブフィルター、いわゆるバイカッドフィルターが提
案されており、このバイカッドフィルターでは各増幅器
を演算増幅器2と共に半導体装置上に集積化することに
より部品点数を削減し、システムの大型化を防止するよ
うにしている。
では抵抗R1〜R3及びコンデンサC1〜C3が外付け
のディスクリート構成であるため、システムの部品点数
が多くなり、かつ、大型化するという問題点があった。 上記問題を解決するため、従来、前記各抵抗R1〜R3
を図5(a)に示すように増幅器30に置き換えたアク
ティブフィルター、いわゆるバイカッドフィルターが提
案されており、このバイカッドフィルターでは各増幅器
を演算増幅器2と共に半導体装置上に集積化することに
より部品点数を削減し、システムの大型化を防止するよ
うにしている。
【0005】図5(a)に示す増幅器30を図6に従っ
て説明すると、バイアス回路を構成する第1のカレント
ミラー回路3は各コレクタ端子が電源VCCに接続され
た一対のnpnトランジスタTr3,Tr4とで構成さ
れ、各トランジスタTr3,Tr4のベース端子には共
通の電源V1が印加されている。第1の差動回路4は第
1のカレントミラー回路3の各トランジスタTr3,T
r4のエミッタ端子にコレクタ端子が接続されるととも
に、各エミッタ端子がそれぞれ抵抗RE1,RE2を介
して結合された一対のnpnトランジスタTr5,Tr
6で構成され、第1の差動回路4は第1の定電流源I1
を介して電源GNDに接続されている。npnトランジ
スタTr5のベース端子には前記アナログ入力信号Vi
n又は他の増幅器30の出力信号Voが入力信号Vin
1として入力され、npnトランジスタTr6のベース
端子には当該増幅器30の出力信号Voが入力されてお
り、差動増幅した相補信号を出力するようになっている
。
て説明すると、バイアス回路を構成する第1のカレント
ミラー回路3は各コレクタ端子が電源VCCに接続され
た一対のnpnトランジスタTr3,Tr4とで構成さ
れ、各トランジスタTr3,Tr4のベース端子には共
通の電源V1が印加されている。第1の差動回路4は第
1のカレントミラー回路3の各トランジスタTr3,T
r4のエミッタ端子にコレクタ端子が接続されるととも
に、各エミッタ端子がそれぞれ抵抗RE1,RE2を介
して結合された一対のnpnトランジスタTr5,Tr
6で構成され、第1の差動回路4は第1の定電流源I1
を介して電源GNDに接続されている。npnトランジ
スタTr5のベース端子には前記アナログ入力信号Vi
n又は他の増幅器30の出力信号Voが入力信号Vin
1として入力され、npnトランジスタTr6のベース
端子には当該増幅器30の出力信号Voが入力されてお
り、差動増幅した相補信号を出力するようになっている
。
【0006】第2のカレントミラー回路5は各エミッタ
端子が電源GNDに接続された一対のnpnトランジス
タTr7,Tr8とで構成され、各トランジスタTr7
,Tr8のベース端子はトランジスタTr7のコレクタ
端子に接続されている。第2の差動回路6は第2のカレ
ントミラー回路5の各トランジスタTr7,Tr8のコ
レクタ端子にコレクタ端子が接続されるとともに、各エ
ミッタ端子が結合された一対のpnpトランジスタTr
9,Tr10で構成され、第2の差動回路6は第2の定
電流源I2を介して電源VCCに接続されている。pn
pトランジスタTr9のベース端子は前記トランジスタ
Tr6のコレクタ端子に接続され、pnpトランジスタ
Tr10のベース端子は前記トランジスタTr5のコレ
