JPH04345014A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH04345014A JPH04345014A JP11729091A JP11729091A JPH04345014A JP H04345014 A JPH04345014 A JP H04345014A JP 11729091 A JP11729091 A JP 11729091A JP 11729091 A JP11729091 A JP 11729091A JP H04345014 A JPH04345014 A JP H04345014A
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Links
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面に回路パターンが
形成されるガラス基板にフォトレジストを塗布する装置
の改良に関する。
形成されるガラス基板にフォトレジストを塗布する装置
の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜トランジスタ(TFT)を備えたい
わゆるアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の製造
工程においては、たとえば図8に示すように正方形平板
状のガラス基板(以下、基板という)1の表面に、透明
導電膜、各種の金属膜、半導体膜および絶縁膜などの微
細パターン加工を行う必要があり、この微細パターン加
工にはフォトエッチング法が用いられる。このフォトエ
ッチング法には、基板1上にフォトレジスト液を滴下し
て基板1を回転させ、基板に生じる遠心力によって前記
フォトレジスト液を基板の表面に拡散塗布するようにし
たスピンコータと称するレジスト塗布装置が主として用
いられる。
わゆるアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の製造
工程においては、たとえば図8に示すように正方形平板
状のガラス基板(以下、基板という)1の表面に、透明
導電膜、各種の金属膜、半導体膜および絶縁膜などの微
細パターン加工を行う必要があり、この微細パターン加
工にはフォトエッチング法が用いられる。このフォトエ
ッチング法には、基板1上にフォトレジスト液を滴下し
て基板1を回転させ、基板に生じる遠心力によって前記
フォトレジスト液を基板の表面に拡散塗布するようにし
たスピンコータと称するレジスト塗布装置が主として用
いられる。
【0003】このレジスト塗布装置は、図9に示すよう
に、コータカップと呼ばれる容器(以下、カップという
)3と、基板1を吸着して保持する真空チャック4と、
フォトレジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズル5と
、バックリンス液を吐出するリンス液吐出ノズル6とを
含んで構成され、カップ3には上部中央に開口部7が形
成され、下部にリンス液のミストを排出するための排気
口8が設けられる。また、前記真空チャック4は図示し
ない回転用モータによって回転駆動される。
に、コータカップと呼ばれる容器(以下、カップという
)3と、基板1を吸着して保持する真空チャック4と、
フォトレジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズル5と
、バックリンス液を吐出するリンス液吐出ノズル6とを
含んで構成され、カップ3には上部中央に開口部7が形
成され、下部にリンス液のミストを排出するための排気
口8が設けられる。また、前記真空チャック4は図示し
ない回転用モータによって回転駆動される。
【0004】図10は、基板1にフォトレジスト液2が
塗布された状態を示す部分断面図である。一般に、フォ
トレジスト液2を塗布するには、基板1上にフォトレジ
スト液を滴下し、低回転で基板1を回転させて、滴下さ
れたフォトレジスト液2を基板1の表面1aの全域に拡
散させ、この後に高速回転で基板1を回転し、余分のフ
ォトレジスト液2を振切って基板1上の膜厚を決定する
。
塗布された状態を示す部分断面図である。一般に、フォ
トレジスト液2を塗布するには、基板1上にフォトレジ
スト液を滴下し、低回転で基板1を回転させて、滴下さ
れたフォトレジスト液2を基板1の表面1aの全域に拡
散させ、この後に高速回転で基板1を回転し、余分のフ
ォトレジスト液2を振切って基板1上の膜厚を決定する
。
【0005】このように、基板1は低回転から高速回転
へ変化するが、低速回転時において、遠心力が小さいた
めに余分のフォトレジスト液2は外部に飛散らないので
、基板1の側面1bから裏面1cへ回り込む現象が生じ
る。この裏面1cに付着したフォトレジスト液2を除去
するために、従来からバックリンス法が用いられる。 このバックリンス法は、回転中の基板1の裏面1cに向
けてリンス液を吹付け、裏面1cに回り込んだフォトレ
ジスト液2を溶解して除去するよう構成される。側面1
bに付着するフォトレジスト液2は基板の高速回転時に
外方へ飛散除去される。
へ変化するが、低速回転時において、遠心力が小さいた
めに余分のフォトレジスト液2は外部に飛散らないので
、基板1の側面1bから裏面1cへ回り込む現象が生じ
る。この裏面1cに付着したフォトレジスト液2を除去
するために、従来からバックリンス法が用いられる。 このバックリンス法は、回転中の基板1の裏面1cに向
けてリンス液を吹付け、裏面1cに回り込んだフォトレ
ジスト液2を溶解して除去するよう構成される。側面1
bに付着するフォトレジスト液2は基板の高速回転時に
外方へ飛散除去される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにスピンコ
ータを用いて基板1にフォトレジストを形成するにあた
って、塗布されるフォトレジスト液は、既述のとおり、
基板1の回転速度、回転時間を調整することによってそ
の厚みが制御されるが、カップ3の開口部7付近では、
空気抵抗が作用し、遠心力が減衰するためフォトレジス
ト液が完全に振切れずに残り、かつ基板1は回転中心か
ら遠ざかるにつれて周速度が大きくなって風を受けやす
く、フォトレジスト液の固化が早いなどの理由によって
基板コーナ1d(図8参照)でレジスト膜厚が厚くなる
傾向がある。
ータを用いて基板1にフォトレジストを形成するにあた
って、塗布されるフォトレジスト液は、既述のとおり、
基板1の回転速度、回転時間を調整することによってそ
の厚みが制御されるが、カップ3の開口部7付近では、
空気抵抗が作用し、遠心力が減衰するためフォトレジス
ト液が完全に振切れずに残り、かつ基板1は回転中心か
ら遠ざかるにつれて周速度が大きくなって風を受けやす
く、フォトレジスト液の固化が早いなどの理由によって
基板コーナ1d(図8参照)でレジスト膜厚が厚くなる
傾向がある。
【0007】基板コーナ1dの膜厚が開口部7の影響を
受けないためには開口部7を基板コーナ1dから遠ざけ
る必要があり、その手段として、開口部7の面積を大き
くするか、開口部7を基板コーナから上下方向に離さな
ければならない。しかし、このように開口部7を基板コ
ーナ1dから遠ざけると、バックリンス処理時に発生す
る溶剤ミストが排気されにくくなり、排気されない溶剤
ミストがスピンコータ外に飛散したり、基板1に付着し
て、膜厚が部分的に厚くなり、導電膜幅が太くなるなど
のパターニング不良が発生する原因となり、品質低下を
きたす。
受けないためには開口部7を基板コーナ1dから遠ざけ
る必要があり、その手段として、開口部7の面積を大き
くするか、開口部7を基板コーナから上下方向に離さな
ければならない。しかし、このように開口部7を基板コ
ーナ1dから遠ざけると、バックリンス処理時に発生す
る溶剤ミストが排気されにくくなり、排気されない溶剤
ミストがスピンコータ外に飛散したり、基板1に付着し
て、膜厚が部分的に厚くなり、導電膜幅が太くなるなど
のパターニング不良が発生する原因となり、品質低下を
きたす。
【0008】反対に開口部7の面積を小さくすると、開
口部7から導入される気流の流速が増大し、ミストは捕
獲しやすくなるが、前述の開口部7における空気抵抗が
増大し、基板コーナ1dの膜厚が増す。
口部7から導入される気流の流速が増大し、ミストは捕
獲しやすくなるが、前述の開口部7における空気抵抗が
増大し、基板コーナ1dの膜厚が増す。
【0009】本発明は、滴下されたフォトレジスト液に
よるレジスト膜形成中は基板コーナがカップの開口部に
よる気流の影響を受けにくくし、かつバックリンス処理
時に発生する溶剤ミストを容易に捕獲して排出すること
のできるレジスト塗布装置を提供するを目的とする。
よるレジスト膜形成中は基板コーナがカップの開口部に
よる気流の影響を受けにくくし、かつバックリンス処理
時に発生する溶剤ミストを容易に捕獲して排出すること
のできるレジスト塗布装置を提供するを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、各種薄膜によって表面に所定の回路パターン
を形成するための基板にフォトレジスト液を塗布するレ
ジスト塗布装置において、上部中央に開口部を有し、下
部にミスト捕獲用排気口が形成されるコータカップと、
コータカップ内に設けられ、前記開口部に対向し、基板
を吸着保持して回転する真空チャックと、コータカップ
の上方で前記真空チャックに対向して開口され、フォト
レジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズルと、真空チ
ャックに吸着される基板の下面に向けてリンス液を吐出
するリンス液吐出ノズルとを含み、前記コータカップ開
口部に、開口面積を拡大および縮小する可変機構が設け
られたことを特徴とするレジスト塗布装置である。
本発明は、各種薄膜によって表面に所定の回路パターン
を形成するための基板にフォトレジスト液を塗布するレ
ジスト塗布装置において、上部中央に開口部を有し、下
部にミスト捕獲用排気口が形成されるコータカップと、
コータカップ内に設けられ、前記開口部に対向し、基板
を吸着保持して回転する真空チャックと、コータカップ
の上方で前記真空チャックに対向して開口され、フォト
レジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズルと、真空チ
ャックに吸着される基板の下面に向けてリンス液を吐出
するリンス液吐出ノズルとを含み、前記コータカップ開
口部に、開口面積を拡大および縮小する可変機構が設け
られたことを特徴とするレジスト塗布装置である。
【0011】
【作用】本発明に従うレジスト塗布装置では、レジスト
膜厚を制御するために基板を回転させているときは、カ
ップの開口部の開口面積を拡大して開口部を被処理基板
から遠ざけ、該基板コーナが開口部の影響を受けにくく
してレジスト膜厚の面内分布の均一性を向上させ、バッ
クリンス処理時には開口面積を縮小することによって溶
剤ミストの排気向上を図る。
膜厚を制御するために基板を回転させているときは、カ
ップの開口部の開口面積を拡大して開口部を被処理基板
から遠ざけ、該基板コーナが開口部の影響を受けにくく
してレジスト膜厚の面内分布の均一性を向上させ、バッ
クリンス処理時には開口面積を縮小することによって溶
剤ミストの排気向上を図る。
【0012】
【実施例】図1は、本発明の一実施例であるレジスト塗
布装置10の断面図である。レジスト塗布装置(スピン
コータ)10は、従来技術に類似し、カップ13と、カ
ップ13内に設けられ、処理される基板11を吸着保持
して回転する円形の真空チャック14と、カップ13の
上方で前記真空チャック14に対向設置され、フォトレ
ジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズル15と、カッ
プ13内に設けられ、前記基板11の下面に向けてバッ
クリンス液を吐出するリンス液吐出ノズル16とを含ん
で構成される。
布装置10の断面図である。レジスト塗布装置(スピン
コータ)10は、従来技術に類似し、カップ13と、カ
ップ13内に設けられ、処理される基板11を吸着保持
して回転する円形の真空チャック14と、カップ13の
上方で前記真空チャック14に対向設置され、フォトレ
ジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズル15と、カッ
プ13内に設けられ、前記基板11の下面に向けてバッ
クリンス液を吐出するリンス液吐出ノズル16とを含ん
で構成される。
【0013】前記カップ13には、上部中央に開口部1
7が形成され、下部にバックリンス液のミスト捕獲用の
排気口8が形成されている。排気口8には図示しない吸
引手段が設けられる。前記真空チャック14はカップ1
3の開口部17と同一軸線を有し、レジスト液吐出ノズ
ル15は真空チャック14の中心上方に下向き開口する
。
7が形成され、下部にバックリンス液のミスト捕獲用の
排気口8が形成されている。排気口8には図示しない吸
引手段が設けられる。前記真空チャック14はカップ1
3の開口部17と同一軸線を有し、レジスト液吐出ノズ
ル15は真空チャック14の中心上方に下向き開口する
