JPH04324954A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04324954A JPH04324954A JP3095380A JP9538091A JPH04324954A JP H04324954 A JPH04324954 A JP H04324954A JP 3095380 A JP3095380 A JP 3095380A JP 9538091 A JP9538091 A JP 9538091A JP H04324954 A JPH04324954 A JP H04324954A
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- semiconductor wafer
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- semiconductor
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Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造装置に係り
、特にスパッタ等を用いて半導体ウエハ上にＡ１蒸着膜
等を形成する半導体製造装置に適用して有効な技術に関
するものである。
、特にスパッタ等を用いて半導体ウエハ上にＡ１蒸着膜
等を形成する半導体製造装置に適用して有効な技術に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体を製造する工程においては、様々
なものがあるが、前工程とよばれる半導体ウエハの製造
工程においては、半導体ウエハ上に蒸着やＣＶＤにおい
て所望の膜を形成する工程がある。このような工程で使
用する半導体製造装置を示したものとして特開昭５８ー
２１２１２５号がある。
なものがあるが、前工程とよばれる半導体ウエハの製造
工程においては、半導体ウエハ上に蒸着やＣＶＤにおい
て所望の膜を形成する工程がある。このような工程で使
用する半導体製造装置を示したものとして特開昭５８ー
２１２１２５号がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記したよう
な製造装置は半導体ウエハを保持するために半導体ウエ
ハの周囲を爪で保持するのが一般的である。
な製造装置は半導体ウエハを保持するために半導体ウエ
ハの周囲を爪で保持するのが一般的である。
【０００４】このため前記爪が半導体ウエハ処理後のウ
エハ表面周囲に爪跡を残すようになってしまうという問
題があった。この爪跡は特に配線層として形成されるア
ルミニウム層に影響を与え、爪跡の残った部分の配線層
を不良としてしまうという問題があった。また爪による
保持の場合は爪跡は半導体ウエハ処理の終了後の爪周囲
の半導体チップに分離したものの数枚を不良にしてしま
うという問題があった。このような問題は、ウエハ検査
時に対象半導体チップ部にインクを適下し不良ペレット
を示す必要が有り、工程増加一因となっていた。
エハ表面周囲に爪跡を残すようになってしまうという問
題があった。この爪跡は特に配線層として形成されるア
ルミニウム層に影響を与え、爪跡の残った部分の配線層
を不良としてしまうという問題があった。また爪による
保持の場合は爪跡は半導体ウエハ処理の終了後の爪周囲
の半導体チップに分離したものの数枚を不良にしてしま
うという問題があった。このような問題は、ウエハ検査
時に対象半導体チップ部にインクを適下し不良ペレット
を示す必要が有り、工程増加一因となっていた。
【０００５】本願発明者はこのような問題を検討中、一
般に半導体ウエハの周辺に割れかけ防止のために面取り
処理が行われていることに着目した。
般に半導体ウエハの周辺に割れかけ防止のために面取り
処理が行われていることに着目した。
【０００６】本願発明の目的は上記したような問題を解
決し、爪跡の残らない半導体ウエハを提供することので
きる半導体製造装置を提供することにある。
決し、爪跡の残らない半導体ウエハを提供することので
きる半導体製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの手段について説明すれば下記
のとおりである。
発明のうち代表的なものの手段について説明すれば下記
のとおりである。
【０００８】すなわち半導体ウエハの表面処理を行う半
導体製造装置において、前記ウエハの周辺の側面に形成
された面取り部を押圧しウエハを保持する半導体製造装
置である。
導体製造装置において、前記ウエハの周辺の側面に形成
された面取り部を押圧しウエハを保持する半導体製造装
置である。
【０００９】
【作用】上記した手段によれば、半導体ウエハ表面を覆
うものが存在しないため、半導体ウエハ上に均一な膜が
形成され、従来の爪跡周囲のペレットも通常のペレット
と同じように製造することが可能となる。
うものが存在しないため、半導体ウエハ上に均一な膜が
形成され、従来の爪跡周囲のペレットも通常のペレット
と同じように製造することが可能となる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例である半導体製造装置
の要部を示した正面図と側面図、図２は本発明の製造装
置を示した概略正面図、図３は図１に示した本発明の半
導体製造装置の要部に半導体ウエハを搬送する搬送機構
を示した一部断面側面図である。
の要部を示した正面図と側面図、図２は本発明の製造装
置を示した概略正面図、図３は図１に示した本発明の半
導体製造装置の要部に半導体ウエハを搬送する搬送機構
を示した一部断面側面図である。
【００１１】本実施例において対象となる半導体製造装
置は蒸着関連プロセスを枚葉式にて行うものである。半
導体ウエハ１はその側面が面取りされている。
置は蒸着関連プロセスを枚葉式にて行うものである。半
導体ウエハ１はその側面が面取りされている。
【００１２】図１に示したように本実施例の要部は半導
体ウエハ１を保持する真空吸着アーム４と前記吸着アー
ムに取り付けられたバネ３を介して取り付けられた半導
体ウエハ保持ピン２とからなる。半導体ウエハ１は前記
吸着アーム４に形成された吸着孔（図示せず）に吸着保
持されるとともに半導体ウエハ１の周囲に形成されてい
る面取り部１ａをバネ３の弾性力により保持している。 この吸着アーム４はその下部に半導体ウエハを下から支
える保持ピン５を有する保持機構６が取付けられている
。この保持機構６は半導体ウエハ１が本装置に搬送され
る時にピン５が可動するように構成されており、半導体
ウエハ処理時には半導体ウエハ１を保持する。
体ウエハ１を保持する真空吸着アーム４と前記吸着アー
ムに取り付けられたバネ３を介して取り付けられた半導
体ウエハ保持ピン２とからなる。半導体ウエハ１は前記
吸着アーム４に形成された吸着孔（図示せず）に吸着保