クタ端子に接続されている。そして、第2の差動回路6
は前記第1の差動回路4から出力される相補信号を差動
増幅してpnpトランジスタTr10のコレクタ端子か
ら出力信号Voを出力するようになっている。
端子が電源GNDに接続された一対のnpnトランジス
タTr7,Tr8とで構成され、各トランジスタTr7
,Tr8のベース端子はトランジスタTr7のコレクタ
端子に接続されている。第2の差動回路6は第2のカレ
ントミラー回路5の各トランジスタTr7,Tr8のコ
レクタ端子にコレクタ端子が接続されるとともに、各エ
ミッタ端子が結合された一対のpnpトランジスタTr
9,Tr10で構成され、第2の差動回路6は第2の定
電流源I2を介して電源VCCに接続されている。pn
pトランジスタTr9のベース端子は前記トランジスタ
Tr6のコレクタ端子に接続され、pnpトランジスタ
Tr10のベース端子は前記トランジスタTr5のコレ
クタ端子に接続されている。そして、第2の差動回路6
は前記第1の差動回路4から出力される相補信号を差動
増幅してpnpトランジスタTr10のコレクタ端子か
ら出力信号Voを出力するようになっている。
【0007】そして、上記バイカッドフィルターにおい
て図5(a)に示す増幅器30は図5(b)に示すよう
にボルテージフォロワ型の演算増幅器31と抵抗値の大
きい見掛け上の抵抗Rxとの直列接続と考えられる。そ
して、入力信号をVin、出力信号をVo、出力端子か
ら流入する電流をi0、トランジスタTr5,Tr6の
ベース・エミッタ間電圧をそれぞれVBE1 ,VBE
2 、抵抗RE1,RE2に流れる電流をそれぞれIR
1,IR2、サーマルボルテージをVT 、トランジス
タTr7,Tr8のコレクタ電流をそれぞれIC1,I
C2、定電流源I1,I2の電流をIR0,IC0とし
、RE1=RE2=RE とすると、
て図5(a)に示す増幅器30は図5(b)に示すよう
にボルテージフォロワ型の演算増幅器31と抵抗値の大
きい見掛け上の抵抗Rxとの直列接続と考えられる。そ
して、入力信号をVin、出力信号をVo、出力端子か
ら流入する電流をi0、トランジスタTr5,Tr6の
ベース・エミッタ間電圧をそれぞれVBE1 ,VBE
2 、抵抗RE1,RE2に流れる電流をそれぞれIR
1,IR2、サーマルボルテージをVT 、トランジス
タTr7,Tr8のコレクタ電流をそれぞれIC1,I
C2、定電流源I1,I2の電流をIR0,IC0とし
、RE1=RE2=RE とすると、
【0008】
【数1】
【0009】式(1)に式(2),(4)を代入すると
、
、
【0010】
【数2】
【0011】又、式(5)を変形して、
【0012】
【数3】
【0013】又、アクティブフィルターのカットオフ周
波数f0は
波数f0は
【0014】
【数4】
【0015】となり、式(7)を変形して、
【0016
】
】
【数5】
【0017】となる。従って、図7で示したコンデンサ
C1,C2,C3の容量比を、例えば
C1,C2,C3の容量比を、例えば
【0018】
【数6】
【0019】に設定し、C1=50pFとすると、C2
≒35pF、C3≒70pFとなる。又、このときのカ
ットオフ周波数f0を3KHzとし、IR0を50μA
、RE =10KΩとすると、式(8)よりRx=1.
06MΩとなり、式(6)よりIC0≒472nAとな
る。
≒35pF、C3≒70pFとなる。又、このときのカ
ットオフ周波数f0を3KHzとし、IR0を50μA
、RE =10KΩとすると、式(8)よりRx=1.
