JPH043443Y2 - - Google Patents
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- JPH043443Y2 JPH043443Y2 JP4320588U JP4320588U JPH043443Y2 JP H043443 Y2 JPH043443 Y2 JP H043443Y2 JP 4320588 U JP4320588 U JP 4320588U JP 4320588 U JP4320588 U JP 4320588U JP H043443 Y2 JPH043443 Y2 JP H043443Y2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、マイクロモータにおける火花消去、
ノイズ防止等に使用するためのリング形バリスタ
に関する。
ノイズ防止等に使用するためのリング形バリスタ
に関する。
［従来の技術］
マイクロモータの軸に同軸的に配設されたリン
グ形バリスタに対する整流子の接続は、整流子に
接続されている端子をバリスタの電極に半田付け
することによつて行われている。この半田付けの
際に、半田ごての熱がバリスタに急激に加わる
と、熱応力によつてバリスタにクラツクが発生す
るので、一般にはバリスタを予熱し、バリスタと
半田ごてとの温度差を小さくし、クラツクの発生
を抑制していた。
グ形バリスタに対する整流子の接続は、整流子に
接続されている端子をバリスタの電極に半田付け
することによつて行われている。この半田付けの
際に、半田ごての熱がバリスタに急激に加わる
と、熱応力によつてバリスタにクラツクが発生す
るので、一般にはバリスタを予熱し、バリスタと
半田ごてとの温度差を小さくし、クラツクの発生
を抑制していた。
［考案が解決しようとする課題］
しかし、予熱を行うと必然的に半田付け工程が
複雑になるのみでなく、予熱によつてバリスタ以
外の樹脂部分等の劣化が生じる。この劣化を防ぐ
ために予熱温度を80℃〜150℃程度に抑えると、
予熱温度と半田付け温度250℃〜340℃との差をク
ラツク防止に有効な150℃以下に抑えることが不
可能になる。
複雑になるのみでなく、予熱によつてバリスタ以
外の樹脂部分等の劣化が生じる。この劣化を防ぐ
ために予熱温度を80℃〜150℃程度に抑えると、
予熱温度と半田付け温度250℃〜340℃との差をク
ラツク防止に有効な150℃以下に抑えることが不
可能になる。
そこで、本考案の目的は、予熱を行うことなし
に半田付けを行うことが可能なリング形バリスタ
を提供することにある。
に半田付けを行うことが可能なリング形バリスタ
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するための本考案は、リング形
バリスタ磁器素体の一方の主面に複数の電極層を
設け、前記バリスタ磁器素体の他方の主面に無機
系ガラス層又は樹脂層を設けたことを特徴とする
リング形バリスタに係わるものである。
バリスタ磁器素体の一方の主面に複数の電極層を
設け、前記バリスタ磁器素体の他方の主面に無機
系ガラス層又は樹脂層を設けたことを特徴とする
リング形バリスタに係わるものである。
なお、無機系ガラス層はPbO、B2O3、SiO2、
ZnO、BaO、CaO、Na2Ｏから選択された少なく
とも２種以上を含むガラス層であることが望まし
い。樹脂層はエポキシ系樹脂、フエノール系樹脂
又はシリコーン系樹脂の層であることが望まし
い。
ZnO、BaO、CaO、Na2Ｏから選択された少なく
とも２種以上を含むガラス層であることが望まし
い。樹脂層はエポキシ系樹脂、フエノール系樹脂
又はシリコーン系樹脂の層であることが望まし
い。
［作用］
上記考案の無機系ガラス層又は樹脂層は、バリ
スタ磁器素体の補強層として働き、半田付け時の
クラツク発生を抑制することができる。
スタ磁器素体の補強層として働き、半田付け時の
クラツク発生を抑制することができる。
［第１の実施例］
次に、本考案の第１の実施例に係わるリング形
バリスタを第１図〜第３図を参照して説明する。
バリスタを第１図〜第３図を参照して説明する。
まず、チタン酸ストロンチウムを主成分とする
リング状バリスタ磁器素体１を作製した。この磁
器素体１の外径は7.0mm、5.0mm、厚みは0.5mmであ
る。
リング状バリスタ磁器素体１を作製した。この磁
器素体１の外径は7.0mm、5.0mm、厚みは0.5mmであ
る。
次に、磁器素体１の一方の主面に銀電極ペース
トを印刷し、他方の主面にPbO−B2O3−SiO2か
ら成る軟化点600℃のガラスを含むペーストを印
刷し、650℃で30分間の焼付け処理を施すことに
よつて第２図に示す３分割電極層２と第３図に示
