JPH04324174A - 磁気記録再生方法 - Google Patents
磁気記録再生方法Info
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- JPH04324174A JPH04324174A JP12235391A JP12235391A JPH04324174A JP H04324174 A JPH04324174 A JP H04324174A JP 12235391 A JP12235391 A JP 12235391A JP 12235391 A JP12235391 A JP 12235391A JP H04324174 A JPH04324174 A JP H04324174A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、剛性基板上に連続薄膜
の磁性層を有する、いわゆるハードタイプの磁気ディス
ク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行う磁
気記録再生方法に関する。
の磁性層を有する、いわゆるハードタイプの磁気ディス
ク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行う磁
気記録再生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】計算機等に用いられる磁気ディスク駆動
装置には、剛性基板上に磁性層を設層したハードタイプ
の磁気ディスクと浮上型磁気ヘッドとが用いられている
。
装置には、剛性基板上に磁性層を設層したハードタイプ
の磁気ディスクと浮上型磁気ヘッドとが用いられている
。
【0003】このような磁気ディスク駆動装置において
は従来、塗布型の磁気ディスクが用いられていたが、磁
気ディスクの大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の
点で有利なことから、スパッタ法等の気相成膜法等によ
り設層される連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気デ
ィスクが用いられるようになっている。
は従来、塗布型の磁気ディスクが用いられていたが、磁
気ディスクの大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の
点で有利なことから、スパッタ法等の気相成膜法等によ
り設層される連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気デ
ィスクが用いられるようになっている。
【0004】薄膜型磁気ディスクとしては、Al系のデ
ィスク状金属板にNi−P下地層をめっきにより設層す
るか、あるいはこの金属板表面を酸化してアルマイトを
形成したものを基板とし、この基板上にCr層、Co−
Ni等の強磁性金属薄膜の磁性層、さらにC等の保護潤
滑膜をスパッタ法により順次設層して構成されるものが
一般的である。
ィスク状金属板にNi−P下地層をめっきにより設層す
るか、あるいはこの金属板表面を酸化してアルマイトを
形成したものを基板とし、この基板上にCr層、Co−
Ni等の強磁性金属薄膜の磁性層、さらにC等の保護潤
滑膜をスパッタ法により順次設層して構成されるものが
一般的である。
【0005】また、浮上型磁気ヘッドは浮力を発生する
スライダを有する磁気ヘッドであり、コアがスライダと
一体化されたコンポジットタイプのもの、あるいはコア
がスライダを兼ねるモノリシックタイプのものが通常用
いられる。
スライダを有する磁気ヘッドであり、コアがスライダと
一体化されたコンポジットタイプのもの、あるいはコア
がスライダを兼ねるモノリシックタイプのものが通常用
いられる。
【0006】さらに、これらの他、高密度記録が可能で
あることから、いわゆる浮上型薄膜磁気ヘッドが注目さ
れている。浮上型薄膜磁気ヘッドは、基体上に磁極層、
ギャップ層、コイル層などを気相成膜法等により形成し
たものである。このような浮上型薄膜磁気ヘッドでは、
基体がスライダとしてはたらく。
あることから、いわゆる浮上型薄膜磁気ヘッドが注目さ
れている。浮上型薄膜磁気ヘッドは、基体上に磁極層、
ギャップ層、コイル層などを気相成膜法等により形成し
たものである。このような浮上型薄膜磁気ヘッドでは、
基体がスライダとしてはたらく。
【0007】近年、磁気ディスク駆動装置では、高密度
記録を可能とするために磁気ヘッドを磁気ディスクへ近
づけ、浮上量を極めて小さく設定する方向にある。
記録を可能とするために磁気ヘッドを磁気ディスクへ近
づけ、浮上量を極めて小さく設定する方向にある。
【0008】また、磁気ディスク駆動装置の高速化に対
し、データ転送速度の向上、シーク時間の短縮、回転待
ち時間の短縮が重要視されている。
し、データ転送速度の向上、シーク時間の短縮、回転待
ち時間の短縮が重要視されている。
【0009】このような場合、システムの耐久信頼性を
向上させるには、シーク特性の安定性が特に重要な項目
となってくる。
向上させるには、シーク特性の安定性が特に重要な項目
となってくる。
【0010】磁気ディスクの表面状態は、基板自体の表
面のクリーン度(ゴミ、ほこり等の異物)、異常突起、
表面粗度、あるいは成膜時のゴミ、ほこり等の異物の付
着や封入、さらには成膜後の磁気ディスクの表面仕上げ
等により異なり、Rmax は、ディスクの一部の表面
性を表しているにすぎない。このため、ディスク全体の
表面状態が関係してくるシーク特性の場合、例えばRm
axのみを制御しても安定したシーク特性が得られず、
耐久信頼性の点で不十分である。
面のクリーン度(ゴミ、ほこり等の異物)、異常突起、
表面粗度、あるいは成膜時のゴミ、ほこり等の異物の付
着や封入、さらには成膜後の磁気ディスクの表面仕上げ
等により異なり、Rmax は、ディスクの一部の表面
性を表しているにすぎない。このため、ディスク全体の
表面状態が関係してくるシーク特性の場合、例えばRm
axのみを制御しても安定したシーク特性が得られず、
耐久信頼性の点で不十分である。
【0011】このような事情からディスク全体の表面状
態を把握するため、グライドハイトテスタを用いてディ
スクのグライドハイトを定め、グライドハイト以上の任
意の浮上量にて記録、再生が行われている。
態を把握するため、グライドハイトテスタを用いてディ
スクのグライドハイトを定め、グライドハイト以上の任
意の浮上量にて記録、再生が行われている。
【0012】しかし、浮上量をきわめて低く、例えばグ
ライドハイト付近に設定すると、シーク特性の際ヘッド
クラッシュを生じることがある。逆に耐久信頼性を確保
するため浮上量を高く設定しすぎると、高密度記録上不
利である。
ライドハイト付近に設定すると、シーク特性の際ヘッド
クラッシュを生じることがある。逆に耐久信頼性を確保
するため浮上量を高く設定しすぎると、高密度記録上不
利である。
【0013】本発明の目的はグライドハイトに対する好
適浮上量を決定し、記録密度が高く、しかも耐久信頼性
が良好な磁気記録再生方法を提供することにある。
適浮上量を決定し、記録密度が高く、しかも耐久信頼性
が良好な磁気記録再生方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(3)の本発明により達成される。
(1)〜(3)の本発明により達成される。
【0015】(1) 剛性のディスク基板上に連続薄
膜の磁性層を有する磁気ディスクを回転し、この磁気デ
ィスク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行
う磁気記録再生方法であって、浮上型磁気ヘッドにアコ
ースティック・エミッションセンサを取り付けた検知用
ヘッドを前記磁気ディスクの外周から内周へ移動させ、
前記磁気ディスクと、前記検知用ヘッドとのディスク1
面当りのヒット数を検出したとき、前記ヒット数が所定
値以下となる前記検知用ヘッドのディスク最内周での任
意の浮上量をグライドハイトx(μm )とした場合、
前記浮上型磁気ヘッドの記録再生時のディスク最内周で
の浮上量y(μm )を下記式で示される範囲内にする
ことを特徴とする磁気記録再生方法。
膜の磁性層を有する磁気ディスクを回転し、この磁気デ
ィスク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行
う磁気記録再生方法であって、浮上型磁気ヘッドにアコ
ースティック・エミッションセンサを取り付けた検知用
ヘッドを前記磁気ディスクの外周から内周へ移動させ、
前記磁気ディスクと、前記検知用ヘッドとのディスク1
面当りのヒット数を検出したとき、前記ヒット数が所定
値以下となる前記検知用ヘッドのディスク最内周での任
意の浮上量をグライドハイトx(μm )とした場合、
前記浮上型磁気ヘッドの記録再生時のディスク最内周で
の浮上量y(μm )を下記式で示される範囲内にする
ことを特徴とする磁気記録再生方法。
【0016】
式 0.10μm ≧y≧1.38x−0.003μ
m
m
【0017】(2) 前記ディスク1面当たりのヒ
ット数が7以下となる前記検知用ヘッドのディスク最内
周での任意の浮上量をグライドハイトx(μm )とす
る上記(1)に記載の磁気記録再生方法。
ット数が7以下となる前記検知用ヘッドのディスク最内
周での任意の浮上量をグライドハイトx(μm )とす
る上記(1)に記載の磁気記録再生方法。
【0018】(3) 前記磁気ディスクの表面粗さR
max (μm )を下記式で示される範囲にする上記
(1)または(2)に記載の磁気記録再生方法。
max (μm )を下記式で示される範囲にする上記
(1)または(2)に記載の磁気記録再生方法。
【0019】
式 0.05μm <y≦0.10μm のときRm
ax ≦0.92x 0.04μm <y≦0.
