JPH0432759Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0432759Y2 JPH0432759Y2 JP1983133288U JP13328883U JPH0432759Y2 JP H0432759 Y2 JPH0432759 Y2 JP H0432759Y2 JP 1983133288 U JP1983133288 U JP 1983133288U JP 13328883 U JP13328883 U JP 13328883U JP H0432759 Y2 JPH0432759 Y2 JP H0432759Y2
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- Japan
- Prior art keywords
- thermal expansion
- socket
- package
- coefficient
- contact piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Connecting Device With Holders (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は半導体集積回路ICパツケージが実装
される基板に固着され、該パツケージ１が有する
リード端子の挿脱が行なえるように形成された
ICソケツトに関する。
される基板に固着され、該パツケージ１が有する
リード端子の挿脱が行なえるように形成された
ICソケツトに関する。
(b) 従来技術と問題点
プリント配線基板等の基板に着脱できるように
実装されるICパツケージは基板にICソケツトを
固着し、ICソケツトにICパツケージのリード端
子が挿入されることで第１図に示すように実装さ
れている。第１図のａ図はICパツケージを実装
した斜視図、ｂ図はＡ−Ａ断面図である。
実装されるICパツケージは基板にICソケツトを
固着し、ICソケツトにICパツケージのリード端
子が挿入されることで第１図に示すように実装さ
れている。第１図のａ図はICパツケージを実装
した斜視図、ｂ図はＡ−Ａ断面図である。
ICソケツト２は基板３に固着され、ICパツケ
ージ１はリード端子１ＡがICソケツト２に挿入
されることで実装されている。このICソケツト
２はｂ図のＡ−Ａ断面図に示すように部材２Ｂに
よつて保持された接触片２Ａが設けられている。
この接触片２Ａはリード端子１Ａを挟持する舌片
部Ａと基板３のスルホール３Ａに固着される端子
部Ｂとによつて形成されている。
ージ１はリード端子１ＡがICソケツト２に挿入
されることで実装されている。このICソケツト
２はｂ図のＡ−Ａ断面図に示すように部材２Ｂに
よつて保持された接触片２Ａが設けられている。
この接触片２Ａはリード端子１Ａを挟持する舌片
部Ａと基板３のスルホール３Ａに固着される端子
部Ｂとによつて形成されている。
そこで、基板３の固着は端子部Ｂがスルホール
３Ａに挿入され半田付によつて行なわれ、ICパ
ツケージ１の着脱は、リード端子１Ａを舌片部Ａ
に挿脱することによつて行なわれる。
３Ａに挿入され半田付によつて行なわれ、ICパ
ツケージ１の着脱は、リード端子１Ａを舌片部Ａ
に挿脱することによつて行なわれる。
一般的に、このような接触片２Ａの舌片部Ａと
リード端子１Ａとの接触抵抗を小さくするよう接
触片２Ａには金メツキなどが施され、リード端子
１Ａの表面には金メツキ、銀メツキ、半田メツ
キ、錫メツキなどが施されている。また、部材２
Ｂは溶剤洗浄可能で、且つ成形加工の容易な電気
的絶縁性材料であるポリブチレンテレフタレート
材によつて形成されているが一方、その内部に図
示しないICチツプが封入されているICパツケー
ジ１はセラミツク材またはエポキシ系樹脂材によ
つて形成されている。
リード端子１Ａとの接触抵抗を小さくするよう接
触片２Ａには金メツキなどが施され、リード端子
１Ａの表面には金メツキ、銀メツキ、半田メツ
キ、錫メツキなどが施されている。また、部材２
Ｂは溶剤洗浄可能で、且つ成形加工の容易な電気
的絶縁性材料であるポリブチレンテレフタレート
材によつて形成されているが一方、その内部に図
示しないICチツプが封入されているICパツケー
ジ１はセラミツク材またはエポキシ系樹脂材によ
つて形成されている。
このようなICソケツト２は第２図のａに示す
ように、複数の接触片２Ａと、これら複数の接触
片２Ａを相互に所定ピツチで保持する枠状に形成
された部材２Ｂから構成されている。Ｃ面には
ICパツケージ１が装置され、Ｄ面には基板３が
固着される。
ように、複数の接触片２Ａと、これら複数の接触
片２Ａを相互に所定ピツチで保持する枠状に形成
された部材２Ｂから構成されている。Ｃ面には
ICパツケージ１が装置され、Ｄ面には基板３が
固着される。
このようなICソケツト２はICパツケージ１に
電源が供給されることで、例えば約80℃の高熱と
なるため、前述のICパツケージ１およびICソケ