すガラス補強層３とを有するリング形バリスタを
完成させた。なお、ガラス補強層３の膜厚は
27μmである。
トを印刷し、他方の主面にPbO−B2O3−SiO2か
ら成る軟化点600℃のガラスを含むペーストを印
刷し、650℃で30分間の焼付け処理を施すことに
よつて第２図に示す３分割電極層２と第３図に示
すガラス補強層３とを有するリング形バリスタを
完成させた。なお、ガラス補強層３の膜厚は
27μmである。
次に、製品を評価するために、280℃の半田ご
てでヤニ入り共晶半田を電極層２の全面に盛り、
半田ごての接触時間を１〜２秒として半田付着層
を形成した後に拡大鏡でクラツクの発生を50個の
試料について調べた。しかし、クラツクを確認す
ることは出来なかつた。即ち、クラツクの発生率
は零であつた。
てでヤニ入り共晶半田を電極層２の全面に盛り、
半田ごての接触時間を１〜２秒として半田付着層
を形成した後に拡大鏡でクラツクの発生を50個の
試料について調べた。しかし、クラツクを確認す
ることは出来なかつた。即ち、クラツクの発生率
は零であつた。
半田ごての温度を310℃及び340℃に変えて同様
な試験を行つたが、クラツク発生率はやはり零で
あつた。
な試験を行つたが、クラツク発生率はやはり零で
あつた。
なお、比較のために磁器素体１の表面には銀ペ
ーストを塗布するが、裏面にはガラスペーストを
塗布しないで600℃で焼付けてリング形バリスタ
を作制し、同様な試験を行つたところ、半田ごて
温度280℃ではクラツク発生率が零であつたが、
310℃では４％、340℃では12％であつた。
ーストを塗布するが、裏面にはガラスペーストを
塗布しないで600℃で焼付けてリング形バリスタ
を作制し、同様な試験を行つたところ、半田ごて
温度280℃ではクラツク発生率が零であつたが、
310℃では４％、340℃では12％であつた。
［第２の実施例］
第１の実施例のガラスペーストの材料をZnO−
B2O3−SiO2から成る軟化点630℃のガラスに変
え、焼付け温度を680℃に変えた他は第１の実施
例と同一の方法でバリスタを作製し、同一の方法
で試験を行つた結果、半田ごての温度280℃、310
℃、340℃のいずれにおいてもクラツク発生率は
零であつた。
B2O3−SiO2から成る軟化点630℃のガラスに変
え、焼付け温度を680℃に変えた他は第１の実施
例と同一の方法でバリスタを作製し、同一の方法
で試験を行つた結果、半田ごての温度280℃、310
℃、340℃のいずれにおいてもクラツク発生率は
零であつた。
［第３の実施例］
第１の実施例のガラスペーストの材料をBaO
−PbO−SiO2から成る軟化点700℃のガラスに変
え、焼付け温度を750℃に変えた他は実施例１と
同一の方法でバリスタを作制し、同一の方法で試
験を行つた結果、半田ごての温度280℃、310℃、
340℃のいずれにおいてもクラツクの発生率は零
であつた。
−PbO−SiO2から成る軟化点700℃のガラスに変
え、焼付け温度を750℃に変えた他は実施例１と
同一の方法でバリスタを作制し、同一の方法で試
験を行つた結果、半田ごての温度280℃、310℃、
340℃のいずれにおいてもクラツクの発生率は零
であつた。
［第４の実施例］
第１の実施例のガラスペーストの材料をPbO−
B2O3から成る軟化点420℃のガラスに変え、焼付
け温度を550℃に変えた他は実施例１と同一の方
法でバリスタを作製し、同一の方法で試験を行つ
た後、半田ごての温度280℃、310℃、340℃のい
ずれにおいてもクラツクの発生率は零であつた。
B2O3から成る軟化点420℃のガラスに変え、焼付
け温度を550℃に変えた他は実施例１と同一の方
法でバリスタを作製し、同一の方法で試験を行つ
た後、半田ごての温度280℃、310℃、340℃のい
ずれにおいてもクラツクの発生率は零であつた。
［第５の実施例］
第１のガラスペーストの材料をCaO−BaO−
SiO2から成る軟化点790℃のガラスに変え、焼付
け温度を850℃に変えた他は実施例１と同一の方
法でバリスタを作製し、同一の方法で試験を行つ
た結果、半田ごての温度280℃、310℃、340℃の
いずれにおいてもクラツクの発生率は零であつ
た。
SiO2から成る軟化点790℃のガラスに変え、焼付
け温度を850℃に変えた他は実施例１と同一の方
法でバリスタを作製し、同一の方法で試験を行つ
た結果、半田ごての温度280℃、310℃、340℃の
いずれにおいてもクラツクの発生率は零であつ
た。
［第６の実施例］
第１の実施例のガラスペーストをNa2Ｏ−B2
O3−SiO2から成る軟化点620℃のガラスに変え、
焼付け温度を670℃に変えた他は実施例１と同一
の方法でバリスタを作製し、同一の方法で試験を
おこなつた結果、280℃、310℃、340℃のいずれ
においても、クラツクの発生率は零であつた。
O3−SiO2から成る軟化点620℃のガラスに変え、
焼付け温度を670℃に変えた他は実施例１と同一
の方法でバリスタを作製し、同一の方法で試験を
おこなつた結果、280℃、310℃、340℃のいずれ
においても、クラツクの発生率は零であつた。
［第７の実施例］
第１の実施例と同一材料、同一寸法のリング形
バリスタ磁器素体１を作製し、この一方の主面に
銀ペーストを印刷して600℃、30分間の焼付け処
理をして３分割の電極層２を形成した後に、磁器
素体１の他方の面にエポキシ系樹脂を塗布し、
150℃、１時間の熱処理を施して膜厚50μmの樹脂
補強層を第３図のガラス補強層３と同様に形成
し、第１の実施例と同様な試験を行つた。この結
果、クラツクの発生率は280℃、310℃、340℃の
いずれにおいても零であつた。
バリスタ磁器素体１を作製し、この一方の主面に
銀ペーストを印刷して600℃、30分間の焼付け処
理をして３分割の電極層２を形成した後に、磁器
素体１の他方の面にエポキシ系樹脂を塗布し、
150℃、１時間の熱処理を施して膜厚50μmの樹脂
補強層を第３図のガラス補強層３と同様に形成
し、第１の実施例と同様な試験を行つた。この結
果、クラツクの発生率は280℃、310℃、340℃の
いずれにおいても零であつた。
［第８の実施例］
第５の実施例の樹脂をフエノール系樹脂に変え
た他は第５の実施例と同一の方法でバリスタを作
製し、第１の実施例と同一の方法で試験を行つた
ところ、クラツクの発生率はいずれの温度でも零
であつた。
た他は第５の実施例と同一の方法でバリスタを作
製し、第１の実施例と同一の方法で試験を行つた
ところ、クラツクの発生率はいずれの温度でも零
であつた。
［第９の実施例］
第７の実施例の樹脂をシリコーン系樹脂に変え
た他は第７の実施例と同一の方法でバリスタを作
製し、第１の実施例と同一の方法で試験を行つた
ところ、クラツクの発生率はいずれの温度でも零
であつた。
た他は第７の実施例と同一の方法でバリスタを作
製し、第１の実施例と同一の方法で試験を行つた
ところ、クラツクの発生率はいずれの温度でも零
であつた。
［考案の効果］
上述から明らかなように本考案によれば、耐熱
温度が従来よりも高い（例えば60℃高い）バリス
タを提供することができる。これにより、280℃
〜340℃の半田付けに対して予熱工程が不要にな
る。
温度が従来よりも高い（例えば60℃高い）バリス
タを提供することができる。これにより、280℃
〜340℃の半田付けに対して予熱工程が不要にな
る。
第１図は本考案の実施例に係わるバリスタの断
面図、第２図は第１図のバリスタの平面図、第３
図は第１図のバリスタの底面図である。 １……バリスタ磁器素体、２……電極層、３…
…ガラス補強層。
面図、第２図は第１図のバリスタの平面図、第３
図は第１図のバリスタの底面図である。 １……バリスタ磁器素体、２……電極層、３…
…ガラス補強層。
Claims (1)
- リング形バリスタ磁器素体の一方の主面に複数
の電極層を設け、前記バリスタ磁器素体の他方の
主面に無機系ガラス層又は樹脂層を設けたことを
特徴とするリング形バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320588U JPH043443Y2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320588U JPH043443Y2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01146501U JPH01146501U (ja) | 1989-10-09 |
| JPH043443Y2 true JPH043443Y2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=31269611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4320588U Expired JPH043443Y2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043443Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP4320588U patent/JPH043443Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01146501U (ja) | 1989-10-09 |
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