05μm のときRmax ≦0.88x
y≦0.04μm のときRmax
≦0.80x
ax ≦0.92x 0.04μm <y≦0.
05μm のときRmax ≦0.88x
y≦0.04μm のときRmax
≦0.80x
【0020】
【作用】本発明の磁気記録再生方法では、予め磁気ディ
スク全体の表面状態を示すグライドハイトを求め、この
グライドハイトと所定の式から十分な耐久信頼性を確保
できる最小の浮上量を算出する。そして、前記最小の浮
上量以上の浮上量で記録、再生を行う。
スク全体の表面状態を示すグライドハイトを求め、この
グライドハイトと所定の式から十分な耐久信頼性を確保
できる最小の浮上量を算出する。そして、前記最小の浮
上量以上の浮上量で記録、再生を行う。
【0021】このため、低浮上量領域においてヘッドク
ラッシュを防止でき、安定したシーク特性が得られる。 しかも、十分な耐久信頼性が得られる最小の浮上量が判
るため、高密度記録を行う際、非常に有利である。
ラッシュを防止でき、安定したシーク特性が得られる。 しかも、十分な耐久信頼性が得られる最小の浮上量が判
るため、高密度記録を行う際、非常に有利である。
【0022】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0023】磁気ディスク1は、図1に示されるように
、剛性のディスク基板12上に、連続薄膜の磁性層13
を有する。
、剛性のディスク基板12上に、連続薄膜の磁性層13
を有する。
【0024】そして、磁性層13上に、固体保護層14
と、必要に応じて潤滑膜15とを、この順で設ける。ま
たは、磁性層13上に、固体保護層14を設層せず、必
要に応じて潤滑膜15を設ける。
と、必要に応じて潤滑膜15とを、この順で設ける。ま
たは、磁性層13上に、固体保護層14を設層せず、必
要に応じて潤滑膜15を設ける。
【0025】この場合、磁気ディスク1は、図示のよう
にディスク基板12の両側に磁性層13を設層した両面
記録型の磁気ディスクであってもよく、ディスク基板1
2の一方の側だけに磁性層13を設層した片面記録型の
磁気ディスクであってもよい。
にディスク基板12の両側に磁性層13を設層した両面
記録型の磁気ディスクであってもよく、ディスク基板1
2の一方の側だけに磁性層13を設層した片面記録型の
磁気ディスクであってもよい。
【0026】ディスク基板12の材質には特に制限がな
く、各種の金属、ガラス、セラミック、樹脂等磁気ディ
スクの剛性基板として従来用いられている材質を用いれ
ばよいが、研磨が容易で表面粗さの制御が簡単であるこ
となどから、ガラスを用いることが好ましい。ガラス基
板は他のものに比べ固いため、平坦度が得られやすく高
速回転時の偏心、面ぶれがなく、特に低浮上量用として
適している。
く、各種の金属、ガラス、セラミック、樹脂等磁気ディ
スクの剛性基板として従来用いられている材質を用いれ
ばよいが、研磨が容易で表面粗さの制御が簡単であるこ
となどから、ガラスを用いることが好ましい。ガラス基
板は他のものに比べ固いため、平坦度が得られやすく高
速回転時の偏心、面ぶれがなく、特に低浮上量用として
適している。
【0027】ガラスとしては、強化ガラス、特に、化学
強化法による表面強化ガラスを用いることが好ましい。 表面強化ガラスについては、特開昭62−43819号
公報、同63−175219号公報に記載されている。 なお、前記公報に記載されている範囲以外でも、強化層
についてはガラス基板の品質改良がすすみ、より薄層化
しても対処出来るようになってきている。
強化法による表面強化ガラスを用いることが好ましい。 表面強化ガラスについては、特開昭62−43819号
公報、同63−175219号公報に記載されている。 なお、前記公報に記載されている範囲以外でも、強化層
についてはガラス基板の品質改良がすすみ、より薄層化
しても対処出来るようになってきている。
【0028】また、後述するグライドハイトを小さくで
きる等の点でガラス基板を用いる場合、基板表面には、
100cm2 あたり、平均径が、0.1〜0.5μm
である異物が10個以下、より好ましくは5個以下、さ
らに好ましくは3個以下しか付着しておらず、特に好ま
しい態様では全く付着していないことが好ましい。
きる等の点でガラス基板を用いる場合、基板表面には、
100cm2 あたり、平均径が、0.1〜0.5μm
である異物が10個以下、より好ましくは5個以下、さ
らに好ましくは3個以下しか付着しておらず、特に好ま
しい態様では全く付着していないことが好ましい。
【0029】また、ガラス基板の表面には、平均径が0
.5μmを超える異物は存在していないことが好ましい
。
.5μmを超える異物は存在していないことが好ましい
。
【0030】平均径が0.1〜0.5μmである異物が
表面100cm2 あたり10個を超えて存在するか、
あるいは平均径が0.5μmを超える異物が表面に存在
すると、磁気ディスクとしたときの耐久性が著しく低下
する。
表面100cm2 あたり10個を超えて存在するか、
あるいは平均径が0.5μmを超える異物が表面に存在
すると、磁気ディスクとしたときの耐久性が著しく低下
する。
【0031】なお、この場合の表面とは、ガラス基板の
主面、特に磁性層形成領域を意味する。
主面、特に磁性層形成領域を意味する。
【0032】また、本明細書において、異物の寸法およ
び存在数は、以下に説明するようなガラス基板検査装置
を用いて測定する。
び存在数は、以下に説明するようなガラス基板検査装置
を用いて測定する。
【0033】この検査装置は、ガラス基板表面に付着し
た異物、キズ、汚れ等の欠陥を光学的に検出するもので
あり、レーザ光をレンズを通してガラス基板表面に照射
し、ガラス基板表面に存在する欠陥に起因するレーザ光
の散乱または回折光を検出して欠陥の寸法および個数を
計数するものである。
た異物、キズ、汚れ等の欠陥を光学的に検出するもので
あり、レーザ光をレンズを通してガラス基板表面に照射
し、ガラス基板表面に存在する欠陥に起因するレーザ光
の散乱または回折光を検出して欠陥の寸法および個数を
計数するものである。
【0034】具体的には、図4に示されるように、He
−Neレーザ光源81から出射されたレーザ光をガラス
基板9表面に収束させる。ガラス基板9表面からの回折
光は明視野受光器83で受け、ガラス基板9表面からの
散乱光は表面用暗視野受光器85で受け、裏面からの散
乱光は裏面用暗視野受光器87で受ける。暗視野受光器
を2個設けるのは、ガラス基板表面の欠陥と裏面の欠陥
とを識別するためである。
−Neレーザ光源81から出射されたレーザ光をガラス
基板9表面に収束させる。ガラス基板9表面からの回折
光は明視野受光器83で受け、ガラス基板9表面からの
散乱光は表面用暗視野受光器85で受け、裏面からの散
乱光は裏面用暗視野受光器87で受ける。暗視野受光器
を2個設けるのは、ガラス基板表面の欠陥と裏面の欠陥
とを識別するためである。
【0035】各受光器はフォトマルチプライヤを有し、
表面用暗視野受光器85の出力と裏面用暗視野受光器8
7の出力とからガラス基板表面の欠陥に起因する出力だ
けを分離し、この出力と明視野受光器83の出力とから
、基板表面の欠陥の大きさおよび個数を判定する。この
判定は、ポリスチレンラテックス粒子等の球形の標準粒
子を用いた測定から作成された検量線を基準として行な
われる。そして、スライスレベルを変更することにより
、欠陥が寸法別に計数される。
表面用暗視野受光器85の出力と裏面用暗視野受光器8
7の出力とからガラス基板表面の欠陥に起因する出力だ
けを分離し、この出力と明視野受光器83の出力とから
、基板表面の欠陥の大きさおよび個数を判定する。この
判定は、ポリスチレンラテックス粒子等の球形の標準粒
子を用いた測定から作成された検量線を基準として行な
われる。そして、スライスレベルを変更することにより
、欠陥が寸法別に計数される。
【0036】上記したような清浄な表面とするためには
、ガラス基板の洗浄工程の最後に、有機溶剤による蒸気
乾燥工程を設けることが好ましい。
、ガラス基板の洗浄工程の最後に、有機溶剤による蒸気
乾燥工程を設けることが好ましい。
【0037】この洗浄工程は、ガラス基板の表面平滑化
のための研磨工程の後に設けられ、磁性層等の成膜工程
の直前の工程である。
のための研磨工程の後に設けられ、磁性層等の成膜工程
の直前の工程である。
【0038】洗浄工程では、通常、ガラス基板を純水で
洗浄し、次いで洗剤により洗浄し、さらに純水により洗
浄した後、ガラス基板表面を有機溶剤により蒸気乾燥す
る。
洗浄し、次いで洗剤により洗浄し、さらに純水により洗
浄した後、ガラス基板表面を有機溶剤により蒸気乾燥す
る。
【0039】有機溶剤による蒸気乾燥は、好ましくは図