持されるとともに半導体ウエハ１の周囲に形成されてい
る面取り部１ａをバネ３の弾性力により保持している。 この吸着アーム４はその下部に半導体ウエハを下から支
える保持ピン５を有する保持機構６が取付けられている
。この保持機構６は半導体ウエハ１が本装置に搬送され
る時にピン５が可動するように構成されており、半導体
ウエハ処理時には半導体ウエハ１を保持する。
【００１３】図２に示したように本実施例の半導体製造
装置は、本体７に仕切８で仕切られた室内にそれぞれ図
１に示した要部を有するように形成されている。このよ
うな装置に図示しない扉が覆いそれぞれの室内を分離し
て構成する。この室内ではそれぞれ吸着アームおよび保
持ピンによって保持された半導体ウエハが各々の工程で
の処理を受ける。
装置は、本体７に仕切８で仕切られた室内にそれぞれ図
１に示した要部を有するように形成されている。このよ
うな装置に図示しない扉が覆いそれぞれの室内を分離し
て構成する。この室内ではそれぞれ吸着アームおよび保
持ピンによって保持された半導体ウエハが各々の工程で
の処理を受ける。
【００１４】この処理については例えば、蒸着工程の前
処理や後処理の工程が行われる。
処理や後処理の工程が行われる。
【００１５】図３に示したように本実施例での製造装置
は吸着アーム４に半導体ウエハ１を供給する。蒸着処理
の対象となる半導体ウエハ１治具１０に納められ処理室
面９の近傍まで搬送される。処理室面９に配置された吸
着アーム４は通常位置する面から全面に移動し、保持機
構６が可動し保持ピン５を解放する。治具１０下部から
半導体ウエハ１を吸着アーム面まで押し上げる。この後
保持ピン５は吸着アーム４ニ保持されるとともに、保持
ピン２により弾性的に保持され、保持ピンによりオリフ
ラ部を保持される。この保持ピンは面取り部で半導体ウ
エハ１を保持するように構成されているため、半導体ウ
エハの処理表面にはピンが覆わないような構成となって
いる。その後、処理室面まで吸着アームは後退し、図示
しない扉が処理室を密閉した後処理工程が行われる。
は吸着アーム４に半導体ウエハ１を供給する。蒸着処理
の対象となる半導体ウエハ１治具１０に納められ処理室
面９の近傍まで搬送される。処理室面９に配置された吸
着アーム４は通常位置する面から全面に移動し、保持機
構６が可動し保持ピン５を解放する。治具１０下部から
半導体ウエハ１を吸着アーム面まで押し上げる。この後
保持ピン５は吸着アーム４ニ保持されるとともに、保持
ピン２により弾性的に保持され、保持ピンによりオリフ
ラ部を保持される。この保持ピンは面取り部で半導体ウ
エハ１を保持するように構成されているため、半導体ウ
エハの処理表面にはピンが覆わないような構成となって
いる。その後、処理室面まで吸着アームは後退し、図示
しない扉が処理室を密閉した後処理工程が行われる。
【００１６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られるものの効果を説明すれば下記
のとおりである。
的なものによって得られるものの効果を説明すれば下記
のとおりである。
【００１７】すなわち、半導体ウエハの面取り部を保持
することによって半導体ウエハを保持するので、半導体
ウエハ上の処理表面に保持ピンが存在することによる影
響は発生しないという効果が得られる。
することによって半導体ウエハを保持するので、半導体
ウエハ上の処理表面に保持ピンが存在することによる影
響は発生しないという効果が得られる。
【００１８】また、半導体表面に保持ピンによる影響が
ないので、半導体ウエハ上に形成された半導体チップを
通常に処理のみで製造することができる。
ないので、半導体ウエハ上に形成された半導体チップを
通常に処理のみで製造することができる。
【図１】本発明の実施例である半導体製造装置の要部を
示した正面図と側面図である
示した正面図と側面図である
【図２】本発明の製造装置を示した概略正面図である
【
図３】図１に示した本発明の半導体製造装置の要部に半
導体ウエハを搬送する搬送機構を示した一部断面図であ
る
図３】図１に示した本発明の半導体製造装置の要部に半
導体ウエハを搬送する搬送機構を示した一部断面図であ
る
１ 半導体ウエハ
２ 保持ピン
３ バネ
４ 吸着アーム
５ 保持ピン
６ 保持機構
７ 製造装置
８ 仕切
９ 処理室面
１０ 治具
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハの表面処理を行う半導体
製造装置において、前記ウエハの側面を保持しウエハを
保持することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記表面処理はＡ１蒸着工程であるこ
とを特徴とする請求項１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095380A JPH04324954A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095380A JPH04324954A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324954A true JPH04324954A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14136044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3095380A Pending JPH04324954A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007228A1 (fr) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Four de croissance epitaxiale |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3095380A patent/JPH04324954A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007228A1 (fr) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Four de croissance epitaxiale |
| US6863735B1 (en) | 1998-07-27 | 2005-03-08 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Epitaxial growth furnace |
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