ツト２の外側寸法L1，L2，11，12は熱膨張により
変化する。
電源が供給されることで、例えば約80℃の高熱と
なるため、前述のICパツケージ１およびICソケ
ツト２の外側寸法L1，L2，11，12は熱膨張により
変化する。
ICパツケージ１の構成材料がエポキシ樹脂で
ある場合、その熱膨張係数は約５×10-5／℃であ
り、部材２Ｂを構成する前記ポリブチレンテレフ
タレートの熱膨張係数約４×10-5／℃と近いの
で、上記熱膨張による問題は特に生じないが、
ICパツケージ１がセラミツクから成る場合には、
その熱膨張係数が約６×10-6／℃であり、ポリブ
チレンテレフタレートのそれと約10倍の差がある
ため、舌片部Ａとリード端子１Ａとの接触部がミ
クロ的に摺動され、一方が金メツキ、他方が半田
メツキ、錫メツキなどの異種金属の組合せでは接
触部に酸化物が生成される。したがつてこのよう
な摺動が繰り返し行なわれると接触が不安定とな
る問題を有していた。特に、錫メツキが施された
場合はこのような障害が頻発する問題を有してい
た。
ある場合、その熱膨張係数は約５×10-5／℃であ
り、部材２Ｂを構成する前記ポリブチレンテレフ
タレートの熱膨張係数約４×10-5／℃と近いの
で、上記熱膨張による問題は特に生じないが、
ICパツケージ１がセラミツクから成る場合には、
その熱膨張係数が約６×10-6／℃であり、ポリブ
チレンテレフタレートのそれと約10倍の差がある
ため、舌片部Ａとリード端子１Ａとの接触部がミ
クロ的に摺動され、一方が金メツキ、他方が半田
メツキ、錫メツキなどの異種金属の組合せでは接
触部に酸化物が生成される。したがつてこのよう
な摺動が繰り返し行なわれると接触が不安定とな
る問題を有していた。特に、錫メツキが施された
場合はこのような障害が頻発する問題を有してい
た。
また、このような熱膨張による摺動を解消する
ためにはｂ図に示すように接触片２Ａを小ブロツ
クに分割した部材２ｃによつて形成することが可
能である。しかし、このように小ブロツク化する
と製作および組立工数の増加となりコストアツプ
となる欠点を有している。
ためにはｂ図に示すように接触片２Ａを小ブロツ
クに分割した部材２ｃによつて形成することが可
能である。しかし、このように小ブロツク化する
と製作および組立工数の増加となりコストアツプ
となる欠点を有している。
(c) 考案の目的
本考案の目的は、前記部材２Ｂの材料として、
セラミツク材および樹脂のいずれから成るICパ
ツケージ１との間の熱膨張差によるリード端子と
接触片との摺動を極力小さくするものを選択する
ことにより、前の問題点を除去するものを提供す
るものである。
セラミツク材および樹脂のいずれから成るICパ
ツケージ１との間の熱膨張差によるリード端子と
接触片との摺動を極力小さくするものを選択する
ことにより、前の問題点を除去するものを提供す
るものである。
(d) 考案の構成
本考案の目的は、かゝるICソケツトにおいて、
前記部材がエポキシ樹脂とセラミツクのそれぞれ
の有する熱膨張係数のほぼ中間の熱膨張係数を有
する材料から形成されたことを特徴とするICソ
ケツトにより達成される。
前記部材がエポキシ樹脂とセラミツクのそれぞれ
の有する熱膨張係数のほぼ中間の熱膨張係数を有
する材料から形成されたことを特徴とするICソ
ケツトにより達成される。
(e) 考案の実施例
以下本考案を第３図を参考に詳細に説明する。
第３図は本考案によるICソケツトの一実施例を
示すグラフである。
第３図は本考案によるICソケツトの一実施例を
示すグラフである。
部材２Ｂの熱膨張係数はICパツケージ１を形
成するセラミツク材の熱膨張係数とエポキシ系樹
脂材の熱膨張係数との中間になるように材質を選
択したものである。
成するセラミツク材の熱膨張係数とエポキシ系樹
脂材の熱膨張係数との中間になるように材質を選
択したものである。
エポキシ系樹脂材の熱膨張係数はP1点の５×
10-5／℃であり、セラミツク材の熱膨張係数はP2
点の６×10-6／℃である。そこで部材２Ｂの熱膨
張係数としては斜線で示したＥ範囲の値にするこ
とが望ましい。
10-5／℃であり、セラミツク材の熱膨張係数はP2
点の６×10-6／℃である。そこで部材２Ｂの熱膨
張係数としては斜線で示したＥ範囲の値にするこ
とが望ましい。
本考案では部材２Ｂの材質としてポリフエニレ
ンサルフアイト材を用いることで、熱膨張係数は
P3点の２×10-5mm／℃にすることができ、前述の
Ｅ範囲にすることができた。尚、このように熱膨
張係数をＥ範囲に設定することにより第４図に示
す効果が得られる。
ンサルフアイト材を用いることで、熱膨張係数は
P3点の２×10-5mm／℃にすることができ、前述の
Ｅ範囲にすることができた。尚、このように熱膨
張係数をＥ範囲に設定することにより第４図に示
す効果が得られる。
第４図は温度サイクルによる接触抵抗の変化を
示したグラフである。従来のように熱膨張の差が
ある場合はR1に示すように急激に接触抵抗が増
加するが、熱膨張の差を前述の範囲Ｅに設定する
ことでR2に示すように接触抵抗の増加を小さく
することができる。
示したグラフである。従来のように熱膨張の差が
ある場合はR1に示すように急激に接触抵抗が増
加するが、熱膨張の差を前述の範囲Ｅに設定する
ことでR2に示すように接触抵抗の増加を小さく
することができる。
(f) 考案の効果
以上説明したように本考案はICパツケージ１
に適用されるセラミツク材およびエポキシ系樹脂
材のそれぞれの熱膨張係数の中間の値になる材質
によつて部材２Ｂを形成するようにしたものであ
る。
に適用されるセラミツク材およびエポキシ系樹脂
材のそれぞれの熱膨張係数の中間の値になる材質
によつて部材２Ｂを形成するようにしたものであ
る。
これにより、熱膨張係数の差による接触片２Ａ
とリード端子１Ａとの接触部の接触抵抗の増加は
抑制でき、接触不良による障害の発生を少なくす
ることができ実用効果は大である。
とリード端子１Ａとの接触部の接触抵抗の増加は
抑制でき、接触不良による障害の発生を少なくす
ることができ実用効果は大である。
第１図はICパツケージの実装を示すａ図は斜
視図、ｂ図は断面図、第２図はICソケツトの外
観を示すａ図は斜視図、ｂ図は従来の問題点説明
図、第３図は本考案におけるICソケツト構成部
材の選択根拠を説明するためのグラフ、第４図は
接触抵抗と温度サイクルの関係グラフを示す。 図中において、１は半導体素子、１Ａはリード
端子、２はICソケツト、２Ａは接触片、２Ｂ，
２Ｃは部材、３は基板、３Ａはスルホールを示
す。
視図、ｂ図は断面図、第２図はICソケツトの外
観を示すａ図は斜視図、ｂ図は従来の問題点説明
図、第３図は本考案におけるICソケツト構成部
材の選択根拠を説明するためのグラフ、第４図は
接触抵抗と温度サイクルの関係グラフを示す。 図中において、１は半導体素子、１Ａはリード
端子、２はICソケツト、２Ａは接触片、２Ｂ，
２Ｃは部材、３は基板、３Ａはスルホールを示
す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ICパツケージのリード端子が挿脱される舌片
部と基板に固着される端子部とを有する接触片
と、該接触片を所定のピツチで保持する絶縁材よ
り成る部材とを備え、該接触片を介して該基板に
該ICパツケージが挿脱自在に実装されるICソケ
ツトであつて、 熱膨張係数がエポキシ樹脂の熱膨張係数と、セ
ラミツクの熱膨張係数とのほぼ中間になる材質に
よつて前記部材を形成することを特徴とするIC
ソケツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13328883U JPS6041053U (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | Ｉｃソケツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13328883U JPS6041053U (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | Ｉｃソケツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041053U JPS6041053U (ja) | 1985-03-23 |
| JPH0432759Y2 true JPH0432759Y2 (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=30300721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13328883U Granted JPS6041053U (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | Ｉｃソケツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041053U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041053Y2 (ja) * | 1979-11-20 | 1985-12-12 | 三菱農機株式会社 | ロ−タリ耕耘装置の後部カバ− |
| JPH0448651Y2 (ja) * | 1987-03-03 | 1992-11-17 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143730Y2 (ja) * | 1971-04-16 | 1976-10-23 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP13328883U patent/JPS6041053U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6041053U (ja) | 1985-03-23 |
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