JPH04328244A - 電池用正極及びその製造方法 - Google Patents
電池用正極及びその製造方法Info
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- JPH04328244A JPH04328244A JP3125128A JP12512891A JPH04328244A JP H04328244 A JPH04328244 A JP H04328244A JP 3125128 A JP3125128 A JP 3125128A JP 12512891 A JP12512891 A JP 12512891A JP H04328244 A JPH04328244 A JP H04328244A
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電池用正極に関し、更に
詳しくは、放電容量が大きく、放電特性に優れた電池用
の正極及びその製造方法に関する。
詳しくは、放電容量が大きく、放電特性に優れた電池用
の正極及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
様々な電池が使用されているが、一次電池としては、正
極活物質として金属の酸化物、硫化物、塩化物や、ハロ
ゲン化炭素化合物を用い、負極活物質としてリチウム、
ナトリウム等のアルカリ金属を用い、電解液としてプロ
ピレンカーボネート、γ−ブチルラクトン、1,2−ジ
メトキシエタン等の有機溶媒に、過塩素酸リチウム、塩
化アルミニウムリチウム、ホウフッ化リチウム等の無機
塩を溶解させた液を用いたものが知られており、実用化
されている。このような構成の電池は、一般に電池電圧
が高く、高エネルギー密度を有し、また自己放電が少な
い等の数多くの利点を有することが知られている。なお
、広く用いられている正極活物質としては、フッ化炭素
や二酸化マンガン等が挙げられる。
様々な電池が使用されているが、一次電池としては、正
極活物質として金属の酸化物、硫化物、塩化物や、ハロ
ゲン化炭素化合物を用い、負極活物質としてリチウム、
ナトリウム等のアルカリ金属を用い、電解液としてプロ
ピレンカーボネート、γ−ブチルラクトン、1,2−ジ
メトキシエタン等の有機溶媒に、過塩素酸リチウム、塩
化アルミニウムリチウム、ホウフッ化リチウム等の無機
塩を溶解させた液を用いたものが知られており、実用化
されている。このような構成の電池は、一般に電池電圧
が高く、高エネルギー密度を有し、また自己放電が少な
い等の数多くの利点を有することが知られている。なお
、広く用いられている正極活物質としては、フッ化炭素
や二酸化マンガン等が挙げられる。
【0003】最近では、充電可能ないわゆる二次電池の
開発もさかんになってきており、高エネルギー密度化、
小型化等を目指した研究開発が行われており、たとえば
、V2 O5 にP2 O5 を加えたものを溶融した
後、これを急冷することにより得られる非晶質物質を正
極活物質として用いたリチウム二次電池が特開昭61−
116758号に提案されている。
開発もさかんになってきており、高エネルギー密度化、
小型化等を目指した研究開発が行われており、たとえば
、V2 O5 にP2 O5 を加えたものを溶融した
後、これを急冷することにより得られる非晶質物質を正
極活物質として用いたリチウム二次電池が特開昭61−
116758号に提案されている。
【0004】上記のリチウム二次電池を含む従来のリチ
ウム二次電池では、一般にはその正極として、正極活物
質に導電剤及び結着剤を混合し、ステンレスネット等の
集電体に加圧成形したものか、あるいは正極活物質に導
電剤及び結着剤を加えた混合物をペースト状にして集電
体に塗着し、(適宜加圧成形を行い)乾燥したものが用
いられている。
ウム二次電池では、一般にはその正極として、正極活物
質に導電剤及び結着剤を混合し、ステンレスネット等の
集電体に加圧成形したものか、あるいは正極活物質に導
電剤及び結着剤を加えた混合物をペースト状にして集電
体に塗着し、(適宜加圧成形を行い)乾燥したものが用
いられている。
【0005】先にも述べたように、二次電池の開発では
高エネルギー密度化が目指されているが、上述したよう
な従来の正極を用いたのでは現在要求されている高エネ
ルギー密度化のレベルに到達することは難しく、なんら
かの改良が必要である。リチウム電池等の二次電池の充
放電容量を増大させる方法の一つとして、正極活物質に
おける電気化学反応界面を大きくする(正極活物質の表
面積を大きくする)ことが考えられるが、これは、正極
活物質の粒子径を小さくすることで達成することができ
る。
高エネルギー密度化が目指されているが、上述したよう
な従来の正極を用いたのでは現在要求されている高エネ
ルギー密度化のレベルに到達することは難しく、なんら
かの改良が必要である。リチウム電池等の二次電池の充
放電容量を増大させる方法の一つとして、正極活物質に
おける電気化学反応界面を大きくする(正極活物質の表
面積を大きくする)ことが考えられるが、これは、正極
活物質の粒子径を小さくすることで達成することができ
る。
【0006】しかしながら、従来の正極の製造方法では
、正極活物質の粒子径を小さくするためには結着剤を多
量に使用しなければならず、電池製造におけるコストが
高くなり、コストパフォーマンスに劣る。特に、近年で
は、電池の薄型化や小型化(ボタン電池やペーパー型電
池等の開発)が望まれており、正極活物質層の厚さを薄
くすることが目指されている。そのような正極活物質層
とする上でも、正極活物質の粒子径を小さくする必要が
あるが、この場合でも、上述した問題が未解決のまま残
る。
、正極活物質の粒子径を小さくするためには結着剤を多
量に使用しなければならず、電池製造におけるコストが
高くなり、コストパフォーマンスに劣る。特に、近年で
は、電池の薄型化や小型化(ボタン電池やペーパー型電
池等の開発)が望まれており、正極活物質層の厚さを薄
くすることが目指されている。そのような正極活物質層
とする上でも、正極活物質の粒子径を小さくする必要が
あるが、この場合でも、上述した問題が未解決のまま残
る。
【0007】したがって本発明の目的は、上記の問題点
を解決し、放電容量が大きく、放電特性の優れた電池と
することができる正極及びその製造方法を提供すること
である。
を解決し、放電容量が大きく、放電特性の優れた電池と
することができる正極及びその製造方法を提供すること
である。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み鋭意研究
の結果、本発明者は、その表面に特定の大きさの突起を
特定の密度で有する電極基板を用い、この基板上の突起
の少なくとも先端部側の部分の表面に、結晶質又は非晶
質のカルコゲン化合物からなる正極活物質層を形成した
正極とすれば、正極活物質の表面積が大きくなり、もっ
て放電容量が大きく、放電特性の優れた電池を形成する
ことができることを発見し、本発明を完成した。
の結果、本発明者は、その表面に特定の大きさの突起を
特定の密度で有する電極基板を用い、この基板上の突起
の少なくとも先端部側の部分の表面に、結晶質又は非晶
質のカルコゲン化合物からなる正極活物質層を形成した
正極とすれば、正極活物質の表面積が大きくなり、もっ
て放電容量が大きく、放電特性の優れた電池を形成する
ことができることを発見し、本発明を完成した。
【0009】すなわち、本発明の電池用正極は、表面に
多数の微細な突起を有する基板と、結晶質または非晶質
のカルコゲン化合物からなる正極活物質層とからなり、
前記正極活物質層が少なくとも前記突起の先端部から胴
部にかけて形成されていることを特徴とする。
多数の微細な突起を有する基板と、結晶質または非晶質
のカルコゲン化合物からなる正極活物質層とからなり、
前記正極活物質層が少なくとも前記突起の先端部から胴
部にかけて形成されていることを特徴とする。
【0010】また、電池用正極を製造する本発明の方法
は、表面に多数の微細な突起を有する基板に対し、結晶
質カルコゲン化合物をターゲットとしたスパッタリング
を行い、前記突起の少なくとも先端部から胴部にかけた
部分に結晶質または非晶質のカルコゲン化合物を付着さ
せることを特徴とする。
は、表面に多数の微細な突起を有する基板に対し、結晶
質カルコゲン化合物をターゲットとしたスパッタリング
を行い、前記突起の少なくとも先端部から胴部にかけた
部分に結晶質または非晶質のカルコゲン化合物を付着さ
せることを特徴とする。
【0011】以下本発明を詳細に説明する。
【0012】本発明では、正極基板として表面に多数の
微細な突起を形成したものを用いる。この微細な突起は
、平均長さが0.2μm以上であり、またその平均径が
0.05〜5μmである。後述するように、この多数の
微細突起の表面には、スパッタリングにより正極活物質
層が形成されるが、突起の長さが0.2μm未満の場合
、またはその直径が0.05μm未満の場合には、スパ
ッタリングにより形成される正極活物質層の表面積が大
きくならず、高エネルギー密度化を達成できない。すな
わち、突起が小さすぎるので基板上に付着する正極活物
質の核とはなりえず、スパッタリングによる正極活物質
層は実質的に膜状となり表面積が小さくなる。一方、突
起の直径が5μmを超すものであると、その突起の表面
に付着する正極活物質の粒子径が1μmを超すような比
較的大きなものとなり、そのためやはり正極活物質の表
面積が小さくなる。好ましい突起の大きさは、平均長さ
が1.0〜2.0μmで、平均径が0.07〜0.1μ
mである。
微細な突起を形成したものを用いる。この微細な突起は
、平均長さが0.2μm以上であり、またその平均径が
0.05〜5μmである。後述するように、この多数の
微細突起の表面には、スパッタリングにより正極活物質
層が形成されるが、突起の長さが0.2μm未満の場合
、またはその直径が0.05μm未満の場合には、スパ
ッタリングにより形成される正極活物質層の表面積が大
きくならず、高エネルギー密度化を達成できない。すな
わち、突起が小さすぎるので基板上に付着する正極活物
質の核とはなりえず、スパッタリングによる正極活物質
層は実質的に膜状となり表面積が小さくなる。一方、突
起の直径が5μmを超すものであると、その突起の表面
に付着する正極活物質の粒子径が1μmを超すような比
較的大きなものとなり、そのためやはり正極活物質の表
面積が小さくなる。好ましい突起の大きさは、平均長さ
が1.0〜2.0μmで、平均径が0.07〜0.1μ
mである。
【0013】基板上に形成された微細な突起の数(密度
)は1×103 〜5×107 個/mm2 とする。 突起の形成密度が1×103 個/mm2 未満では正
極活物質の表面積を大きくすることができない。一方、
微細な突起の数が5×107 個/mm2 を超す場合
には突起間の距離が小さくなり、そのためにスパッタリ
ングによる正極活物質が隣合う突起間に連続して形成さ
れ、その結果突起の先端部分付近に正極活物質が膜状に
形成される。このため正極活物質の表面積はやはり小さ
くなり、電池の高エネルギー密度化が達成できない。好
ましくは、微小な突起を1×104 〜1×105 個
/mm2 程度の密度に形成する。
)は1×103 〜5×107 個/mm2 とする。 突起の形成密度が1×103 個/mm2 未満では正
極活物質の表面積を大きくすることができない。一方、
微細な突起の数が5×107 個/mm2 を超す場合
には突起間の距離が小さくなり、そのためにスパッタリ
ングによる正極活物質が隣合う突起間に連続して形成さ
れ、その結果突起の先端部分付近に正極活物質が膜状に
形成される。このため正極活物質の表面積はやはり小さ
くなり、電池の高エネルギー密度化が達成できない。好
ましくは、微小な突起を1×104 〜1×105 個
/mm2 程度の密度に形成する。
【0014】上述した基板としては、アルミニウム、ニ
ッケル等の導電性材料、ナイロン、プロピレン、ポリエ
チレン等の高分子材料、Al2 O3 等のポーラスな
無機材料等を用いることができる。上記した金属等の導
電性材料を基板材として用いた場合には、電池の集電性
が高められ、また高分子材料やポーラスな無機材料を使
用すれば、電池の構成要素の一つであるセパレータ機能
を兼ねることができる。なお、基板の材料は目的とする
電池の特性等を考慮して適宜選択してよい。
ッケル等の導電性材料、ナイロン、プロピレン、ポリエ
チレン等の高分子材料、Al2 O3 等のポーラスな
無機材料等を用いることができる。上記した金属等の導
電性材料を基板材として用いた場合には、電池の集電性
が高められ、また高分子材料やポーラスな無機材料を使
用すれば、電池の構成要素の一つであるセパレータ機能
を兼ねることができる。なお、基板の材料は目的とする
電池の特性等を考慮して適宜選択してよい。
【0015】また、上述した各材料からなる基板素材の
表面に、多数の微細な突起を形成する方法としては種々
考えられるが、イオン化したガスでエッチングするいわ
ゆる逆スパッタ法を用いることができる。用いるガスと
しては不活性ガス、反応性ガス等が挙げられるが、特に
アルゴンガス等の希ガスが好ましい。このようなガス雰
囲気下(圧力2×10−2Torr程度)で、高周波ス
パッタリングを行うと、イオン化されたガスが基板素材
にぶつかって素材の一部が剥ぎ取られ、その結果表面に
多数の微細な突起が形成される。
表面に、多数の微細な突起を形成する方法としては種々
考えられるが、イオン化したガスでエッチングするいわ
ゆる逆スパッタ法を用いることができる。用いるガスと
しては不活性ガス、反応性ガス等が挙げられるが、特に
アルゴンガス等の希ガスが好ましい。このようなガス雰
囲気下(圧力2×10−2Torr程度)で、高周波ス
パッタリングを行うと、イオン化されたガスが基板素材
にぶつかって素材の一部が剥ぎ取られ、その結果表面に
多数の微細な突起が形成される。
【0016】また、逆スパッタ法によらず、化学エッチ
ングによる方法を用いることもできる。
ングによる方法を用いることもできる。
【0017】上述した微細突起を有する基板上に設ける
正極活物質層を構成する物質としては、結晶質カルコゲ
ン化合物又は非晶質カルコゲン化合物が挙げられる。カ
ルコゲン化合物としては酸化物、硫化物等が好ましく、
さらに好ましくは酸化物である。好ましい酸化物系の正
極活物質としては具体的には、(a) V2 O5 に
、(b)TiO2 、P2 O5 、Na2 O、K2
O、Rb2 O、Cs2 O、BeO、MgO、Ca
O、SrO、ZrO2 、Nb2 O5 、Ta2 O
5 、Cr2 O3 、MnO2 、Fe2 O3 、
Co2 O3 、NiO、ZnO、CdO、Ag2 O
、Al2 O3 、Ga2 O3 、As2 O3 、
PbO、Ti2 O3 、CeO2 、Nd2 O3
、Y2 O3 、及びSc2 O3 からなる群から選
ばれた酸化物の少なくとも1種を加えてなる混合物また
は固溶体をターゲットとして行ったスパッタリングによ
るものが挙げられる。このスパッタリングの方法につい
ては後述するが、ターゲットの組成としては、上述の(
a) と(b) との混合物または固溶体の場合には、
(b) 成分の添加量を((a) 成分+(b) 成分
を100モル%として)1〜30モル%とするのがよい