5に示すような装置を用いて行なう。
5に示すような装置を用いて行なう。
【0040】図5に示される蒸気乾燥装置7は、処理槽
71、ヒータ72およびクーラー73を有する。
71、ヒータ72およびクーラー73を有する。
【0041】処理槽71内には有機溶剤74が貯留して
おり、有機溶剤74液面の上方には、ガラス基板9が上
下動可能に保持されている。
おり、有機溶剤74液面の上方には、ガラス基板9が上
下動可能に保持されている。
【0042】有機溶剤74は、ヒータ72により加温さ
れて蒸発する。有機溶剤蒸気は、基板9側方の処理槽7
1内壁面に設けられたクーラー73により冷却されて液
化し、基板9に付着する。基板9に付着した有機溶剤の
液滴は貯留している有機溶剤74の中に落下する。
れて蒸発する。有機溶剤蒸気は、基板9側方の処理槽7
1内壁面に設けられたクーラー73により冷却されて液
化し、基板9に付着する。基板9に付着した有機溶剤の
液滴は貯留している有機溶剤74の中に落下する。
【0043】この処理槽71内にガラス基板9を5〜6
0分間程度保持することにより、ガラス基板9の最終的
な洗浄が行なわれる。
0分間程度保持することにより、ガラス基板9の最終的
な洗浄が行なわれる。
【0044】次いでガラス基板9を徐々に引き上げるこ
とにより、付着する有機溶剤量を蒸発する有機溶剤量が
上回るようになり、乾燥が行なわれる。
とにより、付着する有機溶剤量を蒸発する有機溶剤量が
上回るようになり、乾燥が行なわれる。
【0045】このような蒸気乾燥では乾燥速度が低いの
で、乾燥シミが発生することがなく極めて清浄な表面が
得られる。
で、乾燥シミが発生することがなく極めて清浄な表面が
得られる。
【0046】蒸気乾燥に用いる有機溶剤に特に制限はな
いが、本発明ではアセトン、イソプロピルアルコール(
IPA)、メタノール、エタノール、フロン等を用いる
ことが好ましく、特にIPAを用いることが好ましい。
いが、本発明ではアセトン、イソプロピルアルコール(
IPA)、メタノール、エタノール、フロン等を用いる
ことが好ましく、特にIPAを用いることが好ましい。
【0047】なお、このような蒸気乾燥の他、乾燥窒素
ブロー併用による遠心振り切り乾燥などにより最終的な
乾燥を行なうこともできる。この場合、上記した純水洗
浄後に有機溶剤により洗浄を行なうことが好ましい。洗
浄に用いる有機溶剤は、上記した蒸気乾燥に用いるもの
と同様なものでよい。
ブロー併用による遠心振り切り乾燥などにより最終的な
乾燥を行なうこともできる。この場合、上記した純水洗
浄後に有機溶剤により洗浄を行なうことが好ましい。洗
浄に用いる有機溶剤は、上記した蒸気乾燥に用いるもの
と同様なものでよい。
【0048】ただし、良好なガラス基板を得るためには
、蒸気乾燥を行なうことが好ましい。
、蒸気乾燥を行なうことが好ましい。
【0049】なお、洗浄工程における洗剤洗浄の際に用
いる洗剤に特に制限はなく、各種一般洗浄用洗剤から選
択すればよいが、アルカリ性洗剤、特に、ガラス表面を
軽くエッチングする作用のある弱アルカリ性洗剤を用い
ることが好ましく、特に、Extran MA 01(
メルク(MERCK)社製)を用いることが好ましい。
いる洗剤に特に制限はなく、各種一般洗浄用洗剤から選
択すればよいが、アルカリ性洗剤、特に、ガラス表面を
軽くエッチングする作用のある弱アルカリ性洗剤を用い
ることが好ましく、特に、Extran MA 01(
メルク(MERCK)社製)を用いることが好ましい。
【0050】洗剤による洗浄は、室温または80℃程度
以下に加温した洗浄液中にガラス基板を浸漬し、1〜2
4時間程度放置するか、好ましくは超音波を印加して5
〜60分間程度洗浄を行なうことが好ましい。
以下に加温した洗浄液中にガラス基板を浸漬し、1〜2
4時間程度放置するか、好ましくは超音波を印加して5
〜60分間程度洗浄を行なうことが好ましい。
【0051】洗剤による洗浄後の純水洗浄も、超音波を
印加しながら行なうことが好ましい。
印加しながら行なうことが好ましい。
【0052】超音波発振器としては、例えば10〜10
0kHz 程度の間のある範囲の周波数で発振する多周
波数型のもの、26kHz 、45kHz などの一定
周波数で発振する固定周波数型のものがある。これらの
いずれでも、周波数が高いほど小さい汚れを落とすこと
ができる。
0kHz 程度の間のある範囲の周波数で発振する多周
波数型のもの、26kHz 、45kHz などの一定
周波数で発振する固定周波数型のものがある。これらの
いずれでも、周波数が高いほど小さい汚れを落とすこと
ができる。
【0053】なお、上述した工程に、ブラシスクラブ洗
浄を適宜組み合わせてもよい。
浄を適宜組み合わせてもよい。
【0054】洗浄工程の前の研磨工程は、磁気ディスク
用基板としての所定の表面粗さとするために設けられる
。研磨工程では、必要に応じて粗研磨を行なった後、仕
上げ研磨する。
用基板としての所定の表面粗さとするために設けられる
。研磨工程では、必要に応じて粗研磨を行なった後、仕
上げ研磨する。
【0055】ディスク基板12は、ディスク状とし、そ
の寸法は、目的や用途等に応じて適宜選択すればよいが
、通常、外径25〜300mm程度、厚さ0.3〜5m
m程度である。
の寸法は、目的や用途等に応じて適宜選択すればよいが
、通常、外径25〜300mm程度、厚さ0.3〜5m
m程度である。
【0056】ディスク基板12上には、連続薄膜の磁性
層13が設層される。この場合、磁性層13は、面内記
録用であっても、垂直記録用であってもよく、さらには
、材質が金属であっても酸化物であってもよく、目的等
に応じて適宜選択される。
層13が設層される。この場合、磁性層13は、面内記
録用であっても、垂直記録用であってもよく、さらには
、材質が金属であっても酸化物であってもよく、目的等
に応じて適宜選択される。
【0057】面内記録用の磁性層13としては、無配向
または膜面と平行な方向に磁化容易軸を有する、強磁性
金属薄膜、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等、好ましく
はディスク周方向に磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜
、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等を用いる。
または膜面と平行な方向に磁化容易軸を有する、強磁性
金属薄膜、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等、好ましく
はディスク周方向に磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜
、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等を用いる。
【0058】強磁性金属薄膜としては、例えば、Fe、
CoおよびNiから選ばれる1種以上を含有する連続薄
膜、特にCo系の連続薄膜が好ましい。組成の具体例と
しては、Co−Ni合金、Co−Ni−Cr合金、Co
−V合金、Co−Ni−P合金、Co−P合金、Co−
Cu−P合金、Co−Zn−P合金、Co−Ni−Pt
合金、Co−Ni−Zr合金、Co−Pt合金、Co−
Ni−Mn−Re−P合金、Co−Cr−Ta合金等が
挙げられる。なお、これら合金には、必要に応じ、O、
N、Si、Al、Mn、Ar、B、C等の他の元素が含
有されていてもよい。
CoおよびNiから選ばれる1種以上を含有する連続薄
膜、特にCo系の連続薄膜が好ましい。組成の具体例と
しては、Co−Ni合金、Co−Ni−Cr合金、Co
−V合金、Co−Ni−P合金、Co−P合金、Co−
Cu−P合金、Co−Zn−P合金、Co−Ni−Pt
合金、Co−Ni−Zr合金、Co−Pt合金、Co−
Ni−Mn−Re−P合金、Co−Cr−Ta合金等が
挙げられる。なお、これら合金には、必要に応じ、O、
N、Si、Al、Mn、Ar、B、C等の他の元素が含
有されていてもよい。
【0059】磁性層13の膜厚は、磁気特性、電磁変換
特性等を考慮して、200〜1000A、特に200〜
800Aが好ましい。
特性等を考慮して、200〜1000A、特に200〜
800Aが好ましい。
【0060】酸化鉄を主成分とする磁性薄膜の磁性層の
場合、膜厚は、生産性磁気特性等を考慮して、500〜
3000A程度が好ましい。磁性層13中には必要に応
じてCo、Ti、Cu等を添加してもよく、また成膜雰
囲気中に含まれるAr等が含有されていてもよい。酸化
鉄を主成分とする磁性層は、特開昭62−43819号
公報等に記載されている。
場合、膜厚は、生産性磁気特性等を考慮して、500〜
3000A程度が好ましい。磁性層13中には必要に応
じてCo、Ti、Cu等を添加してもよく、また成膜雰
囲気中に含まれるAr等が含有されていてもよい。酸化
鉄を主成分とする磁性層は、特開昭62−43819号
公報等に記載されている。
【0061】また、ディスク基板12と、磁性層13と
の間には、必要に応じて、非磁性中間層が設けられる。 非磁性中間層を設けることにより、磁性層13のエピタ
キシャル成長を良好に行なうことができ、磁気特性が向
上する場合があり、また、基板の密着性も向上するため
、より好ましいディスクが実現する。
の間には、必要に応じて、非磁性中間層が設けられる。 非磁性中間層を設けることにより、磁性層13のエピタ
キシャル成長を良好に行なうことができ、磁気特性が向
上する場合があり、また、基板の密着性も向上するため
、より好ましいディスクが実現する。
【0062】非磁性中間層は、例えば、Cr、Moおよ
びWから選ばれる1種以上を含有する連続薄膜にて構成
すればよい。この場合、用いる金属は単体でも合金でも
よい。
びWから選ばれる1種以上を含有する連続薄膜にて構成
すればよい。この場合、用いる金属は単体でも合金でも
よい。
【0063】非磁性中間層の膜厚は、200〜3000
Aが好ましい。
Aが好ましい。
【0064】なお、必要に応じて設けられる非磁性中間
層とディスク基板12との間や、磁性層13とディスク
基板12との間には、各種下地層を設けてもよい。
層とディスク基板12との間や、磁性層13とディスク
基板12との間には、各種下地層を設けてもよい。
【0065】下地層は、Al系のディスク基板を用いる
場合、Al基板の表面性が悪いため、例えば、Ni−P
めっき膜等を形成し、表面研磨を行なって平面を平滑化
するために設けられる。
場合、Al基板の表面性が悪いため、例えば、Ni−P
めっき膜等を形成し、表面研磨を行なって平面を平滑化
するために設けられる。
【0066】次に垂直記録用の磁性層13としては、膜
面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜を用いる
。
面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜を用いる
。
【0067】垂直磁化膜としては、強磁性金属薄膜が好
ましく、例えばFe、CoおよびNiから選ばれる1種
以上を含有する連続薄膜、特にCo系の連続薄膜が好ま
しい。
ましく、例えばFe、CoおよびNiから選ばれる1種
以上を含有する連続薄膜、特にCo系の連続薄膜が好ま
しい。
【0068】この場合、Co系合金としては、Co−C
r系合金が好ましい。そして、Co−Cr系合金として
は、Co−Cr合金、Co−Cr−B合金、Co−Cr
−Mn合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−Cr−
Ta合金、Co−Cr−Si−Al合金等が好ましい。
r系合金が好ましい。そして、Co−Cr系合金として
は、Co−Cr合金、Co−Cr−B合金、Co−Cr
−Mn合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−Cr−
Ta合金、Co−Cr−Si−Al合金等が好ましい。
【0069】なお、Co−Cr系合金中のCr含有率は
、16〜23at% 程度であることが好ましい。
、16〜23at% 程度であることが好ましい。
【0070】また、Co−Cr系合金の他、Co−V系
合金も好ましく用いることができる。
合金も好ましく用いることができる。
【0071】なお、これら合金には、必要に応じ、O、
N、Si、Al、Mn、Ar等が含有されていてもよい
。
N、Si、Al、Mn、Ar等が含有されていてもよい
。
【0072】垂直磁化膜の垂直方向保磁力は400 O
e 以上であることが好ましい。なお、垂直方向保磁力
の上限は特にないが、通常2000 Oe程度まで容易
に製造することができる。
e 以上であることが好ましい。なお、垂直方向保磁力
の上限は特にないが、通常2000 Oe程度まで容易
に製造することができる。
【0073】垂直磁化膜の厚さは磁気特性、電磁変換特
性等を考慮して200〜2000Aであることが好まし
い。
性等を考慮して200〜2000Aであることが好まし
い。
【0074】このように垂直磁化膜の磁性層13を形成
する場合、再生出力の向上のため、磁性層13下に、軟
磁性膜を設けることが好ましい。
する場合、再生出力の向上のため、磁性層13下に、軟
磁性膜を設けることが好ましい。
【0075】軟磁性膜の構成材質としては、Ni−Fe
系合金が好ましい。
系合金が好ましい。
【0076】Ni−Fe系合金としては、Ni−Fe合
金(パーマロイ)、Ni−Fe−Mo合金、Ni−Fe
−Cr合金、Ni−Fe−Nb合金、Ni−Fe−Mn
−Cu合金、Ni−Fe−Mo−Nb合金、Ni−Fe
−Mo−Cu合金、Ni−Fe−Si−Al合金等を好
ましく用いることができる。
金(パーマロイ)、Ni−Fe−Mo合金、Ni−Fe
−Cr合金、Ni−Fe−Nb合金、Ni−Fe−Mn
−Cu合金、Ni−Fe−Mo−Nb合金、Ni−Fe
−Mo−Cu合金、Ni−Fe−Si−Al合金等を好
ましく用いることができる。
【0077】また、Ni−Fe系合金の他、Fe−Co
−V系合金も好ましく用いることができる。
−V系合金も好ましく用いることができる。
【0078】なお、これら合金には、必要に応じ、Ti
、Al、Si、Mn、Cu、Ta、C、O、N、Ar、
Ca、Cr等が含有されていてもよい。
、Al、Si、Mn、Cu、Ta、C、O、N、Ar、
Ca、Cr等が含有されていてもよい。
【0079】軟磁性膜の面内方向の保磁力は、6〜20
Oe であることが好ましい。また、軟磁性膜の膜厚
は1000〜5000Aであることが好ましい。
Oe であることが好ましい。また、軟磁性膜の膜厚
は1000〜5000Aであることが好ましい。
【0080】なお、軟磁性膜と基板12との間には、各
種下地層を設けてもよい。下地層は、例えばCr、Ti
、W、Ni−Fe系合金あるいはNi−Pめっき膜等か
ら構成すればよい。
種下地層を設けてもよい。下地層は、例えばCr、Ti
、W、Ni−Fe系合金あるいはNi−Pめっき膜等か
ら構成すればよい。
【0081】前記の磁性層13、非磁性中間層および軟
磁性膜の成膜は、それぞれ、公知の気相成膜法等、特に
スパッタリングにて行えばよい。
磁性膜の成膜は、それぞれ、公知の気相成膜法等、特に
スパッタリングにて行えばよい。
【0082】磁性層13上には、固体保護層14を設層
することが好ましい。
することが好ましい。
【0083】固体保護層14は、従来、固体保護層とし
て公知のSi、Al、OおよびNを含むいわゆるサイア
ロン、酸化物、窒化物、炭化物、炭素、ケイ化物等や、
これらの混合物など、各種無機保護膜で構成すればよい
。固体保護層14の膜厚には特に制限がないが、通常1
00〜300A程度である。なお、固体保護層14の設
層には、スパッタリング等の各種気相成膜法を用いれば
よい。
て公知のSi、Al、OおよびNを含むいわゆるサイア
ロン、酸化物、窒化物、炭化物、炭素、ケイ化物等や、
これらの混合物など、各種無機保護膜で構成すればよい
。固体保護層14の膜厚には特に制限がないが、通常1
00〜300A程度である。なお、固体保護層14の設
層には、スパッタリング等の各種気相成膜法を用いれば
よい。
【0084】磁性層13上、固体保護層14を設層する
場合は、固体保護層14上には、好ましくは潤滑膜15
が設けられる。
場合は、固体保護層14上には、好ましくは潤滑膜15
が設けられる。
【0085】潤滑膜15は有機化合物を含有することが
好ましい。用いる有機化合物に特に制限はなく、また、
液体であっても固体であってもよく、フッ素系有機化合
物、例えば欧州特許公開第0165650号およびその
対応日本出願である特開昭61−4727号公報、欧州
特許公開第0165649号およびその対応日本出願で
ある特開昭61−155345号公報等に記載されてい
るようなパーフルオロポリエーテル、あるいは公知の各
種脂肪酸、各種エステル、各種アルコール等から適当な
ものを選択すればよい。
好ましい。用いる有機化合物に特に制限はなく、また、
液体であっても固体であってもよく、フッ素系有機化合
物、例えば欧州特許公開第0165650号およびその
対応日本出願である特開昭61−4727号公報、欧州
特許公開第0165649号およびその対応日本出願で
ある特開昭61−155345号公報等に記載されてい
るようなパーフルオロポリエーテル、あるいは公知の各
種脂肪酸、各種エステル、各種アルコール等から適当な
ものを選択すればよい。
【0086】潤滑膜15の成膜方法に特に制限はなく、
塗布法等を用いればよい。
塗布法等を用いればよい。
【0087】潤滑膜15の膜厚は5〜50A、特に10
〜40Aであることが好ましい。膜厚がこの範囲未満で
あると潤滑効果が不十分であり、この範囲を超えるとか
えって摩擦を増加させてしまい、しかもスペーシングロ
スのため記録再生出力が低下してしまう。
〜40Aであることが好ましい。膜厚がこの範囲未満で
あると潤滑効果が不十分であり、この範囲を超えるとか
えって摩擦を増加させてしまい、しかもスペーシングロ
スのため記録再生出力が低下してしまう。
【0088】本発明の磁気記録再生方法に使用する浮上
型磁気ヘッドは、公知のコンポジット型の浮上型磁気ヘ
ッド、モノリシック型の浮上型磁気ヘッド等でもよいが
、特に浮上型薄膜磁気ヘッドの場合に、極めて高い効果
を示す。この場合、面内記録用であっても垂直記録用で
あってもよく、記録方法に応じて適宜選択される。
型磁気ヘッドは、公知のコンポジット型の浮上型磁気ヘ
ッド、モノリシック型の浮上型磁気ヘッド等でもよいが
、特に浮上型薄膜磁気ヘッドの場合に、極めて高い効果
を示す。この場合、面内記録用であっても垂直記録用で
あってもよく、記録方法に応じて適宜選択される。
【0089】図2に、浮上型磁気ヘッドの好適実施例で
ある内面記録用の薄膜型の浮上型磁気ヘッドの1例を示
す。
ある内面記録用の薄膜型の浮上型磁気ヘッドの1例を示
す。
【0090】図2に示される浮上型磁気ヘッド2は、基
体21上に、絶縁層22、下部磁極層25、ギャップ層
27、絶縁層23、コイル層28、絶縁層24、上部磁
極層26および保護層29を順次有する。
体21上に、絶縁層22、下部磁極層25、ギャップ層
27、絶縁層23、コイル層28、絶縁層24、上部磁
極層26および保護層29を順次有する。
【0091】コイル層28の材質には特に制限はなく、
通常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
通常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
【0092】コイルの巻回パターンや巻回密度について
も制限はなく、公知のものを適宜選択使用すればよい。 例えば巻回パターンについては図示のスパイラル型の他
、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
も制限はなく、公知のものを適宜選択使用すればよい。 例えば巻回パターンについては図示のスパイラル型の他
、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
【0093】また、コイル層28の形成にはスパッタ法
等の各種気相成膜法を用いればよい。
等の各種気相成膜法を用いればよい。
【0094】基体21すなわちスライダは、Al2 O
3 −TiCを主成分とするセラミックス等の各種セラ
ミックス、非磁性フェライト等公知の基体材料で構成す
ればよい。
3 −TiCを主成分とするセラミックス等の各種セラ
ミックス、非磁性フェライト等公知の基体材料で構成す
ればよい。
【0095】下部および上部磁極層25、26の材料と
しては、従来公知のものはいずれも使用可能であり、例
えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質磁性合金等
を用いることができる。
しては、従来公知のものはいずれも使用可能であり、例
えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質磁性合金等
を用いることができる。
【0096】磁極は通常、図示のように下部磁極層25
および上部磁極層26として設けられ、下部磁極層25
および上部磁極層26の間にはギャップ層27が形成さ
れる。
および上部磁極層26として設けられ、下部磁極層25
および上部磁極層26の間にはギャップ層27が形成さ
れる。
【0097】ギャップ層27は、Al2 O3 、Si
O2 等公知の材料であってよい。
O2 等公知の材料であってよい。
【0098】これら磁極層25、26およびギャップ層
27のパターン、膜厚等は公知のいずれであってもよい
。
27のパターン、膜厚等は公知のいずれであってもよい
。
【0099】さらに、図示例ではコイル層28は、いわ
ゆるスパイラル型として、スパイラル状に下部および上
部磁極層25、26間に配設されており、コイル層28
と下部および上部磁極層25、26間には絶縁層23、
24が設層されている。
ゆるスパイラル型として、スパイラル状に下部および上
部磁極層25、26間に配設されており、コイル層28
と下部および上部磁極層25、26間には絶縁層23、
24が設層されている。
【0100】また下部磁極層25と基体21間には絶縁
層22が設層されている。
層22が設層されている。
【0101】絶縁層の材料としては従来公知のものはい
ずれも使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法
により行なうときには、SiO2 、ガラス、Al2
O3 等を用いることができる。
ずれも使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法
により行なうときには、SiO2 、ガラス、Al2
O3 等を用いることができる。
【0102】また、上部磁極層26上には保護層29が
設層されている。保護層の材料としては従来公知のもの
はいずれも使用可能であり、例えばAl2O3 等を用
いることができる。また、これらに各種樹脂コート層等
を積層してもよい。
設層されている。保護層の材料としては従来公知のもの
はいずれも使用可能であり、例えばAl2O3 等を用
いることができる。また、これらに各種樹脂コート層等
を積層してもよい。
【0103】このような薄膜型の浮上型磁気ヘッド2の
製造工程は、通常、薄膜作製とパターン形成とから構成
される。
製造工程は、通常、薄膜作製とパターン形成とから構成
される。
【0104】上記各層を構成する薄膜の作製には、上記
したように、従来公知の気相成膜法、例えば真空蒸着法
、スパッタ法、あるいはメッキ法等を用いればよい。
したように、従来公知の気相成膜法、例えば真空蒸着法
、スパッタ法、あるいはメッキ法等を用いればよい。
【0105】浮上型磁気ヘッド2の各層のパターン形成
は、従来公知の選択エッチングあるいは選択デポジショ
ンにより行うことができる。エッチングとしてはウェッ
トエッチングやドライエッチングを用いることができる
。
は、従来公知の選択エッチングあるいは選択デポジショ
ンにより行うことができる。エッチングとしてはウェッ
トエッチングやドライエッチングを用いることができる
。
【0106】浮上型磁気ヘッド2のスライダのディスク
対向面の全投影面積は、2mm2 以下、より好ましく
は1.5mm2 以下、特に好ましくは1.0mm2
以下が好ましい。
対向面の全投影面積は、2mm2 以下、より好ましく
は1.5mm2 以下、特に好ましくは1.0mm2
以下が好ましい。
【0107】スライダ面積を前記範囲内にすることによ
り、小型化するので、基板材ウエハより、多数個のヘッ
ドが得られ、コストが低減でき、またドライブに組込ん
だとき、従来のヘッドより、最内周や最外周部にシリン
ダを増設でき、ディスク面あたりの容量を増大すること
ができる。
り、小型化するので、基板材ウエハより、多数個のヘッ
ドが得られ、コストが低減でき、またドライブに組込ん
だとき、従来のヘッドより、最内周や最外周部にシリン
ダを増設でき、ディスク面あたりの容量を増大すること
ができる。
【0108】また、垂直記録用の浮上型磁気ヘッドの場
合も例えば従来公知の磁気ヘッドの何れでもよいが、薄
膜型の浮上型磁気ヘッド、特に軟磁性材料からなるリタ
ーンパス部を有し、主磁極およびコイルが薄膜で構成さ
れている薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドの場合に極
めて高い効果を示す。
合も例えば従来公知の磁気ヘッドの何れでもよいが、薄
膜型の浮上型磁気ヘッド、特に軟磁性材料からなるリタ
ーンパス部を有し、主磁極およびコイルが薄膜で構成さ
れている薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドの場合に極
めて高い効果を示す。
【0109】図3に、このような垂直記録用の浮上型磁
気ヘッドの好適例の部分断面図を示す。
気ヘッドの好適例の部分断面図を示す。
【0110】図3において、浮上型磁気ヘッド3は、基
体31上に、絶縁層35で被覆された第1磁性層32、
第2磁性層33およびコイル層34を有し、第1磁性層
32および第2磁性層33が主磁極を構成している。絶
縁層35上には、接着剤層37により磁性体39が接着
され、リターンパス部を構成している。
体31上に、絶縁層35で被覆された第1磁性層32、
第2磁性層33およびコイル層34を有し、第1磁性層
32および第2磁性層33が主磁極を構成している。絶
縁層35上には、接着剤層37により磁性体39が接着
され、リターンパス部を構成している。
【0111】基体31すなわちスライダの材質や面積等
の諸条件は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘッドと同
様とすればよい。
の諸条件は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘッドと同
様とすればよい。
【0112】第1磁性層32および第2磁性層33の材
料としては、従来公知のものはいずれも使用可能であり
、例えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質性合金
等を用いることができる。
料としては、従来公知のものはいずれも使用可能であり
、例えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質性合金
等を用いることができる。
【0113】コイル層34の材質に特に制限はなく、通
常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
【0114】コイル層34の巻回パターンや巻回密度に
ついても制限はなく、公知のものを適宜選択使用すれば
よい。例えば巻回パターンについては図示のスパイラル
型の他、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
ついても制限はなく、公知のものを適宜選択使用すれば
よい。例えば巻回パターンについては図示のスパイラル
型の他、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
【0115】絶縁層35の材料としては従来公知のもの
はいずれも使用可能であり、例えば、絶縁層35の形成
をスパッタ法により行なうときには、SiO2 、ガラ
ス、Al2 O3 等を用いることができるが、耐摩耗
性を向上させるために、ビッカース硬度800kgf/
mm2以上のAl2 O3 を用いることが好ましい。
はいずれも使用可能であり、例えば、絶縁層35の形成
をスパッタ法により行なうときには、SiO2 、ガラ
ス、Al2 O3 等を用いることができるが、耐摩耗
性を向上させるために、ビッカース硬度800kgf/
mm2以上のAl2 O3 を用いることが好ましい。
【0116】磁性体39は、図示のように、磁気ディス
ク1側の端面をフロント面より後退させることが好まし
い。このように構成することにより、ドロップインエラ
ーが防止でき、また、接着剤層37がにじみ出たり、接
着剤層37にゴミが付着した場合でも、フロント面への
悪影響がなく、走行性やヘッドタッチを悪化させること
がない。
ク1側の端面をフロント面より後退させることが好まし
い。このように構成することにより、ドロップインエラ
ーが防止でき、また、接着剤層37がにじみ出たり、接
着剤層37にゴミが付着した場合でも、フロント面への
悪影響がなく、走行性やヘッドタッチを悪化させること
がない。
【0117】なお、接着剤層37は必ずしも設ける必要
はなく、磁性体39と絶縁層35とを機械的な手段によ
り結合してもよい。
はなく、磁性体39と絶縁層35とを機械的な手段によ
り結合してもよい。
【0118】磁性体39を構成する軟磁性材料には、M
n−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、パー
マロイ等を用いればよい。
n−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、パー
マロイ等を用いればよい。
【0119】このような垂直記録用の薄膜型の浮上型磁
気ヘッド3の構造は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘ
ッドと同様に行なえばよい。
気ヘッド3の構造は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘ
ッドと同様に行なえばよい。
【0120】このような浮上型磁気ヘッドは、例えばア
ーム等の従来公知のアセンブリー等と組み合わせて、ハ
ードディスクシステムとして使用される。
ーム等の従来公知のアセンブリー等と組み合わせて、ハ
ードディスクシステムとして使用される。
【0121】本発明の磁気記録再生方法では、磁気ディ
スクのグライドハイトx(μm )と、下記式とからデ
ィスク最内周での浮上量(磁気ディスクの表面と浮上型
磁気ヘッドの浮揚面との距離)y(μm )を決定する
。そして、磁気ディスクを回転し、この磁気ディスク上
に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう。
スクのグライドハイトx(μm )と、下記式とからデ
ィスク最内周での浮上量(磁気ディスクの表面と浮上型
磁気ヘッドの浮揚面との距離)y(μm )を決定する
。そして、磁気ディスクを回転し、この磁気ディスク上
に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう。
【0122】式 y≧1.38x−0.003μm
【
0123】浮上量yが前記範囲未満であるとシーク特性
が不十分である。
0123】浮上量yが前記範囲未満であるとシーク特性
が不十分である。
【0124】この場合、より好ましい条件は、y≧1.
62x−0.002μm 、特に好ましい条件は、y≧
1.92xである。
62x−0.002μm 、特に好ましい条件は、y≧
1.92xである。
【0125】ここで、グライドハイトxの定義は、一般
には各社によって異なるものであるが、本発明では下記
の測定によって決定される浮上量と定義する。
には各社によって異なるものであるが、本発明では下記
の測定によって決定される浮上量と定義する。
【0126】まず、磁気ディスクを回転し、この磁気デ
ィスク上に、浮上型磁気ヘッドにアコースティック・エ
ミッション(AE)センサを取り付けた検知用ヘッドを
浮上させる。そして、検知用ヘッドを磁気ディスクの最
外周から最内周まで移動させ、検知用ヘッドと磁気ディ
スクとのディスクの1面当りのヒット数をグライドハイ
トテスタの出力から検出する。そのときのディスクの回
転数は1000〜6000rpm 、特に2000〜4
000rpm 程度が好ましい。
ィスク上に、浮上型磁気ヘッドにアコースティック・エ
ミッション(AE)センサを取り付けた検知用ヘッドを
浮上させる。そして、検知用ヘッドを磁気ディスクの最
外周から最内周まで移動させ、検知用ヘッドと磁気ディ
スクとのディスクの1面当りのヒット数をグライドハイ
トテスタの出力から検出する。そのときのディスクの回
転数は1000〜6000rpm 、特に2000〜4
000rpm 程度が好ましい。
【0127】次いで、検知用ヘッドの浮上量を低下して
いき、そのつどディスクの1面当りのヒット数を検出し
、ヒット数が所定値以下になる検知用ヘッドのディスク
最内周での任意の浮上量をグライドハイトx(μm )
とする。この場合、本発明ではシーク特性を向上できる
点で、ヒット数が7以下、さらに4以下、特に2以下の
浮上量をグライドハイトとすることが好ましい。
いき、そのつどディスクの1面当りのヒット数を検出し
、ヒット数が所定値以下になる検知用ヘッドのディスク
最内周での任意の浮上量をグライドハイトx(μm )
とする。この場合、本発明ではシーク特性を向上できる
点で、ヒット数が7以下、さらに4以下、特に2以下の
浮上量をグライドハイトとすることが好ましい。
【0128】浮上量に関しては、石英製ディスクと、浮
上量テスタとを用いて、各々浮上型磁気ヘッドのディス
ク最内周での浮上量を試験的に求めておく。この場合、
磁気ディスクの最内周相当の位置で、最内周相当の相対
速度で浮上量を測定する。
上量テスタとを用いて、各々浮上型磁気ヘッドのディス
ク最内周での浮上量を試験的に求めておく。この場合、
磁気ディスクの最内周相当の位置で、最内周相当の相対
速度で浮上量を測定する。
【0129】磁気ヘッドの浮上量の調整は、浮上型磁気
ヘッドのスライダの媒体対向面積、ブレンディングやチ
ャンファーやクラウンや磁気ヘッドへの荷重を変えるこ
となどによって行なう。
ヘッドのスライダの媒体対向面積、ブレンディングやチ
ャンファーやクラウンや磁気ヘッドへの荷重を変えるこ
となどによって行なう。
【0130】また、ディスク最内周での浮上量yは、高
密度記録等の点から、0.10μm以下、好ましくは0
.08μm 以下、特に好ましくは0.05μm 以下
とする。
密度記録等の点から、0.10μm以下、好ましくは0
.08μm 以下、特に好ましくは0.05μm 以下
とする。
【0131】このような低浮上量で記録再生を行なう際
、前記条件を満たす所望のグライドハイトxを有する磁
気ディスクを得るには、例えば、ディスク基板自体の表
面のクリーン度(ゴミ、ほこり等の異物)、異状突起、
表面粗さあるいは成膜時のゴミ、ほこり等の異物や付着
や封入の防止、さらには成膜後の磁気ディスクの表面仕
上げ等により制御すればよい。
、前記条件を満たす所望のグライドハイトxを有する磁
気ディスクを得るには、例えば、ディスク基板自体の表
面のクリーン度(ゴミ、ほこり等の異物)、異状突起、
表面粗さあるいは成膜時のゴミ、ほこり等の異物や付着
や封入の防止、さらには成膜後の磁気ディスクの表面仕
上げ等により制御すればよい。
【0132】また、所望の浮上量yで記録再生を行なう
場合、磁気ディスクの表面粗さRmax でディスクを
管理するには、下記式を満たすRmax (μm )の
磁気ディスクを使用すればよい。
場合、磁気ディスクの表面粗さRmax でディスクを
管理するには、下記式を満たすRmax (μm )の
磁気ディスクを使用すればよい。
【0133】
式 0.05μm <y≦0.10μm のとき
Rmax ≦0.92x 0.04μm <
y≦0.05μm のときRmax ≦0.88x
y≦0.04μm のと
きRmax ≦0.80x
Rmax ≦0.92x 0.04μm <
y≦0.05μm のときRmax ≦0.88x
y≦0.04μm のと
きRmax ≦0.80x
【0134】前記範囲の表面
粗さRmax を有する磁気ディスクを使用することに
より、良好なシーク特性が得られる。
粗さRmax を有する磁気ディスクを使用することに
より、良好なシーク特性が得られる。
【0135】記録再生を行なう際のディスク回転数は1
000〜6000rpm 程度、面内記録の場合は特に
2000〜4000rpm 程度、垂直記録の場合は特
に1000〜4000rpm 程度が好ましい。
000〜6000rpm 程度、面内記録の場合は特に
2000〜4000rpm 程度、垂直記録の場合は特
に1000〜4000rpm 程度が好ましい。
【0136】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0137】実施例1
〈磁気ディスクサンプルの作製〉厚さ0.635mmの
ディスク状のアルミノケイ酸ガラス基板を研磨し、さら
に化学強化処理を施した。化学強化処理は、450℃の
溶融硝酸カリウムに10時間浸漬することにより行なっ
た。
ディスク状のアルミノケイ酸ガラス基板を研磨し、さら
に化学強化処理を施した。化学強化処理は、450℃の
溶融硝酸カリウムに10時間浸漬することにより行なっ
た。
【0138】次いで、このガラス基板表面をメカノケミ
カルポリッシングにより平滑化した。メカノケミカルポ
リッシングには、コロイダルシリカを含む研磨液を用い
た。研磨後の表面粗さ(Rmax )は0.002μm
であった。
カルポリッシングにより平滑化した。メカノケミカルポ
リッシングには、コロイダルシリカを含む研磨液を用い
た。研磨後の表面粗さ(Rmax )は0.002μm
であった。
【0139】メカノケミカルポリッシング後に、ガラス
基板を洗浄した。
基板を洗浄した。
【0140】洗浄は、
■純水洗浄
■洗剤洗浄
■純水洗浄
■IPA蒸気乾燥
の順で行なった。
【0141】■の工程では、純水中で25kHz の超
音波を印加しながら3〜30分間洗浄した。
音波を印加しながら3〜30分間洗浄した。
【0142】■の工程に用いた洗浄液は、Extran
MA 01(メルク社製)の5%希釈液であり、20
〜65kHz の超音波印加を行ないながら3〜30分
間洗浄した。
MA 01(メルク社製)の5%希釈液であり、20
〜65kHz の超音波印加を行ないながら3〜30分
間洗浄した。
【0143】■の工程では、45kHz の超音波によ
る超音波洗浄を3〜60分間行なった。
る超音波洗浄を3〜60分間行なった。
【0144】■の工程では、図5に示される装置を用い
、処理槽内でガラス基板を10〜60分間静置し、次い
で徐々に引き上げた。
、処理槽内でガラス基板を10〜60分間静置し、次い
で徐々に引き上げた。
【0145】乾燥後のガラス基板表面には乾燥シミ等の
汚れはみられず、極めて清浄なものであった。
汚れはみられず、極めて清浄なものであった。
【0146】洗浄後のガラス基板表面100cm2 あ
たりの欠陥の個数およびその寸法を、前述したガラス基
板検査装置により測定した。
たりの欠陥の個数およびその寸法を、前述したガラス基
板検査装置により測定した。
【0147】この結果、平均径0.1〜0.5μm の
異物および平均径0.5μm を超える異物は存在しな
かった。
異物および平均径0.5μm を超える異物は存在しな
かった。
【0148】ガラス基板を洗浄後、ガラス基板上に、非
磁性中間層、磁性層、固体保護層および潤滑膜を順次形
成し、磁気ディスクを得た。
磁性中間層、磁性層、固体保護層および潤滑膜を順次形
成し、磁気ディスクを得た。
【0149】非磁性中間層はCr薄膜であり、Ar雰囲
気中でCrをターゲットとしてスパッタ法により100
0A厚に形成した。
気中でCrをターゲットとしてスパッタ法により100
0A厚に形成した。
【0150】磁性層はCo−Ni−Pt合金薄膜であり
、Ar雰囲気中でCo−20%(Ni−Pt)合金をタ
ーゲットとしてスパッタ法により500A厚に形成した
。
、Ar雰囲気中でCo−20%(Ni−Pt)合金をタ
ーゲットとしてスパッタ法により500A厚に形成した
。
【0151】固体保護層はカーボン薄膜であり、スパッ
タ法により100Aに形成した。
タ法により100Aに形成した。
【0152】潤滑膜は、分子量2000の下記式で表わ
される化合物の0.1wt% 溶液を用いて、スピンコ
ート法により厚さ20Aに成膜して形成された。 (式)F(CF2 CF2 CF2 O)nCF2 C
F3
される化合物の0.1wt% 溶液を用いて、スピンコ
ート法により厚さ20Aに成膜して形成された。 (式)F(CF2 CF2 CF2 O)nCF2 C
F3
【0153】このようにして表1に示される各磁気
ディスクを作製した。
ディスクを作製した。
【0154】〈浮上型磁気ヘッドサンプルの作製〉Al
2 O3−TiC基体上に薄膜磁気ヘッド素子を形成し
た後、磁気ヘッド形状に加工し、支持バネ(ジンバル)
に取りつけ、図2に示されるような空気ベアリング型の
浮上型磁気ヘッドを得た。スライダのディスク対向面の
全投影面積は、1.4mm2 とした。
2 O3−TiC基体上に薄膜磁気ヘッド素子を形成し
た後、磁気ヘッド形状に加工し、支持バネ(ジンバル)
に取りつけ、図2に示されるような空気ベアリング型の
浮上型磁気ヘッドを得た。スライダのディスク対向面の
全投影面積は、1.4mm2 とした。
【0155】サンプルNo. 1について、浮上型磁気
ヘッドにアコーステック・エミッション(AE)センサ
を取り付けた検知用ヘッドを磁気ディスクの最外周から
最内周まで移動し、ディスクの1面当りのディスクと検
知用ヘッドとのヒット数をグライドハイトテスタ(日立
Deco社製)の出力から求めた。この場合、浮上量を
段階的に低下させ、1つの浮上量で合計5回測定を行な
った。なお、浮上量は、石英製ディスクと浮上量測定機
とを用いて事前に測定済であり、ディスク最内周での浮
上量とする。サンプルNo. 1の浮上量とヒット数と
の関係は下記のとおりであった。 浮上量(μm ) ヒット数(回/面)0.
022 20〜100.025
7〜50.032
7〜40.039
5〜30.050 3〜10.
075 2〜0
ヘッドにアコーステック・エミッション(AE)センサ
を取り付けた検知用ヘッドを磁気ディスクの最外周から
最内周まで移動し、ディスクの1面当りのディスクと検
知用ヘッドとのヒット数をグライドハイトテスタ(日立
Deco社製)の出力から求めた。この場合、浮上量を
段階的に低下させ、1つの浮上量で合計5回測定を行な
った。なお、浮上量は、石英製ディスクと浮上量測定機
とを用いて事前に測定済であり、ディスク最内周での浮
上量とする。サンプルNo. 1の浮上量とヒット数と
の関係は下記のとおりであった。 浮上量(μm ) ヒット数(回/面)0.
022 20〜100.025
7〜50.032
7〜40.039
5〜30.050 3〜10.
075 2〜0
【0156】上
記の結果から、ヒット数を7回/面以下と定義すると、
グライドハイトxは0.025μm であり、式 y
≧1.38x−0.003μm から得られる安全圏は
y≧0.315μm であり、式 y≧1.62x−
0.002μm から得られる安全圏はy≧0.385
μm であり、式 y≧1.92μm から得られる
安全圏はy≧0.048μmである。
記の結果から、ヒット数を7回/面以下と定義すると、
グライドハイトxは0.025μm であり、式 y
≧1.38x−0.003μm から得られる安全圏は
y≧0.315μm であり、式 y≧1.62x−
0.002μm から得られる安全圏はy≧0.385
μm であり、式 y≧1.92μm から得られる
安全圏はy≧0.048μmである。
【0157】次いで、No. 1について表1に示され
る浮上量y(ディスク最内周での浮上量)にて下記の評
価を行なった。なお、浮上量yの測定は、石英製ディス
クと、浮上量測定機とを用いてディスク最内周相当位置
で、最内周相当速度で行なった。
る浮上量y(ディスク最内周での浮上量)にて下記の評
価を行なった。なお、浮上量yの測定は、石英製ディス
クと、浮上量測定機とを用いてディスク最内周相当位置
で、最内周相当速度で行なった。
【0158】(1)シーク特性
磁気ディスクをグライドハイト測定時のディスク最内周
線速度に対応する回転数で回転させ、シーク試験を10
万回、20万回繰り返し行なった。
線速度に対応する回転数で回転させ、シーク試験を10
万回、20万回繰り返し行なった。
【0159】評価基準
〇:ヘッドクラッシュなし
×:ヘッドクラッシュ発生
【0160】また、ヘッドクラッシュが生じた場合、ヘ
ッドクラッシュ時のシーク試験回数を併記した。
ッドクラッシュ時のシーク試験回数を併記した。
【0161】以下、各サンプルについてNo. 1と同
様の評価を行なった。
様の評価を行なった。
【0162】浮上量yの測定は、浮上量測定機を用いて
ディスクの最内周相当位置で、最内周相当速度で行ない
、グライドハイトxの測定は、ディスクの最内周の相対
速度が浮上量yの測定時と同一の相対速度となるように
し、前記と同様にして外周から内周までヒット数を測定
して行なった。グライドハイトxを定めるヒット数の定
義と、測定時のディスク最内周での線速度を表1に示す
。上記の結果は表1および表2に示されるとおりである
。
ディスクの最内周相当位置で、最内周相当速度で行ない
、グライドハイトxの測定は、ディスクの最内周の相対
速度が浮上量yの測定時と同一の相対速度となるように
し、前記と同様にして外周から内周までヒット数を測定
して行なった。グライドハイトxを定めるヒット数の定
義と、測定時のディスク最内周での線速度を表1に示す
。上記の結果は表1および表2に示されるとおりである
。
【0163】
【表1】
【0164】
【表2】
【0165】表2に示される結果から判るように、ヒッ
ト数2回/面以下のサンプルは、シーク20万回後もデ
ィスク表面に傷がなく良好であった。また、ヒット数3
〜4回/面のサンプルは、シーク20万回後ディスク表
面に傷が発生したが、実用上問題がなかった。また、ヒ
ット数5〜7回/面のサンプルは、20万回シーク試験
中にヘッドクラッシュが生じたが、シーク10万回まで
は良好であった。
ト数2回/面以下のサンプルは、シーク20万回後もデ
ィスク表面に傷がなく良好であった。また、ヒット数3
〜4回/面のサンプルは、シーク20万回後ディスク表
面に傷が発生したが、実用上問題がなかった。また、ヒ
ット数5〜7回/面のサンプルは、20万回シーク試験
中にヘッドクラッシュが生じたが、シーク10万回まで
は良好であった。
【0166】これに対し比較用サンプルNo. 2−1
、No. 3−1およびNo. 13は、それぞれシー
ク1万回でヘッドクラッシュが生じた。
、No. 3−1およびNo. 13は、それぞれシー
ク1万回でヘッドクラッシュが生じた。
【0167】以上の結果から本発明の効果が明らかであ
る。
る。
【0168】実施例2
実施例1において、非磁性中間層および磁性層のかわり
に下記の軟磁性膜および垂直磁化膜の磁性層を形成した
ほかは同様にして垂直記録用の磁気ディスクを作製した
。
に下記の軟磁性膜および垂直磁化膜の磁性層を形成した
ほかは同様にして垂直記録用の磁気ディスクを作製した
。
【0169】〈軟磁性膜〉2%O2 を含む2×10−
1PaのAr雰囲気中にてDCマグネトロンスパッタ法
により80at% Ni−Fe合金を厚さ2000Aに
成膜して形成した。軟磁性膜の面内方向の保磁力は、9
Oe であった。
1PaのAr雰囲気中にてDCマグネトロンスパッタ法
により80at% Ni−Fe合金を厚さ2000Aに
成膜して形成した。軟磁性膜の面内方向の保磁力は、9
Oe であった。
【0170】〈垂直磁化膜〉DCマグネトロンスパッタ
法により20at% Cr−Co合金を厚さ1500A
に成膜して形成した。成膜時の雰囲気は、軟磁性膜形成
の際と同様とした。垂直磁化膜の垂直方向の保磁力は、
720 Oe であった。
法により20at% Cr−Co合金を厚さ1500A
に成膜して形成した。成膜時の雰囲気は、軟磁性膜形成
の際と同様とした。垂直磁化膜の垂直方向の保磁力は、
720 Oe であった。
【0171】また、実施例1および2と同様にして、垂
直記録用の浮上型磁気ヘッドとして、図3に示されるよ
うな薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドサンプルを作製
した。
直記録用の浮上型磁気ヘッドとして、図3に示されるよ
うな薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドサンプルを作製
した。
【0172】そして、得られた磁気ディスクと、浮上型
磁気ヘッドとを組み合わせて、実施例1と同様の評価を
行なったところ、同等の結果が得られた。
磁気ヘッドとを組み合わせて、実施例1と同様の評価を
行なったところ、同等の結果が得られた。
【0173】実施例3
〈磁気ディスクの作製〉Feタ−ゲット表面の酸化膜を
除去した。次いで、O2 ガスを導入して反応性スパッ
タを行ない、実施例1と同一のディスク基板上にFe3
O4 膜を成膜した。なお、O2 ガスは、基板に吹き
つけるように導入した。
除去した。次いで、O2 ガスを導入して反応性スパッ
タを行ない、実施例1と同一のディスク基板上にFe3
O4 膜を成膜した。なお、O2 ガスは、基板に吹き
つけるように導入した。
【0174】Fe3O4 膜形成後、空気中で熱処理を
行ない、γ−Fe2O3 磁性層とした。なお、磁性層
の厚さは、1500Aとした。
行ない、γ−Fe2O3 磁性層とした。なお、磁性層
の厚さは、1500Aとした。
【0175】次いで、実施例1と同様にして、潤滑膜を
形成し、磁気ディスクを作製した。
形成し、磁気ディスクを作製した。
【0176】得られた磁気ディスクと、浮上型磁気ヘッ
ドとを組み合わせて、実施例1と同様の評価を行なった
ところ、同等の結果が得られた。
ドとを組み合わせて、実施例1と同様の評価を行なった
ところ、同等の結果が得られた。
【0177】
【発明の効果】本発明の磁気記録再生方法によれば、低
浮上量領域で、良好なシーク特性が得られ、ヘッドクラ
ッシュを防止できる。このため優れた耐久信頼性が得ら
れる。
浮上量領域で、良好なシーク特性が得られ、ヘッドクラ
ッシュを防止できる。このため優れた耐久信頼性が得ら
れる。
【図1】本発明の磁気ディスクの1例が示される部分断
面図である。
面図である。
【図2】本発明の面内記録用の浮上型磁気ヘッドの1例
が示される部分断面図である。
が示される部分断面図である。
【図3】本発明の垂直記録用の浮上型磁気ヘッドの1例
が示される部分断面図である。
が示される部分断面図である。
【図4】ガラス基板検査装置の欠陥検出系を模式的に示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図5】ガラス基板の蒸気乾燥に用いる装置の概略構成
図である。
図である。
1 磁気ディスク
12 ディスク基板
13 磁性層
14 固体保護層
15 潤滑膜
2、3 浮上型磁気ヘッド
21、31 基体
22、23、24、35 絶縁層
25 下部磁極層
26 上部磁極層
27 ギャップ層
28、34 コイル層
29 保護層
32 第1磁性層
33 第2磁性層
37 接着剤層
39 磁性体
7 蒸気乾燥装置
71 処理槽
72 ヒータ
73 クーラー
74 有機溶剤
81 レーザー光源
83 明視野受光器
85 表面用暗視野受光器
87 裏面用暗視野受光器
9 ガラス基板
Claims (3)
- 【請求項1】 剛性のディスク基板上に連続薄膜の磁
性層を有する磁気ディスクを回転し、この磁気ディスク
上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行う磁気
記録再生方法であって、浮上型磁気ヘッドにアコーステ
ィック・エミッションセンサを取り付けた検知用ヘッド
を前記磁気ディスクの外周から内周へ移動させ、前記磁
気ディスクと、前記検知用ヘッドとのディスク1面当り
のヒット数を検出したとき、前記ヒット数が所定値以下
となる前記検知用ヘッドのディスク最内周での任意の浮
上量をグライドハイトx(μm )とした場合、前記浮
上型磁気ヘッドの記録再生時のディスク最内周での浮上
量y(μm )を下記式で示される範囲内にすることを
特徴とする磁気記録再生方法。 式 0.10μm ≧y≧1.38x−0.003μ
m - 【請求項2】 前記ディスク1面当たりのヒット数
が7以下となる前記検知用ヘッドのディスク最内周での
任意の浮上量をグライドハイトx(μm )とする請求
項1に記載の磁気記録再生方法。 - 【請求項3】 前記磁気ディスクの表面粗さRmax
(μm )を下記式で示される範囲にする請求項1ま
たは2に記載の磁気記録再生方法。 式 0.05μm <y≦0.10μm のときRm
ax ≦0.92x 0.04μm <y≦0.
05μm のときRmax ≦0.88x
y≦0.04μm のときRmax
≦0.80x
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12235391A JPH04324174A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 磁気記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12235391A JPH04324174A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 磁気記録再生方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04324174A true JPH04324174A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14833821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12235391A Withdrawn JPH04324174A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 磁気記録再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04324174A (ja) |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP12235391A patent/JPH04324174A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |