JPH04321285A - 超電導電磁波検出素子及びその作製方法 - Google Patents
超電導電磁波検出素子及びその作製方法Info
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- JPH04321285A JPH04321285A JP3116928A JP11692891A JPH04321285A JP H04321285 A JPH04321285 A JP H04321285A JP 3116928 A JP3116928 A JP 3116928A JP 11692891 A JP11692891 A JP 11692891A JP H04321285 A JPH04321285 A JP H04321285A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、素子電磁波を検出する
ために酸化物超電導体を用いて作られる超電導電磁波検
出素子及びその作製方法に関する。
ために酸化物超電導体を用いて作られる超電導電磁波検
出素子及びその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】昨今の電気通信技術の発達に伴い、通信
衛星等を利用した情報通信分野において、より高い周波
数帯域の受信機が求められており、ミリ波、サブミリ波
帯における受信機、即ち超電導電磁波検出素子の需要性
が見直されてきている。
衛星等を利用した情報通信分野において、より高い周波
数帯域の受信機が求められており、ミリ波、サブミリ波
帯における受信機、即ち超電導電磁波検出素子の需要性
が見直されてきている。
【０００３】従来、Ｎｂ等の金属系超電導体を用いて作
製された超電導電磁波検出素子は、実験室レベルにおい
ては点接触型の素子でその特性が得られている。しかし
、点接触型の欠点である接触部における表面酸化、ヒー
トサイクルにおける特性の劣化、再現性が得られないこ
と等の問題からその実用化が難しい。また、高温酸化物
超電導体を用いて点接触型素子を作製する場合は、接触
部の表面劣化により臨界温度が低くなるという問題があ
った。
製された超電導電磁波検出素子は、実験室レベルにおい
ては点接触型の素子でその特性が得られている。しかし
、点接触型の欠点である接触部における表面酸化、ヒー
トサイクルにおける特性の劣化、再現性が得られないこ
と等の問題からその実用化が難しい。また、高温酸化物
超電導体を用いて点接触型素子を作製する場合は、接触
部の表面劣化により臨界温度が低くなるという問題があ
った。
【０００４】このような問題が比較的少ないブリッジ型
に代表されるウイークリンク型素子に関しては、Ｎｂ系
において素子を複数個直列接続してチップを作製するも
のが提案されている（Ｚ．Ｗａｎｇ ｅｔ． ａｌ；Ｅ
ｌｅｃ． Ｃｏｎｆ．，ＩＳＥＣ ’８９ ｄｉｇｅｓ
ｔ． Ｐ．１７５，１９８９ ）。ところが、この提案
のものは検出マイクロ波の波長と検出素子面積（チップ
面積）、接合の個々の素子の均一性及び動作安定性等の
点で作製が容易でなく、再現性も低い。また、高温酸化
物超電導体を用いてマイクロブリッジを形成するものに
おいては、高温酸化物超電導体を構成する粒子の大きさ
が不均一で各粒界ジョセフソン接合がコヒーレントに動
作しなかったり、ブリッジが大きすぎてジョセフソン電
流以外の電流が流れたり、また並列の粒界接合因子等の
影響のためジョセフソン効果による高周波応答及び高感
度という本来の能力が発揮されないという問題があった
。
に代表されるウイークリンク型素子に関しては、Ｎｂ系
において素子を複数個直列接続してチップを作製するも
のが提案されている（Ｚ．Ｗａｎｇ ｅｔ． ａｌ；Ｅ
ｌｅｃ． Ｃｏｎｆ．，ＩＳＥＣ ’８９ ｄｉｇｅｓ
ｔ． Ｐ．１７５，１９８９ ）。ところが、この提案
のものは検出マイクロ波の波長と検出素子面積（チップ
面積）、接合の個々の素子の均一性及び動作安定性等の
点で作製が容易でなく、再現性も低い。また、高温酸化
物超電導体を用いてマイクロブリッジを形成するものに
おいては、高温酸化物超電導体を構成する粒子の大きさ
が不均一で各粒界ジョセフソン接合がコヒーレントに動
作しなかったり、ブリッジが大きすぎてジョセフソン電
流以外の電流が流れたり、また並列の粒界接合因子等の
影響のためジョセフソン効果による高周波応答及び高感
度という本来の能力が発揮されないという問題があった
。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者等は高
温酸化物超電導体を用いたウイークリンク型素子の研究
を重ね、ブリッジ部における各粒界ジョセフソン接合が
夫々コヒーレントな動作をし、良好なジョセフソン効果
を表す超電導電磁波検出素子及びこれを再現性よく作製
できる方法の発明をなした（特願平３−３１８５号）。 この超電導電磁波検出素子の作製方法では、まず共沈法
により超電導微粒子粉末を形成し、この粉末を大気中、
８３０ 〜８９０ ℃の温度で９時間一次焼成し、所定
形状にプレス成形した後、酸素中、９１０ 〜９４５
℃の温度で８時間二次焼成することにより平均粒径１５
μｍ以下の略均一な粒子の焼結体からなる高温酸化物超
電導体バルクを作製する。そしてこのバルクに所定形状
のブリッジ部（弱結合部）を形成することにより超電導
電磁波検出素子を作製する。
温酸化物超電導体を用いたウイークリンク型素子の研究
を重ね、ブリッジ部における各粒界ジョセフソン接合が
夫々コヒーレントな動作をし、良好なジョセフソン効果
を表す超電導電磁波検出素子及びこれを再現性よく作製
できる方法の発明をなした（特願平３−３１８５号）。 この超電導電磁波検出素子の作製方法では、まず共沈法
により超電導微粒子粉末を形成し、この粉末を大気中、
８３０ 〜８９０ ℃の温度で９時間一次焼成し、所定
形状にプレス成形した後、酸素中、９１０ 〜９４５
℃の温度で８時間二次焼成することにより平均粒径１５
μｍ以下の略均一な粒子の焼結体からなる高温酸化物超
電導体バルクを作製する。そしてこのバルクに所定形状
のブリッジ部（弱結合部）を形成することにより超電導
電磁波検出素子を作製する。
【０００６】このような素子の電磁波に対する応答は対
電子動作によるジョセフソン効果を基礎としているが、
素子のＩ−Ｖ特性上で得られる臨界電流ＩＣはジョセフ
ソン臨界電流ＩＣＪに通常の超電導電流ＩＣＳが重畳し
たものとなっており、素子の高感度化には超電導電流Ｉ
ＣＳの寄与分を消滅させ、本来のジョセフソン接合を作
製する必要がある。素子の動作温度、即ち臨界温度Ｔｃ
ｅを低下させずに、現状のＳＢＣプロセスにてできるだ
け微小なブリッジ（幅５０μｍ以下，厚さ５０μｍ以下
程度）を形成しても、臨界電流ＩＣ は１ｍＡを超える
程度であって超電導電流ＩＣＳが過分に含まれている。 このように、従来では、超電導電流ＩＣＳが臨界電流Ｉ
Ｃ に多く含まれているので、臨界電流ＩＣ の制御が
困難であり、更なる改良が望まれている。
電子動作によるジョセフソン効果を基礎としているが、
素子のＩ−Ｖ特性上で得られる臨界電流ＩＣはジョセフ
ソン臨界電流ＩＣＪに通常の超電導電流ＩＣＳが重畳し
たものとなっており、素子の高感度化には超電導電流Ｉ
ＣＳの寄与分を消滅させ、本来のジョセフソン接合を作
製する必要がある。素子の動作温度、即ち臨界温度Ｔｃ
ｅを低下させずに、現状のＳＢＣプロセスにてできるだ
け微小なブリッジ（幅５０μｍ以下，厚さ５０μｍ以下
程度）を形成しても、臨界電流ＩＣ は１ｍＡを超える
程度であって超電導電流ＩＣＳが過分に含まれている。 このように、従来では、超電導電流ＩＣＳが臨界電流Ｉ
Ｃ に多く含まれているので、臨界電流ＩＣ の制御が
困難であり、更なる改良が望まれている。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、ブリッジ部の一部の超電導特性を劣化させて超
電導電流ＩＣＳを減少させ、超電導電流ＩＣＳの減少に
伴って臨界電流ＩＣ の制御が容易となり、電磁波に対
する応答特性の向上を図れる超電導電磁波検出素子及び
その作製方法を提供することを目的とする。
であり、ブリッジ部の一部の超電導特性を劣化させて超
電導電流ＩＣＳを減少させ、超電導電流ＩＣＳの減少に
伴って臨界電流ＩＣ の制御が容易となり、電磁波に対
する応答特性の向上を図れる超電導電磁波検出素子及び
その作製方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願に係る第１発明の超
電導電磁波検出素子は、バルク状の酸化物超電導体にブ
リッジ部を設けてなる超電導電磁波検出素子において、
前記ブリッジ部の一部の超電導特性が他の部分に比べて
劣っていることを特徴とする。
電導電磁波検出素子は、バルク状の酸化物超電導体にブ
リッジ部を設けてなる超電導電磁波検出素子において、
前記ブリッジ部の一部の超電導特性が他の部分に比べて
劣っていることを特徴とする。
【０００９】本願に係る第２発明の超電導電磁波検出素
子の作製方法は、バルク状の酸化物超電導体を用いて超
電導電磁波検出素子を作製する方法において、ブリッジ
部を有するように前記バルク状の酸化物超電導体を加工
する工程と、前記ブリッジ部の一部を除いて金膜を被覆
する工程と、窒素雰囲気にてアニーリングを施す工程と
を有することを特徴とする。
子の作製方法は、バルク状の酸化物超電導体を用いて超
電導電磁波検出素子を作製する方法において、ブリッジ
部を有するように前記バルク状の酸化物超電導体を加工
する工程と、前記ブリッジ部の一部を除いて金膜を被覆
する工程と、窒素雰囲気にてアニーリングを施す工程と
を有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】第１発明では、ブリッジ部の一部は他の部分よ
り超電導特性が劣っているので、超電導電流ＩＣＳは減
少し、臨界電流ＩＣ は容易に制御される。
り超電導特性が劣っているので、超電導電流ＩＣＳは減
少し、臨界電流ＩＣ は容易に制御される。
【００１１】第２発明では、金蒸着膜にて覆われた部分
は、アニーリングにより超電導特性は変化しないが、Ｎ
２ 雰囲気に暴露されている部分は、脱酸素処理が進行
して、超電導特性（臨界温度Ｔｃｅ， 臨界電流密度Ｊ
ｃ ）が劣化する。ここで、ブリッジ部全体に対するこ
の金蒸着膜の被覆面積を変えることによって、臨界電流
ＩＣ の制御を行なえる。
は、アニーリングにより超電導特性は変化しないが、Ｎ
２ 雰囲気に暴露されている部分は、脱酸素処理が進行
して、超電導特性（臨界温度Ｔｃｅ， 臨界電流密度Ｊ
ｃ ）が劣化する。ここで、ブリッジ部全体に対するこ
の金蒸着膜の被覆面積を変えることによって、臨界電流
ＩＣ の制御を行なえる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
する。
【００１３】図１は、本発明に係る超電導電磁波検出素
子の模式的斜視図であり、図中１はマイクロブリッジ状
の酸化物超電導体からなる超電導電磁波検出素子である
。超電導電磁波検出素子１の中央部には、ブリッジ部１
１が形成されている。超電導電磁波検出素子１の厚さｔ
は５０μｍであり、ブリッジ部１１の幅ｗは５０μｍ、
長さＬは３００ μｍである。ブリッジ部１１において
、幅方向における両端部は中央部に比べて超電導特性が
劣っている。
子の模式的斜視図であり、図中１はマイクロブリッジ状
の酸化物超電導体からなる超電導電磁波検出素子である
。超電導電磁波検出素子１の中央部には、ブリッジ部１
１が形成されている。超電導電磁波検出素子１の厚さｔ
は５０μｍであり、ブリッジ部１１の幅ｗは５０μｍ、
長さＬは３００ μｍである。ブリッジ部１１において
、幅方向における両端部は中央部に比べて超電導特性が
劣っている。
【００１４】次に、このような超電導電磁波検出素子１
を作製する方法、つまり本発明に係る作製方法について
説明する。図２は、この作製方法の工程手順を示す模式
図である。まず、前述した特願平３─３１８５号の作製
方法により、バルク状の酸化物超電導体を作製し、作製
したバルク体を、ブリッジ部１１を有するマイクロブリ
ッジ状の酸化物超電導体１０に加工する（図２（ａ））
。加工後の酸化物超電導体１０の厚さｔは５０μｍであ
り、ブリッジ部１１の幅ｗは５０μｍ、長さＬは３００
μｍである。
を作製する方法、つまり本発明に係る作製方法について
説明する。図２は、この作製方法の工程手順を示す模式
図である。まず、前述した特願平３─３１８５号の作製
方法により、バルク状の酸化物超電導体を作製し、作製
したバルク体を、ブリッジ部１１を有するマイクロブリ
ッジ状の酸化物超電導体１０に加工する（図２（ａ））
。加工後の酸化物超電導体１０の厚さｔは５０μｍであ
り、ブリッジ部１１の幅ｗは５０μｍ、長さＬは３００
μｍである。
【００１５】次に、Ｎ２ 雰囲気のアニーリングにおけ
る金マスクのパターンの形成を、ポジ型レジストのリフ
トオフ法を用いて行なう。ブリッジ部１１の幅方向の両
端部、つまりＮ２ 雰囲気のアニーリングにおいてＮ２
に曝される部分にレジスト２を形成する（図２（ｂ）
）。このときの形成条件の一例を下記第１表に示す。
る金マスクのパターンの形成を、ポジ型レジストのリフ
トオフ法を用いて行なう。ブリッジ部１１の幅方向の両
端部、つまりＮ２ 雰囲気のアニーリングにおいてＮ２
に曝される部分にレジスト２を形成する（図２（ｂ）
）。このときの形成条件の一例を下記第１表に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】次に、素子全域に５００ 〜２０００Åの
膜厚範囲にて金を抵抗加熱で蒸着して金蒸着膜３を形成
する（図２（ｃ））。次いで、アセトン中に素子を浸し
、攪拌操作を行なってレジスト２をその上部の金蒸着膜
３と共にリフトオフにより除去する（図２（ｄ））。こ
のようにして所望の金蒸着膜３のパターニングを完了す
る。この素子を、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リットル／分
）にて、 ４００〜５００ ℃の温度範囲で１〜３時間
のアニーリングを施す。これにより、Ｎ２ 雰囲気に曝
される部分（金蒸着膜３に覆われていないブリッジ部１
１の幅方向の両端部）の酸素欠損が進行して超電導特性
が劣化し、全体として臨界電流ＩＣ は低下する。
膜厚範囲にて金を抵抗加熱で蒸着して金蒸着膜３を形成
する（図２（ｃ））。次いで、アセトン中に素子を浸し
、攪拌操作を行なってレジスト２をその上部の金蒸着膜
３と共にリフトオフにより除去する（図２（ｄ））。こ
のようにして所望の金蒸着膜３のパターニングを完了す
る。この素子を、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リットル／分
）にて、 ４００〜５００ ℃の温度範囲で１〜３時間
のアニーリングを施す。これにより、Ｎ２ 雰囲気に曝
される部分（金蒸着膜３に覆われていないブリッジ部１
１の幅方向の両端部）の酸素欠損が進行して超電導特性
が劣化し、全体として臨界電流ＩＣ は低下する。
【００１８】次に、超電導電磁波検出素子を作製するに
あたって不必要である部分の金蒸着膜３を、通常のフォ
トレジスト法とイオンミリング法とにて除去し、最終的
な超電導電磁波検出素子１を作製する（図２（ｅ））。 つまりブリッジ部１１に残存する金蒸着膜３を除去する
と共に、電極部に溝４を形成して電流，電圧端子部に分
離する。この形状から明らかなように、必要な電極部は
既に形成されており、しかも金の蒸着後にアニーリング
を施しているので、超電導体と金との付着性も強固であ
る。
あたって不必要である部分の金蒸着膜３を、通常のフォ
トレジスト法とイオンミリング法とにて除去し、最終的
な超電導電磁波検出素子１を作製する（図２（ｅ））。 つまりブリッジ部１１に残存する金蒸着膜３を除去する
と共に、電極部に溝４を形成して電流，電圧端子部に分
離する。この形状から明らかなように、必要な電極部は
既に形成されており、しかも金の蒸着後にアニーリング
を施しているので、超電導体と金との付着性も強固であ
る。
【００１９】以上のようなプロセスにおいて、作製条件
を変更して種々の超電導電磁波検出素子を作製した。以
下、これらの例について説明する。
を変更して種々の超電導電磁波検出素子を作製した。以
下、これらの例について説明する。
【００２０】（実施例１）長さ２００ μｍ，幅５０μ
ｍ，厚さ５０μｍに加工したブリッジ部１１の上に、厚
さ１０００Åの金蒸着膜３を幅１０μｍにて形成した。 この状態を図３に示す。この例では、ブリッジ部１１に
おいて、暴露部１１ａ と金被覆部１１ｂ との面積比
は４：１である。そして、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リッ
トル／分）にて、 ４００℃にて１時間のアニーリング
を施した。
ｍ，厚さ５０μｍに加工したブリッジ部１１の上に、厚
さ１０００Åの金蒸着膜３を幅１０μｍにて形成した。 この状態を図３に示す。この例では、ブリッジ部１１に
おいて、暴露部１１ａ と金被覆部１１ｂ との面積比
は４：１である。そして、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リッ
トル／分）にて、 ４００℃にて１時間のアニーリング
を施した。
【００２１】（実施例２）実施例１と同形状のブリッジ
部１１の上に、厚さ１０００Åの金蒸着膜３を幅３μｍ
にて形成し、実施例１と同一条件にてアニーリングを施
した。
部１１の上に、厚さ１０００Åの金蒸着膜３を幅３μｍ
にて形成し、実施例１と同一条件にてアニーリングを施
した。
【００２２】（実施例３）実施例１と同形状のブリッジ
部１１の上に、厚さ１０００Åの金蒸着膜３を幅１μｍ
にて形成し、実施例１と同一条件にてアニーリングを施
した。
部１１の上に、厚さ１０００Åの金蒸着膜３を幅１μｍ
にて形成し、実施例１と同一条件にてアニーリングを施
した。
【００２３】（実施例４）実施例１と同形状のブリッジ
部１１の上に、実施例１と同一パターンに金蒸着膜３を
形成し、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リットル／分）にて、
５００℃にて１時間のアニーリングを施した。
部１１の上に、実施例１と同一パターンに金蒸着膜３を
形成し、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リットル／分）にて、
５００℃にて１時間のアニーリングを施した。
【００２４】（実施例５）実施例１と同形状のブリッジ
部１１の上に、実施例１と同一パターンに金蒸着膜３を
形成し、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リットル／分）にて、
６００℃にて１時間のアニーリングを施した。
部１１の上に、実施例１と同一パターンに金蒸着膜３を
形成し、純Ｎ２ 雰囲気（流速２リットル／分）にて、
６００℃にて１時間のアニーリングを施した。
【００２５】上記の各実施例１〜５の臨界温度Ｔｃｅ及
び７７Ｋにおける臨界電流Ｉｃ を下記第２表に示す。 また比較例として、従来の加工法にて作製された素子の
特性も併せて示す。
び７７Ｋにおける臨界電流Ｉｃ を下記第２表に示す。 また比較例として、従来の加工法にて作製された素子の
特性も併せて示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】第２表の結果から明らかなように、本発明
の作製方法によって、金蒸着膜３の幅が３μｍの場合（
実施例２）では、従来例（比較例）に比べて、臨界温度
Ｔｃｅは５Ｋの低下であって特性劣化が小さく、臨界電
流Ｉｃ は１／１００ に低下している。なお、金蒸着
膜３の幅が１μｍの場合（実施例３）には、臨界温度Ｔ
ｃｅの劣化が著しすぎて、この程度の幅は不適当である
。
の作製方法によって、金蒸着膜３の幅が３μｍの場合（
実施例２）では、従来例（比較例）に比べて、臨界温度
Ｔｃｅは５Ｋの低下であって特性劣化が小さく、臨界電
流Ｉｃ は１／１００ に低下している。なお、金蒸着
膜３の幅が１μｍの場合（実施例３）には、臨界温度Ｔ
ｃｅの劣化が著しすぎて、この程度の幅は不適当である
。
【００２８】実施例５のように、６００ ℃のアニーリ
ングでは、臨界温度Ｔｃｅが７０Ｋとかなり劣化してい
るが、これは、金と酸化物超電導体との相互拡散に伴う
酸化物超電導体の特性劣化に起因する。つまり、６００
℃以上の温度では、酸化物超電導体を構成するＹ，Ｂ
ａ，Ｃｕ元素が金蒸着膜中へ両者の界面を経て拡散し、
この結果、酸化物超電導体の特性が劣化する。また、酸
化物超電導体、特にその粒界部への金の拡散も少なから
ず素子の特性劣化に寄与していると考えられる。
ングでは、臨界温度Ｔｃｅが７０Ｋとかなり劣化してい
るが、これは、金と酸化物超電導体との相互拡散に伴う
酸化物超電導体の特性劣化に起因する。つまり、６００
℃以上の温度では、酸化物超電導体を構成するＹ，Ｂ
ａ，Ｃｕ元素が金蒸着膜中へ両者の界面を経て拡散し、
この結果、酸化物超電導体の特性が劣化する。また、酸
化物超電導体、特にその粒界部への金の拡散も少なから
ず素子の特性劣化に寄与していると考えられる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ブリッ
ジ部の一部の超電導特性を劣化させるようにして超電導
電磁波検出素子を作製するので、臨界温度Ｔｃｅの低下
を最小限に抑えて、しかも臨界電流Ｉｃ を任意に制御
できる超電導電磁波検出素子を提供することができ、こ
の結果、電磁波に対する応答特性の向上を図ることも可
能となる。
ジ部の一部の超電導特性を劣化させるようにして超電導
電磁波検出素子を作製するので、臨界温度Ｔｃｅの低下
を最小限に抑えて、しかも臨界電流Ｉｃ を任意に制御
できる超電導電磁波検出素子を提供することができ、こ
の結果、電磁波に対する応答特性の向上を図ることも可
能となる。
【図１】本発明に係る超電導電磁波検出素子の模式的斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明に係る超電導電磁波検出素子の作製方法
の工程を示す模式図である。
の工程を示す模式図である。
【図３】ブリッジ部における金蒸着膜の形成パターンを
示す模式図である。
示す模式図である。
１ 超電導電磁波検出素子
２ レジスト
３ 金蒸着膜
１０ マイクロブリッジ状の酸化物超電導体１１
ブリッジ部 １１ａ 暴露部 １１ｂ 金被覆部
ブリッジ部 １１ａ 暴露部 １１ｂ 金被覆部
Claims (2)
- 【請求項１】 バルク状の酸化物超電導体にブリッジ
部を設けてなる超電導電磁波検出素子において、前記ブ
リッジ部の一部の超電導特性が他の部分に比べて劣って
いることを特徴とする超電導電磁波検出素子。 - 【請求項２】 バルク状の酸化物超電導体を用いて超
電導電磁波検出素子を作製する方法において、ブリッジ
部を有するように前記バルク状の酸化物超電導体を加工
する工程と、前記ブリッジ部の一部を除いて金膜を被覆
する工程と、窒素雰囲気にてアニーリングを施す工程と
を有することを特徴とする超電導電磁波検出素子の作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116928A JPH04321285A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 超電導電磁波検出素子及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116928A JPH04321285A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 超電導電磁波検出素子及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321285A true JPH04321285A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14699161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3116928A Pending JPH04321285A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 超電導電磁波検出素子及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04321285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0671764A3 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-10-11 | Sumitomo Electric Industries | |
| CN105984840A (zh) * | 2015-03-17 | 2016-10-05 | 国际商业机器公司 | 用于纳米桥弱链接的硅化纳米线 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3116928A patent/JPH04321285A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0671764A3 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-10-11 | Sumitomo Electric Industries | |
| CN105984840A (zh) * | 2015-03-17 | 2016-10-05 | 国际商业机器公司 | 用于纳米桥弱链接的硅化纳米线 |
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