。
正極活物質層を構成する物質としては、結晶質カルコゲ
ン化合物又は非晶質カルコゲン化合物が挙げられる。カ
ルコゲン化合物としては酸化物、硫化物等が好ましく、
さらに好ましくは酸化物である。好ましい酸化物系の正
極活物質としては具体的には、(a) V2 O5 に
、(b)TiO2 、P2 O5 、Na2 O、K2
O、Rb2 O、Cs2 O、BeO、MgO、Ca
O、SrO、ZrO2 、Nb2 O5 、Ta2 O
5 、Cr2 O3 、MnO2 、Fe2 O3 、
Co2 O3 、NiO、ZnO、CdO、Ag2 O
、Al2 O3 、Ga2 O3 、As2 O3 、
PbO、Ti2 O3 、CeO2 、Nd2 O3
、Y2 O3 、及びSc2 O3 からなる群から選
ばれた酸化物の少なくとも1種を加えてなる混合物また
は固溶体をターゲットとして行ったスパッタリングによ
るものが挙げられる。このスパッタリングの方法につい
ては後述するが、ターゲットの組成としては、上述の(
a) と(b) との混合物または固溶体の場合には、
(b) 成分の添加量を((a) 成分+(b) 成分
を100モル%として)1〜30モル%とするのがよい
。
【0018】上述した(a) V2 O5 と、(b)
群から選ばれた少なくとも1種の酸化物との混合物また
は固溶体において、(b) 成分を1モル%未満とする
と(b) 成分の添加による放電特性の向上が顕著とな
らず、V2 O5 単独を正極活物質として用いた場合
と変わりがない。一方(b) 成分の添加量を30モル
%より多くすると、高エネルギー密度の向上が得られず
好ましくない。好ましくは(b) 成分の添加量を5〜
25モル%とする。なお、ターゲット中の(a) 成分
と(b) 成分との比率が実質的に基板上に形成される
正極活物質層の組成比となる。
群から選ばれた少なくとも1種の酸化物との混合物また
は固溶体において、(b) 成分を1モル%未満とする
と(b) 成分の添加による放電特性の向上が顕著とな
らず、V2 O5 単独を正極活物質として用いた場合
と変わりがない。一方(b) 成分の添加量を30モル
%より多くすると、高エネルギー密度の向上が得られず
好ましくない。好ましくは(b) 成分の添加量を5〜
25モル%とする。なお、ターゲット中の(a) 成分
と(b) 成分との比率が実質的に基板上に形成される
正極活物質層の組成比となる。
【0019】次に、上記した構成の正極を製造する本発
明の方法について説明する。
明の方法について説明する。
【0020】まず、上述した大きさの微細突起を、やは
り上述した密度でその表面に有する基板を準備する。こ
の突起の形成は上述した各方法により行うことができる
が、大きさのそろった微細な突起を基板の表面にほぼ均
一に形成することができる逆スパッタ法によるのが好ま
しい。
り上述した密度でその表面に有する基板を準備する。こ
の突起の形成は上述した各方法により行うことができる
が、大きさのそろった微細な突起を基板の表面にほぼ均
一に形成することができる逆スパッタ法によるのが好ま
しい。
【0021】微細な突起を形成した基板を得たならば、
次にこの基板に対してスパッタリング法を行い、基板の
表面上(特に突起の先端部から胴部にかけての部分)に
正極活物質層を形成する。このスパッタリングにおいて
は、ターゲットとして結晶質カルコゲン化合物を用いる
が、特に上述した(a) 成分と(b) 成分とからな
る酸化物の混合物または固溶体を用いるのがよい。
次にこの基板に対してスパッタリング法を行い、基板の
表面上(特に突起の先端部から胴部にかけての部分)に
正極活物質層を形成する。このスパッタリングにおいて
は、ターゲットとして結晶質カルコゲン化合物を用いる
が、特に上述した(a) 成分と(b) 成分とからな
る酸化物の混合物または固溶体を用いるのがよい。
【0022】スパッタリングにおける雰囲気は不活性ガ
ス、または不活性ガスと酸素ガス等の反応性ガスとの混
合ガスを用いるのがよく、その雰囲気圧は、1×10−
4〜1×10−1Torrとするのがよい。ガス圧が1
×10−4Torr未満では良好な正極活物質層を形成
することができず、一方1×10−1Torrを超すガ
ス圧とすると、スパッタリング速度が高くなりすぎ、得
られた正極活物質層が粗密となるので好ましくない。
ス、または不活性ガスと酸素ガス等の反応性ガスとの混
合ガスを用いるのがよく、その雰囲気圧は、1×10−
4〜1×10−1Torrとするのがよい。ガス圧が1
×10−4Torr未満では良好な正極活物質層を形成
することができず、一方1×10−1Torrを超すガ
ス圧とすると、スパッタリング速度が高くなりすぎ、得
られた正極活物質層が粗密となるので好ましくない。
【0023】なお、スパッタリングにおいては、基板上
の突起の大きさ、その形成密度を勘案してスパッタリン
グ時間、不活性ガス量、印加する電圧等を適宜変化させ
、基板の突起表面に付着する正極活物質の量、形状等を
調節するのがよい。
の突起の大きさ、その形成密度を勘案してスパッタリン
グ時間、不活性ガス量、印加する電圧等を適宜変化させ
、基板の突起表面に付着する正極活物質の量、形状等を
調節するのがよい。
【0024】
【実施例】本発明を以下の具体的実施例によりさらに詳
細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【0025】実施例1
図1に模式的に示すスパッタ装置を用い、以下の方法で
電池正極を製造した。なお、本実施例で用いたスパッタ
装置は、複数のターゲットを単一の真空槽内に保持する
ことができ、かつスパッタリングの対象となる基材を任
意の速度で回転させることができる平行平板型の高周波
スパッタ装置であり、真空槽1と、その内部でターゲッ
ト3を保持できるターゲット保持部材2(ターゲット及
びターゲット保持部材は共に図1には1つのみ示す)と
、複数の基板(又は基板素材)5を取りつける基板ホル
ダー6とを有しており、基板ホルダー6は回転可能とな
っている。また、ターゲット保持部材2と基板ホルダー
6とはそれぞれその内部に冷却水を循環する手段を有し
ている。なお、ターゲット3と基板(基板素材)5との
間には開口部4′を有するシャッタ4が配置されている
。また、真空槽1には雰囲気ガス(不活性ガス)の入口
7及び出口8が形成されている。さらに、ターゲット3
に電圧を印加できるように、ターゲット保持部材2から
マッチングボックス9及び切り替えスイッチ10を経由
して高周波電源11まで結線されており、一方、基板ホ
ルダー6からもマッチングボックス9及び切り替えスイ
ッチ10を経由して高周波電源11まで結線されている
。
電池正極を製造した。なお、本実施例で用いたスパッタ
装置は、複数のターゲットを単一の真空槽内に保持する
ことができ、かつスパッタリングの対象となる基材を任
意の速度で回転させることができる平行平板型の高周波
スパッタ装置であり、真空槽1と、その内部でターゲッ
ト3を保持できるターゲット保持部材2(ターゲット及
びターゲット保持部材は共に図1には1つのみ示す)と
、複数の基板(又は基板素材)5を取りつける基板ホル
ダー6とを有しており、基板ホルダー6は回転可能とな
っている。また、ターゲット保持部材2と基板ホルダー
6とはそれぞれその内部に冷却水を循環する手段を有し
ている。なお、ターゲット3と基板(基板素材)5との
間には開口部4′を有するシャッタ4が配置されている
。また、真空槽1には雰囲気ガス(不活性ガス)の入口
7及び出口8が形成されている。さらに、ターゲット3
に電圧を印加できるように、ターゲット保持部材2から
マッチングボックス9及び切り替えスイッチ10を経由
して高周波電源11まで結線されており、一方、基板ホ
ルダー6からもマッチングボックス9及び切り替えスイ
ッチ10を経由して高周波電源11まで結線されている
。
【0026】図2は基板5と、基板ホルダー6と、ター
ゲット3との位置関係を模式的に示す部分平面図であり
、基板ホルダー6上に複数の基板5が保持されている。 図2に示すように、ターゲット3の径は基板5より大き
くしておくのがよい。
ゲット3との位置関係を模式的に示す部分平面図であり
、基板ホルダー6上に複数の基板5が保持されている。 図2に示すように、ターゲット3の径は基板5より大き
くしておくのがよい。
【0027】基板素材5としては、ポリイミドフィルム
(20mm径、20μm厚)を用いた。また、ターゲッ
ト3としては、V2 O5が95モル%で、P2 O5
が5モル%の結晶質酸化物混合物(直径6インチのペ
レット)を用いた。なお、基板素材5とシャッタ4との
間隔を4cmとした。
(20mm径、20μm厚)を用いた。また、ターゲッ
ト3としては、V2 O5が95モル%で、P2 O5
が5モル%の結晶質酸化物混合物(直径6インチのペ
レット)を用いた。なお、基板素材5とシャッタ4との
間隔を4cmとした。
【0028】まず、図1に示すように、基板素材(ポリ
イミドフィルム)を装置内に設置したのち、一旦真空槽
内を真空に引き、続いて真空槽内のアルゴンガス圧を2
×10−2Torrに保つようにアルゴンガスを80c
c/分の流量で真空槽内を通し、400Wの高周波電力
をかけて、イオン化したアルゴンガスで40分間の基板
表面のエッチングを行った。逆スパッタ法によるエッチ
ングは、基板ホルダー6を10rpm で回転させなが
ら行った。
イミドフィルム)を装置内に設置したのち、一旦真空槽
内を真空に引き、続いて真空槽内のアルゴンガス圧を2
×10−2Torrに保つようにアルゴンガスを80c
c/分の流量で真空槽内を通し、400Wの高周波電力
をかけて、イオン化したアルゴンガスで40分間の基板
表面のエッチングを行った。逆スパッタ法によるエッチ
ングは、基板ホルダー6を10rpm で回転させなが
ら行った。
【0029】上記の操作で得られたポリイミドフィルム
の表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、フィルム
の表面には直径が0.07〜0.1μmで、長さが1〜
1.2μmの多数の針状突起が形成されていた。
の表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、フィルム
の表面には直径が0.07〜0.1μmで、長さが1〜
1.2μmの多数の針状突起が形成されていた。
【0030】上記方法で得た基板、及び上述したターゲ
ットをそれぞれ図1に示すように装置内に設置し、以下
の条件でスパッタリングを行い、正極活物質層を基板の
突起表面に形成した。
ットをそれぞれ図1に示すように装置内に設置し、以下
の条件でスパッタリングを行い、正極活物質層を基板の
突起表面に形成した。
【0031】スパッタリング条件
高周波電力:400W
雰囲気ガス:Ar:O2 =7:3の混合ガスガス圧
:2×10−2Torrガス流量 :80cc
/分 基板5とターゲット3との距離:5cm基板ホルダー6
の回転速度 :20rpm
:2×10−2Torrガス流量 :80cc
/分 基板5とターゲット3との距離:5cm基板ホルダー6
の回転速度 :20rpm
【0032】上記のス
パッタリングを施した基板を走査型電子顕微鏡により観
察したところ、図3に模式的に示すように、基板5上に
形成された微細な突起51の胴部(突起の側面部)及び
先端部の表面にスパッタされた物質が付着して層52を
なしており、その層の形状は突起の先端部付近で拡径し
た円筒状であった。
パッタリングを施した基板を走査型電子顕微鏡により観
察したところ、図3に模式的に示すように、基板5上に
形成された微細な突起51の胴部(突起の側面部)及び
先端部の表面にスパッタされた物質が付着して層52を
なしており、その層の形状は突起の先端部付近で拡径し
た円筒状であった。
【0033】上記方法で得られた電極板を電池の正極板
17とし、リチウム金属のシートから直径20mmに打
ち抜いたものを負極板とした。2−メチルテトラヒドロ
フランにLiAsF6 を溶解してLiAsF6 の濃
度を1.5モル/リットルとしたものを電解液として上
記正極17、ポリプロピレン製不織布16、及び上記負
極15を含浸させた。
17とし、リチウム金属のシートから直径20mmに打
ち抜いたものを負極板とした。2−メチルテトラヒドロ
フランにLiAsF6 を溶解してLiAsF6 の濃
度を1.5モル/リットルとしたものを電解液として上
記正極17、ポリプロピレン製不織布16、及び上記負
極15を含浸させた。
【0034】次に、図4に模式的に示すように、テフロ
ン製の容器20内に、ニッケル製の正極用集電体18、
上記正極17、ポリプロピレン製不織布16、上記負極
15、及びニッケル製の負極用集電体14をその順に重
ね合わせ、上から、O−リング13を有する押さえ部材
24を容器20内部に入れ、蓋材21を押さえ部材24
にのせ、ボルト23及びナット22により上述の電池構
成部材に適度な圧力をかけて電池を形成した。なお、両
端部の集電体にはそれぞれリード線19及び12を接続
した。
ン製の容器20内に、ニッケル製の正極用集電体18、
上記正極17、ポリプロピレン製不織布16、上記負極
15、及びニッケル製の負極用集電体14をその順に重
ね合わせ、上から、O−リング13を有する押さえ部材
24を容器20内部に入れ、蓋材21を押さえ部材24
にのせ、ボルト23及びナット22により上述の電池構
成部材に適度な圧力をかけて電池を形成した。なお、両
端部の集電体にはそれぞれリード線19及び12を接続
した。
【0035】以上の構成の電池について1μAの定電流
放電を行い、その時の放電電圧の時間変化を測定した。 結果を図5に示す。
放電を行い、その時の放電電圧の時間変化を測定した。 結果を図5に示す。
【0036】比較例1
V2 O5 が95モル%でP2 O5 が5モル%の
結晶質酸化物混合物と、結着剤(エポキシ樹脂)とを混
練して得たペーストを、ポリイミドフィルムの表面に塗
布し、乾燥したものを正極とした以外は実施例1と同様
にして電池を作製した。
結晶質酸化物混合物と、結着剤(エポキシ樹脂)とを混
練して得たペーストを、ポリイミドフィルムの表面に塗
布し、乾燥したものを正極とした以外は実施例1と同様
にして電池を作製した。
【0037】この電池について、実施例1と同様に1μ
Aの定電流放電を行い、その時の放電電圧の時間変化を
測定した。結果を図5に合わせて示す。
Aの定電流放電を行い、その時の放電電圧の時間変化を
測定した。結果を図5に合わせて示す。
【0038】実施例2
基板素材、基板のエッチング条件は実施例1と同様にし
て、表面に微細な突起を有する基板を作製した。その後
、V2 O5 95モル%−Fe2 O3 5モル%の
組成のターゲット(径が6インチのペレット)を用い、
以下の条件でスパッタリングを行い、基板上に正極活物
質層を形成した。
て、表面に微細な突起を有する基板を作製した。その後
、V2 O5 95モル%−Fe2 O3 5モル%の
組成のターゲット(径が6インチのペレット)を用い、
以下の条件でスパッタリングを行い、基板上に正極活物
質層を形成した。
【0039】スパッタリング条件
高周波電力:200W
雰囲気ガス:Ar:O2 =7:3の混合ガスガス圧
:2×10−2Torrガス流量 :80cc
/分 基板5とターゲット3との距離:2.5cm基板ホール
ダ6の回転速度 :40rpm
:2×10−2Torrガス流量 :80cc
/分 基板5とターゲット3との距離:2.5cm基板ホール
ダ6の回転速度 :40rpm
【0040】この
ようにして得られた正極を用い、実施例1と同様にして
電池を作製した。この電池について、1mAの定電流で
2〜3.5Vの間に電圧を規制した放電容量の低下を調
べた。結果を図6に示す。
ようにして得られた正極を用い、実施例1と同様にして
電池を作製した。この電池について、1mAの定電流で
2〜3.5Vの間に電圧を規制した放電容量の低下を調
べた。結果を図6に示す。
【0041】比較例2V2 O5 が95モル%でFe
2 O3 が5モル%の結晶質酸化物混合物と、結着剤
(エポキシ樹脂)とを混練して得たペーストを、ポリイ
ミドフィルムの表面に塗布し、乾燥したものを正極とし
た以外は実施例2と同様にして電池を作製した。
2 O3 が5モル%の結晶質酸化物混合物と、結着剤
(エポキシ樹脂)とを混練して得たペーストを、ポリイ
ミドフィルムの表面に塗布し、乾燥したものを正極とし
た以外は実施例2と同様にして電池を作製した。
【0042】この電池について、実施例2と同様にして
1mAの定電流で2〜3.5Vの間に電圧を規制した放
電容量の低下を調べた。結果を図6に合わせて示す。
1mAの定電流で2〜3.5Vの間に電圧を規制した放
電容量の低下を調べた。結果を図6に合わせて示す。
【0043】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明による正極は
、正極活物質における電気化学的反応面積が大きいので
、これを用いた電池は放電容量が大きい。また、放電特
性にも優れており、このような電池は各種分野での利用
が可能である。
、正極活物質における電気化学的反応面積が大きいので
、これを用いた電池は放電容量が大きい。また、放電特
性にも優れており、このような電池は各種分野での利用
が可能である。
【0044】本発明の正極は、コイン型の二次電池に用
いられるばかりではなく、種々の構造の電池、例えば円
筒型、偏平型、角型、ペーパー型等の二次電池にも用い
ることができる。
いられるばかりではなく、種々の構造の電池、例えば円
筒型、偏平型、角型、ペーパー型等の二次電池にも用い
ることができる。
【図1】実施例及び比較例における正極の製造に用いた
スパッタ装置を示す模式図である。
スパッタ装置を示す模式図である。
【図2】図1に示すスパッタ装置におけるターゲットと
、基板と、基板ホールダとの位置関係を示す模式的な部
分平面図である。
、基板と、基板ホールダとの位置関係を示す模式的な部
分平面図である。
【図3】スパッタリングにより突起を有する基板上に正
極活物質層を形成した状態を示す部分模式断面図である
。
極活物質層を形成した状態を示す部分模式断面図である
。
【図4】実施例及び比較例における電池の構造を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図5】実施例1及び比較例1における放電特性試験の
結果を示すグラフである。
結果を示すグラフである。
【図6】実施例2及び比較例2における放電容量を調べ
る試験の結果を示すグラフである。
る試験の結果を示すグラフである。
1 真空槽
2 ターゲット保持部材
3 ターゲット
4 シャッタ
5 基板
6 基板ホールダ
9 マッチングボックス
10 切り替えスイッチ
11 高周波電源
12、19 リード線
14、18 集電体
15 負極
16 ポリプロピレン製不織布
17 正極
20 容器
51 突起
52 正極活物質
Claims (7)
- 【請求項1】 表面に多数の微細な突起を有する基板
と、結晶質または非晶質のカルコゲン化合物からなる正
極活物質層とからなり、前記正極活物質層が少なくとも
前記突起の先端部から胴部にかけて形成されていること
を特徴とする電池用正極。 - 【請求項2】 請求項1に記載の電池用正極において
、前記突起の平均長さが0.2μm以上で、平均径が0
.05〜5μmであり、また、前記突起は1×103
〜5×107 個/mm2 の密度で基板上に形成され
ていることを特徴とする電池用正極。 - 【請求項3】 表面に多数の微細な突起を有する基板
に対し、結晶質カルコゲン化合物をターゲットとしたス
パッタリングを行い、前記突起の少なくとも先端部から
胴部にかけた部分に結晶質または非晶質のカルコゲン化
合物を付着させることを特徴とする電池用正極の製造方
法。 - 【請求項4】 請求項3に記載の方法において、前記
基板上に形成された多数の微細な突起を、イオン化した
ガスでエッチングする逆スパッタ法を基板用素材に適用
することにより形成することを特徴とする電池用正極の
製造方法。 - 【請求項5】 請求項3又は4に記載の方法において
、前記突起の平均長さが0.2μm以上で、平均径が0
.05〜5μmであり、また、前記突起の形成密度が1
×103 〜1×107 個/mm2 となる基板を用
いることを特徴とする電池用正極の製造方法。 - 【請求項6】 請求項3乃至5のいずれかに記載の方
法において、前記スパッタリングにおけるガス雰囲気圧
を1×10−4〜1×10−1Torrとすることを特
徴とする電池用正極の製造方法。 - 【請求項7】 請求項3乃至6のいずれかに記載の方
法において、前記カルコゲン化合物として、(a) V
2 O5 に、(b) TiO2 、P2 O5 、N
a2 O、K2 O、Rb2 O、Cs2 O、BeO
、MgO、CaO、SrO、ZrO2 、Nb2 O5
、Ta2 O5 、Cr2 O3 、MnO2 、F
e2 O3 、Co2 O3 、NiO、ZnO、Cd
O、Ag2 O、Al2 O3 、Ga2 O3 、A
s2 O3 、PbO、Ti2 O3 、CeO2 、
Nd2 O3 、Y2O3 及びSc2 O3 からな
る群から選ばれた酸化物の少なくとも1種を1〜30モ
ル%加えてなる混合物または固溶体を用いることを特徴
とする電池用正極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125128A JPH04328244A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電池用正極及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125128A JPH04328244A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電池用正極及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04328244A true JPH04328244A (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14902548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3125128A Pending JPH04328244A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電池用正極及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04328244A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5494762A (en) * | 1992-01-16 | 1996-02-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte lithium secondary cell |
US6093503A (en) * | 1992-09-01 | 2000-07-25 | Nippondenso Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte lithium secondary cell |
JP2002298834A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池及びリチウム二次電池用正極 |
JP2007080609A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Hitachi Cable Ltd | 電気化学装置用電極、固体電解質/電極接合体及びその製造方法 |
WO2008059937A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Panasonic Corporation | Procédé de fabrication d'un collecteur pour un accumulateur non aqueux, procédé de fabrication d'une électrode pour un accumulateur non aqueux et accumulateur non aqueux |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3125128A patent/JPH04328244A/ja active Pending
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WO2008059937A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Panasonic Corporation | Procédé de fabrication d'un collecteur pour un accumulateur non aqueux, procédé de fabrication d'une électrode pour un accumulateur non aqueux et accumulateur non aqueux |
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