06MΩとなり、式(6)よりIC0≒472nAとな
る。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体基板
上に例えば容量値が1pFのコンデンサを形成しようと
すると一般に100μ□の面積が必要となり、上記容量
値が50pF,35pF,70pFのコンデンサC1,
C2,C3を半導体基板上に形成して集積化しようとす
ると大きな面積が必要となり、集積度が低下するという
問題点がある。
上に例えば容量値が1pFのコンデンサを形成しようと
すると一般に100μ□の面積が必要となり、上記容量
値が50pF,35pF,70pFのコンデンサC1,
C2,C3を半導体基板上に形成して集積化しようとす
ると大きな面積が必要となり、集積度が低下するという
問題点がある。
【0021】この集積度の低下を防止するために、各コ
ンデンサC1〜C3の容量値を例えば10分の1にする
ことが考えられるが、この場合には式(8)より見掛け
上のRxの値を10倍にする必要があり、従って、式(
6)より定電流源I2の電流値IC0を10分の1にし
なければならない。しかし、定電流源I2の微小な電流
IC0(≒472nA)を10分の1とするのは非常に
高い精度が必要となり困難である。
ンデンサC1〜C3の容量値を例えば10分の1にする
ことが考えられるが、この場合には式(8)より見掛け
上のRxの値を10倍にする必要があり、従って、式(
6)より定電流源I2の電流値IC0を10分の1にし
なければならない。しかし、定電流源I2の微小な電流
IC0(≒472nA)を10分の1とするのは非常に
高い精度が必要となり困難である。
【0022】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、コンデンサをも集積化した集積度の
高いアクティブフィルターを形成でき、このアクティブ
フィルターを使用したシステムの部品点数を低減して大
型化を防止できることを目的とする。
れたものであって、コンデンサをも集積化した集積度の
高いアクティブフィルターを形成でき、このアクティブ
フィルターを使用したシステムの部品点数を低減して大
型化を防止できることを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】図1,図2は本発明の原
理説明図である。図1に示すように、差動増幅器は、第
1の電源VCCに接続されバイアス回路となる第1のカ
レントミラー回路3と、第2の電源GNDに接続された
第1の定電流源I1と、該第1のカレントミラー回路3
と該第1の定電流源I1との間に設けられ、外部からの
入力信号Vin1と第2の差動回路7の出力信号Voと
に基づいて差動増幅した相補信号を出力する第1の差動
回路4と、該第1の電源VCCに接続された第2の定電
流源I2と、該第2の電源GNDに接続された第2のカ
レントミラー回路5と、該第2の定電流源I2と該第2
のカレントミラー回路5との間に設けられ、前記第1の
差動回路4から出力される相補信号を入力して差動増幅
した出力信号Voを出力する第2の差動回路7とを有し
ている。又、第2の差動回路7は、一対のマルチコレク
タpnpトランジスタ11,12にて形成され、各マル
チコレクタpnpトランジスタ11,12の各1つのコ
レクタ端子11a,12aを第2のカレントミラー回路
5に接続してその一方のコレクタ端子12aから出力信
号Voを出力するとともに、各マルチコレクタpnpト
ランジスタ11,12の他のコレクタ端子11b,12
bを第2の電源GNDに接続している。
理説明図である。図1に示すように、差動増幅器は、第
1の電源VCCに接続されバイアス回路となる第1のカ
レントミラー回路3と、第2の電源GNDに接続された
第1の定電流源I1と、該第1のカレントミラー回路3
と該第1の定電流源I1との間に設けられ、外部からの
入力信号Vin1と第2の差動回路7の出力信号Voと
に基づいて差動増幅した相補信号を出力する第1の差動
回路4と、該第1の電源VCCに接続された第2の定電
流源I2と、該第2の電源GNDに接続された第2のカ
レントミラー回路5と、該第2の定電流源I2と該第2
のカレントミラー回路5との間に設けられ、前記第1の
差動回路4から出力される相補信号を入力して差動増幅
した出力信号Voを出力する第2の差動回路7とを有し
ている。又、第2の差動回路7は、一対のマルチコレク
タpnpトランジスタ11,12にて形成され、各マル
チコレクタpnpトランジスタ11,12の各1つのコ
レクタ端子11a,12aを第2のカレントミラー回路
5に接続してその一方のコレクタ端子12aから出力信
号Voを出力するとともに、各マルチコレクタpnpト
ランジスタ11,12の他のコレクタ端子11b,12
bを第2の電源GNDに接続している。
【0024】又、図2に示すように、アクティブフィル
ターは、第1の電源VCCと第2の電源GNDとの間に
