JPH04326641A - Atmスイッチ用メモリ - Google Patents

Atmスイッチ用メモリ

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Publication number
JPH04326641A
JPH04326641A JP3095946A JP9594691A JPH04326641A JP H04326641 A JPH04326641 A JP H04326641A JP 3095946 A JP3095946 A JP 3095946A JP 9594691 A JP9594691 A JP 9594691A JP H04326641 A JPH04326641 A JP H04326641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data
packet
address
read
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3095946A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Takeno
竹野 実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH04326641A publication Critical patent/JPH04326641A/ja
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  • Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はATMスイッチ用のメモ
リに関する。最近、次世代通信網として広帯域ISDN
が研究開発されつつある。
【0002】かかる広帯域ISDNの通信技術としてA
TM(Asynchronous Transfer 
Mode) が採用されている。ATMとは非同期転送
モードを意味し、音声、データ、動画像等を一つのネッ
トワークで扱うことができ、その都度端末が必要とする
通信速度を設定して、その速度で通信を行うものである
【0003】図4はATMスイッチを説明する図である
。図は入力#0〜#2の3回線、出力#0〜#2の3回
線の例であり、各回線から入力するパケット単位のデー
タをバッファメモリに書き込み、パケットの先頭のヘッ
ダ部に書き込まれているアドレスにより指定される回線
に出力する。入出力制御は図に示す中央制御装置(図中
CCとして示す)70が行っている。
【0004】かかるマトリクスの各交点に設けられてい
るバッファとしてのメモリがATMスイッチ用メモリ1
である。図5はATMパケットの例を説明する図であり
、1パケットはデータ53バイト、制御データ1バイト
の計54バイトから構成されている例を示す。
【0005】かかるATMスイッチ用メモリは大量に使
用するので、低消費電力で且つLSIとしての面積を小
さくすることが要求されている。
【0006】
【従来の技術】図6は従来例を説明する図を示す。図中
1AはATMスイッチ用メモリであり、10Aはデータ
を記憶するメモリセルアレイ、10B、10Cはアドレ
スデコーダ、41は書き込み増幅器、51は読み出し増
幅器である。21A、31AはATMスイッチ用メモリ
1Aの外部に設けられている書き込みアドレス発生回路
、読み出しアドレス発生回路であり、それぞれパケット
アドレス発生器22A、32A、ワードアドレス発生器
23A、33Aを備えている。
【0007】図7は従来例のデータ管理を説明する図で
あり、データの書き込み、読み出しを行うときは、パケ
ットアドレス発生器22A、32Aの発生するパケット
アドレスと、ワードアドレス発生器23A、33Aの発
生するワードアドレスとをATMスイッチ用メモリ1A
の中に設けられているアドレスデコーダ10B、10C
で合成してメモリセルアレイ10A上の実際のアドレス
を生成し、書き込み増幅器41、読み出し増幅器51を
とおして、データの書き込み、読み出しを行っている。
【0008】書き込み側のENは書き込みのライトイネ
ーブル信号の入力端子を示す。従来例においては通常メ
モリセルとしてデュアルポートメモリを使用している。 図8はデュアルポートメモリ用のメモリセルを説明する
図であり、インバータI1〜I4とトランファーゲート
G1〜G4から構成されている。
【0009】実際のメモリではこのようなメモリセルが
必要個数、図で示す縦方向に配置されており、Writ
e Word線、 Read Word線でメモリセル
を指定し、Write Bit 線からデータを書き込
み、 Read Bit 線からデータの読み出しを行
う。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】これまでの、ATMス
イッチ用メモリは通常デュアルポートメモリセルを使用
しているので、LSIとして構成した場合の面積が大き
く消費電力も大きい。
【0011】また、データの入出力のアドレスの指定は
、ATMスイッチ用メモリの外部に書き込みアドレス発
生回路、読み出しアドレス発生回路を設ける必要があり
、外部の制御回路が大きくなる。
【0012】本発明は低消費電力で且つ実装面積の小さ
なATMスイッチ用メモリを実現しようとする。
【0013】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理を説
明するブロック図である。図中の11〜1nは所定のパ
ケット長のデータを書き込む複数の記憶素子であり、2
0は複数の記憶素子11〜1nの中から任意の1個を選
択するパケット選択部であり、30はパケット選択部2
0にて選択された記憶素子11〜1nのデータ書き込み
、読み出しアドレスを発生するアドレス発生部である。
【0014】また、40は選択された記憶素子11〜1
nにデータを書き込む書き込み部であり、50は選択さ
れた記憶素子11〜1nからデータを読み出す読み出し
部であり、60は書き込み、読み出しの制御を行うスイ
ッチ(図中SWとして示す)であり、パケット選択部2
0で任意に選択した記憶素子11〜1nに、アドレス発
生部で発生するアドレスの指定にしたがってデータの書
き込み、読み出しを行う。
【0015】
【作用】ATMスイッチの複数の記憶素子11〜1nの
パケット長はシステムの要件から決まっており、その1
例としては図5に示すように54バイトが使用されてい
る。また、複数の記憶素子11〜1nのnはシステム上
の設計要件から決まるものである。
【0016】ここで、54パケット記憶可能な記憶素子
11〜1nを設け、パケット選択部20で発生したパケ
ット選択信号により記憶素子11〜1nを順次選択し、
アドレス発生部30の発生するアドレスにしたがってデ
ータを書き込む。
【0017】読み出しときも同様の動作であり、パケッ
ト選択部20で発生したパケット選択信号により記憶素
子11〜1nを順次選択し、アドレス発生部30の発生
するアドレスにしたがってデータを読み出す。
【0018】ここで、スイッチ60としてトランファー
ゲート61、複数の記憶素子11〜1nとしてシングル
ポートメモリセル11A〜1nA、パケット選択部20
、アドレス発生部30として順次アドレス発生回路より
構成することにより、小型で低消費電力のATMスイッ
チ用メモリを得ることができる。
【0019】
【実施例】図2は本発明の実施例を説明する図である。 図中の11A〜1nAは54バイトのデータを書き込む
シングルポートのメモリセルアレイ、21は書き込みパ
ケットアドレスを発生する書き込みパケットアドレス順
次発生回路22、読み出しパケットアドレスを発生する
読み出しパケットアドレス順次発生回路23よりなるパ
ケットセレクタ、31は選択されたメモリセルアレイ1
1A〜1nAにデータを書き込むワードアドレスを発生
する書き込みワードアドレス順次発生回路32、選択さ
れたメモリセルアレイ11A〜1nAからデータを読み
出すワードアドレスを発生する読み出しワードアドレス
順次発生回路33よりなるワードアドレスセレクタ、4
1は書き込み増幅器、51は読み出し増幅器、61はト
ランファーゲートである。
【0020】先ずデータを書き込むときには、書き込み
パケットアドレス順次発生回路22の出力する選択信号
でメモリセルアレイ11Aに接続されている書き込み側
のトランファーゲート61をオンとする。ついで、書き
込みワードアドレス順次発生回路32が書き込むアドレ
スを1から54までを順次発生させ、書き込みデータを
メモリセルアレイ11Aのアドレス1〜54までに書き
込み増幅器41をとおして書き込む。
【0021】メモリセルアレイ11Aに書き込みが終了
すると書き込みパケットアドレス順次発生回路22はメ
モリセルアレイ12Aを選択する信号を出力する。以下
同様に書き込みパケットアドレス順次発生回路22がメ
モリセルアレイ13A以降、1nAまでを選択する信号
を順次発生し、データの書き込みを行い、メモリセルア
レイ1nAまでの書き込みが終わると、再びメモリセル
アレイ11Aに戻ってデータの書き込みを行う。
【0022】データの読み出しも書き込みと同様の動作
であり、データを読み出すメモリセルアレイを読み出し
パケットアドレス順次発生回路23の出力で指定し、読
み出しワードアドレス順次発生回路33の発生するワー
ドアドレスにしたがってデータを読み出す。読み出した
データは読み出し増幅器51をとおして出力される。
【0023】書き込みパケットアドレス順次発生回路2
2、読み出しパケットアドレス順次発生回路23および
書き込みワードアドレス順次発生回路32、読み出しワ
ードアドレス順次発生回路33よりトランファーゲート
61への配線は、それぞれ独立の線で配線されている。 (図では1本の線で示している。)図3はシングルポー
トメモリ用のメモリセルを説明する図であり、インバー
タI1、2とトランファーゲートG1、2より構成して
いる。書き込み、読み出しはWord線により、ワード
を指定した上で、Bit 線からデータの書き込みある
いはデータの読み出しを行う。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、所定のパケット長のデ
ータを書き込む記憶素子を設け、パケット選択部とアド
レス発生部からの指定により、指定のパケットにデータ
を入出力することにより、LSIとして構成した場合の
占有面積が小さく低消費電力のATMスイッチ用メモリ
を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】  本発明の原理を説明するブロック図
【図2
】  本発明の実施例を説明する図
【図3】  シング
ルポートメモリ用のメモリセルを説明する図
【図4】  ATMスイッチを説明する図
【図5】  
ATMパケットの例を説明する図
【図6】  従来例を
説明する図
【図7】  従来例のデータ管理を説明する図
【図8】
  デュアルポートメモリ用のメモリセルを説明する図
【符号の説明】
1、1A  ATMスイッチ用メモリ 11〜1n  記憶素子 11A〜1nA、10A  メモリセルアレイ10B、
10C  アドレスデコーダ 20  パケット選択部        21  パケ
ットセレクタ22  書き込みパケットアドレス順次発
生回路23  読み出しパケットアドレス順次発生回路
21A  書き込みアドレス発生回路 22A、32A  パケットアドレス発生回路23A、
33A  ワードアドレス発生回路30  アドレス発
生部        31  ワードセレクタ32  
書き込みワードアドレス順次発生回路33  読み出し
ワードアドレス順次発生回路31A  読み出しアドレ
ス発生回路 40  書き込み部            41  
書き込み増幅器50  読み出し部         
   51  読み出し増幅器60  スイッチ   
           70  中央制御装置61、G
1〜G4  トランファーゲートI1〜I4  インバ
ータ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  所定のパケット長のデータを書き込む
    複数の記憶素子(11〜1n)と、前記複数の記憶素子
    (11〜1n)の中から任意の前記記憶素子(11〜1
    n)を選択するパケット選択部(20)と、前記パケッ
    ト選択部(20)にて選択された前記記憶素子(11〜
    1n)のデータ書き込み、読み出しアドレスを発生する
    アドレス発生部(30)と、選択された前記記憶素子(
    11〜1n)にデータを書き込む書き込み部(40)と
    、選択された前記記憶素子(11〜1n)からデータを
    読み出す読み出し部(50)と、書き込み、読み出しの
    制御を行うスイッチ(60)とを備えたことを特徴とす
    るATMスイッチ用メモリ。
  2. 【請求項2】  前記スイッチ(60)をトランスファ
    ーゲート(61)にて構成し、前記複数の記憶素子(1
    1〜1n)を前記トランスファーゲート(61)で接続
    したことを特徴とする請求項1記載のATMスイッチ用
    メモリ。
  3. 【請求項3】  前記アドレス発生部(30)は順次ア
    ドレス発生回路(31)にて構成し、前記トランファー
    ゲート(61)を前記順次アドレス発生回路(31)の
    出力で制御することを特徴とする請求項1記載のATM
    スイッチ用メモリ。
  4. 【請求項4】  前記複数の記憶素子(11〜1n)を
    シングルポートメモリセル(11A〜1nA)にて構成
    したことを特徴とする請求項1記載のATMスイッチ用
    メモリ。
JP3095946A 1991-04-26 1991-04-26 Atmスイッチ用メモリ Withdrawn JPH04326641A (ja)

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JP3095946A JPH04326641A (ja) 1991-04-26 1991-04-26 Atmスイッチ用メモリ

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Effective date: 19980711