。
【0014】処理される基板11は、図2に示すように
従来技術と同一の、たとえば正方形のガラス基板であり
、その表面に導電性のまたは半導電性の薄膜から成る所
定の回路パターンが形成される。この基板11は、図示
外の駆動モータによって真空チャック14が駆動されて
回転を付与される。またリンス液吐出ノズル16は、前
記真空チャック14に吸着される基板11の下面に対向
し、真空チャック14の外周円14aと基板11に対す
る仮想内接円11aとの間に上向きに開口される。
従来技術と同一の、たとえば正方形のガラス基板であり
、その表面に導電性のまたは半導電性の薄膜から成る所
定の回路パターンが形成される。この基板11は、図示
外の駆動モータによって真空チャック14が駆動されて
回転を付与される。またリンス液吐出ノズル16は、前
記真空チャック14に吸着される基板11の下面に対向
し、真空チャック14の外周円14aと基板11に対す
る仮想内接円11aとの間に上向きに開口される。
【0015】本発明によると、上記のような構成に加え
て開口部17に開口面積可変機構20が付設される。こ
の開口面積可変機構20は、たとえばカメラの絞りとし
て利用される機構を用い、図3の平面図および図4の部
分拡大図に示すように、カップ13から突設された支軸
22によって一端を枢支され開口部17に沿って等間隔
で環状に配設される複数枚(図4では8枚)の鱗片状の
羽根板21を用いて開口部17の内端縁が形成される。 各羽根板21には、開口部中心Oに対向する開口形成面
21aが設けられ、この開口形成面21aに斜向する摺
動孔23が穿設されている。この摺動孔23には図示省
略した回転輪から突設される摺動ピン24が嵌装されて
いる。
て開口部17に開口面積可変機構20が付設される。こ
の開口面積可変機構20は、たとえばカメラの絞りとし
て利用される機構を用い、図3の平面図および図4の部
分拡大図に示すように、カップ13から突設された支軸
22によって一端を枢支され開口部17に沿って等間隔
で環状に配設される複数枚(図4では8枚)の鱗片状の
羽根板21を用いて開口部17の内端縁が形成される。 各羽根板21には、開口部中心Oに対向する開口形成面
21aが設けられ、この開口形成面21aに斜向する摺
動孔23が穿設されている。この摺動孔23には図示省
略した回転輪から突設される摺動ピン24が嵌装されて
いる。
【0016】開口面積可変機構20の開口面積を拡大ま
たは縮小するには、前記回転輪を回動することによって
摺動ピン24を図4における矢符AまたはB方向に移動
させ、羽根板21を支軸22周りに矢符CまたはD方向
に揺動させることによって達成される。
たは縮小するには、前記回転輪を回動することによって
摺動ピン24を図4における矢符AまたはB方向に移動
させ、羽根板21を支軸22周りに矢符CまたはD方向
に揺動させることによって達成される。
【0017】図5はスピンコータ10の作動状態を示す
グラフであり、フォトレジスト液の塗布時における経過
時間と基板11の回転数との関係を例示する。図5に示
すように、時刻t0から時刻t1までの期間W1だけレ
ジスト液吐出ノズル15から所定量のフォトレジスト液
を基板11上に滴下し、時刻t2に回転を開始して回転
数R1(R1はたとえば200rpm)で基板11を回
転させ、基板11上にフォトレジスト液を塗り広げる。
グラフであり、フォトレジスト液の塗布時における経過
時間と基板11の回転数との関係を例示する。図5に示
すように、時刻t0から時刻t1までの期間W1だけレ
ジスト液吐出ノズル15から所定量のフォトレジスト液
を基板11上に滴下し、時刻t2に回転を開始して回転
数R1(R1はたとえば200rpm)で基板11を回
転させ、基板11上にフォトレジスト液を塗り広げる。
【0018】また時刻t3からR2(R2はたとえば1
000rpm)まで回転数をあげ、基板11上および側
面に付着する過剰のフォトレジスト液を振切り、時刻t
4で再びR1まで回転数を下げ、時刻t6で回転を停止
して基板11上へのフォトレジスト液の塗布を終了する
。
000rpm)まで回転数をあげ、基板11上および側
面に付着する過剰のフォトレジスト液を振切り、時刻t
4で再びR1まで回転数を下げ、時刻t6で回転を停止
して基板11上へのフォトレジスト液の塗布を終了する
。
【0019】この間、時刻t4から時刻t5までの期間
W2においてリンス液吐出ノズル16からバックリンス
液を吐出し、基板11の裏面に付着するフォトレジスト
液を除去するバックリンス処理が行われる。
W2においてリンス液吐出ノズル16からバックリンス
液を吐出し、基板11の裏面に付着するフォトレジスト
液を除去するバックリンス処理が行われる。
【0020】図6および図7は、基板11と、開口面積
可変機構20による開口部内端縁との位置関係を示す縦
断面図である。これらの図に示すように、前述の図5に
おける時刻t0から時刻t4に至る期間および時刻t5
から時刻t6に至る期間、特に基板11を回転させてレ
ジスト液による膜厚の制御が行われている間(時刻t2
から時刻t4までの期間)は、開口面積を拡大(図6参
照)し、バックリンス処理時(図5におけるW2の期間
)には図7に示すように開口面積を縮小する。
可変機構20による開口部内端縁との位置関係を示す縦
断面図である。これらの図に示すように、前述の図5に
おける時刻t0から時刻t4に至る期間および時刻t5
から時刻t6に至る期間、特に基板11を回転させてレ
ジスト液による膜厚の制御が行われている間(時刻t2
から時刻t4までの期間)は、開口面積を拡大(図6参
照)し、バックリンス処理時(図5におけるW2の期間
)には図7に示すように開口面積を縮小する。
【0021】このように開口面積を拡大縮小するにあた
り、図6、図7に示す長さaは50〜150mm、長さ
bは0〜30mm、長さcは10〜50mmが好適な値
として選定される。ただし、図6および図7における基
板11の両端は対角長の両端を表す。
り、図6、図7に示す長さaは50〜150mm、長さ
bは0〜30mm、長さcは10〜50mmが好適な値
として選定される。ただし、図6および図7における基
板11の両端は対角長の両端を表す。
【0022】本発明のスピンコータ10において、この
ように開口面積を調整することによって、レジスト膜厚
を制御するための基板回転中は、開口部17を基板コー
ナ1dから遠ざけることになり、開口部による空気抵抗
を受けにくくしている。また、バックリンス処理時には
、開口面積を小さくすることによって開口部17付近の
流入風速を上げ、この高速気流によってカップ13内に
発生する溶剤ミストは容易に捕獲され、排気口18から
吸引排出される。
ように開口面積を調整することによって、レジスト膜厚
を制御するための基板回転中は、開口部17を基板コー
ナ1dから遠ざけることになり、開口部による空気抵抗
を受けにくくしている。また、バックリンス処理時には
、開口面積を小さくすることによって開口部17付近の
流入風速を上げ、この高速気流によってカップ13内に
発生する溶剤ミストは容易に捕獲され、排気口18から
吸引排出される。
【0023】実験例として、上記カップ13を用い、3
00mm×300mmの大きさのガラス基板にレジスト
を塗布したところ、良好な均一な膜厚が得られ、カップ
13からのミストの発生も見られなかった。本発明は、
特に大型基板製作に際して有効である。
00mm×300mmの大きさのガラス基板にレジスト
を塗布したところ、良好な均一な膜厚が得られ、カップ
13からのミストの発生も見られなかった。本発明は、
特に大型基板製作に際して有効である。
【0024】
【発明の効果】以上のように本発明のレジスト塗布装置
は、上部中央に開口部を、下部に排気口が形成されたコ
ータカップを有し、コ−タカップ内に、被処理基板を吸
着保持して回転する真空チャックと被処理基板の下面に
リンス液を吐出するバックリンス液吐出ノズルとが設け
られ、コ−タカップの上方からフォトレジスト液を吐出
するレジスト液吐出ノズルが設けられ、前記開口部に、
開口面積を拡大および縮小する可変機構が設けられてい
る。
は、上部中央に開口部を、下部に排気口が形成されたコ
ータカップを有し、コ−タカップ内に、被処理基板を吸
着保持して回転する真空チャックと被処理基板の下面に
リンス液を吐出するバックリンス液吐出ノズルとが設け
られ、コ−タカップの上方からフォトレジスト液を吐出
するレジスト液吐出ノズルが設けられ、前記開口部に、
開口面積を拡大および縮小する可変機構が設けられてい
る。
【0025】このためレジスト膜厚を制御すべく被処理
基板の回転中は開口部の開口面積を大きくすることによ
ってレジスト膜厚の均一性が図られる。また、バックリ
ンス処理時には、開口面積を小さくすることによって流
入風速を上げ溶剤ミストを捕獲しやすくしてパターニン
グ不良の原因を排除することが可能となる。
基板の回転中は開口部の開口面積を大きくすることによ
ってレジスト膜厚の均一性が図られる。また、バックリ
ンス処理時には、開口面積を小さくすることによって流
入風速を上げ溶剤ミストを捕獲しやすくしてパターニン
グ不良の原因を排除することが可能となる。
【0026】このようにして基板面における回路パター
ンのばらつきが低減され、デバイス特性が固定化される
とともにパターニング不良が低減されるなど、品質の歩
留りが向上する。
ンのばらつきが低減され、デバイス特性が固定化される
とともにパターニング不良が低減されるなど、品質の歩
留りが向上する。
【図1】本発明の一実施例にかかるスピンコータ10の
縦断面図のである。
縦断面図のである。
【図2】図1の部分平面図である。
【図3】本発明にかかる開口面積可変機構20の平面図
である。
である。
【図4】図3の部分平面図である。
【図5】スピンコータ10の作動状態を示すグラフであ
る。
る。
【図6】レジスト膜厚制御時の基板と開口部内端縁との
位置関係を示す縦断面図である。
位置関係を示す縦断面図である。
【図7】バックリンス処理時の基板と開口部内端縁との
位置関係を示す縦断面図である。
位置関係を示す縦断面図である。
【図8】ガラス基板の斜視図である。
【図9】従来技術におけるコータカップの縦断面図であ
る。
る。
【図10】従来技術における基板にフォトレジスト液が
塗布された状態の部分断面図である。
塗布された状態の部分断面図である。
10 スピンコータ
11 ガラス基板
13 コータカップ
14 真空チャック
15 レジスト液吐出ノズル
16 リンス液吐出ノズル
17 開口部
18 排気口
20 開口面積可変機構
21 羽根板
Claims (1)
- 【請求項1】 各種薄膜によって表面に所定の回路パ
ターンを形成するための基板にフォトレジスト液を塗布
するレジスト塗布装置において、上部中央に開口部を有
し、下部にミスト捕獲用排気口が形成されるコータカッ
プと、コータカップ内に設けられ、前記開口部に対向し
、基板を吸着保持して回転する真空チャックと、コータ
カップの上方で前記真空チャックに対向して開口され、
フォトレジスト液を吐出するレジスト液吐出ノズルと、
真空チャックに吸着される基板の下面に向けてリンス液
を吐出するリンス液吐出ノズルとを含み、前記コータカ
ップ開口部に、開口面積を拡大および縮小する可変機構
が設けられたことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11729091A JPH04345014A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11729091A JPH04345014A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04345014A true JPH04345014A (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=14708092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11729091A Pending JPH04345014A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04345014A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873408B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist mist auto detection system |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP11729091A patent/JPH04345014A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873408B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist mist auto detection system |
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