設けられ、かつ、カスケード接続された複数の差動増幅
器からなる複数の増幅器1と、出力用の演算増幅器2と
、所定の増幅器1の出力端子と第2の電源GNDとの間
に設けられたコンデンサC1,C2とを備えており、初
段の増幅器1に入力したアナログ入力信号Vinにおけ
る所定の周波数帯域成分を出力信号Vout として演
算増幅器2から出力する。
ターは、第1の電源VCCと第2の電源GNDとの間に
設けられ、かつ、カスケード接続された複数の差動増幅
器からなる複数の増幅器1と、出力用の演算増幅器2と
、所定の増幅器1の出力端子と第2の電源GNDとの間
に設けられたコンデンサC1,C2とを備えており、初
段の増幅器1に入力したアナログ入力信号Vinにおけ
る所定の周波数帯域成分を出力信号Vout として演
算増幅器2から出力する。
【0025】
【作用】従って、例えばマルチコレクタpnpトランジ
スタ11のコレクタ端子11aと11bとの面積比及び
マルチコレクタpnpトランジスタ12のコレクタ端子
12aと12bとの面積比をそれぞれ1対nに設定すれ
ば、各コレクタ端子11a,12aに流れる電流の合計
は第2の定電流源I2の電流IC0の1/(n+1)と
なり、上記式(1)から見掛け上の抵抗Rxの抵抗値が
(n+1)倍となる。これにより、上記式(6)からコ
ンデンサC1の容量値を1/(n+1)とすることが可
能となる。
スタ11のコレクタ端子11aと11bとの面積比及び
マルチコレクタpnpトランジスタ12のコレクタ端子
12aと12bとの面積比をそれぞれ1対nに設定すれ
ば、各コレクタ端子11a,12aに流れる電流の合計
は第2の定電流源I2の電流IC0の1/(n+1)と
なり、上記式(1)から見掛け上の抵抗Rxの抵抗値が
(n+1)倍となる。これにより、上記式(6)からコ
ンデンサC1の容量値を1/(n+1)とすることが可
能となる。
【0026】
【実施例】以下、本発明を3次アクティブフィルターに
具体化した一実施例を図3,図4に従って説明する。 尚、説明の便宜上、図1,図2,図6,図7と同様の構
成については同一の符号を付して説明を一部省略する。
具体化した一実施例を図3,図4に従って説明する。 尚、説明の便宜上、図1,図2,図6,図7と同様の構
成については同一の符号を付して説明を一部省略する。
【0027】図3はアクティブフィルターを示し、増幅
器10A〜10Cはカスケード接続され、増幅器10C
は演算増幅器2の非反転入力端子21に接続されている
。増幅器10A,10B間の節点aと電源GNDとの間
、演算増幅器2の非反転入力端子21と電源GNDとの
間にはコンデンサC1,C2が設けられるとともに、演
算増幅器2の反転入力端子22はその出力端子23に接
続され、出力信号Voが負帰還されている。又、演算増
幅器2の出力端子23と増幅器10B,10C間の節点
bとの間にはコンデンサC3が設けられ、このコンデン
サC3及び増幅器10Cを介して出力信号Voが正帰還
されている。そして、この3次アクティブフィルターは
アナログ入力信号Vinにおける低域周波数成分を出力
信号Voutとして通過させる。
器10A〜10Cはカスケード接続され、増幅器10C
は演算増幅器2の非反転入力端子21に接続されている
。増幅器10A,10B間の節点aと電源GNDとの間
、演算増幅器2の非反転入力端子21と電源GNDとの
間にはコンデンサC1,C2が設けられるとともに、演
算増幅器2の反転入力端子22はその出力端子23に接
続され、出力信号Voが負帰還されている。又、演算増
幅器2の出力端子23と増幅器10B,10C間の節点
bとの間にはコンデンサC3が設けられ、このコンデン
サC3及び増幅器10Cを介して出力信号Voが正帰還
されている。そして、この3次アクティブフィルターは
アナログ入力信号Vinにおける低域周波数成分を出力
信号Voutとして通過させる。
【0028】図4は増幅器10A〜10Cの詳細を示し
、前記第1の差動回路4のトランジスタTr5のベース
端子には前記入力信号Vin1をベース入力とするpn
pトランジスタTr11のエミッタ端子を接続すること
によりダーリントン接続され、トランジスタTr6のベ
ース端子には前記出力信号Voをベース入力とするpn
pトランジスタTr12のエミッタ端子を接続すること
によりダーリントン接続されている。各pnpトランジ
スタTr11,Tr12のエミッタ端子はそれぞれ定電
流源I3,I4を介して電源VCCに接続され、各コレ
クタ端子は電源GNDに接続されている。そして、各p
npトランジスタTr11,Tr12はトランジスタT
r5,Tr6のベース電流を低減して出力電流i0′に
影響を与えないようにしている。
、前記第1の差動回路4のトランジスタTr5のベース
端子には前記入力信号Vin1をベース入力とするpn
pトランジスタTr11のエミッタ端子を接続すること
によりダーリントン接続され、トランジスタTr6のベ
ース端子には前記出力信号Voをベース入力とするpn
pトランジスタTr12のエミッタ端子を接続すること
によりダーリントン接続されている。各pnpトランジ
スタTr11,Tr12のエミッタ端子はそれぞれ定電
流源I3,I4を介して電源VCCに接続され、各コレ
クタ端子は電源GNDに接続されている。そして、各p
npトランジスタTr11,Tr12はトランジスタT
r5,Tr6のベース電流を低減して出力電流i0′に
影響を与えないようにしている。
【0029】そして、第2の差動回路7は一対のマルチ
コレクタpnpトランジスタ11,12で構成されてい
る。各pnpトランジスタ11,12の各1つのコレク
タ端子11a,12aはそれぞれ前記各トランジスタT
r7,Tr8のコレクタ端子に接続されるとともに、他
のコレクタ端子11b,12bは電源GNDに接続され
、各エミッタ端子は結合されて前記定電流源I2に接続
されている。
コレクタpnpトランジスタ11,12で構成されてい
る。各pnpトランジスタ11,12の各1つのコレク
タ端子11a,12aはそれぞれ前記各トランジスタT
r7,Tr8のコレクタ端子に接続されるとともに、他
のコレクタ端子11b,12bは電源GNDに接続され
、各エミッタ端子は結合されて前記定電流源I2に接続
されている。
【0030】又、pnpトランジスタ11のコレクタ端
子11aと11bとの面積比及びpnpトランジスタ1
2のコレクタ端子12aと12bとの面積比はそれぞれ
1対nに設定されており、コレクタ端子11a,12a
に流れる電流IC1′,IC2′の合計を第2の定電流
源I2の電流IC0の1/(n+1)にするようにして
いる。
子11aと11bとの面積比及びpnpトランジスタ1
2のコレクタ端子12aと12bとの面積比はそれぞれ
1対nに設定されており、コレクタ端子11a,12a
に流れる電流IC1′,IC2′の合計を第2の定電流
源I2の電流IC0の1/(n+1)にするようにして
いる。
【0031】従って、定電流源I2の電流IC0を図6
に示した従来例と同一にすると、前記式(1)から各増
幅器10A〜10Cの見掛け上の抵抗Rxの抵抗値を従
来例の(n+1)倍とすることができる。そして、前記
式(7)からコンデンサC1の容量値を従来例の1/(
n+1)にすることができ、同様にコンデンサC2,C
3の容量値も従来例の1/(n+1)にすることができ
る。
に示した従来例と同一にすると、前記式(1)から各増
幅器10A〜10Cの見掛け上の抵抗Rxの抵抗値を従
来例の(n+1)倍とすることができる。そして、前記
式(7)からコンデンサC1の容量値を従来例の1/(
n+1)にすることができ、同様にコンデンサC2,C
3の容量値も従来例の1/(n+1)にすることができ
る。
【0032】このため、コンデンサC1〜C3の面積を
1/(n+1)にすることができ、これらのコンデンサ
C1〜C3を半導体基板上に集積化しても集積度はさほ
ど低下せず、アクティブフィルター全体をワンチップ化
することができる。又、これにより、本実施例のアクテ
ィブフィルターを使用したシステムは部品点数を削減す
ることができ、大型化を防止することが可能となる。
1/(n+1)にすることができ、これらのコンデンサ
C1〜C3を半導体基板上に集積化しても集積度はさほ
ど低下せず、アクティブフィルター全体をワンチップ化
することができる。又、これにより、本実施例のアクテ
ィブフィルターを使用したシステムは部品点数を削減す
ることができ、大型化を防止することが可能となる。
【0033】尚、上記実施例において、マルチコレクタ
pnpトランジスタ11,12の各コレクタ端子11a
,12aに流れる電流IC1′,IC2′の合計を従来
例における定電流源I2の電流IC0と等しくすれば、
定電流源I2の電流をIC0・(n+1)とすることが
できるため、同定電流源I2を制御するバイアス電圧を
容易に生成することが可能となる。
pnpトランジスタ11,12の各コレクタ端子11a
,12aに流れる電流IC1′,IC2′の合計を従来
例における定電流源I2の電流IC0と等しくすれば、
定電流源I2の電流をIC0・(n+1)とすることが
できるため、同定電流源I2を制御するバイアス電圧を
容易に生成することが可能となる。
【0034】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、コ
ンデンサをも集積化した集積度の高いアクティブフィル
ターを形成でき、このアクティブフィルターを使用した
システムの部品点数を低減して大型化を防止できる優れ
た効果がある。
ンデンサをも集積化した集積度の高いアクティブフィル
ターを形成でき、このアクティブフィルターを使用した
システムの部品点数を低減して大型化を防止できる優れ
た効果がある。
【図1】第1発明の原理説明図である。
【図2】第2発明の原理説明図である。
【図3】一実施例のアクティブフィルターを示す回路図
である。
である。
【図4】一実施例のアクティブフィルターにおける増幅
器の回路図である。
器の回路図である。
【図5】(a)は増幅器を示すブロック図であり、(b
)はその等価回路図である。
)はその等価回路図である。
【図6】従来のアクティブフィルターにおける増幅器の
回路図である。
回路図である。
【図7】従来のアクティブフィルターを示す回路図であ
る。
る。
1 増幅器
2 演算増幅器
3 バイアス回路となる第1のカレントミラー回路4
第1の差動回路 5 第2のカレントミラー回路 7 第2の差動回路 11,12 マルチコレクタpnpトランジスタC1
,C2 コンデンサ GND 第2の電源 I1 第1の定電流源 I2 第2の定電流源 VCC 第1の電源 Vin アナログ入力信号 Vin1 入力信号 Vo 出力信号 Vout 出力信号
第1の差動回路 5 第2のカレントミラー回路 7 第2の差動回路 11,12 マルチコレクタpnpトランジスタC1
,C2 コンデンサ GND 第2の電源 I1 第1の定電流源 I2 第2の定電流源 VCC 第1の電源 Vin アナログ入力信号 Vin1 入力信号 Vo 出力信号 Vout 出力信号
Claims (2)
- 【請求項1】 第1及び第2の差動回路(4,7)と
によって構成される差動増幅器であって、第1の電源(
VCC)に接続されバイアス回路となる第1のカレント
ミラー回路(3)と、第2の電源(GND)に接続され
た第1の定電流源(I1)と、該第1のカレントミラー
回路(3)と該第1の定電流源(I1)との間に設けら
れ、外部からの入力信号(Vin1)と第2の差動回路
(7)の出力信号(Vo)とに基づいて差動増幅した相
補信号を出力する第1の差動回路(4)と、該第1の電
源(VCC)に接続された第2の定電流源(I2)と、
該第2の電源(GND)に接続された第2のカレントミ
ラー回路(5)と、該第2の定電流源(I2)と該第2
のカレントミラー回路(5)との間に設けられ、前記第
1の差動回路(4)から出力される相補信号を入力して
差動増幅した出力信号(Vo)を出力する第2の差動回
路(7)とを有し、第2の差動回路(7)を一対のマル
チコレクタpnpトランジスタ(11,12)にて形成
し、各マルチコレクタpnpトランジスタ(11,12
)の各1つのコレクタ端子(11a,12a)を第2の
カレントミラー回路(5)に接続してその一方のコレク
タ端子(12a)から出力信号(Vo)を出力するとと
もに、各マルチコレクタpnpトランジスタ(11,1
2)の他のコレクタ端子(11b,12b)を第2の電
源(GND)に接続したことを特徴とする差動増幅器。 - 【請求項2】 第1の電源(VCC)と第2の電源(
GND)との間に設けられ、かつ、カスケード接続され
た複数の請求項1記載の差動増幅器からなる複数の増幅
器(1)と、出力用の演算増幅器(2)と、所定の増幅
器(1)の出力端子と第2の電源(GND)との間に設
けられたコンデンサ(C1,C2)とを備え、初段の増
幅器(1)に入力したアナログ入力信号(Vin)にお
ける所定の周波数帯域成分を出力信号(Vout )と
して前記演算増幅器(2)から出力させるようにしたこ
とを特徴とするアクティブフィルター。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3120046A JPH04346508A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 差動増幅器及びそれを用いたアクティブフィルター |
US07/886,239 US5218319A (en) | 1991-05-24 | 1992-05-21 | Differential amplifier and active filter using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3120046A JPH04346508A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 差動増幅器及びそれを用いたアクティブフィルター |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04346508A true JPH04346508A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14776557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3120046A Withdrawn JPH04346508A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 差動増幅器及びそれを用いたアクティブフィルター |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5218319A (ja) |
JP (1) | JPH04346508A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994017590A1 (en) * | 1993-01-27 | 1994-08-04 | Micro Linear Corporation | Circuit technique that sets transconductance |
US5418492A (en) * | 1993-10-01 | 1995-05-23 | Industrial Technology Research Institute | Fully differential non-op-amp-based positive feedback BJT biquad filter |
US5777514A (en) * | 1996-09-27 | 1998-07-07 | Micro Linear Corporation | Differential to single ended conversion technique for an operational amplifier having low input offset voltage, high speed and high gain |
US6107887A (en) * | 1998-10-02 | 2000-08-22 | Micro Linear Corporation | Differential to single-ended video cable driver having BICMOS current-mode operational amplifier |
US6252459B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-06-26 | Siemens Microelectronics, Inc. | System and method for a dual bandwidth capacitor multiplying filter |
US6646498B2 (en) * | 2001-12-18 | 2003-11-11 | Texas Instruments Incorporated | High frequency tunable filter |
US20040155702A1 (en) * | 2003-02-11 | 2004-08-12 | Siemens Elema Ab | Active filter circuit arrangement |
US7339418B2 (en) * | 2004-08-17 | 2008-03-04 | National Instruments Corporation | Differential filter topology with dielectric absorption cancellation for a data acquisition device |
RU2583760C1 (ru) * | 2015-06-23 | 2016-05-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Биполярно-полевой операционный усилитель |
RU2642337C1 (ru) * | 2016-11-30 | 2018-01-24 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Биполярно-полевой операционный усилитель |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5063356A (en) * | 1989-09-29 | 1991-11-05 | U.S. Philips Corporation | Balanced filter circuit having a controllable balanced current multiplier |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3120046A patent/JPH04346508A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-05-21 US US07/886,239 patent/US5218319A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5218319A (en) | 1993-06-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |